SIC
close

Ингрированов

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES ТИП Фуевшии Baзowый nomer prodikta ТИПВ Втипа Колист Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар ЛОГЕЕСКИЯ ТИП Колист Коли Ток - Файнкхия ТОК - Покоя (МАКСИМУМА) Колист Nomer- /Водад О. Raзmer jadra Скороп Подклхейни Пефер -вусрост Raзmerpmayti programmы ТИПППАМАЙТИ ПРОГРАММА Eeprom raзmer Raзmer operativnoй papmayti На Прроуваали Дьянн ТИП ГЕЙНЕРАТОРА Колиш SO-PROцESCORы/DSP КОНКОНТРОЛЕР Графика DiSpleй иконтролр Ethernet С ката USB Napraheneee - I/O. Функшии DOPOLNITELNHENEGERFEйSы. ТАКТОВА Колист Истошиник ТИП Mmakcymalnavan -a -derжca rasprostrannenina @ v, максимум cl Tykuщiй - pocoayщiй (iq) Взёд Ведоджеса Ведоджес Сэма NeShaviMhemee цepi ТОПОЛОГЯ ASTOTA - PREREKLючENEEEE w/swoToDIODNNый draйwer w/Supervisor w/sekwensor Sic programmirueTSARY
74AUP2G126DC,125 NXP Semiconductors 74AUP2G126DC, 125 0,1700
RFQ
 ECAD 143 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki 74aup МАССА Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 8-VFSOP (0,091 ", шIRINA 2,30 мм) 74AUP2G126 - 3-шТат 0,8 В ~ 3,6 В. 8-VSSOP СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH 2156-74AUP2G126DC, 125-954 Ear99 8542.39.0001 1 Бер, neryrtiruющiй 2 1 4ma, 4ma
74HCT2G66DP,125 NXP Semiconductors 74HCT2G66DP, 125 1.0000
RFQ
 ECAD 3034 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki 74HCT МАССА Актифен 74HCT2G66 СКАХАТА 0000.00.0000 1
74HCT08D,653 NXP Semiconductors 74HCT08D, 653 -
RFQ
 ECAD 9822 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki * МАССА Актифен 74HCT08 СКАХАТА DOSTISH 2156-74HCT08D, 653-954 1
74HCT4040DB,112 NXP Semiconductors 74HCT4040DB, 112 0,2800
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki * МАССА Актифен 74HCT4040 СКАХАТА Продан DOSTISH 2156-74HCT4040DB, 112-954 1
HEF4070BT,652 NXP Semiconductors HEF4070BT, 652 -
RFQ
 ECAD 3842 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki * МАССА Актифен HEF4070 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH 2156-HEF4070BT, 652-954 1
74LV04PW,112 NXP Semiconductors 74LV04PW, 112 0,1100
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki * МАССА Актифен 74LV04 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH 2156-74LV04PW, 112-954 Ear99 8542.39.0001 1
74HC14PW,112 NXP Semiconductors 74HC14PW, 112 -
RFQ
 ECAD 3495 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki * МАССА Актифен 74HC14 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH 2156-74HC14PW, 112-954 1
CBT3306D,112 NXP Semiconductors CBT3306D, 112 0,2900
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki 74CBT МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) Верхал CBT3306 4,5 n 5,5. 8 ТАКОГО СКАХАТА Продан DOSTISH 2156-CBT3306D, 112-954 1 - Edinshennnnnnnnnnnanne 1 x 1: 1 2
74AHCT08PW,118 NXP Semiconductors 74AHCT08PW, 118 -
RFQ
 ECAD 2808 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki * МАССА Актифен 74AHCT08 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH 2156-74AHCT08PW, 118-954 1
74AUP1G07GM,132 NXP Semiconductors 74AUP1G07GM, 132 0,0800
RFQ
 ECAD 73 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki 74aup МАССА Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 6-xfdfn 74AUP1G07 - Откргит 0,8 В ~ 3,6 В. 6-xson, sot886 (145x1) СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH 2156-74AUP1G07GM, 132-954 3963 Бер, neryrtiruющiй 1 1 -4ma
74AUP1G79GM,132 NXP Semiconductors 74AUP1G79GM, 132 0,0800
RFQ
 ECAD 154 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki 74aup МАССА Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 6-xfdfn D-Thep 74AUP1G79 Нюртировано 0,8 В ~ 3,6 В. 6-xson, sot886 (145x1) СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH 2156-74AUP1G79GM, 132-954 3963 1 1 4ma, 4ma Станода 309 мг Poloshitelgnый kraй 5,8ns @ 3,3 v, 30pf 500 NA 0,8 с
KC912DG128CCPVE NXP Semiconductors KC912DG128CCPVE 53 4100
RFQ
 ECAD 270 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki - МАССА Актифен - 2156-KC912DG128CCPVE 6
SPC5603CF2CLL4 NXP Semiconductors SPC5603CF2CLL4 -
RFQ
 ECAD 9389 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki MPC56XX QORIVVA МАССА Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 100-LQFP SPC5603 100-LQFP (14x14) - Rohs Продан 2156-SPC5603CF2CLL4 3A991 8542.31.0001 1 79 E200Z0H 32-Bytnый 48 мг Canbus, I²C, Linbus, Sci, Spi DMA, POR, PWM, WDT 384KB (384K x 8) В.С. 64K x 8 40K x 8 3 n 5,5. A/D 28x10b SAR VneShoniй, Внутронни
74AHC1G125GM,132 NXP Semiconductors 74AHC1G125GM, 132 -
RFQ
 ECAD 4227 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki 74AHC МАССА Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 6-xfdfn 74AHC1G125 - 3-шТат 2В ~ 5,5 В. 6-xson (145x1) СКАХАТА 0000.00.0000 1 Бер, neryrtiruющiй 1 1 8 май, 8 мая
MC908AP16CFAE NXP Semiconductors MC908AP16CFAE -
RFQ
 ECAD 4563 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki HC08 МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-LQFP 48-LQFP (7x7) - Rohs Продан 2156-MC908AP16CFAE-954 1 31 M68HC08 8-Bytnый 8 мг I²C, IRSCI, SCI, SPI LED, LVD, POR, PWM 16 кб (16K x 8) В.С. - 1k x 8 2,7 В ~ 5,5 В. A/D 8x10b SAR Внутронни
74LVC1G27GW,125 NXP Semiconductors 74LVC1G27GW, 125 -
RFQ
 ECAD 6792 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki 74LVC МАССА Актифен 74LVC1G27 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH 2156-74LVC1G27GW, 125-954 1
74AUP1GU04GS,132 NXP Semiconductors 74AUP1GU04GS, 132 0,1500
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki 74aup МАССА Актифен -40 ° C ~ 125 ° C. Пефер 6-xfdfn - 74AUP1GU04 1 0,8 В ~ 3,6 В. 6-xson, SOT1202 (1x1) СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH 2156-74AUP1GU04GS, 132-954 Ear99 8542.39.0001 1 Иртор 4ma, 4ma 500 NA 1 4.3ns @ 3,3 -v, 30pf - -
74LVT240DB,112 NXP Semiconductors 74LVT240DB, 112 0,3100
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki 74LVT МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 20-ssop (0,209 ", Ирина 5,30 мм) 74LVT240 - 3-шТат 2,7 В ~ 3,6 В. 20-Ssop СКАХАТА Продан DOSTISH 2156-74LVT240DB, 112-954 1 БУР, ИНВЕРИРОВАН 2 4 32 май, 64 мА
MC9S08SH16CTL NXP Semiconductors MC9S08SH16CTL 4.5300
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki - МАССА Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 28-tssop (0,173 », ширина 4,40 мм) MC9S08 28-tssop - Rohs Продан 2156-MC9S08SH16CTL-954 Ear99 8542.31.0001 1 23 HCS08 8-Bytnый 40 мг I²C, Linbus, Sci, Spi LVD, POR, PWM, WDT 16 кб (16K x 8) В.С. - 1k x 8 2,7 В ~ 5,5 В. A/D 16x10b SAR Внутронни
SAF7730HV/N336/S30 NXP Semiconductors SAF7730HV/N336/S30 11.7200
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki * МАССА Актифен СКАХАТА Продан Продан 2156-SAF7730HV/N336/S30-954 1
MC912DG128ACPVE NXP Semiconductors MC912DG128ACPVE -
RFQ
 ECAD 6085 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki HC12 МАССА Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 112-LQFP MC912 112-LQFP (20x20) - Rohs Продан 2156-MC912DG128ACPVE Ear99 8542.31.0001 1 69 ЦP12 16-бит 8 мг Canbus, i²c, Sci, Spi Por, pwm, Wdt 128KB (128K x 8) В.С. 2k x 8 8K x 8 4,5 n 5,5. A/D 16x8/10B SAR VneShoniй, Внутронни Nprovereno
LPC11U22FBD48/30QL NXP Semiconductors LPC11U22FBD48/30QL 2.6300
RFQ
 ECAD 252 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki LPC11U2X МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-LQFP 48-LQFP (7x7) - 2156-LPC11U22FBD48/30QL 115 40 ARM® Cortex®-M0 32-Bytnый 50 мг I²C, Microwire, SPI, SSI, SSP, UART/USART, USB Brown-Out DeTect/Reset, POR, WDT 16 кб (16K x 8) В.С. 1k x 8 8K x 8 1,8 В ~ 3,6 В. A/D 8x10b SAR Внутронни
74HCT32D,652 NXP Semiconductors 74HCT32D, 652 0,1000
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki * МАССА Актифен 74HCT32 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH 2156-74HCT32D, 652-954 1
MC34PF1510A5EP NXP Semiconductors MC34PF1510A5EP -
RFQ
 ECAD 4593 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki - МАССА Управо -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 40-vfqfn otkrыtai-anploщadka MC34PF1510 4,1 В. 40-hvqfn (5x5) - Rohs Продан 2156-MC34PF1510A5EP Ear99 8542.39.0001 1 6 Иониверсит (Бак) (3), Лининн (LDO) (3) 2 мг Не Не В дар
SVF532R2K2CMK4 NXP Semiconductors SVF532R2K2CMK4 36.4400
RFQ
 ECAD 90 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki - МАССА Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 364-LFBGA 364-MAPBGA (17x17) - Rohs Продан 2156-SVF532R2K2CMK4 5A002 8542.31.0001 1 ARM® Cortex®-M4 400 мг. 1 ЯДРО, 32-БИТНО Мультимеяя; NEON ™ MPE DDR3, LPDDR2 В дар DCU, GPU, LCD, Videoadc, VIU 10/100 мбрит/с (2) - USB 2.0 OTG + PHY (1) 3,3 В. Arm TZ, Hashing, RNG, RTC, RTIC, Secure JTAG, SNVS, TZ ASC, TZ WDOG Can, i²c, Irda, Lin, Medialb, Sci, SDHC, SPI, UART
HEF4002BT,652 NXP Semiconductors HEF4002BT, 652 -
RFQ
 ECAD 9261 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki 4000b МАССА Управо -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 14 SOIC (0,154 ", Ирина 3,90 мм) - 2 3 В ~ 15 В. 14 Такого - Rohs Продан 2156-HEF4002BT, 652-954 1 NvoROROTA 3MA, 3MA 4 мка 4 40ns @ 15V, 50pf 1,5 В ~ 4 В. 3,5 В ~ 11 В.
74LV14D,112 NXP Semiconductors 74LV14D, 112 0,1200
RFQ
 ECAD 5526 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki * МАССА Актифен 74LV14 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH 2156-74LV14D, 112-954 1
74LVC2G07GF,132 NXP Semiconductors 74LVC2G07GF, 132 0,1200
RFQ
 ECAD 23 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki 74LVC МАССА Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 6-xfdfn 74LVC2G07 - Откргит 1,65 n 5,5 6-xson, sot891 (1x1) СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH 2156-74LVC2G07GF, 132-954 1 Бер, neryrtiruющiй 2 1 -32 Ма
74ALVCH16373DGG:11 NXP Semiconductors 74ALVCH16373DGG: 11 0,4400
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki * МАССА Актифен 74ALVCH16373 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH 2156-74ALVCH16373DGG: 11-954 Ear99 8542.39.0001 1
74LVC132APW,112 NXP Semiconductors 74LVC132APW, 112 0,1400
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki * МАССА Актифен 74LVC132 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH 2156-74LVC132APW, 112-954 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть