- RFQ
- Категория
- Связаться с нами
Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-components.com
- китайский
- Английский
- Французский
- немецкий
- португальский
- испанский
- Русский
- Японский
- корейский
- арабский
- Ирландский
- Греческий
- турецкий
- Итальянский
- Датский
- румынский
- индонезийский
- чешский
- африкаанс
- Шведский
- Лак
- Баск
- Каталонский
- эсперанто
- хинди
- Лаос
- албанский
- Амхарский
- Армянский
- Азербайджани
- Белорус
- Бенгальский
- Боснийский
- болгарский
- Себуано
- Чичева
- Корсикан
- хорватский
- Голландский
- эстонский
- Филиппинец
- Финский
- фризский
- Галиц
- Грузинец
- Гуджарати
- Гаитянский
- Хауса
- Гавайский
- иврит
- Хмонг
- венгерский
- исландский
- Игбо
- Яванский
- Каннада
- Казах
- Кхмер
- Курдский
- Кыргиз
- латинский
- Латвиан
- литовский
- Люксембу ..
- македонский
- Малагасийский
- малайский
- Малаялам
- Мальтийский
- маори
- Маратхи
- Монгольский
- Бирманский
- Непальский
- норвежский
- Пушту
- Персидский
- Пенджаби
- сербский
- Сезото
- Сингальский
- словацкий
- словенский
- Сомалийский
- Самоан
- Шотландцы гэльские
- Шона
- Синди
- Сунданец
- суахили
- Таджик
- Тамильский
- телугу
- Тайский
- Украинский
- Урду
- Узбек
- вьетнамский
- валлийский
- Xhosa
- идиш
- Йоруба
- Зулу
- Kinyarwanda
- Татар
- Ария
- туркменский
- Уйгур
Ингрированов
| Ибрагейн | Nomerprodookta | ЦEnы (DOLLARR) | Колист | Ecad | Колист | Вер (К.) | Млн | В припании | Епако | Степень Продукта | Rraboч -yemperatura | МОНТАНАНГИП | PakeT / KORPUES | Тела | Napraheneee - posta | ПАКЕТИВАЕТСЯ | Техниль | Дрогин ИНЕНА | Станодадж | ТАКТОВА | ТИП ПАМАТИ | Raзmerpmayti | Вернее | Формат пэмаи | Органихая | ИНЕРФЕРСП | Верный |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | GD25Q40ETEGR | 0,4101 |  | 9638 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25Q | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Пефер | 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) | Flash - нет (SLC) | 2,7 В ~ 3,6 В. | 8-Sop | СКАХАТА | 1970-GD25Q40ETEGRTR | 3000 | 133 мг | NeleTUSHIй | 4 марта | 7 млн | В.С. | 512K x 8 | SPI - Quad I/O | 140 мкс, 4 мс | |
| GD25Q20EEAGR | 0,5656 | | 4992 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25Q | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Пефер | 8-xfdfn oTkrыTAIN ANPLOUSADCA | Flash - нет (SLC) | 2,7 В ~ 3,6 В. | 8-Uson (3x2) | - | 1970-GD25Q20EEAGRTR | 3000 | 133 мг | NeleTUSHIй | 2 марта | 7 млн | В.С. | 256K x 8 | SPI - Quad I/O | 140 мкс, 4 мс | |
| GD25LB512Meyigy | 4.5752 | | 9443 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LB | Поднос | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 8-wdfn otkrыtaina-o | Flash - нет (SLC) | 1,65 -~ 2 В. | 8-Wson (6x8) | СКАХАТА | 1970-GD25LB512Meyigy | 4800 | 133 мг | NeleTUSHIй | 512 мб | В.С. | 64 м х 8 | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | - | ||
| GD9FU8G8E2AMGI | 14.3117 | | 9780 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD9F | Поднос | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 48-tfsop (0,724 ", Ирина 18,40 мм) | Flash - nand (SLC) | 2,7 В ~ 3,6 В. | 48-tsop i | СКАХАТА | 1970-GD9FU8G8E2AMGI | 960 | NeleTUSHIй | 8 Гит | 18 млн | В.С. | 1G x 8 | Onfi | 20ns | ||
| GD25LQ128DS2GR | 2.0015 | | 7643 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LQ | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Пефер | 8 SOIC (0,209 ", шIRINA 5,30 мм) | Flash - нет (SLC) | 1,65 -~ 2 В. | 8-Sop | - | 1970-GD25LQ128DS2GRTR | 2000 | 104 мг | NeleTUSHIй | 128 мб | 6 м | В.С. | 16m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI | 2,4 мс | |
| GD25LQ32EQEGR | 0,9828 | | 3861 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LQ | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Пефер | 8-xdfn otkrыtai-anploщaudka | Flash - нет (SLC) | 1,65 -~ 2 В. | 8-Uson (4x4) | СКАХАТА | 1970-GD25LQ32EQEGRTR | 3000 | 133 мг | NeleTUSHIй | 32 мб | 6 м | В.С. | 4m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI | 100 мкс, 4 мс | |
| GD25LQ128EFIRR | 1.4778 | | 3146 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LQ | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 16 SOIC (0,295 ", Ирина 7,50 мм) | Flash - нет (SLC) | 1,65 -~ 2 В. | 16-Sop | СКАХАТА | 1970-GD25LQ128EFIRRTR | 1000 | 120 мг | NeleTUSHIй | 128 мб | 6 м | В.С. | 16m x 8 | SPI - Quad I/O | 60 мкс, 2,4 мс | |
| GD25B128Eyigy | 1.2709 | | 5180 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25B | Поднос | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 8-wdfn otkrыtaina-o | Flash - нет (SLC) | 2,7 В ~ 3,6 В. | 8-Wson (6x8) | СКАХАТА | 1970-GD25B128Eyigy | 4800 | 133 мг | NeleTUSHIй | 128 мб | 7 млн | В.С. | 16m x 8 | SPI - Quad I/O | 70 мкс, 2,4 мс | |
| GD55LT01GEF2RR | 17.1434 | | 6424 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD55LT | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Пефер | 16 SOIC (0,295 ", Ирина 7,50 мм) | Flash - нет (SLC) | 1,65 -~ 2 В. | 16-Sop | - | 1970-GD55LT01GEF2RRTR | 1000 | NeleTUSHIй | 1 Гит | В.С. | 128m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | - | |||
| GD25WD20EKIGR | 0,3167 | | 1678 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25WD | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 8-xfdfn oTkrыTAIN ANPLOUSADCA | Flash - нет (SLC) | 1,65, ~ 3,6 В. | 8-Uson (1,5x1,5) | СКАХАТА | 1970-GD25WD20EKIGRTR | 3000 | 104 мг | NeleTUSHIй | 2 марта | 6 м | В.С. | 256K x 8 | Spi - dvoйnoйВон | 100 мкс, 6 мс | |
| GD55LB01GEBIRY | 8.5364 | | 1428 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD55LB | Поднос | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 24-TBGA | Flash - нет (SLC) | 1,65 -~ 2 В. | 24-TFBGA (6x8) | СКАХАТА | 1970-GD55LB01GEBIRY | 4800 | 166 мг | NeleTUSHIй | 1 Гит | 6 м | В.С. | 128m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | 70 мкс, 1,2 мс | |
| GD25LE80ESIGR | 0,4077 | | 1722 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LE | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 8 SOIC (0,209 ", шIRINA 5,30 мм) | Flash - нет (SLC) | 1,65 -~ 2 В. | 8-Sop | - | 1970-GD25LE80ESIGRTR | 2000 | 133 мг | NeleTUSHIй | 8 марта | 6 м | В.С. | 1m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI | 60 мкс, 2,4 мс | |
| GD9FU1G8F2DMGI | 2.3296 | | 1747 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD9F | Поднос | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 48-tfsop (0,724 ", Ирина 18,40 мм) | Flash - nand (SLC) | 2,7 В ~ 3,6 В. | 48-tsop i | СКАХАТА | 1970-GD9FU1G8F2DMGI | 960 | NeleTUSHIй | 1 Гит | 9 млн | В.С. | 128m x 8 | Onfi | 12NS, 600 мкс | ||
| GD25WQ64EGR | 1.2544 | | 1709 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25WQ | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Пефер | 8-udfn oTkrыtaiNA-anploщadka | Flash - нет (SLC) | 1,65, ~ 3,6 В. | 8-Uson (3x4) | СКАХАТА | 1970-GD25WQ64enegrtr | 3000 | 84 мг | NeleTUSHIй | 64 марта | 12 млн | В.С. | 8m x 8 | SPI - Quad I/O | 240 мкс, 8 мс | |
| GD25LQ128DW2GR | 2.2408 | | 8751 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LQ | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Пефер | 8-wdfn otkrыtaina-o | Flash - нет (SLC) | 1,65 -~ 2 В. | 8-Wson (5x6) | - | 1970-GD25LQ128DW2GRTR | 3000 | 104 мг | NeleTUSHIй | 128 мб | 6 м | В.С. | 16m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI | 2,4 мс | |
| GD5F2GQ5UEYIGY | 3.9235 | | 6089 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD5F | Поднос | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 8-wdfn otkrыtaina-o | Flash - nand (SLC) | 2,7 В ~ 3,6 В. | 8-Wson (6x8) | СКАХАТА | 1970-GD5F2GQ5UEYIGY | 4800 | 104 мг | NeleTUSHIй | 2 Гит | 9 млн | В.С. | 256 м х 8 | SPI - Quad I/O | 600 мкс | |
| GD25WD20EIGR | 0,2865 | | 4817 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25WD | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 8-xfdfn oTkrыTAIN ANPLOUSADCA | Flash - нет (SLC) | 1,65, ~ 3,6 В. | 8-Uson (3x2) | СКАХАТА | 1970-GD25WD20EEGRTR | 3000 | 104 мг | NeleTUSHIй | 2 марта | 6 м | В.С. | 256K x 8 | Spi - dvoйnoйВон | 100 мкс, 6 мс | |
| GD25LQ64EY2GR | 1.3970 | | 7764 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LQ | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Пефер | 8-wdfn otkrыtaina-o | Flash - нет (SLC) | 1,65 -~ 2 В. | 8-Wson (6x8) | - | 1970-GD25LQ64EY2GRTR | 3000 | 133 мг | NeleTUSHIй | 64 марта | 6 м | В.С. | 8m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI | 60 мкс, 2,4 мс | |
| GD25LQ32EEAGR | 1.2636 | | 3670 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LQ | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Пефер | 8-xfdfn oTkrыTAIN ANPLOUSADCA | Flash - нет (SLC) | 1,65 -~ 2 В. | 8-Uson (3x2) | - | 1970-GD25LQ32EEAGRTR | 3000 | 133 мг | NeleTUSHIй | 32 мб | 6 м | В.С. | 4m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI | 100 мкс, 4 мс | |
| GD25B512meyjgr | 5.0813 | | 7468 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25B | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Пефер | 8-wdfn otkrыtaina-o | Flash - нет (SLC) | 2,7 В ~ 3,6 В. | 8-Wson (6x8) | СКАХАТА | 1970-GD25B512meyjgrtr | 3000 | 133 мг | NeleTUSHIй | 512 мб | В.С. | 64 м х 8 | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | - | ||
| GD5F2GQ5UEYJGR | 4.6874 | | 6614 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD5F | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Пефер | 8-wdfn otkrыtaina-o | Flash - nand (SLC) | 2,7 В ~ 3,6 В. | 8-Wson (6x8) | СКАХАТА | 1970-GD5F2GQ5UEYJGRTR | 3000 | 104 мг | NeleTUSHIй | 2 Гит | 9 млн | В.С. | 256 м х 8 | SPI - Quad I/O | 600 мкс | |
| GD25WB256Eyigy | 2.2883 | | 2561 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25WB | Поднос | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 8-wdfn otkrыtaina-o | Flash - нет (SLC) | 1,65, ~ 3,6 В. | 8-Wson (6x8) | СКАХАТА | 1970-GD25WB256Eyigy | 4800 | 104 мг | NeleTUSHIй | 256 мб | 7,5 млн | В.С. | 32 м х 8 | SPI - Quad I/O | 150 мкс, 4 мс | |
| GD25LB256EFIRR | 2.4606 | | 7001 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LB | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 16 SOIC (0,295 ", Ирина 7,50 мм) | Flash - нет (SLC) | 1,65 -~ 2 В. | 16-Sop | СКАХАТА | 1970-GD25LB256EFIRRTR | 1000 | 166 мг | NeleTUSHIй | 256 мб | 6 м | В.С. | 32 м х 8 | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | 70 мкс, 1,2 мс | |
| GD25WQ40EEGR | 0,4222 | | 3181 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25WQ | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 8-xfdfn oTkrыTAIN ANPLOUSADCA | Flash - нет (SLC) | 1,65, ~ 3,6 В. | 8-Uson (3x2) | СКАХАТА | 1970-GD25WQ40EEIGRTR | 3000 | 104 мг | NeleTUSHIй | 4 марта | 7 млн | В.С. | 512K x 8 | SPI - Quad I/O | 120 мкс, 4 мс | |
| GD25F128FYAGY | 1.8349 | | 5834 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25F | Поднос | Актифен | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Пефер | 8-wdfn otkrыtaina-o | Flash - нет (SLC) | 2,7 В ~ 3,6 В. | 8-Wson (6x8) | - | 1970-GD25F128FYAGY | 4800 | 200 мг | NeleTUSHIй | 128 мб | В.С. | 16m x 8 | SPI - Quad I/O | - | ||
| GD9FU4G8F3ALGI | 6.7226 | | 9481 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Поднос | Актифен | СКАХАТА | 1970-GD9FU4G8F3ALGI | 2100 | |||||||||||||||
| GD25LQ32EGR | 0,9545 | | 9190 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LQ | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Пефер | 8-udfn oTkrыtaiNA-anploщadka | Flash - нет (SLC) | 1,65 -~ 2 В. | 8-Uson (3x4) | СКАХАТА | 1970-GD25LQ32enegrtr | 3000 | 133 мг | NeleTUSHIй | 32 мб | 6 м | В.С. | 4m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI | 100 мкс, 4 мс | |
| GD5F1GQ5Reyigr | 2.4898 | | 9975 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD5F | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 8-wdfn otkrыtaina-o | Flash - nand (SLC) | 1,7 В ~ 2 В. | 8-Wson (6x8) | СКАХАТА | 1970-gd5f1gq5reyigrtr | 3000 | 104 мг | NeleTUSHIй | 1 Гит | 9,5 млн | В.С. | 256 м х 4 | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | 600 мкс | |
| GD25D10CTEGR | 0,2929 | | 6968 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25D | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Пефер | 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) | Flash - нет (SLC) | 2,7 В ~ 3,6 В. | 8-Sop | СКАХАТА | 1970-GD25D10CTEGRTR | 3000 | 100 мг | NeleTUSHIй | 1 март | 6 м | В.С. | 128K x 8 | Spi - dvoйnoйВон | 80 мкс, 4 мс | |
| GD25WD40ETIGR | 0,3167 | | 8823 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25WD | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) | Flash - нет (SLC) | 1,65, ~ 3,6 В. | 8-Sop | СКАХАТА | 1970-GD25WD40ETIGRTR | 3000 | 104 мг | NeleTUSHIй | 4 марта | 6 м | В.С. | 512K x 8 | Spi - dvoйnoйВон | 100 мкс, 6 мс |
2000+
Средний объем RFQ
30 000 000
Стандартный продукт
2800+
Мировые производители
15 000 м2
На складе
Список желаний (0 пунктов)