SIC
close

Ингрированов

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Nomer- /Водад О. Raзmer jadra Скороп Подклхейни Пефер -вусрост Raзmerpmayti programmы ТИПППАМАЙТИ ПРОГРАММА Eeprom raзmer Raзmer operativnoй papmayti На Прроуваали Дьянн ТИП ГЕЙНЕРАТОРА
XS1-A6A-64-FB96-C4 XMOS XS1-A6A-64-FB96-C4 -
RFQ
 ECAD 3917 0,00000000 XMOS XS1 Поднос Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 96-LFBGA XS1-A6 96-FBGA (10x10) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991A2 8542.31.0001 168 42 Xcore 32-raзraIdnый 6-аля 400mips Надо - 64 кб (16K x 32) Шram - - 0,90 n 5,5 A/D 4x12b Внутронни
XS1-L8A-64-TQ128-C5 XMOS XS1-L8A-64-TQ128-C5 21.5300
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 XMOS XS1 Поднос Прохл 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 128-TQFP или XS1-L8 128-TQFP (14x14) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991A3 8542.31.0001 90 64 Xcore 32-bytnый 8-аярн 500mips Надо - 64 кб (16K x 32) Шram - - 0,95 Е 3,6 В. - Внений
XS1-L16A-128-QF124-C10 XMOS XS1-L16A-128-QF124-C10 34.1800
RFQ
 ECAD 802 0,00000000 XMOS XS1 Поднос Прохл 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 124-tfqfn dvoйne raDы, otkrыtaiте XS1-L16 124-QFN DualRow (10x10) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991A2 8542.31.0001 184 84 Xcore 32-raзraIdnый 16-приложение 1000 мидов Надо - 128 кб (32K x 32) Шram - - 0,95 Е 3,6 В. - Внений
XS1-L01A-LQ64-C5-THS XMOS XS1-L01A-LQ64-C5-THS 16.2764
RFQ
 ECAD 3410 0,00000000 XMOS XS1 Поднос Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 64-lqfp oTkrыTAIN APLOUSADCA XS1-L01 64-LQFP (10x10) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991A2 8542.31.0001 160 36 Xcore 32-bytnый 8-аярн 500mips Надо - 64 кб (16K x 32) Шram - - 0,95 Е 3,6 В. - Внений
XS1-A8A-64-FB96-I4 XMOS XS1-A8A-64-FB96-I4 -
RFQ
 ECAD 6824 0,00000000 XMOS XS1 Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 96-LFBGA XS1-A8 96-FBGA (10x10) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 880-1074 3A991A2 8542.31.0001 168 42 Xcore 32-bytnый 8-аярн 400mips Надо - 64 кб (16K x 32) Шram - - 0,90 n 5,5 A/D 4x12b Внутронни
XS1-A8A-64-FB96-C4 XMOS XS1-A8A-64-FB96-C4 -
RFQ
 ECAD 5829 0,00000000 XMOS XS1 Поднос Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 96-LFBGA XS1-A8 96-FBGA (10x10) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 880-1072 3A991A2 8542.31.0001 168 42 Xcore 32-bytnый 8-аярн 400mips Надо - 64 кб (16K x 32) Шram - - 0,90 n 5,5 A/D 4x12b Внутронни
XS1-A6A-64-FB96-I4 XMOS XS1-A6A-64-FB96-I4 -
RFQ
 ECAD 2949 0,00000000 XMOS XS1 Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 96-LFBGA XS1-A6 96-FBGA (10x10) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991A2 8542.31.0001 168 42 Xcore 32-raзraIdnый 6-аля 400mips Надо - 64 кб (16K x 32) Шram - - 0,90 n 5,5 A/D 4x12b Внутронни
XS1-A8A-128-FB217-I10 XMOS XS1-A8A-128-FB217-I10 27.2536
RFQ
 ECAD 6560 0,00000000 XMOS XS1 Поднос Прохл -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 217-LFBGA XS1-A8 217-FBGA (16x16) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991A2 8542.31.0001 84 90 Xcore 32-bytnый 8-аярн 1000 мидов Надо - 128 кб (32K x 32) Шram - - 0,90 n 5,5 A/D 8x12b Внутронни
XS1-A8A-128-FB217-C10 XMOS XS1-A8A-128-FB217-C10 21.8029
RFQ
 ECAD 7024 0,00000000 XMOS XS1 Поднос Прохл 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 217-LFBGA XS1-A8 217-FBGA (16x16) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991A2 8542.31.0001 84 90 Xcore 32-bytnый 8-аярн 1000 мидов Надо - 128 кб (32K x 32) Шram - - 0,90 n 5,5 A/D 8x12b Внутронни
XUF232-512-FB324-I40 XMOS XUF232-512-FB324-I40 24.7623
RFQ
 ECAD 1444 0,00000000 XMOS Ст Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 324-FBGA Xuf232 324-FBGA (15x15) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991A2 8542.31.0001 168 208 Xcore 32-bytnый 32-аяд 4000 мидов USB - 2 марта (2 м х 8) В.С. - 512K x 8 0,95 Е 3,6 В. - Внений
XS1-A12A-128-FB217-I8 XMOS XS1-A12A-128-FB217-I8 29 6948
RFQ
 ECAD 3244 0,00000000 XMOS XS1 Поднос Прохл -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 217-LFBGA XS1-A12 217-FBGA (16x16) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991A2 8542.31.0001 84 90 Xcore 32-raзraIdnый 12-yarernый 800mips Надо - 128 кб (32K x 32) Шram - - 0,90 n 5,5 A/D 8x12b Внутронни
XUF224-1024-FB324-I40 XMOS XUF224-1024-FB324-I40 21.4183
RFQ
 ECAD 8355 0,00000000 XMOS Ст Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 324-FBGA Xuf224 324-FBGA (15x15) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991A2 8542.31.0001 168 208 Xcore 32-битвя 24 а 4000 мидов USB - 2 марта (2 м х 8) В.С. - 1m x 8 0,95 Е 3,6 В. - Внений
XUF216-512-FB236-I20 XMOS XUF216-512-FB236-I20 -
RFQ
 ECAD 1338 0,00000000 XMOS Ст Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 236-LFBGA Xuf216 236-FBGA (10x10) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991A2 8542.31.0001 168 104 Xcore 32-raзraIdnый 16-приложение 2000mips USB - 2 марта (2 м х 8) В.С. - 512K x 8 0,95 Е 3,6 В. - Внений
XUF224-1024-FB374-C40 XMOS XUF224-1024-FB374-C40 -
RFQ
 ECAD 5169 0,00000000 XMOS Ст Поднос Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 374-LFBGA Xuf224 374-FBGA (18x18) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 5A002A1 8542.31.0001 84 176 Xcore 32-битвя 24 а 4000 мидов USB - 2 марта (2 м х 8) В.С. - 1m x 8 0,95 Е 3,6 В. - Внений
XU224-512-FB374-C40 XMOS XU224-512-FB374-C40 22.4048
RFQ
 ECAD 2142 0,00000000 XMOS Сб Поднос Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 374-LFBGA Xu224 374-FBGA (18x18) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 5A002A1 8542.31.0001 84 176 Xcore 32-битвя 24 а 4000 мидов USB - - БОЛЬШЕ - 512K x 8 0,95 Е 3,6 В. - Внений
XL216-256-TQ128-I20 XMOS XL216-256-TQ128-I20 16.2626
RFQ
 ECAD 8547 0,00000000 XMOS XL Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 128-TQFP или XL216 128-TQFP (14x14) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991A2 8542.31.0001 90 88 Xcore 32-raзraIdnый 16-приложение 2000mips - - - БОЛЬШЕ - 256K x 8 0,95 Е 3,6 В. - Внений
XLF224-1024-FB374-C40 XMOS XLF224-1024-FB374-C40 -
RFQ
 ECAD 8348 0,00000000 XMOS XLF Поднос Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 374-LFBGA XLF224 374-FBGA (18x18) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 5A002A1 8542.31.0001 84 176 Xcore 32-битвя 24 а 4000 мидов - - 2 марта (2 м х 8) В.С. - 1m x 8 0,95 Е 3,6 В. - Внений
XLF216-256-TQ128-I20A XMOS XLF216-256-TQ128-I20A 17.3721
RFQ
 ECAD 8677 0,00000000 XMOS XLF Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 128-TQFP или XLF216 128-TQFP (14x14) - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 880-xlf216-256-TQ128-I20A 90 88 Xcore 32-raзraIdnый 16-приложение 1000 мидов - - 2 марта (2 м х 8) В.С. - 256K x 8 0,95 Е 3,6 В. - Внений
XUF216-512-FB236-C20A XMOS XUF216-512-FB236-C20A 23.4000
RFQ
 ECAD 143 0,00000000 XMOS Ст Поднос Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 236-LFBGA Xuf216 236-FBGA (10x10) - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 880-XUF216-512-FB236-C20A 3A991A2 8542.31.0001 168 104 Xcore 32-raзraIdnый 16-приложение 2000mips USB - 2 марта (2 м х 8) В.С. - 512K x 8 0,95 Е 3,6 В. - Внений
XU316-1024-TQ128-C24 XMOS XU316-1024-TQ128-C24 38.3600
RFQ
 ECAD 455 0,00000000 XMOS xcore.ai Поднос Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 128-TQFP или Xu316 128-TQFP (14x14) СКАХАТА 3 (168 чASOW) 880-XU316-1024-TQ128-C24 3A991A2 8542.31.0001 152 78 Xcore 32-raзraIdnый 16-приложение 2400mips USB Пор, Wdt 8 кб (8K x 8) От - 1m x 8 0,855V ~ 0,945 - Внений
XS1-L8A-64-TQ128-C4 XMOS XS1-L8A-64-TQ128-C4 15.8142
RFQ
 ECAD 2732 0,00000000 XMOS XS1 Поднос Прохл 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 128-TQFP или XS1-L8 128-TQFP (14x14) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991A3 8542.31.0001 90 64 Xcore 32-bytnый 8-аярн 400mips Надо - 64 кб (16K x 32) Шram - - 0,95 Е 3,6 В. - Внений
XLF208-256-TQ128-C10 XMOS XLF208-256-TQ128-C10 -
RFQ
 ECAD 8868 0,00000000 XMOS XLF Поднос Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 128-TQFP или XLF208 128-TQFP (14x14) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991A2 8542.31.0001 90 88 Xcore 32-bytnый 8-аярн 1000 мидов - - 1 мар (1 м х 8) В.С. - 256K x 8 0,95 Е 3,6 В. - Внений
XS1-U12A-128-FB217-C10 XMOS XS1-U12A-128-FB217-C10 26.8129
RFQ
 ECAD 5673 0,00000000 XMOS XS1 Поднос Прохл 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 217-LFBGA XS1-U12 217-FBGA (16x16) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 880-1083 3A991A2 8542.31.0001 84 73 Xcore 32-raзraIdnый 12-yarernый 1000 мидов Надо - 128 кб (32K x 32) Шram - - 3 В ~ 3,6 В. A/D 8x12b Внутронни
XLF216-256-TQ128-C20A XMOS XLF216-256-TQ128-C20A 16.2626
RFQ
 ECAD 8372 0,00000000 XMOS XLF Поднос Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 128-TQFP или XLF216 128-TQFP (14x14) - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 880-xlf216-256-TQ128-C20A 90 88 Xcore 32-raзraIdnый 16-приложение 1000 мидов - - 2 марта (2 м х 8) В.С. - 256K x 8 0,95 Е 3,6 В. - Внений
XLF210-512-FB236-C20 XMOS XLF210-512-FB236-C20 -
RFQ
 ECAD 8666 0,00000000 XMOS XLF Поднос Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 236-LFBGA XLF210 236-FBGA (10x10) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991A2 8542.31.0001 168 128 Xcore 32-raзraIdnый 10-аля 2000mips - - 2 марта (2 м х 8) В.С. - 512K x 8 0,95 Е 3,6 В. - Внений
XUF210-256-TQ128-C20 XMOS XUF210-256-TQ128-C20 -
RFQ
 ECAD 2288 0,00000000 XMOS Ст Поднос Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 128-TQFP или Xuf210 128-TQFP (14x14) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991A2 8542.31.0001 90 81 Xcore 32-raзraIdnый 10-аля 2000mips USB - 2 марта (2 м х 8) В.С. - 256K x 8 0,95 Е 3,6 В. - Внений
XL208-256-FB236-C10 XMOS XL208-256-FB236-C10 13.5371
RFQ
 ECAD 5056 0,00000000 XMOS XL Поднос Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 236-LFBGA XL208 236-FBGA (10x10) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991A2 8542.31.0001 168 128 Xcore 32-bytnый 8-аярн 1000 мидов - - - БОЛЬШЕ - 256K x 8 0,95 Е 3,6 В. - Внений
XEF216-256-FB236-C20 XMOS XEF216-256-FB236-C20 -
RFQ
 ECAD 8479 0,00000000 XMOS XEF Поднос Пркрэно 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 236-LFBGA XEF216 236-FBGA (10x10) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 5A002A1 8542.31.0001 168 73 Xcore 32-raзraIdnый 16-приложение 2000mips Rgmii, USB - 2 марта (2 м х 8) В.С. - 256K x 8 0,95 Е 3,6 В. - Внений
XE232-1024-FB374-C40 XMOS XE232-1024-FB374-C40 41.1500
RFQ
 ECAD 67 0,00000000 XMOS XE Поднос Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 374-LFBGA XE232 374-FBGA (18x18) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 880-1105 3A991A2 8542.31.0001 84 176 Xcore 32-bytnый 32-аяд 4000 мидов Rgmii, USB - - БОЛЬШЕ - 1m x 8 0,95 Е 3,6 В. - Внений
XUF212-256-FB236-C20 XMOS XUF212-256-FB236-C20 -
RFQ
 ECAD 8359 0,00000000 XMOS Ст Поднос Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 236-LFBGA Xuf212 236-FBGA (10x10) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991A2 8542.31.0001 168 104 Xcore 32-raзraIdnый 12-yarernый 2000mips USB - 2 марта (2 м х 8) В.С. - 256K x 8 0,95 Е 3,6 В. - Внений
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть