SIC
close

Ингрированов

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (Dollar) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura Прилонья МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Фуевшии Baзowый nomer prodikta ХIMIPARYARY Колиство Колист. Каналов На Втипа Колист ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Файнкхия -3db polosы propypuskanya Перееклшит MULOTIPLEKSOUR/DEMOOLOTIPLEKSNый SхEMA Сопротивейни -атте Кааналани Каналала (ΔRON) Napraheneeee - podaчa, odinoчnый (v+) Napraheneeee - podaчa, dvoйnoй (v ±) Вернее Я Emcostth canala (cs (off), cd (off)) Ток - Ютехка (is (off)) (mmaks) Перекайс Имен Колист ТОПОЛОГЯ ASTOTA - PREREKLючENEEEE Зaщita ot neeprawnosteй Vodnaver -koanfiguraцian Синронн ТОК - В.О. На На На
DG429DN Vishay Siliconix DG429DN -
RFQ
 ECAD 3079 0,00000000 Виаликоеникс - МАССА Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 20-LCC (J-Lead) DG429 2 20-PLCC (9x9) - Rohs 1 (neograniчennnый) Q7165861EE Ear99 8542.39.0001 500 - Sp4t 4: 1 100ohm 5ohm 12 ± 15 В. 150NS, 150NS 1 шт 11pf, 20pf 500pa -
DG411DY-T1-E3 Vishay Siliconix DG411DY-T1-E3 2.4400
RFQ
 ECAD 6899 0,00000000 Виаликоеникс - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 16 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) DG411 4 16 лейт СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 2500 - Spst - nc 1: 1 35om - 5 В ~ 44 В. ± 5 ЕСКЛ. 175ns, 145ns 5 шт 9pf, 9pf 250pa -85db @ 1MHz
DG612DY Vishay Siliconix DG612DY -
RFQ
 ECAD 9906 0,00000000 Виаликоеникс - Трубка Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 16 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) DG612 4 16 лейт СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 500 500 мг Spst - neot 1: 1 45ohm 2 О 10 В ~ 18 В. ± 10 n15. 35NS, 25NS 4 шт 3pf, 2pf 250pa -87db @ 5MHz
DG407DW-E3 Vishay Siliconix DG407DW-E3 10.7300
RFQ
 ECAD 297 0,00000000 Виаликоеникс - Трубка Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 28 SOIC (0,295 дюйма, Ирина 7,50 мм) DG407 2 28 SOIC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DG407DWE3 Ear99 8542.39.0001 250 - - 8: 1 100ohm 5ohm 7,5 В ~ 44 В. ± 5 ЕСКЛ. 200NS, 150NS 15шT 8pf, 65pf 500pa -
DG442LEDY-GE3 Vishay Siliconix DG442LEDY-GE3 1.5700
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Виаликоеникс - Трубка Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 16 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) DG442 4 16 лейт СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 50 - Spst - neot 1: 1 26ohm 100 месяцев 3 n16. ± 3 В ~ 8 60NS, 35NS 6,6 шt 5pf, 6pf 1NA -114DB @ 1MHZ
DG451EQ-T1-E3 Vishay Siliconix DG451EQ-T1-E3 4.6800
RFQ
 ECAD 1183 0,00000000 Виаликоеникс - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 16-tssop (0,173 », ширина 4,40 мм) DG451 4 16-tssop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 3000 - Spst - nc 1: 1 5,3 ОМ 120moh 12 В ~ 36 В. ± 5 n15. 118ns, 97ns 22 PUNQTA 31pf, 34pf 500pa -85db @ 1MHz
DG509BEY-T1-E3 Vishay Siliconix DG509Bey-T1-E3 2.8000
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Виаликоеникс - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 16 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) DG509 2 16 лейт СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 2500 250 мг Sp4t 4: 1 380 м 10ohm 12 В ~ 44 В. ± 5 ЕСКЛ. 250NS, 240NS 2pc 3pf, 8pf 1NA -88db @ 1MHz
DG411LDJ-E3 Vishay Siliconix DG411LDJ-E3 -
RFQ
 ECAD 6472 0,00000000 Виаликоеникс - МАССА Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Чereз dыru 16-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) DG411 4 16-pdip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH DG411LDJE3 Ear99 8542.39.0001 500 280 мг Spst - nc 1: 1 17ohm - 2,7 В. ± 3 В ~ 6. 19ns, 12ns 5 шт 5pf, 6pf 250pa -95db @ 1MHz
DG2523DN-T1-GE4 Vishay Siliconix DG2523DN-T1-GE4 1.4100
RFQ
 ECAD 4117 0,00000000 Виаликоеникс - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 16-vfqfn otkrыtai-anploщadka DG2523 2 16-qfn (3x3) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 2500 310 мг DPDT 2: 2 550moh 50 м 1,8 В ~ 5,5 В. - 60 мкс, 1 мкс -19pc - 1NA -61DB @ 1MHZ
86716012A Vishay Siliconix 86716012A -
RFQ
 ECAD 9588 0,00000000 Виаликоеникс - МАССА Управо - - 867160 - - Rohs 1 (neograniчennnый) Управо 0000.00.0000 25 - - - - - - - - - - - -
SJM181BCC01 Vishay Siliconix SJM181BCC01 -
RFQ
 ECAD 4483 0,00000000 Виаликоеникс - Трубка Управо - - SJM18 - - Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 25 - - - - - - - - - - - -
DG411LDQ-T1-E3 Vishay Siliconix DG411LDQ-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 5017 0,00000000 Виаликоеникс - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 16-tssop (0,173 », ширина 4,40 мм) DG411 4 16-tssop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 3000 280 мг Spst - nc 1: 1 17ohm - 2,7 В. ± 3 В ~ 6. 19ns, 12ns 5 шт 5pf, 6pf 250pa -95db @ 1MHz
DG535DJ-E3 Vishay Siliconix DG535DJ-E3 -
RFQ
 ECAD 1912 0,00000000 Виаликоеникс - МАССА Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) ВИДЕГО Чereз dыru 28-Dip (0,600 ", 15,24 ММ) Коунфигуразия T-Switch DG535 1 28-pdip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.33.0001 100 500 мг - 16: 1 90 м 10 В ~ 16,5. -
DG411HSDJ-E3 Vishay Siliconix DG411HSDJ-E3 3.5412
RFQ
 ECAD 6280 0,00000000 Виаликоеникс - Трубка Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Чereз dыru 16-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) DG411 4 16-pdip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DG411HSDJE3 Ear99 8542.39.0001 500 - Spst - nc 1: 1 35om - 13 В ~ 44 В. ± 5 ЕСКЛ. 105NS, 80NS 22 PUNQTA 12pf, 12pf 250pa -88db @ 1MHz
DG418DJ-E3 Vishay Siliconix DG418DJ-E3 2.9800
RFQ
 ECAD 663 0,00000000 Виаликоеникс - Трубка Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Чereз dыru 8-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) DG418 1 8-Pdip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DG418DJE3 Ear99 8542.39.0001 50 - Spst - neot 1: 1 35om - 12 ± 15 В. 175ns, 145ns 60 st 8pf, 8pf 250pa -
SIC431CED-T1-GE3 Vishay Siliconix SIC431CED-T1-GE3 3.2300
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Виаликоеникс - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 24-Powerwfqfn 24 Rerhulyruemый PowerPak® MLP44-24 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 3000 Vniз 1 БАК 300 kgц ~ 1 mmgц Poloshitelnый В дар 24. 0,6 В. 21,6. 3В
DG401BDY-T1 Vishay Siliconix DG401BDY-T1 -
RFQ
 ECAD 3676 0,00000000 Виаликоеникс - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 16 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) DG401 2 16 лейт СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 2500 - Spst - neot 1: 1 45ohm - 13 В ~ 36 В. ± 7 В ~ 22 В. 150NS, 100NS 60 st 12pf, 12pf 500pa -94.8db @ 1MHz
DG201HSDJ-E3 Vishay Siliconix DG201HSDJ-E3 6.3600
RFQ
 ECAD 8556 0,00000000 Виаликоеникс - Трубка Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Чereз dыru 16-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) DG201 4 16-pdip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DG201HSDJE3 Ear99 8542.39.0001 500 - Spst - nc 1: 1 50 ОМ 1,5 ОМ 13 В ~ 36 В. ± 7 В ~ 22 В. 60NS, 50NS -5pc 5pf 1NA -100 дБ прри 100 кг
DG419LDY-T1 Vishay Siliconix DG419LDY-T1 -
RFQ
 ECAD 2174 0,00000000 Виаликоеникс - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) DG419 1 8 лейт СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 2500 - SPDT 2: 1 20:00 - 2,7 В. ± 3 В ~ 6. 43ns, 31ns 1 шт 5pf 1NA -71DB @ 1MHZ
DG406BDN-E3 Vishay Siliconix DG406BDN-E3 5.8025
RFQ
 ECAD 8350 0,00000000 Виаликоеникс - Трубка Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 28-LCC (J-Lead) DG406 1 28-PLCC (11,51x11,51) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 400 - - 16: 1 60om 3 О 7,5 В ~ 44 В. ± 5 ЕСКЛ. 107ns, 88ns 11 шт 6pf, 108pf 500pa -
DG2502DB-T2-GE1 Vishay Siliconix DG2502DB-T2-GE1 1.6800
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 Виаликоеникс - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 16-xfbga, WLCSP DG2502 4 16-WCSP (1,44x1,44) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 3000 550 мг Spst - neot 1: 1 200om - 1,8 В ~ 5,5 В. - 100ns, 60ns -2pc 2,9pf, 2,8 м 400pa -83DB @ 1MHZ
DG202BAK Vishay Siliconix DG202BAK -
RFQ
 ECAD 9267 0,00000000 Виаликоеникс - Трубка Управо -55 ° C ~ 125 ° C (TA) Чereз dыru 16-CDIP (0,300 ", 7,62 ММ) DG202 4 16-Cerdip - Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 25 - Spst - neot 1: 1 85ohm 2 О 4,5 В ~ 25 В. ± 4,5 -~ 22 В. 300NS, 200NS 1 шт 5pf, 5pf 500pa -95db @ 100 kgц
DG419LEDQ-T1-GE3 Vishay Siliconix DG419LEDQ-T1-GE3 1.6100
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Виаликоеникс - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 8-tssop (0,173 », ширина 4,40 мм) DG419 1 8-tssop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 2500 - SPDT 1: 2 18om - 3 n16. ± 3 В ~ 8 40NS, 35NS 26 6pf, 20pf 10NA -72db @ 1MHz
DG190AP/883 Vishay Siliconix DG190AP/883 -
RFQ
 ECAD 7103 0,00000000 Виаликоеникс - Трубка Управо -55 ° C ~ 125 ° C (TA) Чereз dыru 16-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) DG190 2 16-Dip СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 25 - SPDT 2: 1 30 От - - ± 15 В. 150ns, 130ns - 9pf, 6pf 1NA -
DG406DN Vishay Siliconix DG406DN -
RFQ
 ECAD 8464 0,00000000 Виаликоеникс - Трубка Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 28-LCC (J-Lead) DG406 1 28-PLCC (11,51x11,51) СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 400 - - 16: 1 100ohm 5ohm 7,5 В ~ 44 В. ± 5 ЕСКЛ. 200NS, 150NS 15шT 8pf, 130pf 500pa -
DG441BDY-E3 Vishay Siliconix DG441BDY-E3 2.7300
RFQ
 ECAD 495 0,00000000 Виаликоеникс - Трубка Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 16 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) DG441 4 16 лейт СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 500 - Spst - nc 1: 1 80 ч 2 О 13 В ~ 36 В. ± 7 В ~ 22 В. 220ns, 120ns -1pc 4pf, 4pf 500pa -95db @ 100 kgц
SIC468ED-T1-GE3 Vishay Siliconix SIC468ED-T1-GE3 4.6200
RFQ
 ECAD 13 0,00000000 Виаликоеникс Microbuck® Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер PowerPak® MLP55-27 SIC468 60 Rerhulyruemый PowerPak® MLP55-27 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 3000 Vniз 1 БАК 100 kgц ~ 2 mmgц Poloshitelnый В дар 4 а 0,8 В. 15 4,5 В.
DG3015DB-T2-E1 Vishay Siliconix DG3015DB-T2-E1 -
RFQ
 ECAD 3834 0,00000000 Виаликоеникс - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 16-WFBGA DG3015 2 16-Micro Foot ™ (2x2) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 3000 - DPDT 2: 2 1,2 ОМ 150 МОСТ 2,7 В ~ 3,3 В. - 65NS, 60NS 7 шт 67pf 2NA -70DB @ 1MHZ
SI4720CY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4720CY-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 6847 0,00000000 Виаликоеникс - Lenta и катахка (tr) Управо -25 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 16 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) SI4720 Мон - 16 лейт СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 2500 Епрэни - -
89961012A Vishay Siliconix 89961012a -
RFQ
 ECAD 1227 0,00000000 Виаликоеникс - МАССА Управо - - 899610 - - Rohs 1 (neograniчennnый) Управо 0000.00.0000 25 - - - - - - - - - - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть