SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Eccn Htsus Станодар ТАКТОВА ТИП ПАМАТИ Raзmerpmayti Вернее Формат пэмаи Органихая ИНЕРФЕРСП Верный
MT58L128V32P1T-7.5 Micron Technology Inc. MT58L128V32P1T-7.5 4.9100
RFQ
ECAD 30 0,00000000 Micron Technology Inc. Syncburst ™ МАССА Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 100-LQFP SRAM - Станодар 3,135 ЕГО 3,6 В. 100-TQFP (14x20,1) СКАХАТА Rohs 3 (168 чASOW) Продан 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 мг Nestabilnый 4 марта 4 млн Шram 128K x 32 Парлель -
MT58L256L32FS-10 Micron Technology Inc. MT58L256L32FS-10 15.6800
RFQ
ECAD 3 0,00000000 Micron Technology Inc. Syncburst ™ МАССА Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 100-LQFP SRAM - Станодар 3,135 ЕГО 3,6 В. 100-TQFP (14x20,1) СКАХАТА Rohs 3 (168 чASOW) Продан 3A991B2A 8542.32.0041 1 66 мг Nestabilnый 8 марта 10 млн Шram 256K x 32 Парлель -
MT58L64L18DT-10 Micron Technology Inc. MT58L64L18DT-10 7.0500
RFQ
ECAD 5 0,00000000 Micron Technology Inc. Syncburst ™ МАССА Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 100-LQFP SRAM - Станодар 3,135 ЕГО 3,6 В. 100-TQFP (14x20,1) СКАХАТА Rohs 3 (168 чASOW) Продан 3A991B2B 8542.32.0041 500 100 мг Nestabilnый 1 март 5 млн Шram 64K x 18 Парлель -
MT58L512V18PT-6 Micron Technology Inc. MT58L512V18PT-6 8.9300
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Micron Technology Inc. Syncburst ™ МАССА Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 100-LQFP SRAM - Станодар 3,135 ЕГО 3,6 В. 100-TQFP (14x20,1) СКАХАТА Rohs 3 (168 чASOW) Продан 3A991B2A 8542.32.0041 1 166 мг Nestabilnый 8 марта 3,5 млн Шram 512K x 18 Парлель -
MT58L64L32DT-7.5 Micron Technology Inc. MT58L64L32DT-7.5 5.3200
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Micron Technology Inc. Syncburst ™ МАССА Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 100-LQFP SRAM - Станодар 3,135 ЕГО 3,6 В. 100-TQFP (14x20,1) СКАХАТА Rohs 3 (168 чASOW) Продан 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 мг Nestabilnый 2 марта 4 млн Шram 64K x 32 Парлель -
MT58L256L18P1T-10 Micron Technology Inc. MT58L256L18P1T-10 6,4000
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Micron Technology Inc. Syncburst ™ МАССА Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 100-LQFP SRAM - Станодар 3,135 ЕГО 3,6 В. 100-TQFP (14x20,1) СКАХАТА Rohs 3 (168 чASOW) Продан 3A991B2A 8542.32.0041 1 100 мг Nestabilnый 4 марта 5 млн Шram 256K x 18 Парлель -
MT58L128L36F1T-8.5 Micron Technology Inc. MT58L128L36F1T-8.5 4.9600
RFQ
ECAD 13 0,00000000 Micron Technology Inc. Syncburst ™ МАССА Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 100-LQFP SRAM - Станодар 3,135 ЕГО 3,6 В. 100-TQFP (14x20,1) СКАХАТА Rohs 3 (168 чASOW) Продан 3A991B2A 8542.32.0041 1 100 мг Nestabilnый 4 марта 8,5 млн Шram 128K x 36 Парлель -
MT58L256V36PT-7.5 Micron Technology Inc. MT58L256V36PT-7.5 8.9300
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Micron Technology Inc. Syncburst ™ МАССА Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 100-LQFP SRAM - Станодар 3,135 ЕГО 3,6 В. 100-TQFP (14x20,1) СКАХАТА Rohs 3 (168 чASOW) Продан 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 мг Nestabilnый 8 марта 4 млн Шram 256K x 36 Парлель -
MT57W1MH18JF-7.5 Micron Technology Inc. MT57W1MH18JF-7.5 25.3300
RFQ
ECAD 58 0,00000000 Micron Technology Inc. - МАССА Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 165-TBGA MT57W1MH SRAM - DDR2 1,7 В ~ 1,9 В. 165-FBGA (13x15) СКАХАТА Rohs 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 мг Nestabilnый 18 марта 7,5 млн Шram 1m x 18 Парлель -
MT55L256V36PT-6 Micron Technology Inc. MT55L256V36PT-6 8.2400
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Micron Technology Inc. ZBT® МАССА Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 100-LQFP SRAM - ZBT 3.135V ~ 3.465V 100-TQFP (14x20,1) СКАХАТА Rohs 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 1 166 мг Nestabilnый 8 марта 3,5 млн Шram 256K x 36 Парлель -
MT58L64L36DT-7.5 Micron Technology Inc. MT58L64L36DT-7.5 5.5100
RFQ
ECAD 4 0,00000000 Micron Technology Inc. Syncburst ™ МАССА Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 100-LQFP MT58L64L36 Шram 3,135 ЕГО 3,6 В. 100-TQFP (14x20,1) СКАХАТА Rohs 3 (168 чASOW) Продан 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 мг Nestabilnый 2 марта 4 млн Шram 64K x 36 Парлель -
MT58L512L18PS-7.5 Micron Technology Inc. MT58L512L18PS-7.5 5.8700
RFQ
ECAD 18 0,00000000 Micron Technology Inc. Syncburst ™ МАССА Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 100-LQFP MT58L512L18 SRAM - Синронн 3,135 ЕГО 3,6 В. 100-TQFP (14x20,1) СКАХАТА Rohs 3 (168 чASOW) Продан 3A991B2A 8542.32.0041 500 133 мг Nestabilnый 8 марта 4 млн Шram 512K x 18 Парлель -
MT58L64L36PT-10 Micron Technology Inc. MT58L64L36PT-10 4.4300
RFQ
ECAD 17 0,00000000 Micron Technology Inc. Syncburst ™ МАССА Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 100-LQFP SRAM - Станодар 3,135 ЕГО 3,6 В. 100-TQFP (14x20,1) СКАХАТА Rohs 3 (168 чASOW) Продан 3A991B2A 8542.32.0041 500 100 мг Nestabilnый 2 марта 5 млн Шram 64K x 36 Парлель -
MT58V512V36FT-8.5 Micron Technology Inc. MT58V512V36FT-8.5 18.7900
RFQ
ECAD 580 0,00000000 Micron Technology Inc. Syncburst ™ МАССА Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 100-LQFP SRAM - Станодар 2 375 $ 2625 100-TQFP (14x20,1) СКАХАТА Rohs 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 1 Nestabilnый 18 марта Шram 512K x 36 Парлель -
MT58V1MV18FT-7.5 Micron Technology Inc. MT58V1MV18FT-7.5 18.7900
RFQ
ECAD 154 0,00000000 Micron Technology Inc. Syncburst ™ МАССА Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 100-LQFP SRAM - Станодар 2 375 $ 2625 100-TQFP (14x20,1) СКАХАТА Rohs 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 1 Nestabilnый 18 марта Шram 1m x 18 Парлель -
MT55L512Y36PT-6 Micron Technology Inc. MT55L512Y36PT-6 18.9400
RFQ
ECAD 424 0,00000000 Micron Technology Inc. ZBT® МАССА Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 100-LQFP MT55L512Y Sram - acynхroannnый, zbt 3.135V ~ 3.465V 100-TQFP (14x20,1) СКАХАТА Rohs 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 1 166 мг Nestabilnый 18 марта 3,5 млн Шram 512K x 36 Парлель -
MT58L128L32P1F-7.5 Micron Technology Inc. MT58L128L32P1F-7.5 7.5200
RFQ
ECAD 420 0,00000000 Micron Technology Inc. Syncburst ™ МАССА Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 165-TBGA SRAM - Станодар 3,135 ЕГО 3,6 В. 165-FBGA (13x15) СКАХАТА Rohs 3 (168 чASOW) Продан 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 мг Nestabilnый 4 марта 4 млн Шram 128K x 32 Парлель -
MT58L128L32P1T-6 Micron Technology Inc. MT58L128L32P1T-6 4.8600
RFQ
ECAD 16 0,00000000 Micron Technology Inc. Syncburst ™ МАССА Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 100-LQFP MT58L128L32 Шram 3,135 ЕГО 3,6 В. 100-TQFP (14x20,1) СКАХАТА Rohs 3 (168 чASOW) Продан 3A991B2A 8542.32.0041 500 166 мг Nestabilnый 4 марта 3,5 млн Шram 128K x 32 Парлель -
MT58L128L36D1T-10 Micron Technology Inc. MT58L128L36D1T-10 6.5300
RFQ
ECAD 324 0,00000000 Micron Technology Inc. Syncburst ™ МАССА Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 100-LQFP SRAM - Станодар 3,135 ЕГО 3,6 В. 100-TQFP (14x20,1) СКАХАТА Rohs 3 (168 чASOW) Продан 3A991B2A 8542.32.0041 1 100 мг Nestabilnый 4 марта 5 млн Шram 128K x 36 Парлель -
MT58L256L36PS-6 Micron Technology Inc. MT58L256L36PS-6 5.1400
RFQ
ECAD 81 0,00000000 Micron Technology Inc. Syncburst ™ МАССА Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 100-LQFP SRAM - Станодар 3,135 ЕГО 3,6 В. 100-TQFP (14x20,1) СКАХАТА Rohs 3 (168 чASOW) Продан 3A991B2A 8542.32.0041 1 166 мг Nestabilnый 8 марта 3,5 млн Шram 256K x 36 Парлель -
MT54W2MH8BF-5 Micron Technology Inc. MT54W2MH8BF-5 33 0600
RFQ
ECAD 86 0,00000000 Micron Technology Inc. QDR® МАССА Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 165-TBGA SRAM - Синронн 1,7 В ~ 1,9 В. 165-FBGA (13x15) СКАХАТА Rohs 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 1 200 мг Nestabilnый 18 марта 450 с Шram 2m x 8 HSTL -
MT58L256L36PF-7.5 Micron Technology Inc. MT58L256L36PF-7.5 10.4200
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Micron Technology Inc. Syncburst ™ МАССА Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 165-TBGA SRAM - Станодар 3,135 ЕГО 3,6 В. 165-FBGA (13x15) СКАХАТА Rohs 3 (168 чASOW) Продан 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 мг Nestabilnый 8 марта 4 млн Шram 256K x 36 Парлель -
MT58L256L18P1T-5 Micron Technology Inc. MT58L256L18P1T-5 5.8700
RFQ
ECAD 16 0,00000000 Micron Technology Inc. Syncburst ™ МАССА Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 100-LQFP MT58L1MY18 Шram 3,135 ЕГО 3,6 В. 100-TQFP (14x20,1) СКАХАТА Rohs 3 (168 чASOW) Продан 3A991B2A 8542.32.0041 1 200 мг Nestabilnый 4 марта 2,8 млн Шram 256K x 18 Парлель -
MT55L128L32F1T-10 Micron Technology Inc. MT55L128L32F1T-10 5.9300
RFQ
ECAD 602 0,00000000 Micron Technology Inc. ZBT® МАССА Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 100-LQFP SRAM - ZBT 3.135V ~ 3.465V 100-TQFP (14x20,1) СКАХАТА Rohs 3 (168 чASOW) Продан 3A991B2A 8542.32.0041 1 100 мг Nestabilnый 4 марта 7,5 млн Шram 128K x 32 Парлель -
MT58L64L36FT-7.5 Micron Technology Inc. MT58L64L36FT-7.5 5.1700
RFQ
ECAD 11 0,00000000 Micron Technology Inc. Syncburst ™ МАССА Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 100-LQFP SRAM - Станодар 3,135 ЕГО 3,6 В. 100-TQFP (14x20,1) СКАХАТА Rohs 3 (168 чASOW) Продан 3A991B2A 8542.32.0041 1 113 мг Nestabilnый 2 марта 7,5 млн Шram 64K x 36 Парлель -
MT55L256L32PT-10IT Micron Technology Inc. MT55L256L32PT-10IT 9.9100
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Micron Technology Inc. ZBT® МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 100-LQFP SRAM - ZBT 3.135V ~ 3.465V 100-TQFP (14x20,1) СКАХАТА Rohs 3 (168 чASOW) Продан 3A991B2A 8542.32.0041 1 100 мг Nestabilnый 8 марта 5 млн Шram 256K x 32 Парлель -
MT54W2MH8JF-4 Micron Technology Inc. MT54W2MH8JF-4 25.3300
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Micron Technology Inc. QDR ™ МАССА Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 165-TBGA SRAM - Синронн 1,7 В ~ 1,9 В. 165-FBGA (13x15) СКАХАТА Rohs 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 1 250 мг Nestabilnый 18 марта 450 с Шram 2m x 8 HSTL -
MT55V512V32PT-6 Micron Technology Inc. MT55V512V32PT-6 17.3600
RFQ
ECAD 230 0,00000000 Micron Technology Inc. ZBT® МАССА Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 100-LQFP SRAM - ZBT 2 375 $ 2625 100-TQFP (14x20,1) СКАХАТА Rohs 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 1 166 мг Nestabilnый 18 марта 3,5 млн Шram 512K x 32 Парлель -
MT54W1MH18JF-4 Micron Technology Inc. MT54W1MH18JF-4 29 5300
RFQ
ECAD 55 0,00000000 Micron Technology Inc. QDR ™ МАССА Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 165-TBGA MT54W1MH SRAM - Quad Port, Синронн 1,7 В ~ 1,9 В. 165-FBGA (13x15) СКАХАТА Rohs 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 1 250 мг Nestabilnый 18 марта 4 млн Шram 1m x 18 Парлель -
MT57W512H36JF-4 Micron Technology Inc. MT57W512H36JF-4 28.0100
RFQ
ECAD 235 0,00000000 Micron Technology Inc. - МАССА Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 165-TBGA MT57W512H SRAM - DDR2 1,7 В ~ 1,9 В. 165-FBGA (13x15) СКАХАТА Rohs 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 1 250 мг Nestabilnый 18 марта 4 млн Шram 512K x 36 Парлель -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе