- RFQ
- Категория
- Связаться с нами
Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-components.com
- китайский
- Английский
- Французский
- немецкий
- португальский
- испанский
- Русский
- Японский
- корейский
- арабский
- Ирландский
- Греческий
- турецкий
- Итальянский
- Датский
- румынский
- индонезийский
- чешский
- африкаанс
- Шведский
- Лак
- Баск
- Каталонский
- эсперанто
- хинди
- Лаос
- албанский
- Амхарский
- Армянский
- Азербайджани
- Белорус
- Бенгальский
- Боснийский
- болгарский
- Себуано
- Чичева
- Корсикан
- хорватский
- Голландский
- эстонский
- Филиппинец
- Финский
- фризский
- Галиц
- Грузинец
- Гуджарати
- Гаитянский
- Хауса
- Гавайский
- иврит
- Хмонг
- венгерский
- исландский
- Игбо
- Яванский
- Каннада
- Казах
- Кхмер
- Курдский
- Кыргиз
- латинский
- Латвиан
- литовский
- Люксембу ..
- македонский
- Малагасийский
- малайский
- Малаялам
- Мальтийский
- маори
- Маратхи
- Монгольский
- Бирманский
- Непальский
- норвежский
- Пушту
- Персидский
- Пенджаби
- сербский
- Сезото
- Сингальский
- словацкий
- словенский
- Сомалийский
- Самоан
- Шотландцы гэльские
- Шона
- Синди
- Сунданец
- суахили
- Таджик
- Тамильский
- телугу
- Тайский
- Украинский
- Урду
- Узбек
- вьетнамский
- валлийский
- Xhosa
- идиш
- Йоруба
- Зулу
- Kinyarwanda
- Татар
- Ария
- туркменский
- Уйгур
Ингрированансэпи (ICS) (10403)
| Ибрагейн | Nomerprodookta | ЦEnы (DOLLARR) | Колист | Ecad | Колист | Вер (К.) | Млн | В припании | Упако | Степень Продукта | Rraboч -yemperatura | МОНТАНАНГИП | PakeT / KORPUES | Baзowый nomer prodikta | Тела | Napraheneee - posta | ПАКЕТИВАЕТСЯ | Техниль | Статус Ройс | Вернояж | Доусейн Статуса | Дрогин ИНЕНА | Eccn | Htsus | Станодар | ТАКТОВА | ТИП ПАМАТИ | Raзmerpmayti | Вернее | Формат пэмаи | Органихая | ИНЕРФЕРСП | Верный | Sic programmirueTSARY |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT41K256M16LY-107: n | - |  | 6335 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Поднос | Управо | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Пефер | 96-TFBGA | MT41K256M16 | SDRAM - DDR3L | 1283 ЕГО 1,45 | 96-FBGA (7,5x13,5) | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8542.32.0036 | 1080 | 933 мг | Nestabilnый | 4 Гит | 20 млн | Ддрам | 256 м x 16 | Парлель | - | ||||
 | MT62F768M32D2DS-023 FAAT: b | 25.6500 | | 2162 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Автомобиль, AEC-Q100 | Коробка | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C. | Пефер | 200-WFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR5 | - | 200-WFBGA (10x14,5) | - | 557-MT62F768M32D2DS-023FAAT: b | 1 | 4266 ГОГ | Nestabilnый | 24 -gbiot | Ддрам | 768m x 32 | Парлель | - | |||||||||
| NAND32GW3F2DDI6P TR | - | | 4183 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | NAND32G | - | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | NAND32GW3F2DDI6PTR | Управо | 0000.00.0000 | 1000 | |||||||||||||||||
 | MT29E512G08CEHBBJ4-3: b | - | | 7811 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Поднос | Управо | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Пефер | 132-VBGA | MT29E512G08 | Flash - nand | 2,5 В ~ 3,6 В. | 132-VBGA (12x18) | - | DOSTISH | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1120 | 333 мг | NeleTUSHIй | 512 Гит | В.С. | 64G x 8 | Парлель | - | Nprovereno | |||||
| MT29F64G08CBAAAL74A3WC1P | - | | 2550 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Поднос | Управо | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Пефер | Умират | MT29F64G08 | Flash - nand | 2,7 В ~ 3,6 В. | Умират | - | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | NeleTUSHIй | 64 Гит | В.С. | 8G x 8 | Парлель | - | |||||
| MT40A1G16TD-062E AIT: F TR | 18.0450 | | 2002 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Автомобиль, AEC-Q100 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | - | - | SDRAM - DDR4 | 1,14 n 1,26 | - | - | 557-MT40A1G16TD-062EAIT: FTR | 2000 | 1,6 -е | Nestabilnый | 16 -й Гит | 19 млн | Ддрам | 1G x 16 | Парлель | 15NS | ||||||||
| MT53B4DCNK-DC | - | | 5914 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Поднос | Актифен | Пефер | 366-WFBGA | MT53B4 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 366-WFBGA (15x15) | - | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | 0000.00.0000 | 1190 | Nestabilnый | Ддрам | |||||||||||||
 | MT28F320J3BS-11 GMET | - | | 5393 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | МАССА | Управо | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 64-FBGA | MT28F320J3 | В.С. | 2,7 В ~ 3,6 В. | 64-FBGA (10x13) | СКАХАТА | Rohs3 | 4 (72 чACA) | DOSTISH | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1000 | NeleTUSHIй | 32 мб | 110 млн | В.С. | 4m x 8, 2m x 16 | Парлель | - | ||||
 | MT48LC8M16A2TG-75 L IT: G. | - | | 1297 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Поднос | Управо | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 54-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) | MT48LC8M16A2 | SDRAM | 3 В ~ 3,6 В. | 54-TSOP II | СКАХАТА | Rohs | 2 (1 годы) | DOSTISH | Ear99 | 8542.32.0002 | 1000 | 133 мг | Nestabilnый | 128 мб | 5,4 млн | Ддрам | 8m x 16 | Парлель | 15NS | |||
 | M25P40-VMN6T Tr | - | | 3482 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) | M25P40 | Flash - нет | 2,3 В ~ 3,6 В. | 8 ТАКОГО | СКАХАТА | Rohs | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | Ear99 | 8542.32.0071 | 2500 | 50 мг | NeleTUSHIй | 4 марта | В.С. | 512K x 8 | SPI | 15 мс, 5 мс | ||||
 | MT46V128M4BN-6: D Tr | - | | 9402 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Пефер | 60-TFBGA | MT46V128M4 | SDRAM - DDR | 2,3 В ~ 2,7 В. | 60-FBGA (10x12,5) | - | Rohs3 | 5 (48 чASOW) | DOSTISH | Ear99 | 8542.32.0024 | 1000 | 167 мг | Nestabilnый | 512 мб | 700 с | Ддрам | 128m x 4 | Парлель | 15NS | |||
 | MT46H64M16LFBF-6 IT: б | - | | 3242 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Поднос | Управо | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 60-VFBGA | MT46H64M16 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1,7 В ~ 1,95 В. | 60-VFBGA (8x9) | СКАХАТА | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | Ear99 | 8542.32.0032 | 1000 | 166 мг | Nestabilnый | 1 Гит | 5 млн | Ддрам | 64 м х 16 | Парлель | 15NS | |||
| M29W400DT70ZE6F Tr | - | | 5011 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 48-TFBGA | M29W400 | Flash - нет | 2,7 В ~ 3,6 В. | 48-TFBGA (6x9) | СКАХАТА | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | Ear99 | 8542.32.0071 | 2500 | NeleTUSHIй | 4 марта | 70 млн | В.С. | 512K x 8, 256K x 16 | Парлель | 70NS | ||||
| MT25TL01GBBB8ESF-0AAT TR | 18.8100 | | 2899 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Автомобиль, AEC-Q100 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Пефер | 16 SOIC (0,295 ", Ирина 7,50 мм) | MT25TL01 | Flash - нет | 2,7 В ~ 3,6 В. | 16-Sop2 | СКАХАТА | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1000 | 133 мг | NeleTUSHIй | 1 Гит | В.С. | 128m x 8 | SPI | 8 мс, 2,8 мс | ||||
| M29W640GT60NA6E | - | | 4286 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Поднос | Управо | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 48-tfsop (0,724 ", Ирина 18,40 мм) | M29W640 | Flash - нет | 2,7 В ~ 3,6 В. | 48-tsop i | СКАХАТА | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | NeleTUSHIй | 64 марта | 60 млн | В.С. | 8m x 8, 4m x 16 | Парлель | 60ns | ||||
 | MT53E256M16D1DS-046 AIT: b | - | | 3212 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Автомобиль, AEC-Q100 | Поднос | Управо | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | MT53E256 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1,1 В. | - | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | MT53E256M16D1DS-046AIT: b | Управо | 1360 | 2,133 Гер | Nestabilnый | 4 Гит | Ддрам | 256 м x 16 | - | - | ||||||||
 | MT46V128M4P-5B: F Tr | - | | 3133 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Пефер | 66-tssop (0,400 ", ширина 10,16 мм) | MT46V128M4 | SDRAM - DDR | 2,5 В ~ 2,7 В. | 66-tsop | СКАХАТА | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | Ear99 | 8542.32.0024 | 1000 | 200 мг | Nestabilnый | 512 мб | 700 с | Ддрам | 128m x 4 | Парлель | 15NS | |||
| MT53B384M32D2DS-062 AAT: b | - | | 7049 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Автомобиль, AEC-Q100 | Поднос | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Пефер | 200-WFBGA | MT53B384 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1,1 В. | 200-WFBGA (10x14,5) | - | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | Ear99 | 8542.32.0036 | 1360 | 1,6 -е | Nestabilnый | 12 gbiot | Ддрам | 384M x 32 | - | - | ||||
| MT48LC32M8A2TG-6A: d | - | | 3089 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Коробка | Пркрэно | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Пефер | 54-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) | MT48LC32M8A2 | SDRAM | 3 В ~ 3,6 В. | 54-TSOP II | СКАХАТА | Rohs | 2 (1 годы) | DOSTISH | Ear99 | 8542.32.0024 | 1000 | 167 мг | Nestabilnый | 256 мб | 5,4 млн | Ддрам | 32 м х 8 | Парлель | 12NS | |||
| MT46V64M4TG-6T: G TR | - | | 4664 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Пефер | 66-tssop (0,400 ", ширина 10,16 мм) | MT46V64M4 | SDRAM - DDR | 2,3 В ~ 2,7 В. | 66-tsop | СКАХАТА | Rohs | 2 (1 годы) | DOSTISH | Ear99 | 8542.32.0024 | 1000 | 167 мг | Nestabilnый | 256 мб | 700 с | Ддрам | 64M x 4 | Парлель | 15NS | |||
 | MT48H32M16LFB4-75 IT: c | - | | 6387 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Поднос | Управо | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 54-VFBGA | MT48H32M16 | SDRAM - Mobile LPSDR | 1,7 В ~ 1,95 В. | 54-VFBGA (8x8) | СКАХАТА | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | Ear99 | 8542.32.0028 | 1000 | 133 мг | Nestabilnый | 512 мб | 5,4 млн | Ддрам | 32 м х 16 | Парлель | 15NS | |||
| MT46V128M8P-6T: a | - | | 5298 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Поднос | Управо | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Пефер | 66-tssop (0,400 ", ширина 10,16 мм) | MT46V128M8 | SDRAM - DDR | 2,3 В ~ 2,7 В. | 66-tsop | СКАХАТА | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | MT46V128M8P-6TA | Ear99 | 8542.32.0032 | 1000 | 167 мг | Nestabilnый | 1 Гит | 700 с | Ддрам | 128m x 8 | Парлель | 15NS | ||
| MT49H16M18FM-25 Tr | - | | 1011 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Пефер | 144-TFBGA | MT49H16M18 | Ддрам | 1,7 В ~ 1,9 В. | 144 мкгга (18,5x11) | СКАХАТА | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | 3A991B2A | 8542.32.0036 | 1000 | 400 мг | Nestabilnый | 288 мб | 20 млн | Ддрам | 16m x 18 | Парлель | - | |||
 | N25Q064A13E12H0F Tr | - | | 9424 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 24-TBGA | N25Q064A13 | Flash - нет | 2,7 В ~ 3,6 В. | 24-T-PBGA (6x8) | СКАХАТА | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2500 | 108 мг | NeleTUSHIй | 64 марта | В.С. | 16m x 4 | SPI | 8 мс, 5 мс | ||||
 | MT46H32M32LFCM-6 IT: Tr | - | | 9446 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 90-VFBGA | MT46H32M32 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1,7 В ~ 1,95 В. | 90-VFBGA (10x13) | СКАХАТА | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | Ear99 | 8542.32.0032 | 1000 | 166 мг | Nestabilnый | 1 Гит | 5 млн | Ддрам | 32 м x 32 | Парлель | 15NS | |||
 | MTFC16GJDDQ-4M IT | - | | 9831 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | МАССА | Управо | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 100-lbga | MTFC16G | Flash - nand | 1,65, ~ 3,6 В. | 100-lbga (14x18) | - | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | NeleTUSHIй | 128 Гит | В.С. | 16G x 8 | MMC | - | |||||
| MT60B2G8HB-48B IT: Tr | 18.2400 | | 5805 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Пефер | 82-VFBGA | SDRAM - DDR5 | - | 82-VFBGA (9x11) | - | 557-MT60B2G8HB-48BIT: ATR | 3000 | 2,4 -е | Nestabilnый | 16 -й Гит | 16 млн | Ддрам | 2G x 8 | Капсул | - | ||||||||
| MT44K32M36RB-107E: A Tr | 64 4550 | | 5584 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Актифен | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Пефер | 168-TBGA | MT44K32M36 | Rldram 3 | 1,28 В ~ 1,42 В. | 168-BGA (13,5x13,5) | СКАХАТА | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | Ear99 | 8542.32.0036 | 1000 | 933 мг | Nestabilnый | 1125 Гит | 8 млн | Ддрам | 32 м х 36 | Парлель | - | |||
| M29F800FB55M3E2 | - | | 2447 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Поднос | Управо | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Пефер | 44-soic (0,496 ", шIrINA 12,60 мм) | M29F800 | Flash - нет | 4,5 n 5,5. | 44-то | СКАХАТА | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | Ear99 | 8542.32.0071 | 40 | NeleTUSHIй | 8 марта | 55 м | В.С. | 1m x 8, 512k x 16 | Парлель | 55NS | ||||
 | Rd48f3000p0zbqea | - | | 4271 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Axcell ™ | Поднос | Управо | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Пефер | 88-TFBGA, CSPBGA | RD48F3000 | Flash - нет | 1,7 В ~ 2 В. | 88-SCSP (8x10) | СКАХАТА | Rohs | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | -Rd48f3000p0zbqea | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 300 | 52 мг | NeleTUSHIй | 128 мб | 65 м | В.С. | 8m x 16 | Парлель | 65NS |
2000+
Средний объем RFQ
30 000 000
Стандартный продукт
2800+
Мировые производители
15 000 м2
На складе
Список желаний (0 пунктов)