SIC
close

Ингрированов

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (Dollar) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura Прилонья МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Фуевшии Baзowый nomer prodikta ТИПВ Колист. Каналов На Втипа Колист Сооотвор - Вес: Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Файнкхия -3db polosы propypuskanya На Перееклшит MULOTIPLEKSOUR/DEMOOLOTIPLEKSNый SхEMA Сопротивейни -атте Кааналани Каналала (ΔRON) Napraheneeee - podaчa, odinoчnый (v+) Napraheneeee - podaчa, dvoйnoй (v ±) Вернее Я Emcostth canala (cs (off), cd (off)) Ток - Ютехка (is (off)) (mmaks) Перекайс Имен Колист Ток - Покоя (IQ) ТОПОЛОГЯ ASTOTA - PREREKLючENEEEE Зaщita ot neeprawnosteй Фунеми ипра Vodnaver -koanfiguraцian Синронн ТОК - В.О. Rds nna (typ) Naprayжeniee - nagruзca ТИП Ток - На На На Колиш Otstupee napryanemane (mmaks) PSRR Особенносот На На На w/swoToDIODNNый draйwer w/Supervisor w/sekwensor
SIC403ACD-T1-GE3 Vishay Siliconix SIC403ACD-T1-GE3 2.0100
RFQ
 ECAD 8285 0,00000000 Виаликоеникс Microbuck® Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 32-Powerwfqfn SIC403 3 В ~ 28 В. PowerPak® MLP55-32 СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) Ear99 8542.39.0001 3000 2 UniversitteTTET (buck) sinхroannnый (1) ,линген (Ldo) (1) 200 kgц ~ 1 mmgц 0,6 В ~ 5,5 - Пролив. 0,75 В, 200 Ма - Не Не Не
DG201BDY-T1 Vishay Siliconix DG201BDY-T1 -
RFQ
 ECAD 1484 0,00000000 Виаликоеникс - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 16 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) DG201 4 16 лейт СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 2500 - Spst - nc 1: 1 85ohm 2 О 4,5 В ~ 25 В. ± 4,5 -~ 22 В. 300NS, 200NS 1 шт 5pf, 5pf 500pa -95db @ 100 kgц
SIP32509DT-T1-GE3 Vishay Siliconix SIP32509DT-T1-GE3 0,4800
RFQ
 ECAD 33 0,00000000 Виаликоеникс - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Пефер SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Ставка Коунролир SIP32509 Nerting N-канал 1: 1 TSOT-23-6 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 3000 Ne o. ВЫКЛ/OFF 1 Обрант Веса Сророна 46mohm 1,1 В ~ 5,5 В. О том, как 3A
DG200BDJ-E3 Vishay Siliconix DG200BDJ-E3 -
RFQ
 ECAD 9352 0,00000000 Виаликоеникс - Трубка Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Чereз dыru 14-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) DG200 2 14-Pdip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DG200BDJE3 Ear99 8542.39.0001 500 - Spst - nc 1: 1 85ohm - 13 В ~ 36 В. ± 7 В ~ 22 В. 300NS, 200NS 1 шт 5pf, 5pf 2NA -95db @ 1MHz
DG411LEDJ-GE3 Vishay Siliconix DG411LEDJ-GE3 3.8400
RFQ
 ECAD 2991 0,00000000 Виаликоеникс - Трубка Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Чereз dыru 16-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) DG411 4 16-pdip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 500 - Spst - nc 1: 1 26ohm - 3 n16. ± 3 В ~ 8 50ns, 30ns 6,6 шt 5pf, 6pf 1NA -114DB @ 1MHZ
DG303BDY-T1-E3 Vishay Siliconix DG303BDY-T1-E3 6,3000
RFQ
 ECAD 280 0,00000000 Виаликоеникс - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 14 SOIC (0,154 ", Ирина 3,90 мм) DG303 2 14 лейт - Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 2500 - DPST - NO/NC 2: 1 50 ОМ - - ± 15 В. 300NS, 250NS 8 шт 14pf, 14pf 1NA -74db @ 500 kgц
DG308BDY-E3 Vishay Siliconix DG308BDY-E3 2.9500
RFQ
 ECAD 113 0,00000000 Виаликоеникс - Трубка Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 16 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) DG308 4 16 лейт СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 50 - Spst - neot 1: 1 85ohm 1,7 ОМ 4 В ~ 44 В. ± 4 n22 200NS, 150NS 1 шт 5pf, 5pf 500pa -95db @ 100 kgц
DG187AP/883 Vishay Siliconix DG187AP/883 -
RFQ
 ECAD 9044 0,00000000 Виаликоеникс - Трубка Управо -55 ° C ~ 125 ° C (TA) Чereз dыru 14-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) DG187 1 14-Dip СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 25 - SPDT 2: 1 30 От - - ± 15 В. 150ns, 130ns - 9pf, 6pf 1NA -
DG308ADY-T1 Vishay Siliconix DG308ADY-T1 -
RFQ
 ECAD 7903 0,00000000 Виаликоеникс - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 16 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) DG308 4 16 лейт СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 2500 - Spst - neot 1: 1 100ohm - - ± 15 В. 200NS, 150NS -10pc 11pf, 8pf 1NA -
SI9183DT-28-T1-E3 Vishay Siliconix SI9183DT-28-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 5136 0,00000000 Виаликоеникс - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 SI9183 6в Зaikcyrovannnый TSOT-23-5 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 3000 900 мк ДАВАТ Poloshitelnый 150 май 2,8 В. - 1 0,22 -пр. 150 60 дб ~ 30 дБ (1 кг ~ 100 кг) Nantemperouturoй, короксия
DG417LDQ-T1-E3 Vishay Siliconix DG417LDQ-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 2374 0,00000000 Виаликоеникс - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 8-tssop, 8-мав (0,118 ", 3,00 мк) DG417 1 8-марсоп СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 2500 - Spst - nc 1: 1 20:00 - 2,7 В. ± 3 В ~ 6. 43ns, 31ns 1 шт 5pf 1NA -71DB @ 1MHZ
DG201BDJ-E3 Vishay Siliconix DG201BDJ-E3 2.7700
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Виаликоеникс - Трубка Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Чereз dыru 16-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) DG201 4 16-pdip - Rohs3 1 (neograniчennnый) DG201BDJE3 Ear99 8542.39.0001 25 - Spst - nc 1: 1 85ohm 2 О 4,5 В ~ 25 В. ± 4,5 -~ 22 В. 300NS, 200NS 1 шт 5pf, 5pf 500pa -95db @ 100 kgц
DG3535DB-T1-E1 Vishay Siliconix DG3535DB-T1-E1 -
RFQ
 ECAD 9658 0,00000000 Виаликоеникс - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 10-WFBGA DG3535 2 10-Micro Foot® (2x1,5) - Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 - SPDT 2: 1 400 м 50 мок (MMAKS) 2,7 В ~ 3,3 В. - 82ns, 73ns 21 шт 145pf 2NA -69db @ 100 kgц
SIP12108DMP-T1GE4 Vishay Siliconix SIP12108DMP-T1GE4 2.4500
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Виаликоеникс - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 16-vfqfn otkrыtai-anploщadka SIP12108 5,5 В. Rerhulyruemый 16-mlp (3x3) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 2500 Vniз 1 БАК 200 kgц ~ 4 Mmgц Poloshitelnый В дар 5A 0,6 В. 4,68 В. 2,8 В.
DG271AK Vishay Siliconix DG271AK -
RFQ
 ECAD 9128 0,00000000 Виаликоеникс - Трубка Управо -55 ° C ~ 125 ° C (TA) Чereз dыru 16-CDIP (0,300 ", 7,62 ММ) DG271 4 16-Cerdip СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 25 - Spst - nc 1: 1 50 ОМ - - ± 15 В. 65NS, 65NS -5pc 8pf, 8pf 1NA -100 дБ прри 100 кг
DG2612DX-T1-E3 Vishay Siliconix DG2612DX-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 3998 0,00000000 Виаликоеникс - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер SOT-563, SOT-666 DG2612 1 SC-89-6 (SOT-666) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 3000 - SPDT 2: 1 1,4 ОМ 100 мао (макс) 1,8 В ~ 5,5 В. - 60NS, 35NS 2,4 шt 36pf 2NA -73db @ 100 kgц
DG411DY Vishay Siliconix DG411DY -
RFQ
 ECAD 6686 0,00000000 Виаликоеникс - Трубка Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 16 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) DG411 4 16 лейт СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DG411DYVSI Ear99 8542.39.0001 500 - Spst - nc 1: 1 35om - 5 В ~ 44 В. ± 5 ЕСКЛ. 175ns, 145ns 5 шт 9pf, 9pf 250pa -85db @ 1MHz
SIP12504DMP-T1-E3 Vishay Siliconix SIP12504DMP-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 3446 0,00000000 Виаликоеникс - Lenta и катахка (tr) Актифен - Пефер PowerPak® MLP33-6 SIP12504 - - PowerPak® MLP33-6 - Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 3000 - - - - - - - - - -
DG409DQ-E3 Vishay Siliconix DG409DQ-E3 4.3600
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Виаликоеникс - Трубка Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 16-tssop (0,173 », ширина 4,40 мм) DG409 2 16-tssop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DG409DQE3 Ear99 8542.39.0001 360 - Sp4t 4: 1 100ohm 15OM (M -MAKS) 5 В ~ 36 В. ± 5 ЕСКЛ. 150NS, 150NS 20 шт 14pf, 25pf 500pa -
DG441DY Vishay Siliconix DG441DY -
RFQ
 ECAD 3402 0,00000000 Виаликоеникс - Трубка Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 16 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) DG441 4 16 лейт СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DG441DYVSI Ear99 8542.39.0001 500 - Spst - nc 1: 1 85ohm 4ohm (M -maks) 12 ± 15 В. 220ns, 120ns -1pc 4pf, 4pf 500pa -100DB @ 1MHZ
DG303BDY-E3 Vishay Siliconix DG303BDY-E3 62000
RFQ
 ECAD 185 0,00000000 Виаликоеникс - Трубка Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 14 SOIC (0,154 ", Ирина 3,90 мм) DG303 2 14 лейт - Rohs3 1 (neograniчennnый) DG303BDYE3 Ear99 8542.39.0001 55 - DPST - NO/NC 2: 1 50 ОМ - - ± 15 В. 300NS, 250NS 8 шт 14pf, 14pf 1NA -74db @ 500 kgц
DG412DY-T1-E3 Vishay Siliconix DG412DY-T1-E3 2.5100
RFQ
 ECAD 3687 0,00000000 Виаликоеникс - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 16 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) DG412 4 16 лейт СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 2500 - Spst - neot 1: 1 35om - 5 В ~ 44 В. ± 5 ЕСКЛ. 175ns, 145ns 5 шт 9pf, 9pf 250pa -85db @ 1MHz
DG411LDQ-E3 Vishay Siliconix DG411LDQ-E3 -
RFQ
 ECAD 1169 0,00000000 Виаликоеникс - МАССА Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 16-tssop (0,173 », ширина 4,40 мм) DG411 4 16-tssop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 360 280 мг Spst - nc 1: 1 17ohm - 2,7 В. ± 3 В ~ 6. 19ns, 12ns 5 шт 5pf, 6pf 250pa -95db @ 1MHz
SIP32411DNP-T1-GE4 Vishay Siliconix SIP32411DNP-T1-GE4 0,6400
RFQ
 ECAD 19 0,00000000 Виаликоеникс - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 4-ufdfn otkrыtai-aip-o Raзraind nagruзky, контерролиру SIP32411 Nerting N-канал 1: 1 4-TDFN (1,2x1,6) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 3000 Ne o. ВЫКЛ/OFF 1 Обрант Веса Сророна 62mohm 1,1 В ~ 5,5 В. О том, как 2A
DG542DY-E3 Vishay Siliconix DG542DY-E3 -
RFQ
 ECAD 3310 0,00000000 Виаликоеникс - МАССА Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) ВИДЕГО Пефер 16 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) RGB, T-Switch Configuration DG542 4 16 лейт СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH DG542DYE3 Ear99 8542.39.0001 500 500 мг Spst 1: 1 60om 3 В ~ 15 В. ± 3 В ~ 15 В.
DG2599DN-T1-GE4 Vishay Siliconix DG2599DN-T1-GE4 0,4744
RFQ
 ECAD 5262 0,00000000 Виаликоеникс - Lenta и катахка (tr) Актифен - Пефер 16-wfqfn DG2599 2 16-miniqfn (1,8x2,6) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 3000 186 МАГ DPDT 2: 2 1,1 - 1,65 В ~ 5 В. - 90NS, 70NS 10 шт 9pf 10NA -110db @ 1MHz
DG441LDQ-E3 Vishay Siliconix DG441LDQ-E3 -
RFQ
 ECAD 4961 0,00000000 Виаликоеникс - МАССА Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 16-tssop (0,173 », ширина 4,40 мм) DG441 4 16-tssop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 360 280 мг Spst - nc 1: 1 30 От 100 месяцев 2,7 В. ± 3 В ~ 6. 60NS, 35NS 5 шт 5pf, 6pf 1NA -95db @ 1MHz
DG333ALDW-E3 Vishay Siliconix DG333333DW-E3 6.9300
RFQ
 ECAD 525 0,00000000 Виаликоеникс - Трубка Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 20 SOIC (0,295 дюйма, Ирина 7,50 мм) DG333 4 20 лейт СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DG3333333DWE3 Ear99 8542.39.0001 525 - SPDT 2: 1 45ohm 2OM (M -MAKS) 5 В ~ 40 В. ± 4 n22 175ns, 145ns 10 шт 8pf 250pa -80DB @ 1MHZ
DG201BAK Vishay Siliconix DG201BAK -
RFQ
 ECAD 9382 0,00000000 Виаликоеникс - Трубка Управо -55 ° C ~ 125 ° C (TA) Чereз dыru 16-CDIP (0,300 ", 7,62 ММ) DG201 4 16-Cerdip - Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 25 - Spst - nc 1: 1 85ohm 2 О 4,5 В ~ 25 В. ± 4,5 -~ 22 В. 300NS, 200NS 1 шт 5pf, 5pf 500pa -95db @ 100 kgц
DG9422DV-T1-E3 Vishay Siliconix DG942222DV-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 4430 0,00000000 Виаликоеникс - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 DG9422 1 6-й стоп СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 3000 - Spst - neot 1: 1 3 О - 2,7 В. ± 2,7, ~ 6. 45NS, 47NS 43 шт 31pf, 30pf 1NA -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть