SIC
close

Ингрированов

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (Dollar) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura Прилонья МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Фуевшии Baзowый nomer prodikta ТИПВ Тела Втипа Колист Сооотвор - Вес: Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Файнкхия -3db polosы propypuskanya Ток - На Перееклшит MULOTIPLEKSOUR/DEMOOLOTIPLEKSNый SхEMA Сопротивейни -атте Кааналани Каналала (ΔRON) Napraheneeee - podaчa, odinoчnый (v+) Napraheneeee - podaчa, dvoйnoй (v ±) Вернее Я Emcostth canala (cs (off), cd (off)) Ток - Ютехка (is (off)) (mmaks) Перекайс Имен Колист ТОПОЛОГЯ ASTOTA - PREREKLючENEEEE Зaщita ot neeprawnosteй Фунеми ипра Vodnaver -koanfiguraцian Вес феврал Raboshyй цikl (mmaks) Синронн Чasы sinхroniзajaip Сэридж и ТИП Rds nna (typ) ТОК - ПИКОВОВ Naprayжeniee - nagruзca ТИП Ток -
DG419BAK-E3 Vishay Siliconix DG419BAK-E3 -
RFQ
 ECAD 9511 0,00000000 Виаликоеникс - Трубка Управо -55 ° C ~ 125 ° C (TA) Чereз dыru 8-CDIP (0,300 ", 7,62 ММ) DG419 1 8-Cerdip - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 25 - SPDT 2: 1 25 ч - 13 В ~ 36 В. ± 7 В ~ 22 В. 89ns, 80ns 38 st 12pf, 12pf 250pa -88db @ 1MHz
DG2012EDL-T1-GE3 Vishay Siliconix DG2012EDL-T1-GE3 0,9100
RFQ
 ECAD 48 0,00000000 Виаликоеникс - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 DG2012 1 SC-70-6 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 3000 160 мг SPDT 2: 1 1,6 ОМ 300 МОСТ 1,65 n 5,5 - 32NS, 28NS 8 шт 16pf 5NA -63db @ 1MHz
DG9262DY-E3 Vishay Siliconix DG9262DY-E3 -
RFQ
 ECAD 3167 0,00000000 Виаликоеникс - МАССА Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) DG9262 2 8 лейт СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 500 - Spst - nc 1: 1 60om 400 м 2,7 В. - 75ns, 50ns 2pc 7pf 100pa -90DB @ 1MHZ
DG307AAK Vishay Siliconix DG307AAK -
RFQ
 ECAD 5054 0,00000000 Виаликоеникс - Трубка Управо -55 ° C ~ 125 ° C (TA) Чereз dыru 14-CDIP (0,300 ", 7,62 ММ) DG307 2 14-Cerdip СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 25 - SPDT 2: 1 50 ОМ - - ± 15 В. 250NS, 150NS 30 шт 14pf, 14pf 1NA -74db @ 500 kgц
DG1413EEN-T1-GE4 Vishay Siliconix DG1413EEN-T1-GE4 7.2500
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Виаликоеникс - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 16-vqfn otkrыtaiNav-o DG1413 4 16-qfn (4x4) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 2500 150 мг SPST - NO/NC 1: 1 1,5 ОМ 40 МАМ 4,5 n 24. ± 4,5 -~ 15 140ns, 110ns -41pc 24pf, 23pf 500pa -104DB @ 1MHZ
DG9434DQ-T1-E3 Vishay Siliconix DG9434DQ-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 6194 0,00000000 Виаликоеникс - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 8-tssop, 8-мав (0,118 ", 3,00 мк) DG9434 2 8-марсоп - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 2500 - SPST - NO/NC 1: 1 30 От 300 МОСТ 2,7 В. - 35NS, 18NS 0,36pc 7,5PF, 7,8 м 1NA -96DB @ 1MHZ
DG412HSDY-T1 Vishay Siliconix DG412HSDY-T1 -
RFQ
 ECAD 7058 0,00000000 Виаликоеникс - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 16 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) DG412 4 16 лейт СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 2500 - Spst - neot 1: 1 35om - 13 В ~ 44 В. ± 5 ЕСКЛ. 105NS, 80NS 22 PUNQTA 12pf, 12pf 250pa -88db @ 1MHz
DG613EEQ-T1-GE3 Vishay Siliconix DG613EEQ-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 7889 0,00000000 Виаликоеникс - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 16-tssop (0,173 », ширина 4,40 мм) DG613 4 16-tssop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 3000 1 гер SPST - NO/NC 1: 1 115ohm 600 м 3 n 12 В. ± 3 В ~ 5 В. 50NS, 35NS 1,4 шT 3pf, 3pf 100pa -74db @ 10 Mmgц
SI9110DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI9110DY-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 8634 0,00000000 Виаликоеникс - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 14 SOIC (0,154 ", Ирина 3,90 мм) SI9110 Траншисторн 14 лейт СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 2500 ВСКОШИТА/ВНИХ 9,5 n 13,5. 1 Cuk, Flyback, Forward Converter, Pushpul 40 kgц ~ 1 mmgц Klheitth Poloshitelnый 1 - Не Не -
DG407BDW Vishay Siliconix DG407BDW -
RFQ
 ECAD 6022 0,00000000 Виаликоеникс - МАССА Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 28 SOIC (0,295 дюйма, Ирина 7,50 мм) DG407 2 28 SOIC СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 250 - - 8: 1 60om 3 О 7,5 В ~ 44 В. ± 5 ЕСКЛ. 107ns, 88ns 11 шт 6pf, 54pf 500pa -
DG308BAK/883 Vishay Siliconix DG308BAK/883 -
RFQ
 ECAD 9525 0,00000000 Виаликоеникс - Трубка Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Чereз dыru 16-CDIP (0,300 ", 7,62 ММ) DG308 4 16-Cerdip - Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 25 - Spst - neot 1: 1 85ohm 1,7 ОМ 4 В ~ 44 В. ± 4 n22 200NS, 150NS 1 шт 5pf, 5pf 500pa -95db @ 100 kgц
9204202XC Vishay Siliconix 9204202XC -
RFQ
 ECAD 4293 0,00000000 Виаликоеникс - МАССА Управо -55 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер Flatpack 920420 2 16-Flatpack - Rohs 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 25 - Sp4t 4: 1 100ohm 15OM (M -MAKS) - ± 15 В. 150NS, 150NS 20 шт 3pf, 14pf 500pa -
DG507BEN-T1-GE3 Vishay Siliconix DG507BEN-T1-GE3 5.3600
RFQ
 ECAD 38 0,00000000 Виаликоеникс - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 28-LCC (J-Lead) DG507 2 28-PLCC (11,51x11,51) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 500 217 мг - 8: 1 300om 10ohm 12 В ~ 44 В. ± 5 ЕСКЛ. 250ns, 200ns 1 шт 3pf, 17pf 1NA -84DB @ 1MHZ
DG417LEDY-T1-GE4 Vishay Siliconix DG417LEDY-T1-GE4 1.3700
RFQ
 ECAD 763 0,00000000 Виаликоеникс - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) DG417 1 8 ТАКОГО СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 2500 - Spst 1: 1 9ohm - 3 n16. ± 3 В ~ 8 40NS, 35NS 26 11pf, 32pf 10NA -72db @ 1MHz
SIP32430DN-T1-GE4 Vishay Siliconix SIP32430DN-T1-GE4 2.1600
RFQ
 ECAD 2757 0,00000000 Виаликоеникс - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 10-vfdfn otkrыtai-anploщadka Питание хорошо, контролируется ставками, февраль SIP32430 Nerting П-канал 1: 1 10-DFN (3x3) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 2500 Ne o. ВЫКЛ/OFF 1 Ograniчeniee -tocaka (rerwhulirueemoe), wemperaturы, uvlo Веса Сророна 99mohm 6- ~ 28 В. О том, как 3.2a
DG1411EEQ-T1-GE3 Vishay Siliconix DG1411EEQ-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 5859 0,00000000 Виаликоеникс - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) DG1411 4 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 3000 210 мг Spst - nc 1: 1 1,8 ОМ 80 МОМ 4,5 n 24. ± 4,5 -~ 15 150NS, 120NS -20pc 11pf, 24pf 500pa -100DB @ 1MHZ
DG442BDJ-E3 Vishay Siliconix DG442BDJ-E3 -
RFQ
 ECAD 3803 0,00000000 Виаликоеникс - Трубка Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Чereз dыru 16-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) DG442 4 16-pdip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 500 - Spst - neot 1: 1 80 ч 2 О 13 В ~ 36 В. ± 7 В ~ 22 В. 220ns, 120ns -1pc 4pf, 4pf 500pa -95db @ 100 kgц
DG407DJ Vishay Siliconix DG407DJ -
RFQ
 ECAD 6903 0,00000000 Виаликоеникс - Трубка Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Чereз dыru 28-Dip (0,600 ", 15,24 ММ) DG407 2 28-pdip СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DG407DJVSI Ear99 8542.39.0001 100 - - 8: 1 100ohm 5ohm 7,5 В ~ 44 В. ± 5 ЕСКЛ. 200NS, 150NS 15шT 8pf, 65pf 500pa -
SIP32448DNP-T1-GE4 Vishay Siliconix SIP32448DNP-T1-GE4 0,6400
RFQ
 ECAD 7837 0,00000000 Виаликоеникс - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 4-ufdfn otkrыtai-aip-o Ставка Коунролир SIP32448 Nerting N-канал 1: 1 4-TDFN (1,2x1,6) - Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 3000 Ne o. ВЫКЛ/OFF 1 - Веса Сророна 38mohm 1,7 В ~ 5,5. О том, как 3A
DG445BDJ Vishay Siliconix DG445BDJ -
RFQ
 ECAD 8226 0,00000000 Виаликоеникс - Трубка Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Чereз dыru 16-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) DG445 4 16-pdip СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 500 - Spst - neot 1: 1 80 ч - 13 В ~ 36 В. ± 7 В ~ 22 В. 300NS, 200NS 1 шт 5pf, 5pf 500pa -95db @ 100 kgц
DG528BK Vishay Siliconix DG528BK -
RFQ
 ECAD 2824 0,00000000 Виаликоеникс - Трубка Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Чereз dыru 18-CDIP (0,300 ", 7,62 ММ) DG528 1 18-Cerdip СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 25 - - 8: 1 450 м 27om - ± 15 В. - 4 шт 5pf, 25pf 5NA -
SIC654ACD-T1-GE3 Vishay Siliconix SIC654ACD-T1-GE3 2.5900
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Виаликоеникс Vrpower® Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) О том, как Пефер PowerPak® MLP55-31L Nahlanjan -cхema, diodnahnanhynhaip SIC654 Стюв 4,5 n 5,5. PowerPak® MLP55-31L СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 3000 50 часов Лоика, Pwm Nnadtocom, wemperaturы, probega, uvlo Поломвинамос Индукйн 3ohm ls + hs 100 а 24
DG4053EEY-T1-GE3 Vishay Siliconix DG4053EEY-T1-GE3 1.6200
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 Виаликоеникс - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 16 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) DG4053 3 16 лейт СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 2500 930 мг SPDT 2: 1 78ohm 910mohm 3 n16. ± 3 В ~ 8 75ns, 88ns 0,3 шt 2pf, 3,1 пт 1NA -105db @ 100 kgц
DG613EEY-T1-GE4 Vishay Siliconix DG613EEY-T1-GE4 1.6100
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Виаликоеникс - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 16 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) DG613 4 16 лейт СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 2500 1 гер SPST - NO/NC 1: 1 115ohm 2,5 ОМ 3 n 12 В. ± 3 В ~ 5 В. 50NS, 35NS 1,4 шT 3pf, 3pf 100pa -74db @ 10 Mmgц
DG200AAA Vishay Siliconix DG200AAA -
RFQ
 ECAD 3560 0,00000000 Виаликоеникс - Трубка Управо -55 ° C ~ 125 ° C (TA) Чereз dыru 100-10 МЕТАЛЛИГА DG200 2 Дол. 100-10 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 20 - Spst - nc 1: 1 70 м - - ± 15 В. 440ns, 340ns -10pc 9pf, 9pf 2NA -90DB @ 1MHZ
DG381BDJ-E3 Vishay Siliconix DG381BDJ-E3 -
RFQ
 ECAD 7493 0,00000000 Виаликоеникс - Трубка Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Чereз dыru 14-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) DG381 2 14-Pdip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 500 - Spst - nc 1: 1 50 ОМ - 13 В ~ 36 В. ± 7 В ~ 22 В. 150ns, 130ns (typ) 10 шт 14pf, 14pf 5NA -74db @ 500 kgц
DG2031DQ-T1-E3 Vishay Siliconix DG2031DQ-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 7741 0,00000000 Виаликоеникс - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 10-tfsop, 10-мав (0,118 ", ширина 3,00 мм) DG2031 2 10-марсоп СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 2500 - SPDT 2: 1 750 МОСТ 50 мок (MMAKS) 1,8 В ~ 5,5 В. - 58NS, 49NS 4 шт 117pf 1NA -71DB @ 1MHZ
9678801EA Vishay Siliconix 9678801ea -
RFQ
 ECAD 3256 0,00000000 Виаликоеникс - МАССА Управо - - 967880 - - Rohs 1 (neograniчennnый) Управо 0000.00.0000 25 - - - - - - - - - - - -
DG604EQ-T1-E3 Vishay Siliconix DG604EQ-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 4425 0,00000000 Виаликоеникс - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 14-tssop (0,173 », ширина 4,40 мм) DG604 2 14-tssop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 3000 400 мг Spst - neot 1: 1 115ohm 1 О 2,7 В. ± 2,7 ЕС. 60ns, 52ns 0,7 шT 2,7pf, 7,3pf 100pa -81db @ 10 Mmgц
DG412DY-T1 Vishay Siliconix DG412DY-T1 -
RFQ
 ECAD 3540 0,00000000 Виаликоеникс - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 16 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) DG412 4 16 лейт СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 2500 - Spst - neot 1: 1 35om - 5 В ~ 44 В. ± 5 ЕСКЛ. 175ns, 145ns 5 шт 9pf, 9pf 250pa -85db @ 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть