- RFQ
- Категория
- Связаться с нами
Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-components.com
- китайский
- Английский
- Французский
- немецкий
- португальский
- испанский
- Русский
- Японский
- корейский
- арабский
- Ирландский
- Греческий
- турецкий
- Итальянский
- Датский
- румынский
- индонезийский
- чешский
- африкаанс
- Шведский
- Лак
- Баск
- Каталонский
- эсперанто
- хинди
- Лаос
- албанский
- Амхарский
- Армянский
- Азербайджани
- Белорус
- Бенгальский
- Боснийский
- болгарский
- Себуано
- Чичева
- Корсикан
- хорватский
- Голландский
- эстонский
- Филиппинец
- Финский
- фризский
- Галиц
- Грузинец
- Гуджарати
- Гаитянский
- Хауса
- Гавайский
- иврит
- Хмонг
- венгерский
- исландский
- Игбо
- Яванский
- Каннада
- Казах
- Кхмер
- Курдский
- Кыргиз
- латинский
- Латвиан
- литовский
- Люксембу ..
- македонский
- Малагасийский
- малайский
- Малаялам
- Мальтийский
- маори
- Маратхи
- Монгольский
- Бирманский
- Непальский
- норвежский
- Пушту
- Персидский
- Пенджаби
- сербский
- Сезото
- Сингальский
- словацкий
- словенский
- Сомалийский
- Самоан
- Шотландцы гэльские
- Шона
- Синди
- Сунданец
- суахили
- Таджик
- Тамильский
- телугу
- Тайский
- Украинский
- Урду
- Узбек
- вьетнамский
- валлийский
- Xhosa
- идиш
- Йоруба
- Зулу
- Kinyarwanda
- Татар
- Ария
- туркменский
- Уйгур
Ингрированансэпи (ICS) (10403)
| Ибрагейн | Nomerprodookta | ЦEnы (DOLLARR) | Колист | Ecad | Колист | Вер (К.) | Млн | В припании | Упако | Степень Продукта | Rraboч -yemperatura | МОНТАНАНГИП | PakeT / KORPUES | Baзowый nomer prodikta | Тела | Napraheneee - posta | ПАКЕТИВАЕТСЯ | Техниль | Статус Ройс | Вернояж | Доусейн Статуса | Дрогин ИНЕНА | Eccn | Htsus | Станодар | ТАКТОВА | ТИП ПАМАТИ | Raзmerpmayti | Вернее | Формат пэмаи | Органихая | ИНЕРФЕРСП | Верный |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT53E768M64D4SQ-046 WT: a | 73.1400 |  | 9754 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Поднос | Актифен | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | MT53E768 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1,1 В. | - | Rohs3 | 3 (168. | DOSTISH | MT53E768M64D4SQ-046WT: a | 0000.00.0000 | 1360 | 2,133 Гер | Nestabilnый | 48 Гит | Ддрам | 768M x 64 | - | - | ||||||
| MT53D384M64D4TZ-053 WT: C TR | - | | 7689 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | - | - | MT53D384 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1,1 В. | - | - | Rohs3 | 3 (168. | DOSTISH | Ear99 | 8542.32.0036 | 1000 | 1866 г | Nestabilnый | 24 -gbiot | Ддрам | 384M x 64 | - | - | |||
 | MT28EW256ABA1LPC-0SIT | 9.0300 | | 1 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Поднос | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 64-lbga | MT28EW256 | Flash - нет | 2,7 В ~ 3,6 В. | 64-lbga (11x13) | СКАХАТА | Rohs3 | 3 (168. | DOSTISH | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,104 | NeleTUSHIй | 256 мб | 75 м | В.С. | 32m x 8, 16m x 16 | Парлель | 60ns | |||
 | RC48F4400P0TB00A | - | | 8299 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash ™ | Поднос | Управо | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Пефер | 64-TBGA | RC48F4400 | Flash - нет | 2,3 В ~ 3,6 В. | 64-айсибга (8x10) | СКАХАТА | Rohs | 3 (168. | DOSTISH | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 144 | 52 мг | NeleTUSHIй | 512 мб | 85 м | В.С. | 32 м х 16 | Парлель | 85ns | ||
 | MT53E2G32D4NQ-046 WT: A TR | - | | 6995 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Пефер | 200 VFBGA | MT53E2G32 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1,1 В. | 200 VFBGA (10x14,5) | - | Rohs3 | 557-MT53E2G32D4NQ-046WT: ATR | Управо | 2000 | 2,133 Гер | Nestabilnый | 64 Гит | Ддрам | 2G x 32 | - | - | |||||
| MT29C8G96MAAAAAEBACKD-5 WT | - | | 1428 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | МАССА | Управо | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | - | MT29C8G96 | Flash - Nand, Mobile LPDRAM | 1,7 В ~ 1,95 В. | - | - | Rohs3 | 3 (168. | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1000 | 200 мг | NeleTUSHIй, neStabilnый | 8 -gbiot (nand), 4gbit (lpdram) | Flash, Ram | 1G x 8 (NAND), 128M x 32 (LPDRAM) | Парлель | - | ||||
| MT29F2T08ELCHD4-QC: C TR | 41.9550 | | 4674 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Актифен | - | 557-MT29F2T08ELCHD4-QC: CTR | 2000 | |||||||||||||||||||||
 | MT41K512M8RH-125 AAT: E. | - | | 8140 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Автомобиль, AEC-Q100 | Поднос | Управо | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Пефер | 78-TFBGA | MT41K512M8 | SDRAM - DDR3L | 1283 ЕГО 1,45 | 78-FBGA (9x10,5) | - | Rohs3 | 3 (168. | Ear99 | 8542.32.0036 | 1260 | 800 мг | Nestabilnый | 4 Гит | 13,75 млн | Ддрам | 512M x 8 | Парлель | - | |||
 | PC28F256P30BFA | - | | 7225 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash ™ | Поднос | Управо | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 64-TBGA | PC28F256 | Flash - нет | 1,7 В ~ 2 В. | 64-айсибга (10x13) | СКАХАТА | Rohs3 | 3 (168. | DOSTISH | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 864 | 52 мг | NeleTUSHIй | 256 мб | 100 млн | В.С. | 16m x 16 | Парлель | 100ns | ||
 | MT29F16G16ADBCAH4: C TR | - | | 8675 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Пефер | 63-VFBGA | MT29F16G16 | Flash - nand | 2,7 В ~ 3,6 В. | 63-VFBGA (9x11) | - | Rohs3 | 3 (168. | DOSTISH | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1000 | NeleTUSHIй | 16 -й Гит | В.С. | 1G x 16 | Парлель | - | ||||
| MT29F16G08ADACAH4: c | - | | 2282 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | МАССА | Управо | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Пефер | 63-VFBGA | MT29F16G08 | Flash - nand | 2,7 В ~ 3,6 В. | 63-VFBGA (9x11) | - | Rohs3 | 3 (168. | DOSTISH | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1260 | NeleTUSHIй | 16 -й Гит | В.С. | 2G x 8 | Парлель | - | ||||
| MT51J256M32HF-70: B Tr | - | | 3063 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Пефер | 170-TFBGA | MT51J256 | SGRAM - GDDR5 | 1,31 В ~ 1,39 В, 1,46 м. ~ 1,55 | 170-FBGA (12x14) | СКАХАТА | 3 (168. | DOSTISH | Ear99 | 8542.32.0071 | 2000 | 1,75 -е | Nestabilnый | 8 Гит | Барен | 256 м x 32 | Парлель | - | ||||
 | MT25QL256ABA8ESF-0AAT TR | 5.0771 | | 4564 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Автомобиль, AEC-Q100 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Пефер | 16 SOIC (0,295 ", Ирина 7,50 мм) | MT25QL256 | Flash - нет | 2,7 В ~ 3,6 В. | 16-й | СКАХАТА | Rohs3 | 3 (168. | DOSTISH | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1000 | 133 мг | NeleTUSHIй | 256 мб | В.С. | 32 м х 8 | SPI | 8 мс, 2,8 мс | |||
 | MT46V64M8BN-5B: F Tr | - | | 7386 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Пефер | 60-TFBGA | MT46V64M8 | SDRAM - DDR | 2,5 В ~ 2,7 В. | 60-FBGA (10x12,5) | СКАХАТА | Rohs3 | 3 (168. | DOSTISH | Ear99 | 8542.32.0024 | 1000 | 200 мг | Nestabilnый | 512 мб | 700 с | Ддрам | 64 м х 8 | Парлель | 15NS | ||
| M29W256GSH70ZS6F Tr | - | | 3075 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 64-lbga | M29W256 | Flash - нет | 2,7 В ~ 3,6 В. | 64-FBGA (11x13) | - | Rohs3 | 3 (168. | DOSTISH | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1800 | NeleTUSHIй | 256 мб | 70 млн | В.С. | 32m x 8, 16m x 16 | Парлель | 70NS | |||
| Mt29vzzz7d7hqkwl-062 w es.g7a | - | | 5471 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | МАССА | Управо | MT29Vzzz7 | - | 1 (neograniчennnый) | Управо | 0000.00.0000 | 1520 | ||||||||||||||||||
 | MT47H128M8CF-25E AIT: H. | - | | 7378 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Автомобиль, AEC-Q100 | МАССА | Управо | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Пефер | 60-TFBGA | MT47H128M8 | SDRAM - DDR2 | 1,7 В ~ 1,9 В. | 60-FBGA (8x10) | СКАХАТА | Rohs3 | 3 (168. | DOSTISH | Ear99 | 8542.32.0032 | 1000 | 400 мг | Nestabilnый | 1 Гит | 400 с | Ддрам | 128m x 8 | Парлель | 15NS | ||
 | MT46V16M8P-6TL: DTR | - | | 2621 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Пефер | 66-tssop (0,400 ", ширина 10,16 мм) | MT46V16M8 | SDRAM - DDR | 2,3 В ~ 2,7 В. | 66-tsop | СКАХАТА | Rohs3 | 3 (168. | DOSTISH | Ear99 | 8542.32.0002 | 1000 | 167 мг | Nestabilnый | 128 мб | 700 с | Ддрам | 16m x 8 | Парлель | 15NS | ||
| MT53D1024M32D4BD-053 WT: D TR | - | | 7366 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | - | - | MT53D1024 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1,1 В. | - | - | Rohs3 | 3 (168. | DOSTISH | Ear99 | 8542.32.0036 | 2000 | 1866 г | Nestabilnый | 32 Гит | Ддрам | 1G x 32 | - | - | |||
 | M28W640FCT70N6E | - | | 8425 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Поднос | Управо | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 48-tfsop (0,724 ", Ирина 18,40 мм) | M28W640 | Flash - нет | 2,7 В ~ 3,6 В. | 48 т | СКАХАТА | Rohs3 | 3 (168. | DOSTISH | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | NeleTUSHIй | 64 марта | 70 млн | В.С. | 4m x 16 | Парлель | 70NS | |||
 | MT48LC16M16A2BG-75 IT: D. | - | | 6523 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Поднос | Управо | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 54-VFBGA | MT48LC16M16A2 | SDRAM | 3 В ~ 3,6 В. | 54-VFBGA (8x14) | СКАХАТА | Rohs3 | 2 (1 годы) | DOSTISH | Ear99 | 8542.32.0024 | 1000 | 133 мг | Nestabilnый | 256 мб | 5,4 млн | Ддрам | 16m x 16 | Парлель | 15NS | ||
 | MT53E1G32D2FW-046 AIT: A. | 29 8650 | | 7762 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Автомобиль, AEC-Q100 | Коробка | Актифен | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Пефер | 200-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1,06 В ~ 1,17 | 200 TFBGA (10x14.5) | СКАХАТА | 557-MT53E1G32D2FW-046AIT: а | 1 | 2,133 Гер | Nestabilnый | 32 Гит | Ддрам | 1G x 32 | Парлель | 18ns | ||||||||
| MT53B512M16D1Z11MWC1 | - | | 6088 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | * | МАССА | Актифен | MT53B512 | - | 3 (168. | DOSTISH | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||
 | MT48V8M16LFB4-8 IT: G TR | - | | 1184 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 54-VFBGA | MT48V8M16 | SDRAM - Mobile LPSDR | 2,3 В ~ 2,7 В. | 54-VFBGA (8x8) | СКАХАТА | Rohs3 | 2 (1 годы) | DOSTISH | Ear99 | 8542.32.0002 | 1000 | 125 мг | Nestabilnый | 128 мб | 7 млн | Ддрам | 8m x 16 | Парлель | 15NS | ||
 | MT48LC32M8A2P-7E: G TR | - | | 2001 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Пефер | 54-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) | MT48LC32M8A2 | SDRAM | 3 В ~ 3,6 В. | 54-TSOP II | СКАХАТА | Rohs3 | 3 (168. | DOSTISH | Ear99 | 8542.32.0024 | 1000 | 133 мг | Nestabilnый | 256 мб | 5,4 млн | Ддрам | 32 м х 8 | Парлель | 14ns | ||
| M29W160EB70N1 | - | | 7352 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Поднос | Управо | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Пефер | 48-tfsop (0,724 ", Ирина 18,40 мм) | M29W160 | Flash - нет | 2,7 В ~ 3,6 В. | 48 т | - | Rohs3 | 3 (168. | DOSTISH | Ear99 | 8542.32.0071 | 96 | NeleTUSHIй | 16 марта | 70 млн | В.С. | 2m x 8, 1m x 16 | Парлель | 70NS | |||
| M29W800DT45ZE6F Tr | - | | 9358 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 48-TFBGA | M29W800 | Flash - нет | 2,7 В ~ 3,6 В. | 48-TFBGA (6x8) | СКАХАТА | Rohs3 | 3 (168. | Ear99 | 8542.32.0071 | 2500 | NeleTUSHIй | 8 марта | 45 м | В.С. | 1m x 8, 512k x 16 | Парлель | 45NS | ||||
 | MT29F128G08AMCABH2-10: a | - | | 4533 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Коробка | Управо | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Пефер | 100-TBGA | MT29F128G08 | Flash - nand | 2,7 В ~ 3,6 В. | 100-TBGA (12x18) | - | Rohs3 | 3 (168. | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1000 | 100 мг | NeleTUSHIй | 128 Гит | В.С. | 16G x 8 | Парлель | - | ||||
 | MT41K128M16JT-17: K Tr | - | | 6365 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Актифен | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Пефер | 96-TFBGA | MT41K128M16 | SDRAM - DDR3L | 1283 ЕГО 1,45 | 96-FBGA (8x14) | - | Rohs3 | 3 (168. | DOSTISH | 0000.00.0000 | 1000 | Nestabilnый | 2 Гит | Ддрам | 128m x 16 | Парлель | - | |||||
 | MT29F4G16ABAEAWP-IT: E TR | - | | 7040 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 48-tfsop (0,724 ", Ирина 18,40 мм) | MT29F4G16 | Flash - nand | 2,7 В ~ 3,6 В. | 48-tsop i | - | Rohs3 | 3 (168. | DOSTISH | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1000 | NeleTUSHIй | 4 Гит | В.С. | 256 м x 16 | Парлель | - |
2000+
Средний объем RFQ
30 000 000
Стандартный продукт
2800+
Мировые производители
15 000 м2
На складе
Список желаний (0 пунктов)