SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES ТИП Baзowый nomer prodikta ТИПВ Тела Втипа Sic programmirueTSARY Колист Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Eccn Htsus Станодадж ЛОГЕЕСКИЯ ТИП Колист Коли Ток - Файнкхия -3db polosы propypuskanya Перееклшит MULOTIPLEKSOUR/DEMOOLOTIPLEKSNый SхEMA Сопротивейни -атте Кааналани Каналала (ΔRON) Napraheneeee - podaчa, odinoчnый (v+) Napraheneeee - podaчa, dvoйnoй (v ±) Вернее Я Emcostth canala (cs (off), cd (off)) Ток - Ютехка (is (off)) (mmaks) Перекайс ТАКТОВА ТИП ПАМАТИ Истошиник Raзmerpmayti ТИП Mmakcymalnavan -a -derжca rasprostrannenina @ v, максимум cl Tykuщiй - pocoayщiй (iq) Вернее Взёд Сэма NeShaviMhemee цepi Вернее Формат пэмаи Органихая ИНЕРФЕРСП Верный Sic programmirueTSARY
71024S12YG IDT, Integrated Device Technology Inc 71024S12YG 1.9600
RFQ
ECAD 989 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 32-BSOJ (0,400 ", шIRINA 10,16 ММ) 71024S SRAM - Асинров 4,5 n 5,5. 32-Soj СКАХАТА 3A991B2A 8542.32.0041 154 Nestabilnый 1 март 12 млн Шram 128K x 8 Парлель 12NS Nprovereno
71V256SA12PZG8 IDT, Integrated Device Technology Inc 71V256SA12PZG8 3.6200
RFQ
ECAD 2 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 28-tssop (0,465 ", ширина 11,80 мм) 71V256 SRAM - Асинров 3 В ~ 3,6 В. 28-tsop СКАХАТА 3A991B2B 8542.32.0041 1 Nestabilnый 256 12 млн Шram 32K x 8 Парлель 12NS
QS3VH253PAG8 IDT, Integrated Device Technology Inc QS3VH253PAG8 -
RFQ
ECAD 5914 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc 3vh МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 16-tssop (0,173 », ширина 4,40 мм) Верхал QS3VH253 2,3 В ~ 3,6 В. 16-tssop СКАХАТА 0000.00.0000 1 - Edinshennnnnnnnnnnanne 2 x 4: 1 1
QS3VH2245QG IDT, Integrated Device Technology Inc QS3VH2245QG 1.3800
RFQ
ECAD 40 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc 3vh МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 20-ssop (0,154 дюйма, Ирина 3,90 м) Верхал QS3VH2245 2,3 В ~ 3,6 В. 20-QSOP СКАХАТА Ear99 8542.39.0001 1 - Edinshennnnnnnnnnnanne 1 x 8: 1 1
71024S12YG8 IDT, Integrated Device Technology Inc 71024S12YG8 -
RFQ
ECAD 3264 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 32-BSOJ (0,400 ", шIRINA 10,16 ММ) 71024S SRAM - Асинров 4,5 n 5,5. 32-Soj СКАХАТА 3A991B2A 8542.32.0041 1 Nestabilnый 1 март 12 млн Шram 128K x 8 Парлель 12NS
71256L100TDB IDT, Integrated Device Technology Inc 71256L100TDB 39 7300
RFQ
ECAD 23 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен -55 ° C ~ 125 ° C (TA) Чereз dыru 28-CDIP (0,300 ", 7,62 ММ) 71256L SRAM - Асинров 4,5 n 5,5. 28-CDIP СКАХАТА 3A001A2C 8542.32.0041 1 Nestabilnый 256 100 млн Шram 32K x 8 Парлель 100ns
7164S55DB IDT, Integrated Device Technology Inc 7164S55DB -
RFQ
ECAD 6833 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен -55 ° C ~ 125 ° C (TA) Чereз dыru 28-CDIP (0,600 ", 15,24 ММ) 7164S SRAM - Асинров 4,5 n 5,5. 28-CDIP СКАХАТА 3A001A2C 8542.32.0041 1 Nestabilnый 64 55 м Шram 8K x 8 Парлель 55NS
71V3559S85BQG IDT, Integrated Device Technology Inc 71V3559S85BQG 10.1900
RFQ
ECAD 6566 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 165-TBGA 71V3559 SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 3.135V ~ 3.465V 165-Cabga (13x15) СКАХАТА 3A991B2A 8542.32.0041 1 Nestabilnый 4,5 мб 8,5 млн Шram 256K x 18 Парлель -
71V3577S85BGI IDT, Integrated Device Technology Inc 71V3577S85BGI 10.8200
RFQ
ECAD 740 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 119-BGA 71V3577 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 119-pbga (14x22) СКАХАТА 3A991B2A 8542.32.0041 1 87 мг Nestabilnый 4,5 мб 8,5 млн Шram 128K x 36 Парлель -
7164L45TDB IDT, Integrated Device Technology Inc 7164L45TDB -
RFQ
ECAD 5295 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен -55 ° C ~ 125 ° C (TA) Чereз dыru 28-CDIP (0,300 ", 7,62 ММ) 7164L SRAM - Асинров 4,5 n 5,5. 28-CDIP СКАХАТА 3A001A2C 8542.32.0041 1 Nestabilnый 64 45 м Шram 8K x 8 Парлель 45NS
7164S25TDB IDT, Integrated Device Technology Inc 7164S25TDB -
RFQ
ECAD 7133 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен -55 ° C ~ 125 ° C (TA) Чereз dыru 28-CDIP (0,300 ", 7,62 ММ) 7164S SRAM - Асинров 4,5 n 5,5. 28-CDIP СКАХАТА 0000.00.0000 1 Nestabilnый 64 25 млн Шram 8K x 8 Парлель 25NS
7164S55TDB IDT, Integrated Device Technology Inc 7164S55TDB -
RFQ
ECAD 2841 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен -55 ° C ~ 125 ° C (TA) Чereз dыru 28-CDIP (0,300 ", 7,62 ММ) 7164S SRAM - Асинров 4,5 n 5,5. 28-CDIP СКАХАТА 3A001A2C 8542.32.0041 1 Nestabilnый 64 55 м Шram 8K x 8 Парлель 55NS
74FCT163373APAG8 IDT, Integrated Device Technology Inc 74FCT163373APAG8 1.1300
RFQ
ECAD 8 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc 74FCT МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 48-TFSOP (0,240 ", шIRINA 6,10 мм) 74FCT163373 Три-Госдарство 2,3 В ~ 3,6 В. 48-tssop СКАХАТА Ear99 8542.39.0001 1 D-TIPPROзRAчNAINAHNAHELCA 8 май, 24 мая 8: 8 2 1,5NS
6116SA25SOG IDT, Integrated Device Technology Inc 6116SA25SOG 5.2200
RFQ
ECAD 159 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 24 SOIC (0,295 ", Ирина 7,50 мм) 6116SA SRAM - Асинров 4,5 n 5,5. 24 года СКАХАТА Ear99 8542.32.0041 1 Nestabilnый 16 25 млн Шram 2k x 8 Парлель 25NS
74LVCH32245ABFG8 IDT, Integrated Device Technology Inc 74LVCH32245ABFG8 -
RFQ
ECAD 8007 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc 74LVCH МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 96-LFBGA 74LVCH32245 - 3-шТат 2,7 В ~ 3,6 В. 96-Cabga (13,5x5,5) СКАХАТА Ear99 8542.39.0001 1 Смотрей, nertirtiruyющiй 4 8 24ma, 24ma
71V35761SA166BQGI IDT, Integrated Device Technology Inc 71V35761SA166BQGI -
RFQ
ECAD 5149 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 165-TBGA 71V35761S SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 165-Cabga (13x15) СКАХАТА 3A991B2A 8542.32.0041 1 166 мг Nestabilnый 4,5 мб 3,5 млн Шram 128K x 36 Парлель -
71V3556SA133BG IDT, Integrated Device Technology Inc 71V3556SA133BG 10.1900
RFQ
ECAD 527 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 119-BGA 71V3556 SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 3.135V ~ 3.465V 119-pbga (14x22) СКАХАТА 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 мг Nestabilnый 4,5 мб 4,2 млн Шram 128K x 36 Парлель -
74FCT244ATSOG8 IDT, Integrated Device Technology Inc 74FCT244ATSOG8 0,9700
RFQ
ECAD 324 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc 74FCT МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 20 SOIC (0,295 дюйма, Ирина 7,50 мм) 74FCT244 - 3-шТат 4,75 -5,25. 20 лейт СКАХАТА Ear99 8542.39.0001 324 Бер, neryrtiruющiй 2 4 15ma, 64ma
74FCT3244QG IDT, Integrated Device Technology Inc 74FCT3244QG 1.2300
RFQ
ECAD 23 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc 74FCT МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 20-ssop (0,154 дюйма, Ирина 3,90 м) 74FCT3244 - 3-шТат 2,7 В ~ 3,6 В. 20-QSOP СКАХАТА Ear99 8542.39.0001 1 Бер, neryrtiruющiй 2 4 8 май, 24 мая
54FCT374CTLB IDT, Integrated Device Technology Inc 54FCT374CTLB 19.8600
RFQ
ECAD 33 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен -55 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 20-LCC D-Thep 54FCT374 Три-Госдарство 4,5 n 5,5. 20-LCC (8,89x8,89) СКАХАТА Ear99 8542.39.0001 1 1 8 15 май, 48 маточков Станода Poloshitelgnый kraй 6.2ns @ 50pf 1 май 10 с
QS4A101QG8 IDT, Integrated Device Technology Inc QS4A101QG8 -
RFQ
ECAD 5335 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 16-ssop (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) 4 16-QSOP СКАХАТА Ear99 8542.39.0001 1 1,4 -е Spst - neot 1: 1 17ohm - - 6,5NS, 6NS 1,5 пронанта 5pf 1NA -75db @ 30mhz
74FCT16244LETPV IDT, Integrated Device Technology Inc 74FCT16244LEPV -
RFQ
ECAD 1462 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc * МАССА Актифен Nprovereno - Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1
71V016SA10YG IDT, Integrated Device Technology Inc 71V016SA10YG -
RFQ
ECAD 7664 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 44-BSOJ (0,400 ", шIRINA 10,16 ММ) 71V016 SRAM - Асинров 3,15 n 3,6 В. 44-Soj СКАХАТА 3A991B2B 8542.32.0041 1 Nestabilnый 1 март 10 млн Шram 64K x 16 Парлель 10NS
71V65703S85BQG IDT, Integrated Device Technology Inc 71V65703S85BQG 26.6900
RFQ
ECAD 104 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 165-TBGA 71V65703 SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 3.135V ~ 3.465V 165-Cabga (13x15) СКАХАТА 3A991B2A 8542.32.0041 1 Nestabilnый 9 марта 8,5 млн Шram 256K x 36 Парлель -
71V65903S85BQG IDT, Integrated Device Technology Inc 71V65903S85BQG 26.6900
RFQ
ECAD 67 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 165-TBGA 71V65903 SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 3.135V ~ 3.465V 165-Cabga (13x15) СКАХАТА 3A991B2A 8542.32.0041 1 Nestabilnый 9 марта 8,5 млн Шram 512K x 18 Парлель -
74FCT2245ATSOG8 IDT, Integrated Device Technology Inc 74FCT2245ATSOG8 0,9700
RFQ
ECAD 16 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc 74FCT МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 20 SOIC (0,295 дюйма, Ирина 7,50 мм) 74FCT2245 - 3-шТат 4,75 -5,25. 20 лейт СКАХАТА Ear99 8542.39.0001 310 Смотрей, nertirtiruyющiй 1 8 15 май, 12 маточков
6116SA150DB IDT, Integrated Device Technology Inc 6116SA150DB -
RFQ
ECAD 7482 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен -55 ° C ~ 125 ° C (TA) Чereз dыru 24-CDIP (0,600 ", 15,24 ММ) 6116SA SRAM - Асинров 4,5 n 5,5. 24-CDIP СКАХАТА 3A001A2C 8542.32.0041 1 Nestabilnый 16 150 млн Шram 2k x 8 Парлель 150ns
71124S15YG IDT, Integrated Device Technology Inc 71124S15YG 4.1000
RFQ
ECAD 676 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 32-BSOJ (0,400 ", шIRINA 10,16 ММ) 71124S SRAM - Асинров 4,5 n 5,5. 32-Soj СКАХАТА 3A991B2A 8542.32.0041 1 Nestabilnый 1 март 15 млн Шram 128K x 8 Парлель 15NS
71256S35DB IDT, Integrated Device Technology Inc 71256S35DB 37.2500
RFQ
ECAD 37 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен -55 ° C ~ 125 ° C (TA) Чereз dыru 28-CDIP (0,600 ", 15,24 ММ) 71256s SRAM - Асинров 4,5 n 5,5. 28-CDIP СКАХАТА 3A001A2C 8542.32.0041 1 Nestabilnый 256 35 м Шram 32K x 8 Парлель 35NS
71V2556S133PFGI IDT, Integrated Device Technology Inc 71V2556S133PFGI -
RFQ
ECAD 7460 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 100-LQFP 71V2556 SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 3.135V ~ 3.465V 100-TQFP (14x14) СКАХАТА 8542.32.0041 1 133 мг Nestabilnый 4,5 мб 4,2 млн Шram 128K x 36 Парлель -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе