SIC
close

Ингрированов

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (Dollar) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura Прилонья МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES ТИП Фуевшии Baзowый nomer prodikta ТИПВ Колист. Каналов На Втипа Колист Сооотвор - Вес: Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Файнкхия -3db polosы propypuskanya На Перееклшит MULOTIPLEKSOUR/DEMOOLOTIPLEKSNый SхEMA Сопротивейни -атте Кааналани Каналала (ΔRON) Napraheneeee - podaчa, odinoчnый (v+) Napraheneeee - podaчa, dvoйnoй (v ±) Вернее Я Emcostth canala (cs (off), cd (off)) Ток - Ютехка (is (off)) (mmaks) Перекайс Имен Колист Колист ТОПОЛОГЯ ASTOTA - PREREKLючENEEEE Зaщita ot neeprawnosteй Фунеми ипра Vodnaver -koanfiguraцian Вес феврал Raboshyй цikl (mmaks) Синронн Чasы sinхroniзajaip Сэридж и ТОК - В.О. Rds nna (typ) Naprayжeniee - nagruзca ТИП Ток - На На На На На На w/swoToDIODNNый draйwer w/Supervisor w/sekwensor
DG528AK Vishay Siliconix DG528AK -
RFQ
 ECAD 4342 0,00000000 Виаликоеникс - Трубка Управо -55 ° C ~ 125 ° C (TA) Чereз dыru 18-CDIP (0,300 ", 7,62 ММ) DG528 1 18-Cerdip СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 25 - - 8: 1 400om 24 ч - ± 15 В. 1,5 мкс, 1 мкс 4 шт 5pf, 25pf 1NA -
DG611EEY-T1-GE3 Vishay Siliconix DG611EEY-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 8063 0,00000000 Виаликоеникс - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 16 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) DG611 4 16 лейт - Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 2500 1 гер Spst - nc 1: 1 115ohm 600 м 3 n 12 В. ± 3 В ~ 5 В. 50NS, 35NS 1,4 шT 3pf, 3pf 100pa -74db @ 10 Mmgц
DG453EY-T1-E3 Vishay Siliconix DG453EY-T1-E3 2.7514
RFQ
 ECAD 1871 0,00000000 Виаликоеникс - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 16 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) DG453 4 16 лейт СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 2500 - SPST - NO/NC 1: 1 5,3 ОМ 120moh 12 В ~ 36 В. ± 5 n15. 118ns, 97ns 22 PUNQTA 31pf, 34pf 500pa -85db @ 1MHz
DG445BDJ Vishay Siliconix DG445BDJ -
RFQ
 ECAD 8226 0,00000000 Виаликоеникс - Трубка Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Чereз dыru 16-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) DG445 4 16-pdip СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 500 - Spst - neot 1: 1 80 ч - 13 В ~ 36 В. ± 7 В ~ 22 В. 300NS, 200NS 1 шт 5pf, 5pf 500pa -95db @ 100 kgц
SIP32448DNP-T1-GE4 Vishay Siliconix SIP32448DNP-T1-GE4 0,6400
RFQ
 ECAD 7837 0,00000000 Виаликоеникс - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 4-ufdfn otkrыtai-aip-o Ставка Коунролир SIP32448 Nerting N-канал 1: 1 4-TDFN (1,2x1,6) - Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 3000 Ne o. ВЫКЛ/OFF 1 - Веса Сророна 38mohm 1,7 В ~ 5,5. О том, как 3A
DG528BK Vishay Siliconix DG528BK -
RFQ
 ECAD 2824 0,00000000 Виаликоеникс - Трубка Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Чereз dыru 18-CDIP (0,300 ", 7,62 ММ) DG528 1 18-Cerdip СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 25 - - 8: 1 450 м 27om - ± 15 В. - 4 шт 5pf, 25pf 5NA -
DG4053EEY-T1-GE3 Vishay Siliconix DG4053EEY-T1-GE3 1.6200
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 Виаликоеникс - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 16 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) DG4053 3 16 лейт СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 2500 930 мг SPDT 2: 1 78ohm 910mohm 3 n16. ± 3 В ~ 8 75ns, 88ns 0,3 шt 2pf, 3,1 пт 1NA -105db @ 100 kgц
SIP32430DN-T1-GE4 Vishay Siliconix SIP32430DN-T1-GE4 2.1600
RFQ
 ECAD 2757 0,00000000 Виаликоеникс - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 10-vfdfn otkrыtai-anploщadka Питание хорошо, контролируется ставками, февраль SIP32430 Nerting П-канал 1: 1 10-DFN (3x3) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 2500 Ne o. ВЫКЛ/OFF 1 Ograniчeniee -tocaka (rerwhulirueemoe), wemperaturы, uvlo Веса Сророна 99mohm 6- ~ 28 В. О том, как 3.2a
DG442BDJ-E3 Vishay Siliconix DG442BDJ-E3 -
RFQ
 ECAD 3803 0,00000000 Виаликоеникс - Трубка Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Чereз dыru 16-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) DG442 4 16-pdip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 500 - Spst - neot 1: 1 80 ч 2 О 13 В ~ 36 В. ± 7 В ~ 22 В. 220ns, 120ns -1pc 4pf, 4pf 500pa -95db @ 100 kgц
DG202BDY-T1 Vishay Siliconix DG202BDY-T1 -
RFQ
 ECAD 2774 0,00000000 Виаликоеникс - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 16 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) DG202 4 16 лейт - Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 2500 - Spst - neot 1: 1 85ohm 2 О 4,5 В ~ 25 В. ± 4,5 -~ 22 В. 300NS, 200NS 1 шт 5pf, 5pf 500pa -95db @ 100 kgц
DG2012EDL-T1-GE3 Vishay Siliconix DG2012EDL-T1-GE3 0,9100
RFQ
 ECAD 48 0,00000000 Виаликоеникс - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 DG2012 1 SC-70-6 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 3000 160 мг SPDT 2: 1 1,6 ОМ 300 МОСТ 1,65 n 5,5 - 32NS, 28NS 8 шт 16pf 5NA -63db @ 1MHz
SIP32401DNP-T1-GE4 Vishay Siliconix SIP32401DNP-T1-GE4 -
RFQ
 ECAD 9630 0,00000000 Виаликоеникс - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Пефер 4-ufdfn otkrыtai-aip-o Ставка Коунролир SIP32401 Nerting N-канал 1: 1 4-TDFN (1,2x1,6) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 3000 Ne o. ВЫКЛ/OFF 1 - Веса Сророна 62mohm 1,1 В ~ 5,5 В. О том, как 2.4a
SIC830AED-T1-GE3 Vishay Siliconix SIC830AED-T1-GE3 4.0796
RFQ
 ECAD 7090 0,00000000 Виаликоеникс * Lenta и катахка (tr) Актифен SIC830 - 742-SIC830AED-T1-GE3TR Ear99 8542.39.0001 3000
DG613DJ-E3 Vishay Siliconix DG613DJ-E3 -
RFQ
 ECAD 2484 0,00000000 Виаликоеникс - МАССА Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Чereз dыru 16-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) DG613 1 16-pdip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH DG613DJE3 Ear99 8542.39.0001 500 500 мг DPDT 1: 1 45ohm 2 О 10 В ~ 18 В. ± 10 n15. 35NS, 25NS 4 шт 3pf, 2pf 250pa -87db @ 10 Mmgц
SIC471ED-T1-GE3 Vishay Siliconix SIC471ED-T1-GE3 5.6200
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Виаликоеникс Microbuck® Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер PowerPak® MLP55-27 SIC471 55 Rerhulyruemый PowerPak® MLP55-27 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 3000 Vniз 1 БАК 20 kgц ~ 2 mmgц Poloshitelnый В дар 12A 0,8 В. 50,6 В. 4,5 В.
SIP5630CG-T1-E3 Vishay Siliconix SIP5630CG-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 5121 0,00000000 Виаликоеникс - Lenta и катахка (tr) Управо 0 ° C ~ 70 ° C. Пефер - SCSI SIP563 2,7 В ~ 5,25 В. 36-QSOP СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1600 9
SIP32461DB-T2-GE1 Vishay Siliconix SIP32461DB-T2-GE1 0,6400
RFQ
 ECAD 375 0,00000000 Виаликоеникс - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 4-UFBGA, CSPBGA Ставка Коунролир SIP32461 Nerting П-канал 1: 1 4-WCSP (0,76x0,76) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 3000 Ne o. ВЫКЛ/OFF 1 Обрант Веса Сророна 50 м 1,2 В ~ 5,5 В. О том, как 1.2a
DG271BDY-E3 Vishay Siliconix DG271BDY-E3 6.6900
RFQ
 ECAD 378 0,00000000 Виаликоеникс - Трубка Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 16 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) DG271 4 16 лейт СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DG271BDYE3 Ear99 8542.39.0001 50 - Spst - nc 1: 1 50 ОМ - - ± 15 В. 65NS, 65NS -5pc 8pf, 8pf 1NA -100 дБ прри 100 кг
DG9411EDL-T1-GE3 Vishay Siliconix DG9411EDL-T1-GE3 0,8200
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 Виаликоеникс - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 DG9411 1 SC-70-6 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 3000 - SPDT 2: 1 8ohm 200 месяцев 1,8 В ~ 5,5 В. - 30ns, 24ns 1 шт 7pf - -77db @ 1MHz
DG307AAK Vishay Siliconix DG307AAK -
RFQ
 ECAD 5054 0,00000000 Виаликоеникс - Трубка Управо -55 ° C ~ 125 ° C (TA) Чereз dыru 14-CDIP (0,300 ", 7,62 ММ) DG307 2 14-Cerdip СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 25 - SPDT 2: 1 50 ОМ - - ± 15 В. 250NS, 150NS 30 шт 14pf, 14pf 1NA -74db @ 500 kgц
DG9262DY-E3 Vishay Siliconix DG9262DY-E3 -
RFQ
 ECAD 3167 0,00000000 Виаликоеникс - МАССА Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) DG9262 2 8 лейт СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 500 - Spst - nc 1: 1 60om 400 м 2,7 В. - 75ns, 50ns 2pc 7pf 100pa -90DB @ 1MHZ
DG419BAK-E3 Vishay Siliconix DG419BAK-E3 -
RFQ
 ECAD 9511 0,00000000 Виаликоеникс - Трубка Управо -55 ° C ~ 125 ° C (TA) Чereз dыru 8-CDIP (0,300 ", 7,62 ММ) DG419 1 8-Cerdip - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 25 - SPDT 2: 1 25 ч - 13 В ~ 36 В. ± 7 В ~ 22 В. 89ns, 80ns 38 st 12pf, 12pf 250pa -88db @ 1MHz
DG613EEQ-T1-GE3 Vishay Siliconix DG613EEQ-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 7889 0,00000000 Виаликоеникс - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 16-tssop (0,173 », ширина 4,40 мм) DG613 4 16-tssop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 3000 1 гер SPST - NO/NC 1: 1 115ohm 600 м 3 n 12 В. ± 3 В ~ 5 В. 50NS, 35NS 1,4 шT 3pf, 3pf 100pa -74db @ 10 Mmgц
SI9110DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI9110DY-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 8634 0,00000000 Виаликоеникс - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 14 SOIC (0,154 ", Ирина 3,90 мм) SI9110 Траншисторн 14 лейт СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 2500 ВСКОШИТА/ВНИХ 9,5 n 13,5. 1 Cuk, Flyback, Forward Converter, Pushpul 40 kgц ~ 1 mmgц Klheitth Poloshitelnый 1 - Не Не -
SIP4282DVP-3-T1-E3 Vishay Siliconix SIP4282DVP-3-T1-E3 0,2467
RFQ
 ECAD 3118 0,00000000 Виаликоеникс - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Пефер PowerPak® SC-75-6L Raзraind nagruзky, контерролиру SIP4282 Nerting П-канал 1: 1 PowerPak® SC-75-6L СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 3000 Ne o. ВЫКЛ/OFF 1 - Веса Сророна 105mohm 1,8 В ~ 5,5 В. О том, как 1.4a
DG611DJ-E3 Vishay Siliconix DG611DJ-E3 -
RFQ
 ECAD 2624 0,00000000 Виаликоеникс - МАССА Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Чereз dыru 16-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) DG611 4 16-pdip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH DG611DJE3 Ear99 8542.39.0001 500 500 мг Spst - nc 1: 1 45ohm 2 О 10 В ~ 18 В. ± 10 n15. 35NS, 25NS 4 шт 3pf, 2pf 250pa -87db @ 5MHz
SIC402ACD-T1-GE3 Vishay Siliconix SIC402ACD-T1-GE3 2.0900
RFQ
 ECAD 18 0,00000000 Виаликоеникс Microbuck® Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 32-Powervfqfn SIC402 3 В ~ 28 В. PowerPak® MLP55-32 СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) Ear99 8542.39.0001 3000 2 UniversitteTTET (buck) sinхroannnый (1) ,линген (Ldo) (1) 200 kgц ~ 1 mmgц 0,6 В ~ 5,5 Е, 10А Пролив. 0,75 В, 200 Ма - Не Не Не
DG447DV-T1-E3 Vishay Siliconix DG447DV-T1-E3 1.5300
RFQ
 ECAD 23 0,00000000 Виаликоеникс - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 DG447 1 6-й стоп СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 3000 - Spst - nc 1: 1 25 ч - 7 В ~ 36 В. ± 4,5 -~ 20 130ns, 95ns 10 шт 19pf, 8pf 1NA -
SIP12116DMP-T1-GE4 Vishay Siliconix SIP12116DMP-T1-GE4 0,9600
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Виаликоеникс - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 10-vfdfn otkrыtai-anploщadka SIP12116 15 Rerhulyruemый 10-DFN (3x3) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 2500 Vniз 1 БАК 600 kgц Poloshitelnый В дар 3A 0,6 В. 5,5 В. 4,5 В.
DG541DY-E3 Vishay Siliconix DG541DY-E3 -
RFQ
 ECAD 1321 0,00000000 Виаликоеникс - МАССА Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) ВИДЕГО Пефер 16 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) RGB, T-Switch Configuration DG541 4 16 лейт СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 500 500 мг Spst 1: 1 60om 3 В ~ 15 В. ± 3 В ~ 15 В.
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть