SIC
close

Ингрированов

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura Прилонья МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES ТИП Baзowый nomer prodikta ТИПВ ЧastoTA Ток - Посткака ХIMIPARYARY Колиство Колист. Каналов Втипа Sic programmirueTSARY Wshod Wshod Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар ЛОГЕЕСКИЯ ТИП Колист Коли Ток - Файнкхия Ток - Nomer- /Водад О. Raзmer jadra Скороп Подклхейни Пефер -вусрост Raзmerpmayti programmы ТИПППАМАЙТИ ПРОГРАММА Eeprom raзmer Raзmer operativnoй papmayti На Прроуваали Дьянн ТИП ГЕЙНЕРАТОРА Имен Колиш SO-PROцESCORы/DSP КОНКОНТРОЛЕР Графика DiSpleй иконтролр Ethernet С ката USB Napraheneee - I/O. Функшии DOPOLNITELNHENEGERFEйSы. ТАКТОВА СКОРЕСТА КОНДИИГИОНИРОВАНСКИЙ Emcosth - vхod Колист Истошиник ТИП Mmakcymalnavan -a -derжca rasprostrannenina @ v, максимум cl Tykuщiй - pocoayщiй (iq) Взёд Сэма NeShaviMhemee цepi Внутронни ТОПОЛОГЯ Зaщita ot neeprawnosteй На Pogruehenee На В конце
PTN36502HQX NXP Semiconductors PTN36502HQX 2.7900
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki - МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Usb -tip c 24-xfqfn oTkrыTAIN-aploщadca Бер, rerri 225 май - DIFERENцIAL DIFERENцIAL 1,7 В ~ 1,9 В. 24-hx2qfn (2,4x3,2) - 2156-PTN36502HQX 108 5,4 -гвит / с Веснивани, ВВОДА, ВОДА 10 с
74AHCT32D,118 NXP Semiconductors 74ahct32d, 118 0,0900
RFQ
 ECAD 5105 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki * МАССА Актифен 74AHCT32 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH 2156-74AHCT32D, 118-954 1
74HCT4046AD,118 NXP Semiconductors 74HCT4046AD, 118 0,3200
RFQ
 ECAD 64 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki * МАССА Актифен 74HCT4046 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH 2156-74HCT4046AD, 118-954 928
MCIMX6D7CVT08AD NXP Semiconductors MCIMX6D7CVT08AD 60.4000
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki i.mx6d МАССА Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TJ) Пефер 624-FBGA, FCBGA 624-FCBGA (21x21) - 2156-MCIMX6D7CVT08AD 5 ARM® Cortex®-A9 800 мг 2 ядра, 32-биота Мультимеяя; Neon ™ Simd DDR3, DDR3L, LPDDR2 В дар Клаиатура, LCD 10/100/1000 мсб/с (1) SATA 3 Гит / С (1) USB 2.0 + PHY (4) 1,8 В, 2,5 В, 2,8 В, 3,3 В ARM TZ, безопасность сажи, криптография, RTIC, Secure FuseBox, Secure JTAG, БУПАСАНА, ПАМАТА, БЕЗОПА, БОБА Canbus, I²C, I²S, MMC/SD/SDIO, SAI, SPI, SSI, UART
74HC280D,653 NXP Semiconductors 74HC280D, 653 0,2400
RFQ
 ECAD 28 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki * МАССА Актифен 74HC280 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH 2156-74HC280D, 653-954 1253
PCA9468UKBZ NXP Semiconductors PCA9468UKBZ 2.9600
RFQ
 ECAD 41 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki - МАССА Актифен - 2156-PCA9468UKBZ 102
MCF51QE96CLH557 NXP Semiconductors MCF51QE96CLH557 7.3700
RFQ
 ECAD 800 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki - МАССА Актифен - 2156-MCF51QE96CLH557 41
74LVC1G34GS,132 NXP Semiconductors 74LVC1G34GS, 132 0,0800
RFQ
 ECAD 137 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki 74LVC МАССА Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 6-xfdfn 74LVC1G34 - Толкат 1,65 n 5,5 6-xson, SOT1202 (1x1) СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH 2156-74LVC1G34GS, 132-954 3723 Бер, neryrtiruющiй 1 1 32MA, 32MA
LPC12H27FBD64/301, NXP Semiconductors LPC12H27FBD64/301, 4,8000
RFQ
 ECAD 282 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki - МАССА Актифен - 2156-LPC12H27FBD64/301, 63
SPC5646CCF0VLU1R NXP Semiconductors SPC5646CCF0VLU1R -
RFQ
 ECAD 9891 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki MPC56XX QORIVVA МАССА Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 176-LQFP 176-LQFP (24x24) - 2156-SPC5646CCF0VLU1R 1 147 E200Z4D, E200Z0H 32-битвен 80 мгр, 120 мгр Canbus, Ethernet, I²C, Linbus, Sci, Spi DMA, POR, PWM, WDT 3 марта (3 м х 8) В.С. 4K x 16 256K x 8 3 n 5,5. A/D 46x10b, 24x12b Внутронни
MC9S08PA32VLH NXP Semiconductors MC9S08PA32VLH -
RFQ
 ECAD 7756 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki S08 МАССА Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 64-LQFP 64-LQFP (10x10) - 2156-MC9S08PA32VLH 1 57 S08 8-Bytnый 20 мг I²C, Linbus, SPI, UART/USART LVD, POR, PWM, WDT 32KB (32K x 8) В.С. 256 x 8 4K x 8 2,7 В ~ 5,5 В. A/D 16x12b VneShoniй, Внутронни
MPC8245TZU266D NXP Semiconductors MPC8245TZU266D 98.9100
RFQ
 ECAD 186 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki MPC82XX МАССА Управо -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 352-LBGA PAD 352-TBGA (35x35) СКАХАТА Rohs Продан 2156-MPC8245TZU266D 3A991 8542.31.0001 1 PowerPC 603E 266 мг 1 ЯДРО, 32-БИТНО - SDRAM Не - - - - 3,3 В. - DMA, Duart, I²C, I²O, PCI, UART
74HCT240PW,112 NXP Semiconductors 74HCT240PW, 112 0,1800
RFQ
 ECAD 28 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki 74HCT МАССА Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 20-tssop (0,173 », ширина 4,40 мм) 74HCT240 - 3-шТат 4,5 n 5,5. 20-tssop СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH 2156-74HCT240PW, 112-954 1 БУР, ИНВЕРИРОВАН 2 4 6ma, 6ma
74AHCT08D,118 NXP Semiconductors 74ahct08d, 118 0,1000
RFQ
 ECAD 255 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki * МАССА Актифен 74AHCT08 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH 2156-74AHCT08D, 118-954 1
TJA1024HG NXP Semiconductors TJA1024HG -
RFQ
 ECAD 8551 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki * МАССА Актифен Nprovereno СКАХАТА 0000.00.0000 1
74HC241D,653 NXP Semiconductors 74HC241D, 653 0,2600
RFQ
 ECAD 26 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki 74HC МАССА Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 20 SOIC (0,295 дюйма, Ирина 7,50 мм) 74HC241 - 3-шТат 2 В ~ 6 В. 20 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH 2156-74HC241D, 653-954 1 Бер, neryrtiruющiй 2 4 7,8 мая, 7,8 мая
74HC03D,653 NXP Semiconductors 74HC03D, 653 0,1000
RFQ
 ECAD 41 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki * МАССА Актифен 74HC03 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH 2156-74HC03D, 653-954 3079
S912ZVHL32F1VLQ NXP Semiconductors S912ZVHL32F1VLQ 6.0300
RFQ
 ECAD 300 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki - МАССА Управо -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 144-LQFP S912 144-LQFP (20x20) - Rohs Продан 2156-S912ZVHL32F1VLQ 3A991 8542.31.0001 1 100 HCS12Z 16-бит 32 мг Canbus, I²C, Linbus, Sci, Spi DMA, LCD, POR, PWM, WDT 32KB (32K x 8) В.С. 2k x 8 2k x 8 5,5 В ~ 18 A/D 8x10b SAR VneShoniй, Внутронни
HEF40175BT,653 NXP Semiconductors HEF40175BT, 653 0,2700
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki 4000b МАССА Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 16 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) D-Thep HEF40175 Додер 3 В ~ 15 В. 16-й СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH 2156-HEF40175BT, 653-954 1 092 1 4 3,4 мая, 3,4 мая Мастера 45 мг Poloshitelgnый kraй 45NS @ 15V, 50pf 4 мка 7,5 пф
74LVC1G57GS,132 NXP Semiconductors 74LVC1G57GS, 132 0,0900
RFQ
 ECAD 134 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki * МАССА Актифен 74LVC1G57 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH 2156-74LVC1G57GS, 132-954 3463
MM912H634DV1AE NXP Semiconductors MM912H634DV1AE 4.0500
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki Автомобиль, AEC-Q100 МАССА Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 48-lqfp, otkrыtai-an-ploщadca Свина - 48-HLQFP (7x7) - 2156-MM912H634DV1AE 75 МООНИТОР Серриал -
74HC367D,652 NXP Semiconductors 74HC367D, 652 0,2500
RFQ
 ECAD 6925 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki 74HC МАССА Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 16 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) 74HC367 - 3-шТат 2 В ~ 6 В. 16-й СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH 2156-74HC367D, 652-954 1 Бер, neryrtiruющiй 2 2, 4 (HEX) 7,8 мая, 7,8 мая
74LVT162245BDL,118 NXP Semiconductors 74LVT162245BDL, 118 0,5300
RFQ
 ECAD 103 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki 74LVT МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-BSSOP (0,295 ", шIRINA 7,50 мм) 74LVT162245 - 3-шТат 2,7 В ~ 3,6 В. 48-ssop СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH 2156-74LVT162245BDL, 118-954 1 Смотрей, nertirtiruyющiй 2 8 12 май, 12 мая
PCA9552D,118 NXP Semiconductors PCA9552D, 118 1.7700
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki - МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) - Пефер 24 SOIC (0,295 ", Ирина 7,50 мм) Илинен - 24 ТАКОГО - 2156-PCA9552D, 118 170 25 май 16 В дар - 5,5 В. I²C 2,3 В. -
74AHC257PW,118 NXP Semiconductors 74AHC257PW, 118 0,1700
RFQ
 ECAD 13 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki 74AHC МАССА Актифен -40 ° C ~ 125 ° C. Пефер 16-tssop (0,173 », ширина 4,40 мм) Мультипрор 74AHC257 2В ~ 5,5 В. 16-tssop СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH 2156-74AHC257PW, 118-954 1786 8 май, 8 мая Edinshennnnnnnnnnnanne 4 x 2: 1 1
74AUP2G00GF,115 NXP Semiconductors 74AUP2G00GF, 115 0,1800
RFQ
 ECAD 85 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki * МАССА Актифен 74AUP2G00 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH 2156-74AUP2G00GF, 115-954 1
HEF4028BT,652 NXP Semiconductors HEF4028BT, 652 0,1700
RFQ
 ECAD 18 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki 4000b МАССА Актифен - Пефер 16 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) Деко HEF4028 4,5 n 15,5. 16-й СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH 2156-HEF4028BT, 652-954 1 - Дон 1 x 4:10 1
LPC55S69JBD100K NXP Semiconductors LPC55S69JBD100K 5.9100
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki LPC55S6X МАССА Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 100-LQFP 100-HLQFP (14x14) - 2156-LPC55S69JBD100K 51 64 ARM® Cortex®-M33 32-Bytnый 150 мг Flexcomm, I²C, MMC/SD/SDIO, SPI, UART/USART, USB Brown-Out Detect/Reset, DMA, I²S, POR, PWM, RNG, WDT 640 кб (640K x 8) В.С. - 320K x 8 1,8 В ~ 3,6 В. A/D 10x16b SAR Внутронни
74LVC245ADB,112 NXP Semiconductors 74LVC245ADB, 112 0,2100
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki 74LVC МАССА Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 20-ssop (0,209 ", Ирина 5,30 мм) 74LVC245 - 3-шТат 1,2 n 3,6 В. 20-Ssop СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH 2156-74LVC245ADB, 112-954 Ear99 8542.39.0001 1 Смотрей, nertirtiruyющiй 1 8 24ma, 24ma
74HC3G14GD,125 NXP Semiconductors 74HC3G14GD, 125 0,2000
RFQ
 ECAD 328 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki * МАССА Актифен 74HC3G14 СКАХАТА Продан DOSTISH 2156-74HC3G14GD, 125-954 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть