- RFQ
- Категория
- Связаться с нами
Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-components.com
- китайский
- Английский
- Французский
- немецкий
- португальский
- испанский
- Русский
- Японский
- корейский
- арабский
- Ирландский
- Греческий
- турецкий
- Итальянский
- Датский
- румынский
- индонезийский
- чешский
- африкаанс
- Шведский
- Лак
- Баск
- Каталонский
- эсперанто
- хинди
- Лаос
- албанский
- Амхарский
- Армянский
- Азербайджани
- Белорус
- Бенгальский
- Боснийский
- болгарский
- Себуано
- Чичева
- Корсикан
- хорватский
- Голландский
- эстонский
- Филиппинец
- Финский
- фризский
- Галиц
- Грузинец
- Гуджарати
- Гаитянский
- Хауса
- Гавайский
- иврит
- Хмонг
- венгерский
- исландский
- Игбо
- Яванский
- Каннада
- Казах
- Кхмер
- Курдский
- Кыргиз
- латинский
- Латвиан
- литовский
- Люксембу ..
- македонский
- Малагасийский
- малайский
- Малаялам
- Мальтийский
- маори
- Маратхи
- Монгольский
- Бирманский
- Непальский
- норвежский
- Пушту
- Персидский
- Пенджаби
- сербский
- Сезото
- Сингальский
- словацкий
- словенский
- Сомалийский
- Самоан
- Шотландцы гэльские
- Шона
- Синди
- Сунданец
- суахили
- Таджик
- Тамильский
- телугу
- Тайский
- Украинский
- Урду
- Узбек
- вьетнамский
- валлийский
- Xhosa
- идиш
- Йоруба
- Зулу
- Kinyarwanda
- Татар
- Ария
- туркменский
- Уйгур
Ингрированансэпи (ICS) (10403)
| Ибрагейн | Nomerprodookta | ЦEnы (DOLLARR) | Колист | Ecad | Колист | Вер (К.) | Млн | В припании | Упако | Степень Продукта | Rraboч -yemperatura | МОНТАНАНГИП | PakeT / KORPUES | Baзowый nomer prodikta | Тела | Napraheneee - posta | ПАКЕТИВАЕТСЯ | Техниль | Статус Ройс | Вернояж | Доусейн Статуса | Дрогин ИНЕНА | Eccn | Htsus | Станодадж | ТАКТОВА | ТИП ПАМАТИ | Raзmerpmayti | Вернее | Формат пэмаи | Органихая | ИНЕРФЕРСП | Верный |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT49H16M36SJ-25E: B Tr | 47.8500 |  | 7824 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Актифен | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Пефер | 144-TFBGA | MT49H16M36 | Ддрам | 1,7 В ~ 1,9 В. | 144-FBGA (18,5x11) | СКАХАТА | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | 3A991B2A | 8542.32.0028 | 1000 | 400 мг | Nestabilnый | 576 мб | 15 млн | Ддрам | 16m x 36 | Парлель | - | ||
 | MT29F1T08CMCBBJ4-37ES: B Tr | - | | 1724 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Актифен | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Пефер | 132-VBGA | MT29F1T08 | Flash - nand | 2,7 В ~ 3,6 В. | 132-VBGA (12x18) | - | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1000 | 267 мг | NeleTUSHIй | 1tbit | В.С. | 128G x 8 | Парлель | - | |||
 | EDFA164A2PH-GD-FR TR | - | | 3285 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | - | - | EDFA164 | SDRAM - Mobile LPDDR3 | 1,14 В ~ 1,95. | - | - | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | Управо | 0000.00.0000 | 1000 | 800 мг | Nestabilnый | 16 -й Гит | Ддрам | 256 м х 64 | Парлель | - | ||||
| MT44K64M18RB-093F: A TR | - | | 7111 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Пефер | 168-TBGA | MT44K64M18 | Rldram 3 | 1,28 В ~ 1,42 В. | 168-BGA (13,5x13,5) | СКАХАТА | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | Ear99 | 8542.32.0036 | 1000 | 1 066 ГОГ | Nestabilnый | 1125 Гит | 7,5 млн | Ддрам | 64 м х 18 | Парлель | - | ||
| M50FW080N5G | - | | 8717 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Поднос | Управо | -20 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 40-tfsop (0,724 ", Ирина 18,40 мм) | M50FW080 | Flash - нет | 3 В ~ 3,6 В. | 40 т | - | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | Ear99 | 8542.32.0071 | 120 | 33 мг | NeleTUSHIй | 8 марта | 250 млн | В.С. | 1m x 8 | Парлель | - | ||
| MT49H32M18BM-25: б | - | | 3952 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | МАССА | Управо | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Пефер | 144-TFBGA | MT49H32M18 | Ддрам | 1,7 В ~ 1,9 В. | 144 мкгга (18,5x11) | СКАХАТА | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | Ear99 | 8542.32.0024 | 1000 | 400 мг | Nestabilnый | 576 мб | 20 млн | Ддрам | 32 м х 18 | Парлель | - | ||
 | MT47H128M8CF-25E: H. | - | | 8915 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Поднос | Управо | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Пефер | 60-TFBGA | MT47H128M8 | SDRAM - DDR2 | 1,7 В ~ 1,9 В. | 60-FBGA (8x10) | СКАХАТА | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | Ear99 | 8542.32.0032 | 1000 | 400 мг | Nestabilnый | 1 Гит | 400 с | Ддрам | 128m x 8 | Парлель | 15NS | ||
 | MT48H4M16LFF4-10 Tr | - | | 1542 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Пркрэно | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 54-VFBGA | MT48H4M16 | SDRAM - Mobile LPSDR | 1,7 В ~ 1,9 В. | 54-VFBGA (8x8) | СКАХАТА | Rohs | 2 (1 годы) | DOSTISH | Ear99 | 8542.32.0002 | 1000 | 104 мг | Nestabilnый | 64 марта | 7 млн | Ддрам | 4m x 16 | Парлель | 15NS | ||
| MT28EW256ABA1LPN-0SIT | - | | 6390 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Поднос | Управо | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 56-VFBGA | MT28EW256 | Flash - нет | 2,7 В ~ 3,6 В. | 56-VFBGA (7x9) | СКАХАТА | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1560 | NeleTUSHIй | 256 мб | 75 м | В.С. | 32m x 8, 16m x 16 | Парлель | 60ns | ||||
 | M25P40-VMW6GB | - | | 6966 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Трубка | Управо | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 8 SOIC (0,209 ", шIRINA 5,30 мм) | M25P40 | Flash - нет | 2,3 В ~ 3,6 В. | 8 tykogo ж ш | СКАХАТА | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | Ear99 | 8542.32.0071 | 1800 | 75 мг | NeleTUSHIй | 4 марта | В.С. | 512K x 8 | SPI | 15 мс, 5 мс | |||
 | MT48LC4M32B2P-6A AIT: L TR | - | | 8443 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Автомобиль, AEC-Q100 | Lenta и катахка (tr) | Управо | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 86-tfsop (0,400 ", ширин 10,16 мм) | MT48LC4M32B2 | SDRAM | 3 В ~ 3,6 В. | 86-tsop II | СКАХАТА | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | Ear99 | 8542.32.0002 | 2000 | 167 мг | Nestabilnый | 128 мб | 5,4 млн | Ддрам | 4m x 32 | Парлель | 12NS | ||
| M58BW16FB5T3T Tr | - | | 1432 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Веса | Управо | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Пефер | 80-BQFP | M58BW16 | Flash - нет | 2,5 В ~ 3,3 В. | 80-PQFP (14x20) | СКАХАТА | Rohs | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | Ear99 | 8542.32.0071 | 500 | NeleTUSHIй | 16 марта | 55 м | В.С. | 512K x 32 | Парлель | 55NS | |||
 | MT46H16M16LFBF-6 IT: H. | - | | 1464 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Поднос | Управо | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 60-VFBGA | MT46H16M16 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1,7 В ~ 1,95 В. | 60-VFBGA (8x9) | СКАХАТА | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | Ear99 | 8542.32.0024 | 1000 | 166 мг | Nestabilnый | 256 мб | 5 млн | Ддрам | 16m x 16 | Парлель | 12NS | ||
 | MT29E2T08CTCCCCBJ7-6: c | - | | 5385 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Поднос | Управо | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Пефер | 152-LBGA | MT29E2T08 | Flash - nand | 2,7 В ~ 3,6 В. | 152-LBGA (14x18) | - | 1 (neograniчennnый) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 167 мг | NeleTUSHIй | 2tbit | В.С. | 256G x 8 | Парлель | - | |||||
 | MT29F4G08ABAFAH4-AAT: F TR | 3.8498 | | 9729 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Автомобиль, AEC-Q100 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Пефер | 63-VFBGA | MT29F4G08 | Flash - nand | 2,7 В ~ 3,6 В. | 63-VFBGA (9x11) | - | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | MT29F4G08ABAFAH4-AAT: FTR | 8542.32.0071 | 2000 | NeleTUSHIй | 4 Гит | В.С. | 512M x 8 | Парлель | - | ||||
 | MT29F128G08CBEABH6-12IT: A TR | - | | 1251 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 152-VBGA | MT29F128G08 | Flash - nand | 2,7 В ~ 3,6 В. | 152-VBGA (14x18) | - | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | Управо | 0000.00.0000 | 1000 | 83 мг | NeleTUSHIй | 128 Гит | В.С. | 16G x 8 | Парлель | - | ||||
| MT53B384M16D1NK-062 WT ES: B TR | - | | 8273 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | - | - | MT53B384 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1,1 В. | - | - | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | Ear99 | 8542.32.0036 | 1000 | 1,6 -е | Nestabilnый | 6 Гит | Ддрам | 384M x 16 | - | - | |||
| MT60B2G8HB-48B IT: Tr | 18.2400 | | 5805 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Пефер | 82-VFBGA | SDRAM - DDR5 | - | 82-VFBGA (9x11) | - | 557-MT60B2G8HB-48BIT: ATR | 3000 | 2,4 -е | Nestabilnый | 16 -й Гит | 16 млн | Ддрам | 2G x 8 | Капсул | - | |||||||
| Mt29rz4c4dzzmggm-18w.80c tr | - | | 2280 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | - | - | MT29RZ4C4 | Flash - Nand, DRAM - LPDDR2 | 1,8 В. | - | - | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1000 | 533 мг | NeleTUSHIй, neStabilnый | 4GBIT (NAND), 4GBIT (LPDDR2) | Flash, Ram | 256 м х 16 (NAND), 128M x 32 (LPDDR2) | Парлель | - | |||
 | MT29F8G08ABACAWP-AIT: C TR | 5.8748 | | 6584 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 48-tfsop (0,724 ", Ирина 18,40 мм) | MT29F8G08 | Flash - nand (SLC) | 2,7 В ~ 3,6 В. | 48-tsop i | - | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | MT29F8G08ABACAWP-AIT: CTR | 8542.32.0071 | 1000 | NeleTUSHIй | 8 Гит | В.С. | 1G x 8 | Парлель | 20ns | ||||
 | MT28F400B3WG-8B | - | | 1077 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | МАССА | Управо | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Пефер | 48-tfsop (0,724 ", Ирина 18,40 мм) | MT28F400B3 | Flash - нет | 3 В ~ 3,6 В. | 48-tsop i | СКАХАТА | Rohs | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8542.32.0071 | 1000 | NeleTUSHIй | 4 марта | 80 млн | В.С. | 512K x 8, 256K x 16 | Парлель | 80ns | |||
 | MT53E768M32D4DT-046 WT: E. | 23.6850 | | 1961 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Автомобиль, AEC-Q100 | Поднос | Актифен | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | Пефер | 200 VFBGA | MT53E768 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1,1 В. | 200 VFBGA (10x14,5) | - | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | MT53E768M32D4DT-046WT: E. | Ear99 | 8542.32.0036 | 1360 | 2,133 Гер | Nestabilnый | 24 -gbiot | Ддрам | 768m x 32 | - | - | |||
 | MT48LC16M8A2TG-7E: G. | - | | 3752 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Поднос | Управо | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Пефер | 54-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) | MT48LC16M8A2 | SDRAM | 3 В ~ 3,6 В. | 54-TSOP II | СКАХАТА | Rohs | 2 (1 годы) | DOSTISH | Ear99 | 8542.32.0002 | 1000 | 133 мг | Nestabilnый | 128 мб | 5,4 млн | Ддрам | 16m x 8 | Парлель | 14ns | ||
| MT40A2G4TRF-107E: a | - | | 1551 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Поднос | Управо | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Пефер | 78-TFBGA | MT40A2G4 | SDRAM - DDR4 | 1,14 n 1,26 | 78-FBGA (9,5x11,5) | - | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | Ear99 | 8542.32.0036 | 1000 | 933 мг | Nestabilnый | 8 Гит | Ддрам | 2G x 4 | Парлель | - | ||||
 | MT46V64M8BN-75 L: d | - | | 5684 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Поднос | Управо | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Пефер | 60-TFBGA | MT46V64M8 | SDRAM - DDR | 2,3 В ~ 2,7 В. | 60-FBGA (10x12,5) | - | Rohs3 | 5 (48 чASOW) | DOSTISH | Ear99 | 8542.32.0024 | 1000 | 133 мг | Nestabilnый | 512 мб | 750 с | Ддрам | 64 м х 8 | Парлель | 15NS | ||
| MT29F1G08ABBDAHC: D TR | - | | 1346 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Пефер | 63-VFBGA | MT29F1G08 | Flash - nand | 1,7 В ~ 1,95 В. | 63-VFBGA (10,5x13) | - | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1000 | NeleTUSHIй | 1 Гит | В.С. | 128m x 8 | Парлель | - | ||||
 | MT29F128G08CECABH1-10Z: a | - | | 8681 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Трубка | Управо | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Пефер | 100-VBGA | MT29F128G08 | Flash - nand | 2,7 В ~ 3,6 В. | 100-VBGA (12x18) | - | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1000 | 100 мг | NeleTUSHIй | 128 Гит | В.С. | 16G x 8 | Парлель | - | |||
| MTFC16GLXAM-WT | - | | 9629 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | МАССА | Управо | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | - | MTFC16G | Flash - nand | 2,7 В ~ 3,6 В. | - | - | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1000 | NeleTUSHIй | 128 Гит | В.С. | 16G x 8 | MMC | - | |||||
| MT29TZZZ7D7EKKBT-107 W.97V TR | - | | 3184 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | - | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | Управо | 0000.00.0000 | 1000 | |||||||||||||||||
| MT46H32M16LFBF-6 AIT: c | - | | 8900 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Автомобиль, AEC-Q100 | Поднос | Управо | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 60-VFBGA | MT46H32M16 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1,7 В ~ 1,95 В. | 60-VFBGA (8x9) | СКАХАТА | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | Ear99 | 8542.32.0036 | 1000 | 166 мг | Nestabilnый | 512 мб | 5 млн | Ддрам | 32 м х 16 | Парлель | 15NS |
2000+
Средний объем RFQ
30 000 000
Стандартный продукт
2800+
Мировые производители
15 000 м2
На складе
Список желаний (0 пунктов)