SIC
close

Ингрированов

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Sic programmirueTSARY Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар ТАКТОВА ТИП ПАМАТИ Raзmerpmayti Вернее Формат пэмаи Органихая ИНЕРФЕРСП Верный
W948V6KBHX5I Winbond Electronics W948V6KBHX5I 2.1391
RFQ
 ECAD 6435 0,00000000 Винбонд - Поднос В аспекте -40 ° C ~ 85 ° C (TC) Пефер 60-TFBGA W948V6 SDRAM - Mobile LPDDR 1,7 В ~ 1,9 В. 60-VFBGA (8x9) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 256-W948V6KBHX5I Ear99 8542.32.0024 312 200 мг Nestabilnый 256 мб 5 млн Ддрам 16m x 16 LVCMOS 15NS
W631GU8NB09I Winbond Electronics W631GU8NB09I 4.9700
RFQ
 ECAD 242 0,00000000 Винбонд - Поднос Актифен -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 78-VFBGA W631GU8 SDRAM - DDR3L 1 283 $ 1,45, 1425 ЕГО ~ 1575 78-VFBGA (8x10,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 256-W631GU8NB09I Ear99 8542.32.0032 242 1 066 ГОГ Nestabilnый 1 Гит 20 млн Ддрам 128m x 8 Парлель 15NS
W97BH2MBVA1I Winbond Electronics W97BH2MBVA1I 6.3973
RFQ
 ECAD 4012 0,00000000 Винбонд - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TC) Пефер 134-VFBGA W97BH2 SDRAM - Mobile LPDDR2 -S4B 1,14 n 1,3,, 1,7 -1,95 134-VFBGA (10x11.5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 256-W97BH2MBVA1I Ear99 8542.32.0036 168 533 мг Nestabilnый 2 Гит Ддрам 64M x 32 HSUL_12 15NS
W29N01HWBINA Winbond Electronics W29N01HWBINA 3.7146
RFQ
 ECAD 4587 0,00000000 Винбонд - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 63-VFBGA W29N01 Flash - nand (SLC) 1,7 В ~ 1,95 В. 63-VFBGA (9x11) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 256-W29N01HWBINA 3A991B1A 8542.32.0071 210 NeleTUSHIй 1 Гит 25 млн В.С. 128m x 8 Парлель 25NS
W25Q256JWPIQ TR Winbond Electronics W25Q256JWPIQ TR 2.2500
RFQ
 ECAD 4132 0,00000000 Винбонд Spiflash® Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 8-wdfn otkrыtaina-o W25Q256 Flash - нет 1,7 В ~ 1,95 В. 8-Wson (6x5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 256-W25Q256JWPIQTR 3A991B1A 8542.32.0071 5000 133 мг NeleTUSHIй 256 мб 6 м В.С. 32 м х 8 SPI - Quad I/O 5 мс
W25N04KVSFIR Winbond Electronics W25N04KVSFIR -
RFQ
 ECAD 1106 0,00000000 Винбонд Spiflash® Трубка Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 16 SOIC (0,295 ", Ирина 7,50 мм) W25N04 Flash - nand 2,7 В ~ 3,6 В. 16 лейт - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 256-W25N04KVSFIR 3A991B1A 8542.32.0071 44 104 мг NeleTUSHIй 4 Гит В.С. 512M x 8 SPI - Quad I/O 250 мкс
W25Q32JWZPIM Winbond Electronics W25Q32JWZPIM 1.4400
RFQ
 ECAD 8971 0,00000000 Винбонд Spiflash® Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 8-wdfn otkrыtaina-o W25Q32 Flash - нет 1,7 В ~ 1,95 В. 8-Wson (6x5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 256-W25Q32JWZPIM 3A991B1A 8542.32.0071 570 133 мг NeleTUSHIй 32 мб 6 м В.С. 4m x 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR 5 мс
W25Q256JWYIM TR Winbond Electronics W25Q256JWYIM TR 2.4290
RFQ
 ECAD 4967 0,00000000 Винбонд Spiflash® Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 32-UFBGA, WLCSP W25Q256 Flash - нет 1,7 В ~ 1,95 В. 32-WLCSP (398x3,19) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 256-W25Q256JWYIMTR 3A991B1A 8542.32.0071 2000 133 мг NeleTUSHIй 256 мб 6 м В.С. 32 м х 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR 5 мс
W25N02JWZEIF TR Winbond Electronics W25N02JWZEIF TR 4.5750
RFQ
 ECAD 9925 0,00000000 Винбонд Spiflash® Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 8-wdfn otkrыtaina-o W25N02 Flash - nand (SLC) 1,7 В ~ 1,95 В. 8-Wson (8x6) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 256-W25N02JWZEIFTR 3A991B1A 8542.32.0071 4000 166 мг NeleTUSHIй 2 Гит 6 м В.С. 256 м х 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR 700 мкс
W71NW10GF3FW Winbond Electronics W71NW10GF3FW -
RFQ
 ECAD 3375 0,00000000 Винбонд - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) - - W71NW10 Flash - Nand, DRAM - LPDDR2 1,7 В ~ 1,95 В. - - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 256-W71NW10GF3FW 210 400 мг NeleTUSHIй, neStabilnый 1 -е (Нанд), 1GBIT (LPDDR2) Flash, Ram - - -
W25N01GVSFIG TR Winbond Electronics W25N01GVSFIG TR 2.6117
RFQ
 ECAD 3663 0,00000000 Винбонд Spiflash® Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 16 SOIC (0,295 ", Ирина 7,50 мм) W25N01 Flash - nand (SLC) 2,7 В ~ 3,6 В. 16 лейт СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 256-W25N01GVSFIGTR 3A991B1A 8542.32.0071 1000 104 мг NeleTUSHIй 1 Гит 7 млн В.С. 128m x 8 SPI - Quad I/O 700 мкс
W989D2DBJX6E Winbond Electronics W989D2DBJX6E 3.3776
RFQ
 ECAD 4882 0,00000000 Винбонд - Поднос Актифен -25 ° C ~ 85 ° C (TC) Пефер 90-TFBGA W989D2 SDRAM - Mobile LPSDR 1,7 В ~ 1,95 В. 90-VFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 256-W989D2DBJX6E Ear99 8542.32.0028 240 166 мг Nestabilnый 512 мб 5 млн Ддрам 16m x 32 LVCMOS 15NS
W25Q128JVYIQ TR Winbond Electronics W25Q128JVYIQ TR -
RFQ
 ECAD 9979 0,00000000 Винбонд Spiflash® Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 24-UFBGA, WLCSP W25Q128 Flash - нет 2,7 В ~ 3,6 В. 24-WLCSP СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 256-W25Q128JVYIQTR 3A991B1A 8542.32.0071 2000 133 мг NeleTUSHIй 128 мб 6 м В.С. 16m x 8 SPI - Quad I/O, QPI 3 мс
W25N04KVSFIR TR Winbond Electronics W25N04KVSFIR TR -
RFQ
 ECAD 5042 0,00000000 Винбонд Spiflash® Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 16 SOIC (0,295 ", Ирина 7,50 мм) W25N04 Flash - nand 2,7 В ~ 3,6 В. 16 лейт - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 256-W25N04KVSFIRTR 3A991B1A 8542.32.0071 1000 104 мг NeleTUSHIй 4 Гит В.С. 512M x 8 SPI - Quad I/O 250 мкс
W29N02KZBIBF Winbond Electronics W29N02KzBibf -
RFQ
 ECAD 6354 0,00000000 Винбонд - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 63-VFBGA W29N02 Flash - nand (SLC) 1,7 В ~ 1,95 В. 63-VFBGA (9x11) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 256-W29N02KZBIBF 3A991B1A 8542.32.0071 210 NeleTUSHIй 2 Гит 22 млн В.С. 256 м х 8 Парлель 25NS
W632GG8NB-12 TR Winbond Electronics W632GG8NB-12 Tr 4.1562
RFQ
 ECAD 1237 0,00000000 Винбонд - Lenta и катахка (tr) Актифен 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 78-VFBGA W632GG8 SDRAM - DDR3 1425 ЕГО ~ 1575 a. 78-VFBGA (8x10,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 256-W632GG8NB-12TR Ear99 8542.32.0036 2000 800 мг Nestabilnый 2 Гит 20 млн Ддрам 256 м х 8 SSTL_15 15NS
W25Q256JVMIM Winbond Electronics W25Q256JVMIM -
RFQ
 ECAD 9355 0,00000000 Винбонд Spiflash® Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 8-wlga-stavlennannyamnannyamnannyploщaudka W25Q256 Flash - нет Nprovereno 2,7 В ~ 3,6 В. 8-wflga (6x5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 256-W25Q256JVMIM 3A991B1A 8542.32.0071 570 133 мг NeleTUSHIй 256 мб 6 м В.С. 32 м х 8 SPI - Quad I/O 3 мс
W97AH6NBVA1I Winbond Electronics W97ah6nbva1i 5.6900
RFQ
 ECAD 102 0,00000000 Винбонд - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TC) Пефер 134-VFBGA W97AH6 SDRAM - Mobile LPDDR2 -S4B 1,14 n 1,3,, 1,7 -1,95 134-VFBGA (10x11.5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 256-W97ah6nbva1i Ear99 8542.32.0032 168 533 мг Nestabilnый 1 Гит Ддрам 64 м х 16 HSUL_12 15NS
W25N512GWEIT Winbond Electronics W25N512GWEIT 2.3226
RFQ
 ECAD 9208 0,00000000 Винбонд Spiflash® Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 8-wdfn otkrыtaina-o W25N512 Flash - nand (SLC) 1,7 В ~ 1,95 В. 8-Wson (8x6) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 256-W25N512GWEIT 3A991B1A 8542.32.0071 480 104 мг NeleTUSHIй 512 мб 7 млн В.С. 64 м х 8 SPI - Quad I/O 700 мкс
W25R256JVEIQ TR Winbond Electronics W25R256JVEIQ TR 3.1050
RFQ
 ECAD 4198 0,00000000 Винбонд Spiflash® Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 8-wdfn otkrыtaina-o W25R256 Flash - нет 2,7 В ~ 3,6 В. 8-Wson (8x6) - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 256-W25R256JVEIQTR 3A991B1A 8542.32.0071 4000 133 мг NeleTUSHIй 256 мб 7 млн В.С. 32 м х 8 SPI - Quad I/O 3 мс
W25M02GWZEIT TR Winbond Electronics W25M02GWZEIT TR -
RFQ
 ECAD 9188 0,00000000 Винбонд Spiflash® Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 8-wdfn otkrыtaina-o W25M02 Flash - nand (SLC) 1,7 В ~ 1,95 В. 8-Wson (8x6) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 256-W25M02GWZEITTR 3A991B1A 8542.32.0071 4000 104 мг NeleTUSHIй 2 Гит 8 млн В.С. 256 м х 8 SPI - Quad I/O 700 мкс
W25Q01JVTBIQ TR Winbond Electronics W25Q01JVTBIQ TR 9.2850
RFQ
 ECAD 1089 0,00000000 Винбонд Spiflash® Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 24-TBGA W25Q01 Flash - нет 2,7 В ~ 3,6 В. 24-TFBGA (8x6) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 256-W25Q01JVTBIQTR 3A991B1A 8542.32.0071 2000 133 мг NeleTUSHIй 1 Гит 7,5 млн В.С. 128m x 8 SPI - Quad I/O 3,5 мс
W29N01HZSINF TR Winbond Electronics W29N01HZSINF TR 2.9057
RFQ
 ECAD 5992 0,00000000 Винбонд - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-tfsop (0,724 ", Ирина 18,40 мм) W29N01 Flash - nand (SLC) 1,7 В ~ 1,95 В. 48 т СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 256-W29N01HZSINFTR 3A991B1A 8542.32.0071 1500 NeleTUSHIй 1 Гит 22 млн В.С. 128m x 8 Onfi 25NS
W631GG6NB12I TR Winbond Electronics W631GG6NB12I TR 4.8800
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Винбонд - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 96-VFBGA W631GG6 SDRAM - DDR3 1425 ЕГО ~ 1575 a. 96-VFBGA (7,5x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0032 3000 800 мг Nestabilnый 1 Гит 20 млн Ддрам 64 м х 16 SSTL_15 15NS
W25Q16JVZPIM Winbond Electronics W25Q16JVZPIM 0,6300
RFQ
 ECAD 8506 0,00000000 Винбонд Spiflash® Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 8-wdfn otkrыtaina-o W25Q16 Flash - нет 2,7 В ~ 3,6 В. 8-Wson (6x5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 256-W25Q16JVZPIM Ear99 8542.32.0071 570 133 мг NeleTUSHIй 16 марта 6 м В.С. 2m x 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR 3 мс
W29N02KVDIAE Winbond Electronics W29N02KVDIAE 4.7631
RFQ
 ECAD 2294 0,00000000 Винбонд - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-VFBGA W29N02 Flash - nand (SLC) 2,7 В ~ 3,6 В. 48-VFBGA (8x6,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 256-W29N02KVDIAE 3A991B1A 8542.32.0071 260 NeleTUSHIй 2 Гит 20 млн В.С. 256 м х 8 Onfi 25NS
W631GG8NB11I TR Winbond Electronics W631GG8NB11I TR 4.9700
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Винбонд - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 78-VFBGA W631GG8 SDRAM - DDR3 1425 ЕГО ~ 1575 a. 78-VFBGA (8x10,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0032 2000 933 мг Nestabilnый 1 Гит 20 млн Ддрам 128m x 8 SSTL_15 15NS
W25N02JWTBIC Winbond Electronics W25N02JWTBIC 5.4771
RFQ
 ECAD 3711 0,00000000 Винбонд Spiflash® Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 24-TBGA W25N02 Flash - nand (SLC) 1,7 В ~ 1,95 В. 24-TFBGA (8x6) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 256-W25N02JWTBIC 3A991B1A 8542.32.0071 480 166 мг NeleTUSHIй 2 Гит 8 млн В.С. 256 м х 8 SPI - Quad I/O, DTR 700 мкс
W97BH6MBVA1I TR Winbond Electronics W97bh6mbva1i tr 5.6550
RFQ
 ECAD 4416 0,00000000 Винбонд - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TC) Пефер 134-VFBGA W97bh6 SDRAM - Mobile LPDDR2 -S4B 1,14 n 1,3,, 1,7 -1,95 134-VFBGA (10x11.5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 256-W97BH6MBVA1ITR Ear99 8542.32.0036 3500 533 мг Nestabilnый 2 Гит Ддрам 128m x 16 HSUL_12 15NS
W632GU8NB12I TR Winbond Electronics W632GU8NB12I TR 4.6738
RFQ
 ECAD 3077 0,00000000 Винбонд - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 78-VFBGA W632GU8 SDRAM - DDR3L 1283 ЕГО 1,45 78-VFBGA (8x10,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 256-W632GU8NB12ITR Ear99 8542.32.0036 2000 800 мг Nestabilnый 2 Гит 20 млн Ддрам 256 м х 8 Парлель 15NS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть