- RFQ
- Категория
- Связаться с нами
Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-components.com
- китайский
- Английский
- Французский
- немецкий
- португальский
- испанский
- Русский
- Японский
- корейский
- арабский
- Ирландский
- Греческий
- турецкий
- Итальянский
- Датский
- румынский
- индонезийский
- чешский
- африкаанс
- Шведский
- Лак
- Баск
- Каталонский
- эсперанто
- хинди
- Лаос
- албанский
- Амхарский
- Армянский
- Азербайджани
- Белорус
- Бенгальский
- Боснийский
- болгарский
- Себуано
- Чичева
- Корсикан
- хорватский
- Голландский
- эстонский
- Филиппинец
- Финский
- фризский
- Галиц
- Грузинец
- Гуджарати
- Гаитянский
- Хауса
- Гавайский
- иврит
- Хмонг
- венгерский
- исландский
- Игбо
- Яванский
- Каннада
- Казах
- Кхмер
- Курдский
- Кыргиз
- латинский
- Латвиан
- литовский
- Люксембу ..
- македонский
- Малагасийский
- малайский
- Малаялам
- Мальтийский
- маори
- Маратхи
- Монгольский
- Бирманский
- Непальский
- норвежский
- Пушту
- Персидский
- Пенджаби
- сербский
- Сезото
- Сингальский
- словацкий
- словенский
- Сомалийский
- Самоан
- Шотландцы гэльские
- Шона
- Синди
- Сунданец
- суахили
- Таджик
- Тамильский
- телугу
- Тайский
- Украинский
- Урду
- Узбек
- вьетнамский
- валлийский
- Xhosa
- идиш
- Йоруба
- Зулу
- Kinyarwanda
- Татар
- Ария
- туркменский
- Уйгур
Ингрированансэпи (ICS) (10403)
| Ибрагейн | Nomerprodookta | ЦEnы (Dollar) | Колист | Ecad | Колист | Вер (К.) | Млн | В припании | Упако | Степень Продукта | Rraboч -yemperatura | МОНТАНАНГИП | PakeT / KORPUES | Baзowый nomer prodikta | Тела | Napraheneee - posta | ПАКЕТИВАЕТСЯ | Техниль | Статус Ройс | Вернояж | Доусейн Статуса | Дрогин ИНЕНА | Eccn | Htsus | Станодар | ТАКТОВА | ТИП ПАМАТИ | Raзmerpmayti | Вернее | Формат пэмаи | Органихая | ИНЕРФЕРСП | Верный | Sic programmirueTSARY |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT40A512M16TB-062E: r | 6.2003 |  | 8632 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | МАССА | Актифен | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Пефер | 96-TFBGA | MT40A512M16 | SDRAM - DDR4 | 1,14 n 1,26 | 96-FBGA (7,5x13) | - | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | 557-MT40A512M16TB-062E: R. | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1020 | 1,6 -е | Nestabilnый | 8 Гит | 19 млн | Ддрам | 512M x 16 | Парлель | 15NS | ||
 | MT40A1G8SA-062E: R. | 6.2003 | | 4083 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | МАССА | Актифен | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Пефер | 78-TFBGA | MT40A1G8 | SDRAM - DDR4 | 1,14 n 1,26 | 78-FBGA (7,5x11) | - | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | 557-MT40A1G8SA-062E: r | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1260 | 1,6 -е | Nestabilnый | 8 Гит | 19 млн | Ддрам | 1G x 8 | Парлель | 15NS | ||
| MT40A512M16TB-062E: R Tr | 6.0000 | | 1499 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Актифен | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Пефер | 96-TFBGA | MT40A512M16 | SDRAM - DDR4 | 1,14 n 1,26 | 96-FBGA (7,5x13) | - | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | 557-MT40A512M16TB-062E: RTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2000 | 1,6 -е | Nestabilnый | 8 Гит | 19 млн | Ддрам | 512M x 16 | Парлель | 15NS | ||
 | MT40A2G8NEA-062E: J. | - | | 4815 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | МАССА | Управо | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Пефер | 78-TFBGA | MT40A2G8 | SDRAM - DDR4 | 1,14 n 1,26 | 78-FBGA (7,5x11) | - | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | 557-MT40A2G8NEA-062E: J. | Управо | 1260 | 1,6 -е | Nestabilnый | 16 -й Гит | 19 млн | Ддрам | 2G x 8 | Парлель | 15NS | ||||
| MT40A2G8NEA-062E: J Tr | - | | 1208 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Пефер | 78-TFBGA | MT40A2G8 | SDRAM - DDR4 | 1,14 n 1,26 | 78-FBGA (7,5x11) | - | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | 557-MT40A2G8NEA-062E: JTR | Управо | 2000 | 1,6 -е | Nestabilnый | 16 -й Гит | 19 млн | Ддрам | 2G x 8 | Парлель | 15NS | ||||
| MT40A1G16TB-062E: F Tr | 13.5900 | | 9072 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Актифен | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Пефер | 96-TFBGA | MT40A1G16 | SDRAM - DDR4 | 1,14 n 1,26 | 96-FBGA (7,5x13) | - | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | 557-MT40A1G16TB-062E: FTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2000 | 1,5 -е | Nestabilnый | 16 -й Гит | 19 млн | Ддрам | 1G x 16 | Парлель | 15NS | ||
 | MT53E2G64D8EG-046 WT: c | - | | 5062 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | МАССА | Актифен | - | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | 557-MT53E2G64D8EG-046WT: c | 1260 | |||||||||||||||||||
 | MT53E512M32D2NP-053 RS WT: G TR | - | | 6469 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | Пефер | 200-WFBGA | 200-WFBGA (10x14,5) | - | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | 557-MT53E512M32D2NP-053RSWT: GTR | Управо | 2000 | ||||||||||||||||
| MT53D1G16D1Z32MWC1 | - | | 3217 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | МАССА | Управо | - | Rohs3 | 557-MT53D1G16D1Z32MWC1 | Управо | 1 | ||||||||||||||||||||
| MT53E2G64D8EG-046 WT: C TR | - | | 3307 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Актифен | - | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | 557-MT53E2G64D8EG-046WT: Ctr | 2000 | |||||||||||||||||||
| MT29F16G08ABECBM72A3WC1L | 26.7100 | | 4582 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | МАССА | Актифен | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Пефер | Умират | MT29F16G08 | Flash - nand (SLC) | 2,7 В ~ 3,6 В. | Пластина | - | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | 557-MT29F16G08ABECBM72A3WC1L | 1 | NeleTUSHIй | 16 -й Гит | В.С. | 2G x 8 | - | - | ||||||
| MT29F1G08ABAEAM68M3WC1L | 2.8800 | | 3986 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | МАССА | Актифен | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Пефер | Умират | MT29F1G08 | Flash - nand (SLC) | 2,7 В ~ 3,6 В. | Умират | - | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | 557-MT29F1G08ABAEAM68M3WC1L | 1 | NeleTUSHIй | 1 Гит | В.С. | 128m x 8 | - | - | ||||||
| MT29VZZZAD81SFSL-046 W.22C Tr | 25.0350 | | 9834 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Актифен | - | Rohs3 | 557-MT29VZZZAD81SFSL-046W.22CTR | 1 | |||||||||||||||||||||
| MT40A1G16KD-062E IT: e | - | | 6136 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Поднос | Управо | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Пефер | 96-TFBGA | MT40A1G16 | SDRAM - DDR4 | 1,14 n 1,26 | 96-FBGA (9x13) | СКАХАТА | Rohs3 | DOSTISH | 557-MT40A1G16KD-062EIT: e | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 1,6 -е | Nestabilnый | 16 -й Гит | 19 млн | Ддрам | 1G x 16 | Парлель | 15NS | |||
 | MT53E1G32D2FW-046 WT: B TR | 17.9550 | | 6735 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -25 ° C ~ 85 ° C (TC) | Пефер | 200-TFBGA | MT53E1G32 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1,06 В ~ 1,17 | 200 TFBGA (10x14.5) | СКАХАТА | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | 557-MT53E1G32D2FW-046WT: Btr | 2000 | 2,133 Гер | Nestabilnый | 32 Гит | 3,5 млн | Ддрам | 1G x 32 | Парлель | 18ns | ||||
 | MT53E512M32D1ZW-046 WT: B TR | 13.2750 | | 2178 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -25 ° C ~ 85 ° C (TC) | Пефер | 200-TFBGA | MT53E512 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1,06 В ~ 1,17 | 200 TFBGA (10x14.5) | СКАХАТА | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | 557-MT53E512M32D1ZW-046WT: Btr | 2000 | 2,133 Гер | Nestabilnый | 16 -й Гит | 3,5 млн | Ддрам | 512M x 32 | Парлель | 18ns | ||||
| MT40A2G16TBB-062E: f | 52,5000 | | 9800 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Twindie ™ | Поднос | Актифен | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Пефер | 96-TFBGA | MT40A2G16 | SDRAM - DDR4 | 1,14 n 1,26 | 96-FBGA (7,5x13) | - | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | 557-MT40A2G16TBB-062E: ф | 1020 | 1,6 -е | Nestabilnый | 32 Гит | 13,75 млн | Ддрам | 2G x 16 | Парлель | - | ||||
| MT29AZ5A5CHGSQ-18AAT.87U | 13.9200 | | 8743 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Трубка | Актифен | MT29AZ5 | - | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | 557-MT29AZ5A5CHGSQ-18AAT.87U | 1440 | ||||||||||||||||||
| MT29AZ5A5CMGWD-18AIT.87C | - | | 9067 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Трубка | Управо | MT29AZ5 | - | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | 557-MT29AZ5A5CMGWD-18AIT.87C | Управо | 1440 | ||||||||||||||||||
 | MTFC64GASAONS-AIT ES TR | - | | 7537 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 153-TFBGA | MTFC64 | Flash - nand | 2,7 В ~ 3,6 В. | 153-TFBGA (11,5x13) | - | 557-MTFC64GASAONS-AITESTR | Управо | 2000 | 52 мг | NeleTUSHIй | 512 Гит | В.С. | 64G x 8 | MMC | - | |||||||
| Mt29vzzzad9fqfsm-046 w.g9k | - | | 3010 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Поднос | Управо | MT29VZZZAD9 | - | Rohs3 | 557-MT29VZZZAD9FQFSM-046W.G9K | Управо | 152 | |||||||||||||||||||
 | MT29F2G08ABAGAWP-AAT: G TR | 2.7962 | | 4305 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Автомобиль, AEC-Q100 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Пефер | 48-tfsop (0,724 ", Ирина 18,40 мм) | MT29F2G08 | Flash - nand (SLC) | 2,7 В ~ 3,6 В. | 48-tsop i | - | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | 557-MT29F2G08ABAGAWP-AAT: GTR | 8542.32.0071 | 1000 | NeleTUSHIй | 2 Гит | 20 млн | В.С. | 256 м х 8 | Парлель | 20ns | ||||
 | MT29F2G01ABBGD12-AAT: G. | 2.7962 | | 6625 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Автомобиль, AEC-Q100 | МАССА | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Пефер | 24-TBGA | MT29F2G01 | Flash - nand (SLC) | 1,7 В ~ 1,95 В. | 24-T-PBGA (6x8) | - | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | 557-MT29F2G01ABBGD12-AAT: G. | 8542.32.0071 | 1122 | 83 мг | NeleTUSHIй | 2 Гит | В.С. | 2G x 1 | SPI | - | Nprovereno | |||
| MT62F768M64D4EJ-031 AUT: A TR | 118.2000 | | 8751 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Актифен | MT62F768 | - | DOSTISH | 557-MT62F768M64D4EJ-031AUT: ATR | 1500 | ||||||||||||||||||||
 | MT29F2T08EMHAFJ4-3ITF: A TR | 70.9650 | | 7425 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 132-VBGA | MT29F2T08 | Flash - nand (TLC) | 2,5 В ~ 3,6 В. | 132-VBGA (12x18) | - | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | 557-MT29F2T08EMHAFJ4-3ITF: ATR | 8542.32.0071 | 2000 | 333 мг | NeleTUSHIй | 2tbit | В.С. | 256G x 8 | Парлель | - | |||||
| MT53E1G32D2NP-046 WT: a | - | | 5645 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Поднос | Управо | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Пефер | 200-WFBGA | MT53E1G32 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1,1 В. | 200-WFBGA (10x14,5) | - | Rohs3 | 557-MT53E1G32D2NP-046WT: а | Управо | 136 | 2,133 Гер | Nestabilnый | 32 Гит | Ддрам | 1G x 32 | - | - | ||||||
| MT29F4T08GMLBEJ4: B Tr | - | | 9942 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Пефер | 132-VBGA | MT29F4T08 | Flash - nand | 2,5 В ~ 3,6 В. | 132-VBGA (12x18) | - | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | 557-MT29F4T08GMLBEJ4: Btr | Управо | 2000 | NeleTUSHIй | 4tbit | В.С. | 512G x 8 | Парлель | - | ||||||
| MTFC32GAPALGT-AIT | - | | 3412 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | МАССА | Прохл | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | MTFC32G | Flash - nand | - | - | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | 557-MTFC32GAPALGT-AIT | 8542.32.0071 | 1520 | NeleTUSHIй | 256 Гит | В.С. | 32G x 8 | MMC | - | ||||||||
| MT40A512M16LY-062E AT: E TR | - | | 8981 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Автомобиль, AEC-Q100 | Lenta и катахка (tr) | Управо | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Пефер | 96-TFBGA | MT40A512M16 | SDRAM - DDR4 | - | 96-FBGA (7,5x13,5) | - | 557-MT40A512M16LY-062EAT: ETR | Управо | 8542.32.0071 | 2000 | 1,6 -е | NeleTUSHIй | 8 Гит | Ддрам | 512M x 16 | - | - | ||||||
| MT53E4D1BSQ-DC Tr | 22,5000 | | 7747 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Актифен | MT53E4 | - | DOSTISH | 557-MT53E4D1BSQ-DCTR | 2000 |
2000+
Средний объем RFQ
30 000 000
Стандартный продукт
2800+
Мировые производители
15 000 м2
На складе
Список желаний (0 пунктов)