SIC
close

Ингрированов

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар ТАКТОВА ТИП ПАМАТИ Raзmerpmayti Вернее Формат пэмаи Органихая ИНЕРФЕРСП Верный Sic programmirueTSARY
IS45S16320F-7BLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16320F-7BLA2 15.8813
RFQ
 ECAD 1049 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 54-TFBGA IS45S16320 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TW-BGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 240 143 мг Nestabilnый 512 мб 5,4 млн Ддрам 32 м х 16 Парлель -
IS42S32160F-75EBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32160F-75EBLI-TR 12.9150
RFQ
 ECAD 2785 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 90-TFBGA IS42S32160 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 90-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 2500 133 мг Nestabilnый 512 мб 6 м Ддрам 16m x 32 Парлель -
IS25LQ512B-JDLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ512B-JDLE-TR -
RFQ
 ECAD 8195 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 8-tssop (0,173 », ширина 4,40 мм) IS25LQ512 Flash - нет 2,3 В ~ 3,6 В. 8-tssop СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0071 3500 104 мг NeleTUSHIй 512 В.С. 64K x 8 SPI - Quad I/O 800 мкс
IS41LV16100C-50TI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS41LV16100C-50TI -
RFQ
 ECAD 6908 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 50-тфу (0,400 ", ширина 10,16 мм), 44 Свина IS41LV16100 Драм - эdo 2,97 В ~ 3,63 В. 50-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 117 Nestabilnый 16 марта 25 млн Ддрам 1m x 16 Парлель 85ns
IS42S16160G-7BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160G-7BI -
RFQ
 ECAD 7376 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-TFBGA IS42S16160 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TFBGA (8x8) - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 348 143 мг Nestabilnый 256 мб 5,4 млн Ддрам 16m x 16 Парлель -
IS61LF102418A-7.5B3I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LF102418A-7.5B3I -
RFQ
 ECAD 8032 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 165-TBGA IS61LF102418 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 165-tfbga (13x15) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 144 117 мг Nestabilnый 18 марта 7,5 млн Шram 1m x 18 Парлель - Nprovereno
IS61VF102418A-7.5B3I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VF102418A-7.5B3I -
RFQ
 ECAD 1423 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 165-TBGA IS61VF102418 SRAM - Synchronous, SDR 2 375 $ 2625 165-tfbga (13x15) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 144 117 мг Nestabilnый 18 марта 7,5 млн Шram 1m x 18 Парлель -
IS25LP512M-RGLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP512M-RLAL -
RFQ
 ECAD 5105 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 24-TBGA IS25LP512 Flash - нет 2,3 В ~ 3,6 В. 24-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 480 133 мг NeleTUSHIй 512 мб В.С. 64 м х 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR 1,6 мс
IS25LP032D-JLLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP032D-JLLE 1.4400
RFQ
 ECAD 1041 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 8-wdfn otkrыtaina-o IS25LP032 Flash - нет 2,3 В ~ 3,6 В. 8-Wson (8x6) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 480 133 мг NeleTUSHIй 32 мб В.С. 4m x 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR 800 мкс
IS61WV102416EDBLL-10T2LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV102416EDBLL-10T2LI-TR 11.7300
RFQ
 ECAD 6369 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-tfsop (0,724 ", Ирина 18,40 мм) IS61WV102416 SRAM - Асинров 2,4 В ~ 3,6 В. 48-tsop i СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 1500 Nestabilnый 16 марта 10 млн Шram 1m x 16 Парлель 10NS
IS43LD32160A-25BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD32160A-25BLI 8.3985
RFQ
 ECAD 3227 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TC) Пефер 134-TFBGA IS43LD32160 SDRAM - Mobile LPDDR2 -S4 1,14 В ~ 1,95. 134-TFBGA (10x11.5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 171 400 мг Nestabilnый 512 мб Ддрам 16m x 32 Парлель 15NS
IS43R16320F-5BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16320F-5BLI-TR 55950
RFQ
 ECAD 2467 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 60-TFBGA IS43R16320 SDRAM - DDR 2,3 В ~ 2,7 В. 60-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 2500 200 мг Nestabilnый 512 мб 700 с Ддрам 32 м х 16 Парлель 15NS Nprovereno
IS43TR82560CL-15HBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR82560CL-15HBL-TR 5.4712
RFQ
 ECAD 1795 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) В аспекте 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 78-TFBGA IS43TR82560 SDRAM - DDR3L 1283 ЕГО 1,45 78-TWBGA (8x10,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 2000 667 мг Nestabilnый 2 Гит 20 млн Ддрам 256 м х 8 Парлель 15NS
IS62LV256AL-45ULI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62LV256AL-45ULI-TR 1.1254
RFQ
 ECAD 6303 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 28 SOIC (0,330 дюйма, Ирин 8,38 мм) IS62LV256 SRAM - Асинров 3 В ~ 3,6 В. 28-Sop СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0041 1000 Nestabilnый 256 45 м Шram 32K x 8 Парлель 45NS
IS42S16160B-7TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160B-7TL -
RFQ
 ECAD 5263 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 54-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S16160 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 108 143 мг Nestabilnый 256 мб 5,4 млн Ддрам 16m x 16 Парлель -
IS42S32200C1-7TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32200C1-7TL -
RFQ
 ECAD 6490 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 86-tfsop (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S32200 SDRAM 3,15 В ~ 3,45 86-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 108 143 мг Nestabilnый 64 марта 5,5 млн Ддрам 2m x 32 Парлель -
IS62C1024AL-35TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62C1024AL-35TLI 2.4500
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 32-tfsop (0,724 ", Ирина 18,40 мм) IS62C1024 SRAM - Асинров 4,5 n 5,5. 32-tsop i СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2B 8542.32.0041 156 Nestabilnый 1 март 35 м Шram 128K x 8 Парлель 35NS
IS61LPS25672A-250B1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPS25672A-250B1 -
RFQ
 ECAD 6525 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 209-BGA IS61LPS25672 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 209-LFBGA (14x22) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 84 250 мг Nestabilnый 18 марта 2,6 м Шram 256K x 72 Парлель -
IS42S32200C1-7TI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32200C1-7TI-TR -
RFQ
 ECAD 3868 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 86-tfsop (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S32200 SDRAM 3,15 В ~ 3,45 86-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 1500 143 мг Nestabilnый 64 марта 5,5 млн Ддрам 2m x 32 Парлель -
IS43R86400E-5BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R86400E-5BI -
RFQ
 ECAD 1475 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 60-TFBGA IS43R86400 SDRAM - DDR 2,3 В ~ 2,7 В. 60-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS43R86400E-5BI Управо 190 200 мг Nestabilnый 512 мб 700 с Ддрам 64 м х 8 Парлель 15NS
IS46DR16320C-3DBA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR16320C-3DBA2 -
RFQ
 ECAD 9897 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 84-TFBGA IS46DR16320 SDRAM - DDR2 1,7 В ~ 1,9 В. 84-TWBGA (8x12,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS46DR16320C-3DBA2 Управо 209 333 мг Nestabilnый 512 мб 450 с Ддрам 32 м х 16 Парлель 15NS
IS46LD32128C-18BPLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LD32128C-18BPLA1-TR -
RFQ
 ECAD 1891 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TC) Пефер 168-VFBGA IS46LD32128 SDRAM - Mobile LPDDR2 1,14 n 1,3,, 1,7 -1,95 168-VFBGA (12x12) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS46LD32128C-18BPLA1-TR Ear99 8542.32.0036 1 533 мг Nestabilnый 4 Гит 5,5 млн Ддрам 128m x 32 HSUL_12 15NS
IS43LD32128C-25BPL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD32128C-25BPL-TR -
RFQ
 ECAD 1600 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS43LD32128C-25BPL-TR Ear99 8542.32.0036 1
IS43LD32128A-25BPL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD32128A-25BPL-TR -
RFQ
 ECAD 3065 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо 0 ° C ~ 85 ° C (TC) Пефер 168-VFBGA IS43LD32128 SDRAM - Mobile LPDDR2 -S4 1,14 n 1,3,, 1,7 -1,95 168-VFBGA (12x12) - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS43LD32128A-25BPL-TR Управо 1 400 мг Nestabilnый 4 Гит 5,5 млн Ддрам 128m x 32 HSUL_12 15NS
IS43LD32128C-18BPL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD32128C-18BPL-TR -
RFQ
 ECAD 3021 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS43LD32128C-18BPL-TR Ear99 8542.32.0036 1
IS46LD32128C-25BPLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LD32128C-25BPLA2-TR -
RFQ
 ECAD 3161 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Пефер 168-VFBGA IS46LD32128 SDRAM - Mobile LPDDR2 1,14 n 1,3,, 1,7 -1,95 168-VFBGA (12x12) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS46LD32128C-25BPLA2-TR Ear99 8542.32.0036 1 400 мг Nestabilnый 4 Гит 5,5 млн Ддрам 128m x 32 HSUL_12 15NS
IS46LD32128A-25BPLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LD32128A-25BPLA1 -
RFQ
 ECAD 2362 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TC) Пефер 168-VFBGA IS46LD32128 SDRAM - Mobile LPDDR2 -S4 1,14 n 1,3,, 1,7 -1,95 168-VFBGA (12x12) - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS46LD32128A-25BPLA1 Управо 1 400 мг Nestabilnый 4 Гит 5,5 млн Ддрам 128m x 32 HSUL_12 15NS
IS25LQ512B-JVLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ512B-JVLE -
RFQ
 ECAD 4734 0,00000000 Issi, ина - Трубка Управо -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) IS25LQ512 Flash - нет 2,3 В ~ 3,6 В. 8-VVSOP - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS25LQ512B-JVLE Ear99 8542.32.0071 100 104 мг NeleTUSHIй 512 8 млн В.С. 64K x 8 SPI - Quad I/O 800 мкс
IS25LQ020B-JULE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ020B-JULE -
RFQ
 ECAD 5860 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 8-ufdfn otkrыtai-anpeщaudka IS25LQ020 Flash - нет 2,3 В ~ 3,6 В. 8-Uson (2x3) - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS25LQ020B-JULETR Ear99 8542.32.0071 5000 104 мг NeleTUSHIй 2 марта 8 млн В.С. 256K x 8 SPI - Quad I/O 800 мкс
IS25LP020E-JNLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP020E-JNLE 0,4000
RFQ
 ECAD 825 0,00000000 Issi, ина - Трубка Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) IS25LP020 Flash - нет 2,3 В ~ 3,6 В. 8 лейт СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS25LP020E-JNLE Ear99 8542.32.0071 100 104 мг NeleTUSHIй 2 марта 8 млн В.С. 256K x 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR 1,2 мс
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть