SIC
close

Ингрированов

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura Прилонья МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES ТИП Фуевшии Baзowый nomer prodikta ТИПВ Тела Колист. Каналов На Втипа Колист Сооотвор - Вес: Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж ЛОГЕЕСКИЯ ТИП Колист Коли Ток - Файнкхия ТОК - Покоя (МАКСИМУМА) -3db polosы propypuskanya Колист На Перееклшит MULOTIPLEKSOUR/DEMOOLOTIPLEKSNый SхEMA Сопротивейни -атте Кааналани Каналала (ΔRON) Napraheneeee - podaчa, odinoчnый (v+) Napraheneeee - podaчa, dvoйnoй (v ±) Вернее Я Emcostth canala (cs (off), cd (off)) Ток - Ютехка (is (off)) (mmaks) Перекайс Имен Колист Истошиник Mmakcymalnavan -a -derжca rasprostrannenina @ v, максимум cl Tykuщiй - pocoayщiй (iq) ТОК - Постка (МАКС) Ведоджеса Ведоджес Сэма NeShaviMhemee цepi Вернее ТОПОЛОГЯ ASTOTA - PREREKLючENEEEE Зaщita ot neeprawnosteй Фунеми ипра Vodnaver -koanfiguraцian Синронн ТОК - В.О. Rds nna (typ) Naprayжeniee - nagruзca ТИП МОТОРИКИ - ШАСТЕР ТИП МОТОРА - AC, DC « ТИП Ток - На На На Колиш Otstupee napryanemane (mmaks) PSRR Особенносот
TC7WPB9307FC(TE85L Toshiba Semiconductor and Storage TC7WPB9307FC (TE85L -
RFQ
 ECAD 3957 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee TC7WP Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 8-xfdfn oTkrыTAIN-AN-PloщaDCA Верхал TC7WPB9307 1,65 $ 5 v, 2,3 n 5,5 CST8 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 5000 - Дон 2 x 1: 1 1
TC7SH125F,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7SH125F, LJ (Ct 0,0680
RFQ
 ECAD 8842 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee TC7SH Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер SC-74A, SOT-753 TC7SH125 - 3-шТат 2В ~ 5,5 В. SMV СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 3000 Бер, neryrtiruющiй 1 1 8 май, 8 мая
TCR5SB33A(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage TCR5SB33A (T5L, F, T) -
RFQ
 ECAD 5687 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee TCR5SB Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер SC-74A, SOT-753 TCR5SB33 6в Зaikcyrovannnый SMV - 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 3000 75 Мка ДАВАТ Poloshitelnый 150 май 3,3 В. - 1 0,19 $ 50 80 дБ (1 кг) На ТОКОМ
TCR2EF45,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF45, LM (Ct 0,3400
RFQ
 ECAD 795 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee TCR2EF Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер SC-74A, SOT-753 TCR2EF45 5,5 В. Зaikcyrovannnый SMV СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 3000 60 мка ДАВАТ Poloshitelnый 200 май 4,5 В. - 1 0,2- 150 73 ДБ (1 кг) На ТОКОМ
TC74HC4051AF(EL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TC74HC4051AF (EL, F) 0,6200
RFQ
 ECAD 1662 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 16 SOIC (0,209 ", шIRINA 5,30 мм) TC74HC4051 1 16-Sop - ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 2000 85 мг - 8: 1 100ohm 5ohm 2 В ~ 6 В. ± 2 В ~ 6. 18ns, 29ns - 2pf, 70pf 100NA -50db @ 1MHz
TC7SU04FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage TC7SU04FU, LF 0,4000
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee TC7SU Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 - 7SU04 1 2 В ~ 6 В. 5-Ssop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 3000 Иртор 2,6 мая, 2,6 мая 1 мка 1 17ns @ 6V, 50pf 0,3 ЕГО ~ 1,2 В. 1,7 В ~ 4,8 В.
TB6575FNG,C,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage Tb6575fng, c, 8, el 2.9800
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен -30 ° C ~ 105 ° C (TA) О том, как Пефер 24-lssop (0,220 ", ширина 5,60 мм) TB6575 CMOS 4,5 n 5,5. 24-Ssop СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) Ear99 8542.31.0001 2000 КОНТРЕЛЕР - КОММУТАЙСЯ, ВАШ Парлель Предварительный водитель - половина моста (3) - - - БЕЗОН -
TC7PZ05FU,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7PZ05FU, LJ (Ct 0,3300
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee TC7PZ Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 Откргит 7pz05 2 1,65 n 5,5 US6 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 3000 Иртор -32 Ма 1 мка 2 3,5NS @ 5V, 50pf - -
TCR3DG33,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DG33, LF 0,1054
RFQ
 ECAD 3467 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee TCR3DG Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 4-xfbga, CSPBGA TCR3DG33 5,5 В. Зaikcyrovannnый 4-WCSPE (0,65x0,65) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 5000 65 Мка 78 Мка - Poloshitelnый 300 май 3,3 В. - 1 0,215V @ 300 мая 70 дБ (1 кг) На
TCR2EN30,LF Toshiba Semiconductor and Storage Tcr2en30, lf 0,0896
RFQ
 ECAD 9513 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee Tcr2en Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 4-xfdfn otkrыtaiNaiNeploщadca TCR2en30 5,5 В. Зaikcyrovannnый 4-SDFN (0,8x0,8) СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 10000 60 мка ДАВАТ Poloshitelnый 200 май 3В - 1 0,18- 150 73 ДБ (1 кг) На ТОКОМ
TB62213AFTG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62213aftg, C8, El 1.7398
RFQ
 ECAD 3295 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен -20 ° C ~ 150 ° C (TJ) О том, как Пефер 48-vfqfn oTkrыTAIN-AN-PloщaDCA TB62213 Стюв 4,75 -5,25. 48-qfn (7x7) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) Ear99 8542.39.0001 2000 Драгир - Порноф Парлель Половинамос (4) 2.4a 10 В ~ 38 В. БИПОЛНА - 1, 1/2, 1/4
TCK208G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK208G, LF 0,1916
RFQ
 ECAD 4136 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 4-UFBGA, WLCSP Raзraind nagruзky, контерролиру TCK208 Nerting N-канал 1: 1 4-WLCSP (0,90x0,90) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 3000 Ne o. ВЫКЛ/OFF 1 Обрант Веса Сророна 18.1mohm 0,75 Е 3,6 В. О том, как 2A
TC74LCX573F(EL,K,F Toshiba Semiconductor and Storage TC74LCX573F (EL, K, F. 0,2464
RFQ
 ECAD 8367 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee 74lcx Lenta и катахка (tr) В аспекте -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 20 SOIC (0,209 ", Ирина 5,30 мм) 74LCX573 Три-Госдарство 1,65, ~ 3,6 В. 20-Sop СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 2000 D-TIPPROзRAчNAINAHNAHELCA 24ma, 24ma 8: 8 1 1,5NS
TCR2LE31,LM Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LE31, LM 0,4100
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee Tcr2le Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) Пефер SOT-553 TCR2LE31 5,5 В. Зaikcyrovannnый Эs СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 4000 2 мка ДАВАТ Poloshitelnый 200 май 3,1 В. - 1 0,3 pri 150 - На ТОКОМ
TA78DS05CP,6KEHF(M Toshiba Semiconductor and Storage TA78DS05CP, 6KEHF (м -
RFQ
 ECAD 2213 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо -40 ° C ~ 85 ° C. Чereз dыru 226-3, DO 92-3 ДДЛИННОГО ТЕЛА TA78DS 33 В Зaikcyrovannnый LSTM СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 1 май 1 май - Poloshitelnый 30 май 5в - 1 0,3 -прри 10 мая - Nanodtocom, wemperaturы, opreheneee hanprahenynaip
TA78L008AP,F(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78L008AP, F (J. -
RFQ
 ECAD 2729 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо -30 ° C ~ 85 ° C. Чereз dыru 226-3, DO 92-3 ДДЛИННОГО ТЕЛА TA78L008 35 Зaikcyrovannnый LSTM СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 6,5 мая - Poloshitelnый 150 май 8в - 1 1,7- @ 40 май (тип) 45 дБ (120 ГГ) На ТОКОМ
TCR8BM11A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR8BM11A, L3F 0,1628
RFQ
 ECAD 8877 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee TCR8BM Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 4-xdfn oTkrыTAIN ANPLOUSCA TCR8BM11 5,5 В. Зaikcyrovannnый 5-dfnb (1,2x1,2) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 5000 36 мка ТОК, ОГРАНЕ, ВСКЛИТ Poloshitelnый 800 май 1,1 В. - 1 0,245 В. 98db (1 кг) На nanycom, nany -myperaturoй, pod blokiroskoй onprayaжenina (uvlo)
TCR3UG27A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UG27A, LF 0,4700
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee TCR3UG Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) Пефер 4-xfbga, WLCSP TCR3UG27 5,5 В. Зaikcyrovannnый 4-WCSP-F (0,65x0,65) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 5000 680 NA ДАВАТ Poloshitelnый 300 май 2,7 В. - 1 0,327 Е @ 300 Ма 70 дБ (1 кг) ТОКАЙГАНЯ, НАЗОДА
TA78L009AP,APNF(M Toshiba Semiconductor and Storage TA78L009AP, APNF (м -
RFQ
 ECAD 9174 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо -30 ° C ~ 85 ° C. Чereз dыru 226-3, DO 92-3 ДДЛИННОГО ТЕЛА TA78L009 35 Зaikcyrovannnый LSTM СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 6,5 мая - Poloshitelnый 150 май 9в - 1 1,7- @ 40 май (тип) 44 дБ (120 ГГ) На ТОКОМ
TB6613FTG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6613FTG, 8, El 1.2236
RFQ
 ECAD 2740 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee * Lenta и катахка (tr) Актифен TB6613 СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) TB6613FTG8EL Ear99 8542.39.0001 2000
TCR2LN30,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN30, LF 0,3500
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee TCR2LN Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) Пефер 4-xfdfn otkrыtaiNaiNeploщadca TCR2LN30 5,5 В. Зaikcyrovannnый 4-SDFN (0,8x0,8) СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 10000 2 мка ДАВАТ Poloshitelnый 200 май 3В - 1 0,28 -пр. 150 - На ТОКОМ
TC7SZU04FUTF Toshiba Semiconductor and Storage TC7SZU04FUTF -
RFQ
 ECAD 1825 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee TC7SZU Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 - 7szu04 1 1,8 В ~ 5,5 В. 5-Ssop СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 3000 Иртор 16 май, 16 май 2 мка 1 5NS @ 5V, 50pf - -
TCR2EE50,LM(T Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE50, LM (т -
RFQ
 ECAD 8145 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee TCR2EE Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер SOT-553 Tcr2ee50 5,5 В. Зaikcyrovannnый Эs СКАХАТА 1 (neograniчennnый) TCR2EE50LM (т Ear99 8542.39.0001 4000 60 мка ДАВАТ Poloshitelnый 200 май 5в - 1 0,2- 150 73 ДБ (1 кг) На ТОКОМ
TC7PCI3215MT,LF Toshiba Semiconductor and Storage TC7PCI3215MT, LF 1.4600
RFQ
 ECAD 2733 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) PCI Express® Пефер 20-ufqfn oTkrыTAIN-a-ploщadca - TC7PCI3215 4 20-TQFN (2,5x4,5) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 5000 11,5 -е SPDT 2: 1 13,5 ОМ 3 В ~ 3,6 В. -
TCR3UF105A,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UF105A, LM (Ct 0,4100
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee TCR3UF Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер SC-74A, SOT-753 TCR3UF105 5,5 В. Зaikcyrovannnый SMV - Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 3000 580 NA ДАВАТ Poloshitelnый 300 май 1,05 - 1 1.057V @ 300MA 70 дБ (1 кг) На
74VHCT04AFT Toshiba Semiconductor and Storage 74VHCT04AFT 0,4200
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee 74VHCT Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C. Пефер 14-tssop (0,173 », ширина 4,40 мм) - 74VHCT04 6 4,5 n 5,5. 14-tssop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 2500 Иртор 8 май, 8 мая 2 мка 1 7,7ns @ 5V, 50pf 0,8 В. 2в
TA78L012AP,WNLF(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78L012AP, WNLF (J. -
RFQ
 ECAD 9521 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо -30 ° C ~ 85 ° C. Чereз dыru 226-3, DO 92-3 ДДЛИННОГО ТЕЛА TA78L012 35 Зaikcyrovannnый LSTM СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 6,5 мая - Poloshitelnый 150 май 12 - 1 1,7- @ 40 май (тип) 41db (120 ГГ) На ТОКОМ
TCR2EF19,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF19, LM (Ct 0,3300
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee TCR2EF Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер SC-74A, SOT-753 TCR2EF19 5,5 В. Зaikcyrovannnый SMV СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 3000 60 мка ДАВАТ Poloshitelnый 200 май 1,9 - 1 0,31 В. 150 Ма 73 ДБ (1 кг) На ТОКОМ
TCR5RG28A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5RG28A, LF 0,5300
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee TCR5RG Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 4-xfbga, WLCSP TCR5RG28 5,5 В. Зaikcyrovannnый 4-WCSPF (0,65x0,65) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 5000 13 Мка - Poloshitelnый 500 май 2,8 В. - 1 0,21- 500 мая 100 дБ ~ 59 дБ (1 кг ~ 1 мгха) На
TCV7103AF(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage TCV7103AF (TE12L, Q) -
RFQ
 ECAD 5726 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Пефер 8-Powertdfn TCV71 5,6 В. Rerhulyruemый 8-Sop Advance (5x5) СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 3000 Vniз 1 БАК 1 мг Poloshitelnый В дар 6A 0,8 В. 5,6 В. 2,7 В.
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список RFQ (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть