- RFQ
- Категория
- Связаться с нами
Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-components.com
- китайский
- Английский
- Французский
- немецкий
- португальский
- испанский
- Русский
- Японский
- корейский
- арабский
- Ирландский
- Греческий
- турецкий
- Итальянский
- Датский
- румынский
- индонезийский
- чешский
- африкаанс
- Шведский
- Лак
- Баск
- Каталонский
- эсперанто
- хинди
- Лаос
- албанский
- Амхарский
- Армянский
- Азербайджани
- Белорус
- Бенгальский
- Боснийский
- болгарский
- Себуано
- Чичева
- Корсикан
- хорватский
- Голландский
- эстонский
- Филиппинец
- Финский
- фризский
- Галиц
- Грузинец
- Гуджарати
- Гаитянский
- Хауса
- Гавайский
- иврит
- Хмонг
- венгерский
- исландский
- Игбо
- Яванский
- Каннада
- Казах
- Кхмер
- Курдский
- Кыргиз
- латинский
- Латвиан
- литовский
- Люксембу ..
- македонский
- Малагасийский
- малайский
- Малаялам
- Мальтийский
- маори
- Маратхи
- Монгольский
- Бирманский
- Непальский
- норвежский
- Пушту
- Персидский
- Пенджаби
- сербский
- Сезото
- Сингальский
- словацкий
- словенский
- Сомалийский
- Самоан
- Шотландцы гэльские
- Шона
- Синди
- Сунданец
- суахили
- Таджик
- Тамильский
- телугу
- Тайский
- Украинский
- Урду
- Узбек
- вьетнамский
- валлийский
- Xhosa
- идиш
- Йоруба
- Зулу
- Kinyarwanda
- Татар
- Ария
- туркменский
- Уйгур
Ингрированансэпи (ICS) (10403)
| Ибрагейн | Nomerprodookta | ЦEnы (DOLLARR) | Колист | Ecad | Колист | Вер (К.) | Млн | В припании | Упако | Степень Продукта | Rraboч -yemperatura | МОНТАНАНГИП | PakeT / KORPUES | Baзowый nomer prodikta | Тела | Napraheneee - posta | ПАКЕТИВАЕТСЯ | Техниль | Статус Ройс | Вернояж | Доусейн Статуса | Дрогин ИНЕНА | Eccn | Htsus | Станодар | ТАКТОВА | ТИП ПАМАТИ | Raзmerpmayti | Вернее | Формат пэмаи | Органихая | ИНЕРФЕРСП | Верный |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT52L4DAPQ-DC TR | - |  | 1911 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | MT52L4 | - | 1 (neograniчennnый) | Управо | 0000.00.0000 | 1000 | ||||||||||||||||||
 | Mt48lc4m32b2p-6a it: l tr | - | | 5319 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 86-tfsop (0,400 ", ширин 10,16 мм) | MT48LC4M32B2 | SDRAM | 3 В ~ 3,6 В. | 86-tsop II | СКАХАТА | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | Ear99 | 8542.32.0002 | 2000 | 167 мг | Nestabilnый | 128 мб | 5,4 млн | Ддрам | 4m x 32 | Парлель | 12ns | ||
 | M29W320DB70N6F Tr | - | | 2808 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 48-tfsop (0,724 ", Ирина 18,40 мм) | M29W320 | Flash - нет | 2,7 В ~ 3,6 В. | 48-tsop i | - | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1500 | NeleTUSHIй | 32 мб | 70 млн | В.С. | 4m x 8, 2m x 16 | Парлель | 70NS | |||
| MT48LC8M16A2B4-6A AAT: L TR | - | | 2043 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Автомобиль, AEC-Q100 | Lenta и катахка (tr) | Управо | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Пефер | 54-VFBGA | MT48LC8M16A2 | SDRAM | 3 В ~ 3,6 В. | 54-VFBGA (8x8) | СКАХАТА | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | Ear99 | 8542.32.0002 | 2000 | 167 мг | Nestabilnый | 128 мб | 5,4 млн | Ддрам | 8m x 16 | Парлель | 12ns | ||
| MT62F1536M64D8EK-026 WT ES: B TR | 102.0600 | | 9556 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -25 ° C ~ 85 ° C. | Пефер | 441-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR5 | - | 441-TFBGA (14x14) | - | 557-MT62F1536M64D8EK-026WTES: Btr | 1500 | 3,2 -е | Nestabilnый | 96 Гит | Ддрам | 1,5 g х 64 | - | - | ||||||||
| MT29F2T08ELCHD4-QC: C TR | 41.9550 | | 4674 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Актифен | - | 557-MT29F2T08ELCHD4-QC: CTR | 2000 | |||||||||||||||||||||
| MT52L1G32D4PG-093 WT: B TR | 53 9550 | | 9168 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Пефер | 178-VFBGA | MT52L1G32 | SDRAM - Mobile LPDDR3 | 1,2 В. | 178-FBGA (12x11,5) | СКАХАТА | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | MT52L1G32D4PG-093WT: Btr | Ear99 | 8542.32.0036 | 1000 | 1 066 ГОГ | Nestabilnый | 32 Гит | Ддрам | 1G x 32 | - | - | ||
 | MT53E512M32D1ZW-046BAUT: б | - | | 9948 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Автомобиль, AEC-Q100 | Поднос | Актифен | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | Пефер | 200-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1,06 В ~ 1,17 | 200 TFBGA (10x14.5) | - | 557-MT53E512M32D1ZW-046BAUT: б | 1 | 2,133 Гер | Nestabilnый | 16 -й Гит | 3,5 млн | Ддрам | 512M x 32 | Парлель | 18ns | |||||||
 | MT53E2G32D4NQ-046 WT: A TR | - | | 6995 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Пефер | 200 VFBGA | MT53E2G32 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1,1 В. | 200 VFBGA (10x14,5) | - | Rohs3 | 557-MT53E2G32D4NQ-046WT: ATR | Управо | 2000 | 2,133 Гер | Nestabilnый | 64 Гит | Ддрам | 2G x 32 | - | - | |||||
| MT53E768M64D4SQ-046 WT: a | 73.1400 | | 9754 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Поднос | Актифен | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | MT53E768 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1,1 В. | - | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | MT53E768M64D4SQ-046WT: a | 0000.00.0000 | 1360 | 2,133 Гер | Nestabilnый | 48 Гит | Ддрам | 768M x 64 | - | - | ||||||
 | MT58L512L18DT-7.5 | 8.5300 | | 6 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst ™ | МАССА | Актифен | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Пефер | 100-LQFP | SRAM - Станодар | 3,135 ЕГО 3,6 В. | 100-TQFP (14x20,1) | СКАХАТА | Rohs | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 мг | Nestabilnый | 8 марта | 4 млн | Шram | 512K x 18 | Парлель | - | |||
| MT55L128V36P1T-10 | 2.6800 | | 6 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | ZBT® | МАССА | Актифен | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Пефер | 100-LQFP | MT55L128 | Sram - Синроннн, ЗБТ | 3,135 ЕГО 3,6 В. | 100-TQFP (14x20,1) | СКАХАТА | Rohs | 3 (168 чASOW) | Продан | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 100 мг | Nestabilnый | 4 марта | 5 млн | Шram | 128K x 36 | Парлель | - | ||
| M29F010B70K6F Tr | - | | 2116 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 32-LCC (J-Lead) | M29F010 | Flash - нет | 4,5 n 5,5. | 32-PLCC (11,35x13,89) | - | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | Ear99 | 8542.32.0071 | 750 | NeleTUSHIй | 1 март | 70 млн | В.С. | 128K x 8 | Парлель | 70NS | |||
 | MTFC128GAZAQJP-AAT | 73 9500 | | 8570 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | МАССА | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Пефер | 153-VFBGA | MTFC128 | Flash - nand | 2,7 В ~ 3,6 В. | 153-VFBGA (11,5x13) | - | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | 557-MTFC128GAZAQJP-AAT | 1 | NeleTUSHIй | 1tbit | В.С. | 128G x 8 | EMMC | - | |||||
| MT62F1536M64D8CL-026 WT: B TR | 55 3050 | | 3693 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Актифен | - | - | - | SDRAM - Mobile LPDDR5 | - | - | - | 557-MT62F1536M64D8CL-026WT: Btr | 2500 | 3,2 -е | Nestabilnый | 96 Гит | Ддрам | 1,5 g х 64 | Парлель | - | ||||||||
| MT29F4G16ABADAM60A3WC1 | - | | 8778 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | МАССА | Управо | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Пефер | Умират | MT29F4G16 | Flash - nand | 2,7 В ~ 3,6 В. | Умират | - | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | NeleTUSHIй | 4 Гит | В.С. | 256 м x 16 | Парлель | - | |||||
| MT58L128L36F1T-10 | 8.6700 | | 32 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst ™ | МАССА | Актифен | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Пефер | 100-LQFP | SRAM - Станодар | 3,135 ЕГО 3,6 В. | 100-TQFP (14x20,1) | СКАХАТА | Rohs | 3 (168 чASOW) | Продан | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 66 мг | Nestabilnый | 4 марта | 10 млн | Шram | 128K x 36 | Парлель | - | |||
| MT53B256M64D2NK-062 WT: C TR | - | | 5231 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | - | - | MT53B256 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1,1 В. | - | - | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | Ear99 | 8542.32.0036 | 1000 | 1,6 -е | Nestabilnый | 16 -й Гит | Ддрам | 256 м х 64 | - | - | |||
| MT40A2G8JC-062E: E. | - | | 8915 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | МАССА | Управо | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Пефер | 78-TFBGA | MT40A2G8 | SDRAM - DDR4 | 1,14 n 1,26 | 78-FBGA (9x11) | - | Rohs3 | DOSTISH | 557-MT40A2G8JC-062E: e | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1260 | 1,6 -е | Nestabilnый | 16 -й Гит | 19 млн | Ддрам | 2G x 8 | Парлель | 15NS | ||
| MT53B768M64D8WF-062 WT ES: D. | - | | 2071 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Поднос | Управо | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | - | - | MT53B768 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1,1 В. | - | - | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8542.32.0036 | 1190 | 1,6 -е | Nestabilnый | 48 Гит | Ддрам | 768M x 64 | - | - | |||||
| MT29F256G08EBHCFB16E3WC1-F | 12.3100 | | 6177 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Коробка | Актифен | - | 557-MT29F256G08EBHCFB16E3WC1-F | 1 | |||||||||||||||||||||
 | MT28EW256ABA1LPC-0SIT | 9.0300 | | 1 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Поднос | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 64-lbga | MT28EW256 | Flash - нет | 2,7 В ~ 3,6 В. | 64-lbga (11x13) | СКАХАТА | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,104 | NeleTUSHIй | 256 мб | 75 м | В.С. | 32m x 8, 16m x 16 | Парлель | 60ns | |||
 | MT53E1G32D2FW-046 AIT: A. | 29 8650 | | 7762 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Автомобиль, AEC-Q100 | Коробка | Актифен | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Пефер | 200-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1,06 В ~ 1,17 | 200 TFBGA (10x14.5) | СКАХАТА | 557-MT53E1G32D2FW-046AIT: а | 1 | 2,133 Гер | Nestabilnый | 32 Гит | Ддрам | 1G x 32 | Парлель | 18ns | ||||||||
| MT53B512M16D1Z11MWC1 | - | | 6088 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | * | МАССА | Актифен | MT53B512 | - | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||
 | MT48LC8M16A2B4-6A AIT: L TR | - | | 3472 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Автомобиль, AEC-Q100 | Lenta и катахка (tr) | Управо | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 54-VFBGA | MT48LC8M16A2 | SDRAM | 3 В ~ 3,6 В. | 54-VFBGA (8x8) | СКАХАТА | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | Ear99 | 8542.32.0002 | 2000 | 167 мг | Nestabilnый | 128 мб | 5,4 млн | Ддрам | 8m x 16 | Парлель | 12ns | ||
 | MT47H256M4CF-25: h | - | | 1262 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Поднос | Пркрэно | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Пефер | 60-TFBGA | MT47H256M4 | SDRAM - DDR2 | 1,7 В ~ 1,9 В. | 60-FBGA (8x10) | СКАХАТА | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | Ear99 | 8542.32.0032 | 1000 | 400 мг | Nestabilnый | 1 Гит | 400 с | Ддрам | 256 м х 4 | Парлель | 15NS | ||
 | MT29C1G12MAAIVAMD-5 IT Tr | - | | 9867 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 130-VFBGA | MT29C1G12 | Flash - Nand, Mobile LPDRAM | 1,7 В ~ 1,95 В. | 130-VFBGA (8x9) | - | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1000 | 200 мг | NeleTUSHIй, neStabilnый | 1 -е (Нанд), 512 мсбейт (LPDRAM) | Flash, Ram | 128m x 8 (NAND), 16m x 32 (LPDRAM) | Парлель | - | |||
| MT53E768M32D2NP-053 RS WT: B | 13.9650 | | 7634 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Коробка | Актифен | - | 557-MT53E768M32D2NP-053RSWT: b | 1 | |||||||||||||||||||||
| MT52L256M32D1V01MWC2 MS | - | | 3649 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | * | МАССА | Актифен | MT52L256 | - | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||
 | MT41K128M16JT-17: K Tr | - | | 6365 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Актифен | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Пефер | 96-TFBGA | MT41K128M16 | SDRAM - DDR3L | 1283 ЕГО 1,45 | 96-FBGA (8x14) | - | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | 0000.00.0000 | 1000 | Nestabilnый | 2 Гит | Ддрам | 128m x 16 | Парлель | - |
2000+
Средний объем RFQ
30 000 000
Стандартный продукт
2800+
Мировые производители
15 000 м2
На складе
Список желаний (0 пунктов)