SIC
close

Ингрированов

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura Прилонья МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES ТИП Фуевшии Baзowый nomer prodikta Тела Ток - Посткака ХIMIPARYARY Ток, арада - макс. Колиство На Втипа Sic programmirueTSARY Wshod Колист Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Колист Файнкхия Napraheneee - podaчa, odno/dvoйnoй (±) На Ток - Весу Ток - ТОК - Покоя (МАКСИМУМА) Cmrr, psrr (typ) Я Гистершис Степень Ток - ТИП ИСИЛИТЕЛ Poluhith Ток - На На На Колист ИНЕРФЕРА ДАННА Аргитерктура СССЛОНГИП На На Колишесоп Rugulyrovanie -wremenyni DefereneNцiAlnый whod Inl/DNL (LSB) Nomer- /Водад О. Raзmer jadra Скороп Подклхейни Пефер -вусрост Raзmerpmayti programmы ТИПППАМАЙТИ ПРОГРАММА Eeprom raзmer Raзmer operativnoй papmayti На Прроуваали Дьянн ТИП ГЕЙНЕРАТОРА Протокол Колиствово -ворота/пероэмедиков Дюпракс Скороп МАКСИМАЛАНСКА Имен ТАКТОВА Колист ТИП ПАМАТИ Raзmerpmayti Псевдоним Tykuщiй - pocoayщiй (iq) ТОК - Постка (МАКС) Формат пэмаи Органихая ИНЕРФЕРСП Верный ТОПОЛОГЯ ASTOTA - PREREKLючENEEEE Зaщita ot neeprawnosteй Фунеми ипра Ток - Прогрмирри -пейнкшииии Naprayeseee -akkuylyotra На Vodnaver -koanfiguraцian Вес феврал Raboshyй цikl (mmaks) Синронн Чasы sinхroniзajaip Сэридж и ТОК - В.О. Колиство.Конгролируэээм Naprayжeniee - porog Соберите На На На Колиш Otstupee napryanemane (mmaks) PSRR Особенносот
ML610Q174-435GAZWAAL Rohm Semiconductor ML610Q174-435Gazwaal -
RFQ
 ECAD 5147 0,00000000 ROHM Semiconductor - МАССА Прохл -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 80-BQFP ML610Q174 80-QFP (14x20) СКАХАТА DOSTISH 846-ML610Q174-435Gazwaal 1 49 NX-U8/100 8-Bytnый 8,4 мг I²C, SSP, UART/USART LCD, POR, PWM, WDT 128 кб (64K x 16) В.С. 2k x 8 4K x 8 2,2 В ~ 5,5 В. A/D 12x10b Внутронни
BR24L08FJ-WE2 Rohm Semiconductor BR24L08FJ-WE2 0,6500
RFQ
 ECAD 1202 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) BR24L08 Eeprom 1,8 В ~ 5,5 В. 8-Sop-J СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.32.0051 2500 400 kgц NeleTUSHIй 8 Eeprom 1k x 8 I²C 5 мс
BD1321G-TR Rohm Semiconductor BD1321G-TR 0,6900
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер SC-74A, SOT-753 BD1321 130 мка - 1 5-Ssop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.33.0001 3000 1 В/мкс 60 май О том, как 3 мг 15 NA 100 мкв 2,7 В. 5,5 В.
BR24L08F-WE2 Rohm Semiconductor BR24L08F-WE2 0,6300
RFQ
 ECAD 8683 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 8 SOIC (0,173 », Ирина 4,40 мм) BR24L08 Eeprom 1,8 В ~ 5,5 В. 8-Sop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.32.0051 2500 400 kgц NeleTUSHIй 8 Eeprom 1k x 8 I²C 5 мс
BU4915F-TR Rohm Semiconductor BU4915F-tr 0,2336
RFQ
 ECAD 8591 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер SC-82 ProStoE -sbroas/sbroas omoщnosti BU4915 ТОЛГОК, ТОТЕМНЕП 4-Sop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH BU4915FTR Ear99 8542.39.0001 3000 Активн -веса/Активн внихки 1 1,5 В. -
BM2P012 Rohm Semiconductor BM2P012 1.1955
RFQ
 ECAD 9112 0,00000000 ROHM Semiconductor - Трубка Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Чereз dыru 8-Dip (0,300 ", 7,62 мм), 7 лиц. BM2P012 26 7-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 50 1 LeTASHIй 65 кг Poloshitelnый Не 950 май 8,9 В.
BD4830G-TR Rohm Semiconductor BD4830G-TR 0,4800
RFQ
 ECAD 5208 0,00000000 ROHM Semiconductor BD48XXX Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер SC-74A, SOT-753 DETOCTOR BD4830 Otkrыtath drenaж или открыtый -колом 5-Ssop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 3000 Активн 1 3В -
BD5258FVE-TR Rohm Semiconductor BD5258FVE-TR -
RFQ
 ECAD 5133 0,00000000 ROHM Semiconductor BD52XX Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер SOT-665 DETOCTOR BD5258 Nprovereno Otkrыtath drenaж или открыtый -колом 5-VSOF СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 3000 Активн 1 5,8 В. -
BD6551G-TR Rohm Semiconductor BD6551G-TR 0,3720
RFQ
 ECAD 6393 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен 0 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер SOT-23-6 BD6551 - 25 май - 6-ssop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH BD6551GTR Ear99 8542.39.0001 3000 - - Пост - - 12
BD5244G-TR Rohm Semiconductor BD5244G-TR 0,1659
RFQ
 ECAD 8884 0,00000000 ROHM Semiconductor BD52XX Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер SC-74A, SOT-753 DETOCTOR BD5244 Nprovereno Otkrыtath drenaж или открыtый -колом 5-Ssop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 3000 Активн 1 4,4 В. -
BD4825FVE-TR Rohm Semiconductor BD4825FVE-TR 0,6200
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 ROHM Semiconductor BD48XXX Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер SOT-665 DETOCTOR BD4825 Otkrыtath drenaж или открыtый -колом 5-VSOF СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 3000 Активн 1 2,5 В. -
BR24G04NUX-3ATTR Rohm Semiconductor BR24G04NUX-3ATTR 0,2600
RFQ
 ECAD 1261 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 8-ufdfn otkrыtai-anpeщaudka BR24G04 Eeprom 1,6 В ~ 5,5 В. VSON008X2030 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.32.0051 4000 1 мг NeleTUSHIй 4 кбит Eeprom 512 x 8 I²C 5 мс
BD9895FV-E2 Rohm Semiconductor BD9895FV-E2 -
RFQ
 ECAD 1835 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 90 ° C. КОНТРЕЛЕРЕР Пефер 28-lssop (0,220 ", ширина 5,60 мм) BD9895 10 мк 6- ~ 14 В. 28-SSOP-B СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH BD9895FVE2 Ear99 8542.39.0001 2000
BDJ2GA3MEFJ-LBH2 Rohm Semiconductor BDJ2GA3MEFJ-LBH2 2.0300
RFQ
 ECAD 474 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. Пефер 8 SOIC (0,154 д.Ма, Ирина 3,90 мм). BDJ2GA3 14 Зaikcyrovannnый 8-HTSOP-J СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 250 1,2 мая ДАВАТ Poloshitelnый 300 май 12 - 1 1,2 Е @ 300 Ма - На
BD7836EFV-E2 Rohm Semiconductor BD7836EFV-E2 1.4200
RFQ
 ECAD 6449 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 20-vssop (0,173 д.Ма, ширина 4,40 мм). Класс Аб Depop, зaщita otcorotcogogo зamыkanynaving BD7836 2-канолан (Стеро) 4,5 n 5,5. 20-HTSSOP-B СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.33.0001 2500 1,9 yt x 2 @ 4om
BH2226FV-FE2 Rohm Semiconductor BH2226FV-FE2 4.0900
RFQ
 ECAD 5045 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -20 ° C ~ 85 ° C. Пефер 16-lssop (0,173 », ширина 4,40 мм) BH2226 Naprayжeniee - bupernoe Nprovereno 16-SSOP-B СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 2500 8 SPI R-2R - 2,7 В ~ 5,5 В. 2,7 В ~ 5,5 В. 8 100 мкс Не ± 1,5 (максимум), ± 1 (максмиму)
BD45385G-TR Rohm Semiconductor BD45385G-TR 0,3258
RFQ
 ECAD 1530 0,00000000 ROHM Semiconductor BD45XXX Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер SC-74A, SOT-753 DETOCTOR BD45385 Otkrыtath drenaж или открыtый -колом 5-Ssop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 3000 Активн 1 3,8 В. 45 мс Миними
BD33FC0WEFJ-E2 Rohm Semiconductor BD33FC0WEFJ-E2 14000
RFQ
 ECAD 12 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -25 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 8 SOIC (0,154 д.Ма, Ирина 3,90 мм). BD33FC0 26,5. Зaikcyrovannnый 8-HTSOP-J СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 2500 0,5 мая 2,5 мая ДАВАТ Poloshitelnый 1A 3,3 В. - 1 0,7 В @ 500 мая - На
BD5632NUX-TR Rohm Semiconductor BD5632NUX-TR 2.5800
RFQ
 ECAD 1966 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 8-ufdfn otkrыtai-anpeщaudka Клас d Depop, Nicte, KOROTKAYA AMAMыKANYANIPARYAIN BD5632 1-канадский (моно) 2,5 В ~ 5,5. 8-VSON (3x2) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.33.0001 4000 2,5 yt x 1 @ 4omm
BA83472YFVM-CTR Rohm Semiconductor BA83472YFVM-CTR 0,7000
RFQ
 ECAD 7098 0,00000000 ROHM Semiconductor Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 8-vssop, 8-марс (0,110 ", ширина 2,80 мм) 8-марсоп - 1 (neograniчennnый) 3000
BD5291G-GTL Rohm Semiconductor BD5291G-GTL 0,9500
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер SC-74A, SOT-753 BD5291 650 мка - 1 5-Ssop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.33.0001 3000 2,5 В/мкс 15 май О том, как 3,2 мг 1 п 100 мкв 1,7 5,5 В.
BD90GC0VEFJ-ME2 Rohm Semiconductor BD90GC0VEFJ-ME2 1.2900
RFQ
 ECAD 7296 0,00000000 ROHM Semiconductor Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. Пефер 8 SOIC (0,154 д.Ма, Ирина 3,90 мм). 14 Зaikcyrovannnый 8-HTSOP-J СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 2500 1,2 мая KlючiTath, я Poloshitelnый 1A 9в - 1 1,2 - @ 1a - Nantocom, wemperaturы, корок
BA82901YFV-CE2 Rohm Semiconductor BA82901YFV-CE2 1,6000
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C. Пефер 14-lssop (0,173 », ширина 4,40 мм) О том, как Otkrыtый kollektor 14-SSOPB СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 2500 4 2 $ 36 В, ± 1 n 18 5 мВ @ 5V 0,25 мк -при 5 16ma @ 5V 2MA - 400NS (typ) -
LM324DT-BZ Rohm Semiconductor LM324DT-BZ -
RFQ
 ECAD 9070 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 14 SOIC (0,154 ", Ирина 3,90 мм) 1MA - 4 14-sopj - 1 (neograniчennnый) 846-LM324DT-BZTR Управо 2500 0,3 В/мкс 30 май О том, как 800 kgц 20 NA 1 м 3 В 32
BA829 Rohm Semiconductor BA829 -
RFQ
 ECAD 1364 0,00000000 ROHM Semiconductor - Трубка Управо -25 ° C ~ 70 ° C. Чereз dыru 18-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) ВОДИЕЛЕР BA829 4,5 n 5,5. 18-Dip - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1000 - - - -
BD15IC0MEFJ-ME2 Rohm Semiconductor BD15IC0MEFJ-ME2 1.2900
RFQ
 ECAD 14 0,00000000 ROHM Semiconductor Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. Пефер 8 SOIC (0,154 д.Ма, Ирина 3,90 мм). BD15IC0 5,5 В. Зaikcyrovannnый 8-HTSOP-J СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 2500 0,25 мая 700 мк ДАВАТ Poloshitelnый 1A 1,5 В. - 1 0,9 В @ 1A - Nnadtocom, wemperaturы, maigeй start
BD9011EKN-E2 Rohm Semiconductor BD9011EKN-E2 -
RFQ
 ECAD 3465 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 36-vfqfn otkrыtai-anploщadca BD9011 Траншисторн 36-HQFNV (6,2x6,2) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 2500 Vniз 3,9 В. 2 БАК 300 kgц Klючitth, уплатель Poloshitelnый 1 - В дар В дар -
BU9437AKV-E2 Rohm Semiconductor BU9437AKV-E2 -
RFQ
 ECAD 9922 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Управо Nanastolnый audious, mp3, usb Пефер 64-LQFP Audio decoder BU9437A 64-VQFP (10x10) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1000 - 3 В ~ 3,6 В.
BU7265G-TR Rohm Semiconductor BU7265G-TR 1.4200
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер SC-74A, SOT-753 BU7265 350NA Жeleзnodoroghonyk 1 5-Ssop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.33.0001 3000 0,024 В/мкс 4 май О том, как 4 кг 1 п 1 м 1,8 В. 5,5 В.
BD81026MUV-E2 Rohm Semiconductor BD81026MUV-E2 2.6500
RFQ
 ECAD 5021 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте -25 ° C ~ 85 ° C. PANERI TFT-LCD: GAMMA-BOURER Пефер 24-VFQFN OTKRыTAIN ANPLOZADCA BD81026 4 май 8 В ~ 18 VQFN020V4040 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 2500
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть