SIC
close

Ингрированов

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura Прилонья МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES ТИП Baзowый nomer prodikta ЧastoTA Тела Ток - Посткака На Втипа Wshod Колист Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Файнкхия -3db polosы propypuskanya Ток - Перееклшит MULOTIPLEKSOUR/DEMOOLOTIPLEKSNый SхEMA Сопротивейни -атте Кааналаналаналаналаналанала (Δron) Napraheneeee - podaчa, odinoчnый (v+) Napraheneeee - podaчa, dvoйnoй (v ±) Вернее Я Emcostth canala (cs (off), cd (off)) Ток - Ютехка (is (off)) (mmaks) Перекайс Имен ТАКТОВА Колист ТИП ПАМАТИ Raзmerpmayti Псевдоним Tykuщiй - pocoayщiй (iq) ТОК - Постка (МАКС) Формат пэмаи Органихая ИНЕРФЕРСП Верный Внутронни ТОПОЛОГЯ ASTOTA - PREREKLючENEEEE Фунеми ипра На Vodnaver -koanfiguraцian Синронн ТОК - В.О. Naprayжeniee - nagruзca ТИП МОТОРИКИ - ШАСТЕР ТИП МОТОРА - AC, DC « Pogruehenee На В конце Колиство.Конгролируэээм Naprayжeniee - porog Соберите Naprayжeniee - vыхod (мин/фиксирована) На На Колиш Otstupee napryanemane (mmaks) PSRR Особенносот
BU4924F-TR Rohm Semiconductor BU4924F-TR 0,6000
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер SC-82 ProStoE -sbroas/sbroas omoщnosti BU4924 ТОЛГОК, ТОТЕМНЕП 4-Sop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 3000 Активн -веса/Активн внихки 1 2,4 В. -
BA17820CP-E2 Rohm Semiconductor BA17820CP-E2 1,7000
RFQ
 ECAD 8682 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Чereз dыru DO 220-3 UCOROHENNENENE ОТ BA17820 33 В Зaikcyrovannnый DO-220CP-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 500 4,5 мая 6 май - Poloshitelnый 1A 20 - 1 2v @ 1a (typ) 60 дБ (120 ГГ) -
BD7903FS-E2 Rohm Semiconductor BD7903FS-E2 5.5980
RFQ
 ECAD 8860 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте -35 ° C ~ 85 ° C (TA) Сэмпл Пефер 54-Sop (0,449 ", шIrINA 11,40 мм). BD7903 - 4,5 В ~ 14 В. 54-SSOP-A - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1000 Драгир - Порноф Парлель - 1,8а - БИПОЛНА - -
BD8611EFV-E2 Rohm Semiconductor BD86111111EFV-E2 -
RFQ
 ECAD 8555 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Управо - - - - BD8611 - - - - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1500
BU4317F-TR Rohm Semiconductor BU4317F-TR 0,2705
RFQ
 ECAD 4364 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер SC-82 ProStoE -sbroas/sbroas omoщnosti BU4317 ТОЛГОК, ТОТЕМНЕП 4-Sop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 3000 Активн 1 1,7 Rerhuliruemый/vыbiraemый
BA00BC0WT-V5 Rohm Semiconductor BA00BC0WT-V5 1.7752
RFQ
 ECAD 8753 0,00000000 ROHM Semiconductor - Трубка В аспекте -40 ° C ~ 105 ° C. Чereз dыru 220-5- BA00BC0 16 Rerhulyruemый DO-220FP-5 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 500 0,5 мая 900 мк ДАВАТ Poloshitelnый 1A 1,5 В. 12 1 - 55 дБ (120 ГГ) На
BD30KA5WF-E2 Rohm Semiconductor BD30KA5WF-E2 0,7230
RFQ
 ECAD 4011 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. Пефер 8 SOIC (0,173 », Ирина 4,40 мм) BD30KA5 5,5 В. Зaikcyrovannnый 8-Sop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 2500 550 мка 55 май ДАВАТ Poloshitelnый 500 май 3В - 1 0,2 pri 200 мая 50 дБ (120 ГГ) На
BD46465G-TR Rohm Semiconductor BD46465G-TR 0,8400
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 ROHM Semiconductor BD46XXX Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер SC-74A, SOT-753 DETOCTOR BD46465 ТОЛГОК, ТОТЕМНЕП 5-Ssop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 3000 Активн 1 4,6 В. 45 мс Миними
BD70HC5WEFJ-E2 Rohm Semiconductor BD70HC5WEFJ-E2 0,8700
RFQ
 ECAD 9683 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -25 ° C ~ 85 ° C. Пефер 8 SOIC (0,154 д.Ма, Ирина 3,90 мм). BD70HC5 8в Зaikcyrovannnый 8-HTSOP-J СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 2500 6 мка 900 мк ДАВАТ Poloshitelnый 1,5а 7в - 1 0,93 В 1,5а - Nnadtocom, wemperaturы, maigeй start
BM2P0391-Z Rohm Semiconductor BM2P0391-Z 2.3800
RFQ
 ECAD 8479 0,00000000 ROHM Semiconductor - Трубка Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Чereз dыru 8-Dip (0,300 ", 7,62 мм), 7 лиц. BM2P0391 26 7-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 2000 1 LeTASHIй 100 kgц Poloshitelnый Не 1MA 8,9 В.
BD18GA3MEFJ-LBH2 Rohm Semiconductor BD18GA3MEFJ-LBH2 2.0300
RFQ
 ECAD 249 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. Пефер 8 SOIC (0,154 д.Ма, Ирина 3,90 мм). BD18GA3 14 Зaikcyrovannnый 8-HTSOP-J СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 250 1,2 мая ДАВАТ Poloshitelnый 300 май 1,8 В. - 1 1,2 Е @ 300 Ма - Nnadtocom, wemperaturы, maigeй start
BD62014AFS-E2 Rohm Semiconductor BD62014AFS-E2 1.9245
RFQ
 ECAD 8278 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте -40 ° C ~ 110 ° C (TA) Фан -Контролр Пефер 24-Sop (0,213 ", Ирина 5,40 мм) BD62014 - 10 В ~ 18 В. 24-Ssop-A СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 2000 КОНТРЕЛЕР - КОММУТАЙСЯ, ВАШ Парлель Предварительный водитель - половина моста (3) - - - БЕЗОН -
BU4940FVE-TR Rohm Semiconductor BU4940FVE-TR 0,7200
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер SOT-665 ProStoE -sbroas/sbroas omoщnosti BU4940 ТОЛГОК, ТОТЕМНЕП 5-VSOF СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 3000 Активн -веса/Активн внихки 1 4 -
BH18M0AWHFV-TR Rohm Semiconductor BH18M0AWHFV-TR 0,6800
RFQ
 ECAD 2039 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 6-smd, ploskay Angavodnanav BH18M0 5,5 В. Зaikcyrovannnый 6-HVSOF СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 3000 95 мка ДАВАТ Poloshitelnый 300 май 1,8 В. - 1 - 60 дБ (1 кг) На
BU4917F-TR Rohm Semiconductor BU4917f-tr 0,2336
RFQ
 ECAD 9961 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер SC-82 ProStoE -sbroas/sbroas omoщnosti BU4917 ТОЛГОК, ТОТЕМНЕП 4-Sop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH BU4917FTR Ear99 8542.39.0001 3000 Активн -веса/Активн внихки 1 1,7 -
BU4810F-TR Rohm Semiconductor BU4810F-TR 0,6000
RFQ
 ECAD 172 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер SC-82 ProStoE -sbroas/sbroas omoщnosti BU4810 Otkrыtath drenaж или открыtый -колом 4-Sop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 3000 Активн -веса/Активн внихки 1 1V -
BA6846FV-E2 Rohm Semiconductor BA6846FV-E2 2.2500
RFQ
 ECAD 4077 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте -25 ° C ~ 75 ° C (TA) О том, как Пефер 14-lssop (0,173 », ширина 4,40 мм) BA6846 БИПОЛНА 2,7 В ~ 9 14-SSOP-B СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 2500 Драгир - Порноф Парлель Половинамос (4) 500 май 2,7 В ~ 9 БИПОЛНА - -
BU4051BCFV-E2 Rohm Semiconductor BU4051BCFV-E2 1.4600
RFQ
 ECAD 430 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 16-lssop (0,173 », ширина 4,40 мм) BU4051 1 16-SSOP-B СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 2500 - - 8: 1 160om - 3v ~ 18v - - - 10pf 300NA -
BA033ST Rohm Semiconductor BA033ST 2.6300
RFQ
 ECAD 8638 0,00000000 ROHM Semiconductor - Трубка В аспекте -40 ° C ~ 85 ° C. Чereз dыru 220-5- BA033 25 В Зaikcyrovannnый DO-220FP-5 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 500 2,5 мая 5 май ДАВАТ Poloshitelnый 1A 3,3 В. - 1 - 55 дБ (120 ГГ) Nadocomm, veshemperaturы, nanprahneemememememememememememememememememem
BA50BB2RF-E2 Rohm Semiconductor BA50BB2RF-E2 -
RFQ
 ECAD 5104 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 8 SOIC (0,173 », Ирина 4,40 мм) BA50 16 Зaikcyrovannnый 8-Sop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 2500 0,8 ма 1,4 мая Klheitth Poloshitelnый 200 май 5в - 1 0,5 -50 63 дБ (120 ГГ) Nadtemperourotй
BR24L32-W Rohm Semiconductor BR24L32-W -
RFQ
 ECAD 9626 0,00000000 ROHM Semiconductor - Трубка Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Чereз dыru 8-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) BR24L32 Eeprom 1,8 В ~ 5,5 В. 8-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.32.0051 2000 400 kgц NeleTUSHIй 32 Eeprom 4K x 8 I²C 5 мс
BU45K254G-TL Rohm Semiconductor BU45K254G-TL 0,6800
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 ROHM Semiconductor BU45KXXX Lenta и катахка (tr) В аспекте -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 DETOCTOR BU45K254 Otkrыtath drenaж или открыtый -колом 3-Ssop СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 3000 Активн 1 2,5 В. 240 мс Миними
BA90DD0T Rohm Semiconductor BA90DD0T 3.2800
RFQ
 ECAD 527 0,00000000 ROHM Semiconductor - Трубка Актифен -40 ° C ~ 125 ° C. Чereз dыru 220-3- BA90DD0 25 В Зaikcyrovannnый DO-220FP-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 50 120 мка - Poloshitelnый 2A 9в - 1 0,7 В @ 2а 55 дБ (120 ГГ) Nadocomm, veshemperaturы, nanprahneemememememememememememememememememem
BD6067GU-E2 Rohm Semiconductor BD6067GU-E2 1.6170
RFQ
 ECAD 8845 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте -30 ° C ~ 85 ° C (TA) Подушка, камеры Пефер 8-VFBGA, CSPBGA DC DC -reghulor BD6067 1 мг VCSP85H1 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 3000 20 май 1 В дар Uspeх (powwheniee) 5,5 В. Шyr 2,7 В. 30
BD46475G-TR Rohm Semiconductor BD46475G-TR 0,3258
RFQ
 ECAD 7281 0,00000000 ROHM Semiconductor BD46XXX Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер SC-74A, SOT-753 DETOCTOR BD46475 ТОЛГОК, ТОТЕМНЕП 5-Ssop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 3000 Активн 1 4,7 В. 45 мс Миними
BD4841FVE-TR Rohm Semiconductor BD4841FVE-TR 0,2267
RFQ
 ECAD 7928 0,00000000 ROHM Semiconductor BD48XXX Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер SOT-665 DETOCTOR BD4841 Otkrыtath drenaж или открыtый -колом 5-VSOF СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 3000 Активн 1 4,1 В. -
BD450M5FP-CE2 Rohm Semiconductor BD450M5FP-CE2 1.2900
RFQ
 ECAD 26 0,00000000 ROHM Semiconductor Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 BD450 42 Зaikcyrovannnый 252-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 2000 175 Мка ДАВАТ Poloshitelnый 500 май 5в - 1 0,75 - @ 300 мая 60 дБ (120 ГГ) На
BA15BC0T Rohm Semiconductor BA15BC0T 2.6200
RFQ
 ECAD 439 0,00000000 ROHM Semiconductor - Трубка Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. Чereз dыru 220-3- BA15BC0 16 Зaikcyrovannnый 220FP СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 50 0,5 мая 900 мк - Poloshitelnый 1A 1,5 В. - 1 - - На
BD12IC0MEFJ-LBH2 Rohm Semiconductor BD12IC0MEFJ-LBH2 2.0300
RFQ
 ECAD 89 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. Пефер 8 SOIC (0,154 д.Ма, Ирина 3,90 мм). BD12IC0 5,5 В. Зaikcyrovannnый 8-HTSOP-J СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 250 700 мк ДАВАТ Poloshitelnый 1A 1,2 В. - 1 0,9 В @ 1A - Nnadtocom, wemperaturы, maigeй start
BD63920MUV-E2 Rohm Semiconductor BD63920MUV-E2 2.8300
RFQ
 ECAD 256 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -25 ° C ~ 85 ° C (TA) Камра, Пррин Пефер 28-vfqfn otkrыtai-anploщadka BD63920 DMOS 8 В ~ 28 В. VQFN028V5050 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 2500 ВОДИЕЛЕР Парлель Половинамос (4) 2A - БИПОЛНА - 1, 1/2, 1/4, 1/8, 1/16
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть