SIC
close

Ингрированов

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (Dollar) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura Прилонья МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES ТИП Фуевшии Baзowый nomer prodikta ТИПВ Колист. Каналов На Спесеикаиии Втипа Sic programmirueTSARY Колист Сооотвор - Вес: Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Файнкхия -3db polosы propypuskanya На Перееклшит MULOTIPLEKSOUR/DEMOOLOTIPLEKSNый SхEMA Сопротивейни -атте Кааналани Каналала (ΔRON) Napraheneeee - podaчa, odinoчnый (v+) Napraheneeee - podaчa, dvoйnoй (v ±) Вернее Я Emcostth canala (cs (off), cd (off)) Ток - Ютехка (is (off)) (mmaks) Перекайс Протокол Колиствово -ворота/пероэмедиков Дюпракс Скороп Имен Колист Tykuщiй - pocoayщiй (iq) ТИП КАНАЛА ТОПОЛОГЯ ASTOTA - PREREKLючENEEEE Зaщita ot neeprawnosteй Фунеми ипра Vodnaver -koanfiguraцian Синронн ТОК - В.О. Rds nna (typ) Naprayжeniee - nagruзca ЕПРАНАЛЬНО Колиство ТИП Logeчeskoe anprayaeneeee - vil, vih Ток - ПикВода (Истошник, Раковина) Верна Ведокообооборот ТИП Ток - На На На Колиш Otstupee napryaneping (myaks) PSRR Особенносот
DG413HSAZ/883 Vishay Siliconix DG413HSAZ/883 -
RFQ
 ECAD 4087 0,00000000 Виаликоеникс - Трубка Управо -55 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 16 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) DG413 4 16 лейт - Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 60 - SPST - NO/NC 1: 1 35om - 13 В ~ 44 В. ± 5 ЕСКЛ. 105NS, 80NS 22 PUNQTA 12pf, 12pf 250pa -88db @ 1MHz
SI9241AEY-E3 Vishay Siliconix SI9241AEY-E3 -
RFQ
 ECAD 1500 0,00000000 Виаликоеникс - МАССА Управо -40 ° C ~ 125 ° C. Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) Трансир SI9241 4,5 n 5,5. 8 лейт СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 500 ISO 9141 1/1 Половина -
DG211BDY-E3 Vishay Siliconix DG211BDY-E3 2.7700
RFQ
 ECAD 5519 0,00000000 Виаликоеникс - Трубка Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 16 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) DG211 4 16 лейт - Rohs3 1 (neograniчennnый) DG211BDYE3 Ear99 8542.39.0001 500 - Spst - nc 1: 1 85ohm 2 О 4,5 В ~ 25 В. ± 4,5 -~ 22 В. 300NS, 200NS 1 шт 5pf, 5pf 500pa -95db @ 100 kgц
DG302BDJ-E3 Vishay Siliconix DG302BDJ-E3 -
RFQ
 ECAD 3349 0,00000000 Виаликоеникс - Трубка Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Чereз dыru 14-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) DG302 2 14-Pdip - Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 500 - DPST - НЕТ 2: 1 50 ОМ - - ± 15 В. 300NS, 250NS 8 шт 14pf, 14pf 1NA -74db @ 500 kgц
SJM184BEC Vishay Siliconix SJM184BEC -
RFQ
 ECAD 6152 0,00000000 Виаликоеникс - МАССА Управо - SJM18 - - Rohs 1 (neograniчennnый) Управо 0000.00.0000 25
DG413LDY-E3 Vishay Siliconix DG413LDY-E3 -
RFQ
 ECAD 9603 0,00000000 Виаликоеникс - Трубка Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 16 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) DG413 4 16 лейт СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 500 280 мг SPST - NO/NC 1: 1 17ohm - 2,7 В. ± 3 В ~ 6. 19ns, 12ns 5 шт 5pf, 6pf 250pa -95db @ 1MHz
DG3157EDL-T1-GE3 Vishay Siliconix DG3157EDL-T1-GE3 0,4200
RFQ
 ECAD 5567 0,00000000 Виаликоеникс - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 DG3157 1 SC-70-6 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 3000 580 мг SPDT 2: 1 9ohm 90mohm 1,65 n 5,5 - - 1,3 шt - 100NA -61DB При 10 мгги
DG413DY-T1 Vishay Siliconix DG413DY-T1 -
RFQ
 ECAD 5890 0,00000000 Виаликоеникс - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 16 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) DG413 4 16 лейт СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 2500 - SPST - NO/NC 1: 1 35om - 5 В ~ 44 В. ± 5 ЕСКЛ. 175ns, 145ns 5 шт 9pf, 9pf 250pa -85db @ 1MHz
DG4599DL-T1-E3 Vishay Siliconix DG4599DL-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 5402 0,00000000 Виаликоеникс - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 DG4599 1 SC-70-6 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 3000 - SPDT 2: 1 60om - 2,25 -5,5. - 30NS, 25NS 5 шт 7pf, 20pf 1NA -70DB @ 1MHZ
DG643DJ-E3 Vishay Siliconix DG643DJ-E3 -
RFQ
 ECAD 7879 0,00000000 Виаликоеникс - МАССА Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Чereз dыru 16-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) DG643 2 16-pdip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 500 500 мг SPDT 2: 1 15ohm 1 О 3 В ~ 15 В. ± 3 В ~ 15 В. 70ns, 50ns 19 st 12pf, 12pf 10NA -87db @ 5MHz
DG613DY-T1-E3 Vishay Siliconix DG613DY-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 8909 0,00000000 Виаликоеникс - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 16 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) DG613 1 16 лейт СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 2500 500 мг DPDT 1: 1 45ohm 2 О 10 В ~ 18 В. ± 10 n15. 35NS, 25NS 4 шт 3pf, 2pf 250pa -87db @ 10 Mmgц
SIP4612ADVP-T1-E3 Vishay Siliconix SIP4612ADVP-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 2455 0,00000000 Виаликоеникс - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер PowerPak® TSC-75-6 - SIP4612 Nerting П-канал 1: 1 PowerPak® TSC75-6 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 3000 Ne o. ВЫКЛ/OFF 1 Ograniчeniee -tocaka (rerwhulirueemoe), wemperaturы, uvlo Веса Сророна 150 МОСТ 2,4 В ~ 5,5. О том, как 1A
SIP21123DR-T1-E3 Vishay Siliconix SIP21123DR-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 1229 0,00000000 Виаликоеникс - Lenta и катахка (tr) Управо - - - SIP211 - - - - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 3000 - - - - - - - -
9204101EA Vishay Siliconix 9204101EA -
RFQ
 ECAD 3821 0,00000000 Виаликоеникс - МАССА Управо - - 920410 - - Rohs 1 (neograniчennnый) Управо 0000.00.0000 25 - - - - - - - - - - - -
DG413HSAK-E3 Vishay Siliconix DG413HSAK-E3 -
RFQ
 ECAD 3944 0,00000000 Виаликоеникс - Трубка Управо -55 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 16 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) DG413 4 16 лейт - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 25 - SPST - NO/NC 1: 1 35om - 13 В ~ 44 В. ± 5 ЕСКЛ. 105NS, 80NS 22 PUNQTA 12pf, 12pf 250pa -88db @ 1MHz
SI9183DT-50-T1-E3 Vishay Siliconix SI9183DT-50-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 5763 0,00000000 Виаликоеникс - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 SI9183 6в Зaikcyrovannnый TSOT-23-5 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 3000 900 мк ДАВАТ Poloshitelnый 150 май 5в - 1 0,22 -пр. 150 60 дб ~ 30 дБ (1 кг ~ 100 кг) Nantemperouturoй, короксия
DG442LDQ-T1-E3 Vishay Siliconix DG442LDQ-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 5756 0,00000000 Виаликоеникс - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 16-tssop (0,173 », ширина 4,40 мм) DG442 4 16-tssop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 3000 280 мг Spst - neot 1: 1 30 От 100 месяцев 2,7 В. ± 3 В ~ 6. 60NS, 35NS 5 шт 5pf, 6pf 1NA -95db @ 1MHz
DG3157ADN-T1-E4 Vishay Siliconix DG3157ADN-T1-E4 -
RFQ
 ECAD 8768 0,00000000 Виаликоеникс - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 6-ufdfn DG3157 1 6-miniqfn (1x1.2) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 3000 300 мг SPDT 2: 1 15ohm 800 МОСТ 1,65 n 5,5 - 25ns, 21ns 7 шт 7pf 1 мка -64DB @ 10MHz
DG541DY-T1 Vishay Siliconix DG541DY-T1 -
RFQ
 ECAD 5398 0,00000000 Виаликоеникс - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) ВИДЕГО Пефер 16 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) RGB, T-Switch Configuration DG541 4 16 лейт СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 2500 500 мг Spst 1: 1 60om 3 В ~ 15 В. ± 3 В ~ 15 В.
SJM187BXA Vishay Siliconix SJM187BXA -
RFQ
 ECAD 5129 0,00000000 Виаликоеникс - Трубка Управо - SJM18 - - Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 25
DG309BDQ-T1-E3 Vishay Siliconix DG309BDQ-T1-E3 1.5180
RFQ
 ECAD 2310 0,00000000 Виаликоеникс - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 16-tssop (0,173 », ширина 4,40 мм) DG309 4 16-tssop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 3000 - Spst - nc 1: 1 85ohm 1,7 ОМ 4 В ~ 44 В. ± 4 n22 200NS, 150NS 1 шт 5pf, 5pf 500pa -95db @ 100 kgц
SIP41111DY-T1-E3 Vishay Siliconix SIP41111DY-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 3220 0,00000000 Виаликоеникс - Lenta и катахка (tr) Актифен -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) SIP41111 Nerting Nprovereno 9 В ~ 13,2 В. 8 лейт СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 2500 NeShavymymый Полумос 2 N-каненский мосфет 4В, 7 В. 2а, 2а 13NS, 15NS 75
SIP21107DVP-25-E3 Vishay Siliconix SIP21107DVP-25-E3 -
RFQ
 ECAD 7810 0,00000000 Виаликоеникс - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер PowerPak® TSC-75-6 SIP211 6в Зaikcyrovannnый PowerPak® TSC75-6 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 3000 85 Мка ВЫКАЙТ, ПИТАНИ Poloshitelnый 150 май 2,5 В. - 1 0,3 -прри 150 72db ~ 38 дБ (1 кг ~ 100 кг) Nantemperouturoй, короксия
DG2592DN1-T1-GE4 Vishay Siliconix DG2592DN1-T1-GE4 1.4500
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Виаликоеникс - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Потретелски Пефер 10-ufqfn DG2592 1 - 1,6 В ~ 5,5 В. 10-miniqfn (1,4x1,8) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 3000 Перепел -
DG9262DY Vishay Siliconix DG9262DY -
RFQ
 ECAD 8759 0,00000000 Виаликоеникс - Трубка Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) DG9262 2 8 лейт СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 500 - Spst - nc 1: 1 60om 400 м 2,7 В. - 75ns, 50ns 2pc 7pf 100pa -90DB @ 1MHZ
SIC438DED-T1-GE3 Vishay Siliconix Sic438ded-t1-ge3 2.8800
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Виаликоеникс - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 24-Powerwfqfn 28 Rerhulyruemый PowerPak® MLP44-24 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) 742-SIC438DAD-T1-GE3TR Ear99 8542.39.0001 3000 Vniз 1 БАК 300 kgц ~ 1 mmgц Poloshitelnый В дар 8. 0,6 В. 25,2 В. 3В
DG401BDY-T1-E3 Vishay Siliconix DG401BDY-T1-E3 2.2580
RFQ
 ECAD 9213 0,00000000 Виаликоеникс - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 16 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) DG401 2 16 лейт СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 2500 - Spst - neot 1: 1 45ohm - 13 В ~ 36 В. ± 7 В ~ 22 В. 150NS, 100NS 60 st 12pf, 12pf 500pa -94.8db @ 1MHz
DG412LEDQ-T1-GE3 Vishay Siliconix DG412LEDQ-T1-GE3 1.9800
RFQ
 ECAD 20 0,00000000 Виаликоеникс - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 16-tssop (0,173 », ширина 4,40 мм) DG412 4 16-tssop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 3000 - Spst - neot 1: 1 26ohm - 3 n16. ± 3 В ~ 8 50ns, 30ns 6,6 шt 5pf, 6pf 1NA -114DB @ 1MHZ
DG441BDY Vishay Siliconix DG441BDY -
RFQ
 ECAD 2096 0,00000000 Виаликоеникс - Трубка Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 16 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) DG441 4 16 лейт СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 500 - Spst - nc 1: 1 80 ч 2 О 13 В ~ 36 В. ± 7 В ~ 22 В. 220ns, 120ns -1pc 4pf, 4pf 500pa -95db @ 100 kgц
SIP32431DNP3-T1GE4 Vishay Siliconix SIP32431DNP3-T1GE4 0,6900
RFQ
 ECAD 315 0,00000000 Виаликоеникс - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 4-ufdfn otkrыtai-aip-o Ставка Коунролир SIP32431 Nerting П-канал 1: 1 4-TDFN (1,2x1,6) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 3000 Ne o. ВЫКЛ/OFF 1 Обрант Веса Сророна 105mohm 1,5 В ~ 5,5 В. О том, как 1.4a
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть