SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (Dollar) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар ТАКТОВА ТИП ПАМАТИ Raзmerpmayti Вернее Формат пэмаи Органихая ИНЕРФЕРСП Верный
W25Q128FVCIG Winbond Electronics W25Q128FVCIG -
RFQ
ECAD 8765 0,00000000 Винбонд Spiflash® Трубка Пркрэно -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 24-TBGA W25Q128 Flash - нет 2,7 В ~ 3,6 В. 24-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 44 104 мг NeleTUSHIй 128 мб В.С. 16m x 8 SPI - Quad I/O, QPI 50 мкс, 3 мс
W25Q32BVTBJG Winbond Electronics W25Q32BVTBJG -
RFQ
ECAD 5844 0,00000000 Винбонд Spiflash® Трубка Управо -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 24-TBGA W25Q32 Flash - нет 2,7 В ~ 3,6 В. 24-TFBGA (8x6) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 1 104 мг NeleTUSHIй 32 мб В.С. 4m x 8 SPI - Quad I/O 50 мкс, 3 мс
W29GL064CB7B Winbond Electronics W29GL064CB7B -
RFQ
ECAD 9027 0,00000000 Винбонд - Трубка Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 64-lbga W29GL064 Flash - нет 2,7 В ~ 3,6 В. 64-LFBGA (11x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 171 NeleTUSHIй 64 марта 70 млн В.С. 8m x 8, 4m x 16 Парлель 70NS
W25Q64CVSFIG Winbond Electronics W25Q64CVSFIG -
RFQ
ECAD 5831 0,00000000 Винбонд Spiflash® Трубка Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 16 SOIC (0,295 ", Ирина 7,50 мм) W25Q64 Flash - нет 2,7 В ~ 3,6 В. 16 лейт СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 44 80 мг NeleTUSHIй 64 марта В.С. 8m x 8 SPI - Quad I/O 50 мкс, 3 мс
W25Q128FWEIG TR Winbond Electronics W25Q128FWEIG TR -
RFQ
ECAD 6732 0,00000000 Винбонд Spiflash® Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 8-wdfn otkrыtaina-o W25Q128 Flash - нет 1,65 ЕГО ~ 1,95 8-Wson (8x6) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 4000 104 мг NeleTUSHIй 128 мб В.С. 16m x 8 SPI - Quad I/O, QPI 60 мкс, 5 мс
W631GU6MB-12 TR Winbond Electronics W631GU6MB-12 Tr -
RFQ
ECAD 3252 0,00000000 Винбонд - Lenta и катахка (tr) Управо 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 96-VFBGA W631GU6 SDRAM - DDR3L 1283 ЕГО 1,45 96-VFBGA (7,5x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0032 3000 800 мг Nestabilnый 1 Гит 20 млн Ддрам 64 м х 16 Парлель -
W25Q64CVTBIP TR Winbond Electronics W25Q64CVTBIP TR -
RFQ
ECAD 2004 0,00000000 Винбонд Spiflash® Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 24-TBGA W25Q64 Flash - нет 2,7 В ~ 3,6 В. 24-TFBGA (8x6) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH W25Q64CVTBIPTR 3A991B1A 8542.32.0071 1000 80 мг NeleTUSHIй 64 марта В.С. 8m x 8 SPI - Quad I/O 50 мкс, 3 мс
W9825G6EH-6 Winbond Electronics W9825G6EH-6 -
RFQ
ECAD 7728 0,00000000 Винбонд - Поднос Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 54-gentr (0,400 ", шIrINA 10,16 мм) W9825G6 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 108 166 мг Nestabilnый 256 мб 5 млн Ддрам 16m x 16 Парлель -
W632GG8MB-15 TR Winbond Electronics W632GG8MB-15 TR -
RFQ
ECAD 3405 0,00000000 Винбонд - Lenta и катахка (tr) Управо 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 78-VFBGA W632GG8 SDRAM - DDR3 1425 ЕГО ~ 1575 a. 78-VFBGA (10,5x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 2000 667 мг Nestabilnый 2 Гит 20 млн Ддрам 128m x 16 Парлель -
W29N02GVBIAA Winbond Electronics W29N02GVBIAA -
RFQ
ECAD 8709 0,00000000 Винбонд - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 63-VFBGA W29N02 Flash - nand (SLC) 2,7 В ~ 3,6 В. 63-FBGA (11x9) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 96 NeleTUSHIй 2 Гит 25 млн В.С. 256 м х 8 Парлель 25NS
W25Q80EWSNIG TR Winbond Electronics W25Q80EWSNIG TR 0,4820
RFQ
ECAD 2424 0,00000000 Винбонд Spiflash® Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) W25Q80 Flash - нет 1,65 ЕГО ~ 1,95 8 лейт СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0071 2500 104 мг NeleTUSHIй 8 марта В.С. 1m x 8 SPI - Quad I/O, QPI 800 мкс
W25Q32FWSSIG Winbond Electronics W25Q32FWSSIG -
RFQ
ECAD 2457 0,00000000 Винбонд Spiflash® Трубка Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 8 SOIC (0,209 ", шIRINA 5,30 мм) W25Q32 Flash - нет 1,65 ЕГО ~ 1,95 8 лейт СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 90 104 мг NeleTUSHIй 32 мб В.С. 4m x 8 SPI - Quad I/O, QPI 60 мкс, 5 мс
W631GG8KB12I Winbond Electronics W631GG8KB12I -
RFQ
ECAD 2999 0,00000000 Винбонд - Поднос Управо -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 78-TFBGA W631GG8 SDRAM - DDR3 1425 ЕГО ~ 1575 a. 78-WBGA (10,5x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0032 242 800 мг Nestabilnый 1 Гит 20 млн Ддрам 128m x 8 Парлель -
W632GG6KB11I Winbond Electronics W632GG6KB11I -
RFQ
ECAD 7271 0,00000000 Винбонд - Поднос Пркрэно -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA W632GG6 SDRAM - DDR3 1425 ЕГО ~ 1575 a. 96-WBGA (9x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 190 933 мг Nestabilnый 2 Гит 20 млн Ддрам 128m x 16 Парлель -
W97AH6KBVX2I TR Winbond Electronics W97ah6kbvx2i tr -
RFQ
ECAD 4648 0,00000000 Винбонд - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 134-VFBGA W97AH6 SDRAM - Mobile LPDDR2 1,14 В ~ 1,95. 134-VFBGA (10x11.5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0032 3500 400 мг Nestabilnый 1 Гит Ддрам 64 м х 16 Парлель 15NS
W631GU8KB15I Winbond Electronics W631GU8KB15I -
RFQ
ECAD 8434 0,00000000 Винбонд - Поднос Управо -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 78-TFBGA W631GU8 SDRAM - DDR3L 1283 ЕГО 1,45 78-WBGA (10,5x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0032 242 667 мг Nestabilnый 1 Гит 20 млн Ддрам 128m x 8 Парлель -
W25Q64JVSFJM TR Winbond Electronics W25q64jvsfjm tr -
RFQ
ECAD 8577 0,00000000 Винбонд Spiflash® Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 16 SOIC (0,295 ", Ирина 7,50 мм) W25Q64 Flash - нет 2,7 В ~ 3,6 В. 16 лейт СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH W25Q64JVSFJMTR 3A991B1A 8542.32.0071 1000 133 мг NeleTUSHIй 64 марта В.С. 8m x 8 SPI - Quad I/O 3 мс
W25Q80BWBYIG TR Winbond Electronics W25Q80BWBYIG TR -
RFQ
ECAD 5269 0,00000000 Винбонд Spiflash® Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 8-UFBGA, WLCSP W25Q80 Flash - нет 1,65 ЕГО ~ 1,95 8-WLCSP (1,41x2,37) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0071 4500 80 мг NeleTUSHIй 8 марта В.С. 1m x 8 SPI - Quad I/O 800 мкс
W25N02KVZEIU Winbond Electronics W25N02Kvzeiu 4.5656
RFQ
ECAD 4815 0,00000000 Винбонд Spiflash® Трубка Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 8-wdfn otkrыtaina-o W25N02 Flash - nand (SLC) 2,7 В ~ 3,6 В. 8-Wson (8x6) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 256-W25N02Kvzeiu 3A991B1A 8542.32.0071 63 104 мг NeleTUSHIй 2 Гит 7 млн В.С. 256 м х 8 SPI - Quad I/O 700 мкс
W25Q64CVSFJP Winbond Electronics W25Q64CVSFJP -
RFQ
ECAD 2757 0,00000000 Винбонд Spiflash® Трубка Управо -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 16 SOIC (0,295 ", Ирина 7,50 мм) W25Q64 Flash - нет 2,7 В ~ 3,6 В. 16 лейт - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Управо 0000.00.0000 1 80 мг NeleTUSHIй 64 марта В.С. 8m x 8 SPI - Quad I/O 50 мкс, 3 мс
W9751G6IB-25 Winbond Electronics W9751G6IB-25 -
RFQ
ECAD 6771 0,00000000 Винбонд - Поднос Управо 0 ° C ~ 85 ° C (TC) Пефер 84-TFBGA W9751G6 SDRAM - DDR2 1,7 В ~ 1,9 В. 84-WBGA (8x12,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 210 400 мг Nestabilnый 512 мб 400 с Ддрам 32 м х 16 Парлель 15NS
W25Q128FVCJQ Winbond Electronics W25Q128FVCJQ -
RFQ
ECAD 9264 0,00000000 Винбонд Spiflash® Трубка Управо -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 24-TBGA W25Q128 Flash - нет 2,7 В ~ 3,6 В. 24-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 1 104 мг NeleTUSHIй 128 мб В.С. 16m x 8 SPI - Quad I/O, QPI 50 мкс, 3 мс
W9464G6KH-4 TR Winbond Electronics W9464G6KH-4 Tr -
RFQ
ECAD 2046 0,00000000 Винбонд - Lenta и катахка (tr) Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 66-tssop (0,400 ", ширин 10,16 мм) W9464G6 SDRAM - DDR 2,4 В ~ 2,7 В. 66-tsop II - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 1000 250 мг Nestabilnый 64 марта 55 м Ддрам 4m x 16 Парлель 15NS
W25Q64JVTCIM Winbond Electronics W25Q64JVTCIM -
RFQ
ECAD 5562 0,00000000 Винбонд Spiflash® Трубка Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 24-TBGA W25Q64 Flash - нет 2,7 В ~ 3,6 В. 24-TFBGA (8x6) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 480 133 мг NeleTUSHIй 64 марта В.С. 8m x 8 SPI - Quad I/O 3 мс
W9425G6JB-5 TR Winbond Electronics W9425G6JB-5 Tr -
RFQ
ECAD 8383 0,00000000 Винбонд - Lenta и катахка (tr) Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 60-TFBGA W9425G6 SDRAM - DDR 2,3 В ~ 2,7 В. 60-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 2500 200 мг Nestabilnый 256 мб 55 м Ддрам 16m x 16 Парлель 15NS
W25Q32BVZPIG Winbond Electronics W25Q32BVZPIG -
RFQ
ECAD 4216 0,00000000 Винбонд Spiflash® Трубка Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 8-wdfn otkrыtaina-o W25Q32 Flash - нет 2,7 В ~ 3,6 В. 8-Wson (6x5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 100 104 мг NeleTUSHIй 32 мб В.С. 4m x 8 SPI - Quad I/O 50 мкс, 3 мс
W25Q32BVSFJP Winbond Electronics W25Q32BVSFJP -
RFQ
ECAD 2882 0,00000000 Винбонд Spiflash® Трубка Управо -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 16 SOIC (0,295 ", Ирина 7,50 мм) W25Q32 Flash - нет 2,7 В ~ 3,6 В. 16 лейт СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 1 104 мг NeleTUSHIй 32 мб В.С. 4m x 8 SPI - Quad I/O 50 мкс, 3 мс
W25Q64JVSTIQ TR Winbond Electronics W25Q64JVSTIQ TR -
RFQ
ECAD 7480 0,00000000 Винбонд Spiflash® Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 8 SOIC (0,209 ", шIRINA 5,30 мм) W25Q64 Flash - нет 2,7 В ~ 3,6 В. 8-VSOP СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 2000 133 мг NeleTUSHIй 64 марта В.С. 8m x 8 SPI - Quad I/O 3 мс
W25Q128FVSIQ Winbond Electronics W25Q128FVSIQ -
RFQ
ECAD 2904 0,00000000 Винбонд Spiflash® Симка Пркрэно -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 8 SOIC (0,209 ", шIRINA 5,30 мм) W25Q128 Flash - нет 2,7 В ~ 3,6 В. 8 лейт СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Q8904650 3A991B1A 8542.32.0071 100 104 мг NeleTUSHIй 128 мб В.С. 16m x 8 SPI - Quad I/O, QPI 50 мкс, 3 мс
W25Q80JVSNIQ Winbond Electronics W25Q80JVSNIQ -
RFQ
ECAD 9275 0,00000000 Винбонд Spiflash® Трубка Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) W25Q80 Flash - нет 2,7 В ~ 3,6 В. 8 лейт СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0071 100 133 мг NeleTUSHIй 8 марта В.С. 1m x 8 SPI - Quad I/O 3 мс
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе