SIC
close

Ингрированов

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura Прилонья МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES ТИП Фуевшии Baзowый nomer prodikta ТИПВ ЧastoTA Тела Ток - Посткака На Втипа Sic programmirueTSARY Wshod Сооотвор - Вес: Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Eccn Htsus Станодар Файнкхия Ток - На Протокол Колиствово -ворота/пероэмедиков Дюпракс Скороп МАКСИМАЛАНСКА Имен ТАКТОВА Колист ТИП ПАМАТИ Raзmerpmayti Псевдоним Tykuщiй - pocoayщiй (iq) ТОК - Постка (МАКС) Формат пэмаи Органихая ИНЕРФЕРСП Верный Whodnanhyan yзolship Внутронни Napraheneee - raзbivka ТОПОЛОГЯ Napraheneee - зapiytith Р. Бабо ASTOTA - PREREKLючENEEEE Зaщita ot neeprawnosteй Фунеми ипра На Vodnaver -koanfiguraцian Вес феврал Raboshyй цikl (mmaks) Синронн Чasы sinхroniзajaip Сэридж и ТОК - В.О. Rds nna (typ) Naprayжeniee - nagruзca ТИП МОТОРИКИ - ШАСТЕР ТИП МОТОРА - AC, DC « Pogruehenee На В конце ТИП Ток - Колиство.Конгролируэээм Naprayжeniee - porog Соберите На На На Колиш Otstupee napryanemane (mmaks) PSRR Особенносот
BR24G08FVT-3AGE2 Rohm Semiconductor BR24G08FVT-3AGE2 0,2700
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 8-tssop (0,173 », ширина 4,40 мм) BR24G08 Eeprom 1,6 В ~ 5,5 В. 8-tssop-b СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.32.0051 3000 1 мг NeleTUSHIй 8 Eeprom 1k x 8 I²C 5 мс
BD64550EFV-E2 Rohm Semiconductor BD64550EFV-E2 3.1050
RFQ
 ECAD 8685 0,00000000 ROHM Semiconductor * Lenta и катахка (tr) В аспекте BD64550 - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 2000
BR93G86FVJ-3GTE2 Rohm Semiconductor BR93G86FVJ-3GTE2 0,2628
RFQ
 ECAD 9790 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 8-tssop, 8-мав (0,118 ", 3,00 мк) BR93G86 Eeprom 1,7 В ~ 5,5. 8-tssop-bj СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.32.0051 2500 3 мг NeleTUSHIй 16 Eeprom 2k x 8, 1k x 16 МИКРОПРЕЙХОВОД 5 мс
BR24G16FVJ-3AGTE2 Rohm Semiconductor BR24G16FVJ-3AGTE2 0,3800
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 8-tssop, 8-мав (0,118 ", 3,00 мк) BR24G16 Eeprom 1,6 В ~ 5,5 В. 8-tssop-bj СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.32.0051 2500 1 мг NeleTUSHIй 16 Eeprom 2k x 8 I²C 5 мс
BD7683FJ-LBE2 Rohm Semiconductor BD7683FJ-LBE2 1.2960
RFQ
 ECAD 4199 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) BD7683 8-Sop-J СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 2500 15 В ~ 27,5. Иолирована Не - LeTASHIй 19,5 В. - 120 kgц Ograniчeniee -tocka, nagruзku, nanaprayaeneeee -
BD95601MUV-LBE2 Rohm Semiconductor BD95601MUV-LBE2 2.6280
RFQ
 ECAD 2151 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте -10 ° C ~ 85 ° C. Пефер 20-VFQFN OTKRыTAIN ANPLOZADCA BD95601 Траншисторн VQFN020V4040 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 2500 Vniз 4,5 В ~ 25 В. 1 БАК 200 kgц ~ 500 kgц Пррека, ofklючenie, хorose epetananee, mayagkiй startart Poloshitelnый 1 - В дар Не -
BD88215GUL-E2 Rohm Semiconductor BD88215GUL-E2 1.0950
RFQ
 ECAD 8898 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 14-UFBGA, CSPBGA Класс Аб Кородкая BD88215 2-канолан (Стеро) 2,4 В ~ 5,5. VCSP50L2 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.33.0001 3000 80 мт x 2 @ 16om
BD2062FJ-LBE2 Rohm Semiconductor BD2062FJ-LBE2 2.0300
RFQ
 ECAD 5356 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) Raзrain nagruзky, флай BD2062 Nerting N-канал 1: 2 8-Sop-J СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 2500 Ne o. ВЫКЛ/OFF 2 Ograniчeniee -tocaka (fikcyrovannoe), wemperaturы, obratnыйtok, uvlo Веса Сророна 80 МОМ 2,7 В ~ 5,5 В. USB Switch 2.4a
BRCB064GWZ-3E2 Rohm Semiconductor BRCB064GWZ-3E2 0,4502
RFQ
 ECAD 2891 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 6-xFBGA, CSPBGA BRCB064 Eeprom 1,6 В ~ 5,5 В. UCSP30L1 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.32.0051 3000 400 kgц NeleTUSHIй 64 Eeprom 8K x 8 I²C 5 мс
BD25GA5WEFJ-E2 Rohm Semiconductor BD25GA5WEFJ-E2 0,3289
RFQ
 ECAD 5858 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -25 ° C ~ 85 ° C. Пефер 8 SOIC (0,154 д.Ма, Ирина 3,90 мм). BD25GA5 14 Зaikcyrovannnый 8-HTSOP-J СКАХАТА Rohs3 2 (1 годы) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 2500 0,6 ма 900 мк ДАВАТ Poloshitelnый 500 май 2,5 В. - 1 0,9 В @ 500 мая - Nnadtocom, wemperaturы, maigeй start
BU1JTD2WNVX-TL Rohm Semiconductor BU1JTD2WNVX-TL 0,1706
RFQ
 ECAD 1750 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 4-udfn otkrыtaiNeploщaudka BU1JTD2 6в Зaikcyrovannnый SSON004X1010 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 5000 60 мка ДАВАТ Poloshitelnый 200 май 1,85 - 1 0,6 В @ 200 Ма 70 дБ (1 кг) Nantocom, wemperaturы, корок
BR35H128F-WCE2 Rohm Semiconductor BR35H128F-WCE2 2.1235
RFQ
 ECAD 4594 0,00000000 ROHM Semiconductor Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) В аспекте -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 8 SOIC (0,173 », Ирина 4,40 мм) BR35H128 Eeprom 2,5 В ~ 5,5. 8-Sop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.32.0051 2500 5 мг NeleTUSHIй 128 Eeprom 16K x 8 SPI 5 мс
BD8226EFV-E2 Rohm Semiconductor BD8226EFV-E2 1.4730
RFQ
 ECAD 5617 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте -40 ° C ~ 85 ° C. О том, как Пефер 24-VSSOP (0,220 ", шIRINA 5,60 мм). BD8226 - 5,5 В ~ 14 В. 24-HTSSOP-B СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 2000 Драгир - Порноф Парлель Половинамос (8) - 5,5 В ~ 14 В. - Позиил DC -
BR93G56FVJ-3GTE2 Rohm Semiconductor BR93G56FVJ-3GTE2 -
RFQ
 ECAD 2157 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 8-tssop, 8-мав (0,118 ", 3,00 мк) BR93G56 Eeprom 1,7 В ~ 5,5. 8-tssop-bj СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.32.0051 2500 3 мг NeleTUSHIй 2 Eeprom 256 x 8, 128 x 16 МИКРОПРЕЙХОВОД 5 мс
BU2ATD2WNVX-TL Rohm Semiconductor BU2ATD2WNVX-TL 0,1706
RFQ
 ECAD 9481 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 4-udfn otkrыtaiNeploщaudka BU2ATD2 6в Зaikcyrovannnый SSON004X1010 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 5000 60 мка ДАВАТ Poloshitelnый 200 май 2,05 - 1 0,6 В @ 200 Ма 70 дБ (1 кг) Nantocom, wemperaturы, корок
BU4248F-TR Rohm Semiconductor BU4248f-tr 0,2705
RFQ
 ECAD 1570 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер SC-82 ProStoE -sbroas/sbroas omoщnosti BU4248 Otkrыtath drenaж или открыtый -колом 4-Sop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 3000 Активн 1 4,8 В. Rerhuliruemый/vыbiraemый
BD9394FP-E2 Rohm Semiconductor BD9394FP-E2 1.0800
RFQ
 ECAD 4756 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Подцетка Пефер 20 SOIC (0,213 ", Ирина 5,40 мм) + 2 кладка DC DC -reghulor BD9394 150 кг 20-HSOP СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 2000 150 май 4 В дар Uspeх (powwheniee) 35 Аналог, Pwm 9в -
BU2099FV-E2 Rohm Semiconductor BU2099FV-E2 2.0400
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 20-lssop (0,173 ", ширина 4,40 мм) ВОДИЕЛЕР BU2099 2,7 В ~ 5,5 В. 20-SSOP-B СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 2500 - 12/0 - -
BD9326EFJ-LBE2 Rohm Semiconductor BD9326EFJ-LBE2 1.6170
RFQ
 ECAD 6581 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 8 SOIC (0,154 д.Ма, Ирина 3,90 мм). BD9326 18В Rerhulyruemый 8-HTSOP-J СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 2500 Vniз 1 БАК 380 кг Poloshitelnый Не 3A 0,9 В. 18В (пекреотел) 4,75 В.
BD15GC0WEFJ-E2 Rohm Semiconductor BD15GC0WEFJ-E2 0,3781
RFQ
 ECAD 8174 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -25 ° C ~ 85 ° C. Пефер 8 SOIC (0,154 д.Ма, Ирина 3,90 мм). BD15GC0 14 Зaikcyrovannnый 8-HTSOP-J СКАХАТА Rohs3 2 (1 годы) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 2500 900 мк ДАВАТ Poloshitelnый 1A 1,5 В. - 1 0,92 В @ 1a - Nnadtocom, wemperaturы, maigeй start
BD46485G-TR Rohm Semiconductor BD46485G-TR 0,3258
RFQ
 ECAD 8230 0,00000000 ROHM Semiconductor BD46XXX Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер SC-74A, SOT-753 DETOCTOR BD46485 ТОЛГОК, ТОТЕМНЕП 5-Ssop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 3000 Активн 1 4,8 В. 45 мс Миними
BD7710GWL-E2 Rohm Semiconductor BD7710GWL-E2 -
RFQ
 ECAD 9498 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Камр Пефер 20-UFBGA, CSPBGA DC DC -reghulor BD7710 2 мг 20-UCSP50L2 (1,9x2,1) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 3000 1.5a (Flash) 3 В дар Uspeх (powwheniee) 5,5 В. Не 2,7 В. 5,5 В.
BD9896FV-E2 Rohm Semiconductor BD9896FV-E2 -
RFQ
 ECAD 4343 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 90 ° C. КОНТРЕЛЕРЕР Пефер 28-lssop (0,220 ", ширина 5,60 мм) BD9896 17ma 6- ~ 14 В. 28-SSOP-B СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 2000
BR24G01FVJ-3AGTE2 Rohm Semiconductor BR24G01FVJ-3AGTE2 -
RFQ
 ECAD 2560 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 8-tssop, 8-мав (0,118 ", 3,00 мк) BR24G01 Eeprom 1,6 В ~ 5,5 В. 8-tssop-bj СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.32.0051 2500 1 мг NeleTUSHIй 1 кбит Eeprom 128 x 8 I²C 5 мс
BD4851G-TR Rohm Semiconductor BD4851G-TR 0,1709
RFQ
 ECAD 8085 0,00000000 ROHM Semiconductor BD48XXX Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер SC-74A, SOT-753 DETOCTOR BD4851 Nprovereno Otkrыtath drenaж или открыtый -колом 5-Ssop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 3000 Активн 1 5,1 В. -
BD4958G-TR Rohm Semiconductor BD4958G-TR 0,4700
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 ROHM Semiconductor BD49XXX Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер SC-74A, SOT-753 DETOCTOR BD4958 ТОЛГОК, ТОТЕМНЕП 5-Ssop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 3000 Активн 1 5,8 В. -
BD6581GU-E2 Rohm Semiconductor BD6581GU-E2 -
RFQ
 ECAD 3556 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Управо -30 ° C ~ 85 ° C (TA) Подцетка Пефер 24-VFBGA, CSPBGA DC DC -reghulor BD6581 1 мг VCSP85H2 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 3000 25 май 6 В дар Uspeх (powwheniee) 22 Аналог, Pwm 2,7 В. -
BD30GA5MEFJ-ME2 Rohm Semiconductor BD30GA5MEFJ-ME2 0,6450
RFQ
 ECAD 6942 0,00000000 ROHM Semiconductor Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. Пефер 8 SOIC (0,154 д.Ма, Ирина 3,90 мм). BD30GA5 14 Зaikcyrovannnый 8-HTSOP-J СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 2500 1,2 мая ДАВАТ Poloshitelnый 500 май 3В - 1 1,2 Е @ 500 Ма - Nnadtocom, wemperaturы, maigeй start
BD9850FVM-TR Rohm Semiconductor BD9850FVM-TR -
RFQ
 ECAD 2078 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 8-vssop, 8-марс (0,110 ", ширина 2,80 мм) BD9850 Траншисторн 8-марсоп СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 3000 Vniз 4 В ~ 9 В. 1 БАК 100 kgц ~ 2 mmgц Ypravyenee чastototoй, я. Poloshitelnый 1 - Не Не -
BU30JA2MNVX-CTL Rohm Semiconductor BU30JA2MNVX-CTL 0,3105
RFQ
 ECAD 7514 0,00000000 ROHM Semiconductor Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 4-udfn otkrыtaiNeploщaudka BU30JA2 6в Зaikcyrovannnый SSON004R1010 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 5000 90 мка ДАВАТ Poloshitelnый 200 май 3В - 1 0,53 Е @ 200 Ма 70 дБ (1 кг) Nadocom, wemperaturы, obraTnaipnav
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть