SIC
close

Ингрированов

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura Прилонья МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES ТИП Фуевшии Baзowый nomer prodikta ТИПВ Тела Ток - Посткака В конце Колист. Каналов На Спесеикаиии Втипа Sic programmirueTSARY Wshod Колист Сооотвор - Вес: Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Файнкхия Napraheneee - podaчa, odno/dvoйnoй (±) Степень -3db polosы propypuskanya Ток - ТИП ИСИЛИТЕЛ Poluhith Ток - На На На Колист На На Nomer- /Водад О. Raзmer jadra Скороп Подклхейни Пефер -вусрост Raзmerpmayti programmы ТИПППАМАЙТИ ПРОГРАММА Eeprom raзmer Raзmer operativnoй papmayti На Прроуваали Дьянн ТИП ГЕЙНЕРАТОРА Перееклшит MULOTIPLEKSOUR/DEMOOLOTIPLEKSNый SхEMA Сопротивейни -атте Napraheneeee - podaчa, odinoчnый (v+) Napraheneeee - podaчa, dvoйnoй (v ±) Протокол Колиствово -ворота/пероэмедиков Дюпракс Скороп Имен Синла (ватт) Колист Обно -еж Резер Степень канала Псевдоним Tykuщiй - pocoayщiй (iq) ТОК - Постка (МАКС) Зaщita ot neeprawnosteй Фунеми ипра Vodnaver -koanfiguraцian ТОК - В.О. Rds nna (typ) Naprayжeniee - nagruзca ТИП МОТОРИКИ - ШАСТЕР ТИП МОТОРА - AC, DC « В конце ТИП Ток - Колиство.Конгролируэээм Naprayжeniee - porog Соберите На На Колиш Otstupee napryanemane (mmaks) PSRR Особенносот Sic programmirueTSARY
BD2066FJ-LBE2 Rohm Semiconductor BD2066FJ-LBE2 2.0300
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) Ставка, Коунролируая, Скоротеат, флай BD2066 Nerting N-канал 1: 2 8-Sop-J СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 2500 Ne o. ВЫКЛ/OFF 2 Ograniчeniee -tocaka (fikcyrovannoe), wemperaturы, obratnыйtok, uvlo Веса Сророна 80 МОМ 2,7 В ~ 5,5 В. USB Switch 1,5а
BD60GC0MEFJ-ME2 Rohm Semiconductor BD60GC0MEFJ-ME2 1.7200
RFQ
 ECAD 2770 0,00000000 ROHM Semiconductor Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. Пефер 8 SOIC (0,154 д.Ма, Ирина 3,90 мм). BD60GC0 14 Зaikcyrovannnый 8-HTSOP-J СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 2500 6 мка 1,2 мая ДАВАТ Poloshitelnый 1A 6в - 1 1,2 - @ 1a - Nnadtocom, wemperaturы, maigeй start
BD5346FVE-TR Rohm Semiconductor BD5346FVE-TR -
RFQ
 ECAD 5709 0,00000000 ROHM Semiconductor BD53XX Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер SOT-665 ProStoE -sbroas/sbroas omoщnosti BD5346 Nprovereno ТОЛГОК, ТОТЕМНЕП 5-VSOF СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 3000 Активн 1 4,6 В. -
BU21008MUV-E2 Rohm Semiconductor BU21008MUV-E2 -
RFQ
 ECAD 9481 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 32-vfqfn otkrыtai-aip-ploщadka Кнопки BU21008 300 мк 2,5 В ~ 3,3 В. 32-VQFN (5x5) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 2500 По 16 I²C Не 10б По 8
BU2152FS-E2 Rohm Semiconductor BU2152FS-E2 3.5700
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -25 ° C ~ 85 ° C. Пефер 32-Sop (0,213 ", Ирина 5,40 мм) ВОДИЕЛЕР BU2152 2,7 В ~ 5,5 В. 32-SSOP-A СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 2000 - - - -
BD12730G-GTR Rohm Semiconductor BD12730G-GTR 0,7170
RFQ
 ECAD 9251 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер SC-74A, SOT-753 BD12730 320 мка Жeleзnodoroghonyk 1 5-Ssop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.33.0001 3000 0,4 В/мкс 12 май О том, как 1 мг 50 NA 5 м 1,8 В. 5в
BD4848G-TR Rohm Semiconductor Bd4848g-tr 0,4800
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 ROHM Semiconductor BD48XXX Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер SC-74A, SOT-753 DETOCTOR BD4848 Otkrыtath drenaж или открыtый -колом 5-Ssop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 3000 Активн 1 4,8 В. -
BU4348G-TR Rohm Semiconductor BU4348G-TR 0,2202
RFQ
 ECAD 5478 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер SC-74A, SOT-753 ProStoE -sbroas/sbroas omoщnosti BU4348 ТОЛГОК, ТОТЕМНЕП 5-Ssop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 3000 Активн 1 4,8 В. Rerhuliruemый/vыbiraemый
BA178M05FP-E2 Rohm Semiconductor BA178M05FP-E2 0,7200
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 BA178M05 25 В Зaikcyrovannnый 252 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 2000 4,5 мая 6 май - Poloshitelnый 500 май 5в - 1 2V @ 500 май (тип) 78 дБ (120 ГГ) -
BU12TD3WG-TR Rohm Semiconductor BU12TD3WG-TR 0,5100
RFQ
 ECAD 21 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер SC-74A, SOT-753 BU12TD3 6в Зaikcyrovannnый 5-Ssop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 3000 60 мка ДАВАТ Poloshitelnый 200 май 1,2 В. - 1 0,9 В @ 200 Ма 70 дБ (1 кг) На
ML62Q1550-NNNTBZ0BX Rohm Semiconductor ML62Q1550-NNNTBZ0BX 7.1700
RFQ
 ECAD 100 0,00000000 ROHM Semiconductor ML621500 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 64-TQFP ML62Q1550 64-TQFP (10x10) - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.31.0001 1000 58 NX-U16/100 16-бит 25 мг I²C, SSP, UART/USART Por, pwm, Wdt 32KB (32K x 8) В.С. 4K x 8 8K x 8 1,6 В ~ 5,5 В. A/D 12x10b; D/A 1x8b Внутронни
BD9890FV-BZE2 Rohm Semiconductor BD9890FV-BZE2 -
RFQ
 ECAD 3537 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Управо BD9890 - Rohs3 846-BD9890FV-BZE2TR Управо 0000.00.0000 2500
BH76071FJ-E2 Rohm Semiconductor BH76071FJ-E2 1.3305
RFQ
 ECAD 1610 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте ВОДИЕЛЕР Пефер 14 SOIC (0,154 ", Ирина 3,90 мм) BH76071 45 май - 4 14-sopj - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 2500 4,5 n 5,5. -
BU4330F-TR Rohm Semiconductor BU4330F-TR -
RFQ
 ECAD 5259 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер SC-82 ProStoE -sbroas/sbroas omoщnosti BU4330 Nprovereno ТОЛГОК, ТОТЕМНЕП 4-Sop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 3000 Активн 1 3В Rerhuliruemый/vыbiraemый
BA00ASFP-E2 Rohm Semiconductor BA00ASFP-E2 1,9000
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 252-5, DPAK (4 HEDS + TAB), до 252AD BA00 25 В Rerhulyruemый 252-5 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 2000 2,5 мая 5 май ДАВАТ Poloshitelnый 1A 1.225V 25 В 1 - 55 дБ (120 ГГ) Nadocomm, veshemperaturы, nanprahneemememememememememememememememememem
BA90JC5T Rohm Semiconductor BA90JC5T 2.6900
RFQ
 ECAD 4233 0,00000000 ROHM Semiconductor - Трубка Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. Чereз dыru 220-3- BA90JC5 16 Зaikcyrovannnый 220FP СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 500 0,5 мая 900 мк - Poloshitelnый 1,5а 9в - 1 0,5 -500 52db (120 ГГ) На
BD34704KS2 Rohm Semiconductor BD34704Ks2 9.2900
RFQ
 ECAD 495 0,00000000 ROHM Semiconductor - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Потретелски Пефер 80-LQFP BD34704 8 - ± 6,5 -~ 7,5. 80-SQFP СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 500 Audiosignalnыйproцessor Серриал
BA3404FVM-TR Rohm Semiconductor BA3404FVM-TR 1.1300
RFQ
 ECAD 9151 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 8-vssop, 8-марс (0,110 ", ширина 2,80 мм) BA3404 2MA Толкат 2 8-марсоп СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.33.0001 3000 1,2 В/мкс 30 май О том, как 1,2 мг 70 NA 2 м 4 36
BD5237FVE-TR Rohm Semiconductor BD5237FVE-TR 0,2367
RFQ
 ECAD 7220 0,00000000 ROHM Semiconductor BD52XX Lenta и катахка (tr) В аспекте -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер SOT-665 DETOCTOR BD5237 Otkrыtath drenaж или открыtый -колом 5-VSOF СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 3000 Активн 1 3,7 В. - Nprovereno
BA8206F-E2 Rohm Semiconductor BA8206F-E2 -
RFQ
 ECAD 6693 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -25 ° C ~ 75 ° C. Пефер 8 SOIC (0,173 », Ирина 4,40 мм) BA8206 - 1 38В 8-Sop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 2500 Гератор Тона - 450 м
BD62130AEFJ-E2 Rohm Semiconductor BD62130AEFJ-E2 1.8200
RFQ
 ECAD 217 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -25 ° C ~ 85 ° C (TA) Пррин. Пефер 8 SOIC (0,154 д.Ма, Ирина 3,90 мм). BD62130 DMOS 8 В ~ 28 В. 8-HTSOP-J СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 2500 ВОДИЕЛЕР ВЫКЛ/OFF Pre -Driver - Half Bridge (2) 3A - - Позиил DC -
BD450U2WEFJ-CE2 Rohm Semiconductor BD450U2WEFJ-CE2 1.4600
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 д.Ма, Ирина 3,90 мм). 42 Зaikcyrovannnый 8-HTSOP-J СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 846-BD450U2WEFJ-CE2CT Ear99 8542.39.0001 2500 90 мка 150 мк ДАВАТ Poloshitelnый 200 май 5в - 1 0,35 -псы 100 май 65 дБ (120 ГГ) На
BD8355MWV-BZE2 Rohm Semiconductor BD8355MWV-BZE2 3.1536
RFQ
 ECAD 2157 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -25 ° C ~ 85 ° C. КОНВЕР, ВСЕГОВОЙ КАМЕРА Пефер 56-VFQFN PAD 4 В ~ 10 В. UQFN056V7070 СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1500 7 НЕКОЛЕКО
BD91N01NUX-E2 Rohm Semiconductor BD91N01NUX-E2 1,7000
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -30 ° C ~ 85 ° C. Usb -tip c Пефер 10-ufdfn otkrыtai-an-ploщadca BD91N01 125 Мка 1,7 В ~ 5,5. VSON010X3020 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 4000
BU7615AMUV-E2 Rohm Semiconductor BU7615AMUV-E2 -
RFQ
 ECAD 2327 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Управо - - Пефер - BU7615 - - - - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 2500 - -
BU7475HFV-TR Rohm Semiconductor BU7475HFV-TR 1.2600
RFQ
 ECAD 9616 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер SOT-665 BU7475 9 мка Жeleзnodoroghonyk 1 5-HVSOF СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.33.0001 3000 0,05 В/мкс 14 май О том, как 100 kgц 1 п 1 м 1,7 5,5 В.
BU9437AKV-E2 Rohm Semiconductor BU9437AKV-E2 -
RFQ
 ECAD 9922 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Управо Nanastolnый audious, mp3, usb Пефер 64-LQFP Audio decoder BU9437A 64-VQFP (10x10) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1000 - 3 В ~ 3,6 В.
BA17807T Rohm Semiconductor BA17807T 1.7600
RFQ
 ECAD 32 0,00000000 ROHM Semiconductor - МАССА В аспекте -40 ° C ~ 85 ° C. Чereз dыru 220-3- BA17807 22 Зaikcyrovannnый 220FP СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 500 4,5 мая 6 май - Poloshitelnый 1A 7в - 1 2v @ 1a (typ) 69 дБ (120 ГГ) -
BA4584RFV-E2 Rohm Semiconductor BA4584RFV-E2 1.0400
RFQ
 ECAD 6796 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. Пефер 14-lssop (0,173 », ширина 4,40 мм) BA4584 11ma - 4 14-SSOP-B СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.33.0001 2500 5 В/мкс О том, как 5 мг 100 NA 300 мкв 4 19 v
BA7626F-E2 Rohm Semiconductor BA7626F-E2 -
RFQ
 ECAD 1523 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Управо -25 ° C ~ 70 ° C (TA) ВИДЕГО Пефер 16 SOIC (0,173 », Ирина 4,40 мм) Беррирована BA7626 2 16-Sop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 2500 - - - - 4,5 n 5,5. -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть