- RFQ
- Категория
- Связаться с нами
Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-components.com
- китайский
- Английский
- Французский
- немецкий
- португальский
- испанский
- Русский
- Японский
- корейский
- арабский
- Ирландский
- Греческий
- турецкий
- Итальянский
- Датский
- румынский
- индонезийский
- чешский
- африкаанс
- Шведский
- Лак
- Баск
- Каталонский
- эсперанто
- хинди
- Лаос
- албанский
- Амхарский
- Армянский
- Азербайджани
- Белорус
- Бенгальский
- Боснийский
- болгарский
- Себуано
- Чичева
- Корсикан
- хорватский
- Голландский
- эстонский
- Филиппинец
- Финский
- фризский
- Галиц
- Грузинец
- Гуджарати
- Гаитянский
- Хауса
- Гавайский
- иврит
- Хмонг
- венгерский
- исландский
- Игбо
- Яванский
- Каннада
- Казах
- Кхмер
- Курдский
- Кыргиз
- латинский
- Латвиан
- литовский
- Люксембу ..
- македонский
- Малагасийский
- малайский
- Малаялам
- Мальтийский
- маори
- Маратхи
- Монгольский
- Бирманский
- Непальский
- норвежский
- Пушту
- Персидский
- Пенджаби
- сербский
- Сезото
- Сингальский
- словацкий
- словенский
- Сомалийский
- Самоан
- Шотландцы гэльские
- Шона
- Синди
- Сунданец
- суахили
- Таджик
- Тамильский
- телугу
- Тайский
- Украинский
- Урду
- Узбек
- вьетнамский
- валлийский
- Xhosa
- идиш
- Йоруба
- Зулу
- Kinyarwanda
- Татар
- Ария
- туркменский
- Уйгур
Ингрированансэпи (ICS) (10403)
| Ибрагейн | Nomerprodookta | ЦEnы (DOLLARR) | Колист | Ecad | Колист | Вер (К.) | Млн | В припании | Упако | Степень Продукта | Rraboч -yemperatura | МОНТАНАНГИП | PakeT / KORPUES | Тела | Sic programmirueTSARY | Napraheneee - posta | ПАКЕТИВАЕТСЯ | Статус Ройс | Вернояж | Доусейн Статуса | Дрогин ИНЕНА | Eccn | Станодар | ТАКТОВА | ТИП ПАМАТИ | Raзmerpmayti | Вернее | Формат пэмаи | Органихая | ИНЕРФЕРСП | Верный |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT40A1G16TD-062E AUT: F. | 22.8450 |  | 3279 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Коробка | Актифен | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | - | - | SDRAM - DDR4 | 1,14 n 1,26 | - | 557-MT40A1G16TD-062EAUT: ф | 1 | 1,6 -е | Nestabilnый | 16 -й Гит | 19 млн | Ддрам | 1G x 16 | Капсул | 15NS | ||||||
| MT60B1G16HC-48B: A TR | 16.5750 | | 2988 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Актифен | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Пефер | 102-VFBGA | SDRAM - DDR5 | - | 102-VFBGA (9x14) | 557-MT60B1G16HC-48B: ATR | 2000 | 2,4 -е | Nestabilnый | 16 -й Гит | 16 млн | Ддрам | 1G x 16 | Капсул | - | ||||||
| MT62F512M64D4EK-031 WT: b | 23.3100 | | 7515 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Коробка | Актифен | -25 ° C ~ 85 ° C. | Пефер | 441-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR5 | - | 441-TFBGA (14x14) | 557-MT62F512M64D4EK-031WT: b | 1 | 3,2 -е | Nestabilnый | 32 Гит | Ддрам | 512M x 64 | Парлель | - | |||||||
| MT53E768M64D4HJ-046 AAT: B TR | 47.8950 | | 6241 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Автомобиль, AEC-Q100 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Пефер | 556-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1,06 В ~ 1,17 | 556-WFBGA (12,4x12,4) | 557-MT53E768M64D4HJ-046AAT: Btr | 2000 | 2,133 Гер | Nestabilnый | 48 Гит | 3,5 млн | Ддрам | 768M x 64 | Парлель | 18ns | ||||||
| MT29F512G08EBLEJ4-R: E TR | 10.7250 | | 1826 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Актифен | 0 ° C ~ 70 ° C. | Пефер | 132-VBGA | Flash - nand (TLC) | 2,6 В ~ 3,6 В. | 132-VBGA (12x18) | 557-MT29F512G08EBLEJ4-R: ETR | 2000 | NeleTUSHIй | 512 Гит | В.С. | 64G x 8 | Парлель | - | ||||||||
| MT62F512M32D2DS-031 AAT: b | 17.4150 | | 3538 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Автомобиль, AEC-Q100 | Коробка | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C. | Пефер | 200-WFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR5 | - | 200-WFBGA (10x14,5) | 557-MT62F512M32D2DS-031AAT: b | 1 | 3,2 -е | Nestabilnый | 16 -й Гит | Ддрам | 512M x 32 | Парлель | - | |||||||
| MT29F4T08EULEEM4-T: E. | 85 8150 | | 3009 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Коробка | Актифен | 0 ° C ~ 70 ° C. | Пефер | 132-BGA | Flash - nand (TLC) | 2,6 В ~ 3,6 В. | 132-LBGA (12x18) | 557-MT29F4T08EULEEM4-T: E. | 1 | NeleTUSHIй | 4tbit | В.С. | 512G x 8 | Парлель | - | ||||||||
| MT62F3G32D8DV-023 IT: B TR | 74.6400 | | 2363 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 95 ° C. | - | - | SDRAM - Mobile LPDDR5 | - | - | 557-MT62F3G32D8DV-023IT: Btr | 2000 | 4266 ГОГ | Nestabilnый | 96 Гит | Ддрам | 3G x 32 | Парлель | - | |||||||
| MT53E2G64D8TN-046 WT: A TR | 92.3100 | | 8633 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -25 ° C ~ 85 ° C (TC) | Пефер | 556-LFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1,06 В ~ 1,17 | 556-LFBGA (12,4x12,4) | 557-MT53E2G64D8TN-046WT: ATR | 2000 | 2,133 Гер | Nestabilnый | 128 Гит | 3,5 млн | Ддрам | 2G x 64 | Парлель | 18ns | ||||||
| MT62F1536M64D8EK-026 WT ES: B | 102.0600 | | 1696 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Коробка | Актифен | -25 ° C ~ 85 ° C. | Пефер | 441-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR5 | - | 441-TFBGA (14x14) | 557-MT62F1536M64D8EK-026WTES: б | 1 | 3,2 -е | Nestabilnый | 96 Гит | Ддрам | 1,5 g х 64 | - | - | |||||||
| MT29GZ6A6BPIET-53IT.112 Tr | 16.7100 | | 1309 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Актифен | 557-MT29GZ6A6BPIET-53IT.112TR | 2000 | ||||||||||||||||||||
 | MT53E1G32D2FW-046 IT: a | 27.1500 | | 7860 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Коробка | Актифен | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Пефер | 200-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1,06 В ~ 1,17 | 200 TFBGA (10x14.5) | 557-MT53E1G32D2FW-046IT: а | 1 | 2,133 Гер | Nestabilnый | 32 Гит | Ддрам | 1G x 32 | Парлель | 18ns | |||||||
| MT62F2G32D4DS-023 AUT: C TR | 73 4400 | | 8011 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Актифен | 557-MT62F2G32D4DS-023Aut: Ctr | 2000 | ||||||||||||||||||||
 | MT25QU256ABA8E12-MAAT | 5.6268 | | 6403 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Автомобиль, AEC-Q100 | Коробка | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Пефер | 24-TBGA | Flash - нет (SLC) | 1,7 В ~ 2 В. | 24-T-PBGA (6x8) | 557-MT25QU256ABA8E12-MAAT | 1 | 166 мг | NeleTUSHIй | 256 мб | 5 млн | В.С. | 32 м х 8 | SPI - Quad I/O | 1,8 мс | ||||||
| MT62F1G64D4EK-023 FAAT: b | 63 8550 | | 6443 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Автомобиль, AEC-Q100 | Коробка | Актифен | - | Пефер | 441-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR5 | 1,05 | 441-TFBGA (14x14) | 557-MT62F1G64D4EK-023FAAT: b | 1 | 4266 ГОГ | Nestabilnый | 64 Гит | Ддрам | 1G x 64 | Парлель | - | |||||||
| MT53E512M32D4NQ-053 RS WT: F TR | - | | 1179 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | 557-MT53E512M32D4NQ-053RSWT: FTR | Управо | 2000 | |||||||||||||||||||
| MT29F4T08EULEEM4-M: E. | 85 7850 | | 8880 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Коробка | Актифен | Nprovereno | 557-MT29F4T08EULEEM4-M: E. | 1 | |||||||||||||||||||
| MT53E128M32D2FW-046 WT: A TR | 7.9200 | | 9758 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -25 ° C ~ 85 ° C (TC) | Пефер | 200-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1,06 В ~ 1,17 | 200 TFBGA (10x14.5) | Rohs3 | 557-MT53E128M32D2FW-046WT: ATR | 1 | 2,133 Гер | Nestabilnый | 4 Гит | 3,5 млн | Ддрам | 128m x 32 | Парлель | 18ns | |||||
| MT53E384M32D2FW-046 WT: E TR | 10.4600 | | 2491 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -25 ° C ~ 85 ° C. | Пефер | 200-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1,06 В ~ 1,17 | 200 TFBGA (10x14.5) | Rohs3 | 557-MT53E384M32D2FW-046WT: ETR | 1 | 2,133 Гер | Nestabilnый | 12 gbiot | 3,5 млн | Ддрам | 384M x 32 | Парлель | 18ns | |||||
 | MT53E256M32D1KS-046 AUT: L TR | 14.5800 | | 6828 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Актифен | Пефер | 200 VFBGA | 200 VFBGA (10x14,5) | DOSTISH | 557-MT53E256M32D1KS-046AUT: LTR | 1 | ||||||||||||||||
 | MT53E256M32D1KS-046 WT: L. | 9.6500 | | 4709 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Поднос | Актифен | Пефер | 200 VFBGA | 200 VFBGA (10x14,5) | DOSTISH | 557-MT53E256M32D1KS-046WT: L. | 1 | ||||||||||||||||
| MT53E256M32D1KS-046 AUT: L. | 14.5800 | | 8566 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Поднос | Актифен | Пефер | 200 VFBGA | 200 VFBGA (10x14,5) | DOSTISH | 557-MT53E256M32D1KS-046AUT: L. | 1 | ||||||||||||||||
| MT53E256M32D1KS-046 IT: L. | 10.6300 | | 6487 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Поднос | Актифен | Пефер | 200 VFBGA | 200 VFBGA (10x14,5) | DOSTISH | 557-MT53E256M32D1KS-046IT: l | 1 | ||||||||||||||||
| MT53E256M32D1KS-046 AAT: L. | 9.2705 | | 6022 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Поднос | Актифен | Пефер | 200 VFBGA | 200 VFBGA (10x14,5) | DOSTISH | 557-MT53E256M32D1KS-046AAT: L. | 1 | ||||||||||||||||
| MT29VZZZAD9GUFSM-046 W.213 TR | 17.0762 | | 8675 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Актифен | 557-MT29VZZZAD9GUFSM-046W.213TR | 2000 | ||||||||||||||||||||
| MT29VZZZBD9GQFPR-046 W.9Q9 | - | | 2488 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | МАССА | Управо | 1 | |||||||||||||||||||||
| MT29VZZZ7D8GQFSL-046 W.9P8 | - | | 3924 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | МАССА | Управо | 1 | |||||||||||||||||||||
| MTFC128GBCAQTC-AAT | 62 4100 | | 2118 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Поднос | Актифен | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | 557-MTFC128GBCAQTC-AAT | 1520 | ||||||||||||||||||
| MTFC64GBCAQTC-AAT | 35,1800 | | 4179 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Поднос | Актифен | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | 557-MTFC64GBCAQTC-AAT | 1520 | ||||||||||||||||||
| MTFC64GBCAQTC-AIT TR | 22.2750 | | 8836 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Актифен | 557-MTFC64GBCAQTC-AITTR | 2000 |
2000+
Средний объем RFQ
30 000 000
Стандартный продукт
2800+
Мировые производители
15 000 м2
На складе
Список желаний (0 пунктов)