Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-components.com
Ибрагейн | Nomerprodookta | ЦEnы (DOLLARR) | Колист | Ecad | Колист | Вер (К.) | Млн | В припании | Упако | Степень Продукта | Rraboч -yemperatura | МОНТАНАНГИП | PakeT / KORPUES | Baзowый nomer prodikta | Тела | Napraheneee - posta | ПАКЕТИВАЕТСЯ | Техниль | Статус Ройс | Вернояж | Доусейн Статуса | Дрогин ИНЕНА | Eccn | Htsus | Станодар | ТАКТОВА | ТИП ПАМАТИ | Raзmerpmayti | Вернее | Формат пэмаи | Органихая | ИНЕРФЕРСП | Верный |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MT29F2G08ABBFAH4: F TR | - | ![]() | 9820 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Пефер | 63-VFBGA | MT29F2G08 | Flash - nand | 1,7 В ~ 1,95 В. | 63-VFBGA (9x11) | - | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | Управо | 0000.00.0000 | 1000 | NeleTUSHIй | 2 Гит | В.С. | 256 м х 8 | Парлель | - | |||||
![]() | MT28EW512ABA1HJS-0SIT TR | 8.4750 | ![]() | 1157 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 56-tfsop (0,724 ", Ирина 18,40 мм) | MT28EW512 | Flash - нет | 2,7 В ~ 3,6 В. | 56-geantrow | СКАХАТА | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1600 | NeleTUSHIй | 512 мб | 95 м | В.С. | 64m x 8, 32m x 16 | Парлель | 60ns | |||
![]() | 28153735 | - | ![]() | 8843 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | - | - | - | - | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | Управо | 0000.00.0000 | 500 | |||||||||||||||
MT29F4G16ABADAWP-AIT: D Tr | - | ![]() | 1710 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 48-tfsop (0,724 ", Ирина 18,40 мм) | MT29F4G16 | Flash - nand | 2,7 В ~ 3,6 В. | 48-tsop i | - | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1000 | NeleTUSHIй | 4 Гит | В.С. | 256 м x 16 | Парлель | - | |||||
![]() | EDB4432BBPA-1D-FR | - | ![]() | 4001 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Пефер | 168-WFBGA | EDB4432 | SDRAM - Mobile LPDDR2 | 1,14 В ~ 1,95. | 168-FBGA (12x12) | - | Rohs3 | Ear99 | 8542.32.0036 | 1000 | 533 мг | Nestabilnый | 4 Гит | Ддрам | 128m x 32 | Парлель | - | |||||
![]() | MT29C4G48MAAGBBAKS-48 WT TR | - | ![]() | 1303 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 137-VFBGA | MT29C4G48 | Flash - Nand, Mobile LPDRAM | 1,7 В ~ 1,95 В. | 137-VFBGA (13x10,5) | - | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1000 | 208 мг | NeleTUSHIй, neStabilnый | 4GBIT (NAND), 2GBIT (LPDRAM) | Flash, Ram | 512m x 8 (NAND), 64M x 32 (LPDRAM) | Парлель | - | ||||
![]() | MT29F8G16ADBDAH4: d | - | ![]() | 3016 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | МАССА | Управо | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Пефер | 63-VFBGA | MT29F8G16 | Flash - nand | 1,7 В ~ 1,95 В. | 63-VFBGA (9x11) | - | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1000 | NeleTUSHIй | 8 Гит | В.С. | 512M x 16 | Парлель | - | |||||
![]() | NAND512W3A2SN6F Tr | - | ![]() | 3147 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 48-tfsop (0,724 ", Ирина 18,40 мм) | NAND512 | Flash - nand | 2,7 В ~ 3,6 В. | 48 т | СКАХАТА | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1500 | NeleTUSHIй | 512 мб | 50 млн | В.С. | 64 м х 8 | Парлель | 50NS | |||
![]() | M50FW080NB5G | - | ![]() | 9285 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Поднос | Управо | -20 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 32-TFSOP (0,488 ", шIRINA 12,40 ММ) | M50FW080 | Flash - нет | 3 В ~ 3,6 В. | 32 т | - | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | Ear99 | 8542.32.0071 | 208 | 33 мг | NeleTUSHIй | 8 марта | 250 млн | В.С. | 1m x 8 | Парлель | - | ||
![]() | MT48LC16M8A2P-75 L: G TR | - | ![]() | 5674 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Пркрэно | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Пефер | 54-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) | MT48LC16M8A2 | SDRAM | 3 В ~ 3,6 В. | 54-TSOP II | СКАХАТА | Rohs3 | 2 (1 годы) | DOSTISH | Ear99 | 8542.32.0002 | 1000 | 133 мг | Nestabilnый | 128 мб | 5,4 млн | Ддрам | 16m x 8 | Парлель | 15NS | ||
![]() | MT29VZZCD9FQKPR-046 W.G9L TR | - | ![]() | 6914 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | MT29Vzzzcd9 | - | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | 557-MT29VZZZCD9FQKPR-046W.G9LTR | Управо | 2000 | ||||||||||||||||
![]() | MT46V128M4FN-75: D Tr | - | ![]() | 1244 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Пефер | 60-TFBGA | MT46V128M4 | SDRAM - DDR | 2,3 В ~ 2,7 В. | 60-FBGA (10x12,5) | - | Rohs | 5 (48 чASOW) | DOSTISH | Ear99 | 8542.32.0024 | 1000 | 133 мг | Nestabilnый | 512 мб | 750 с | Ддрам | 128m x 4 | Парлель | 15NS | ||
![]() | MT47H128M8B7-37E: a | - | ![]() | 7932 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Поднос | Пркрэно | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Пефер | 92-TFBGA | MT47H128M8 | SDRAM - DDR2 | 1,7 В ~ 1,9 В. | 92-FBGA (11x19) | СКАХАТА | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | Ear99 | 8542.32.0032 | 1000 | 267 мг | Nestabilnый | 1 Гит | 400 с | Ддрам | 128m x 8 | Парлель | 15NS | ||
MT29F1G08ABADAWP-E: D TR | - | ![]() | 1963 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Пефер | 48-tfsop (0,724 ", Ирина 18,40 мм) | MT29F1G08 | Flash - nand | 2,7 В ~ 3,6 В. | 48-tsop i | - | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | Управо | 0000.00.0000 | 1000 | NeleTUSHIй | 1 Гит | В.С. | 128m x 8 | Парлель | - | |||||
![]() | EDB4432BBBJ-1DAUT-FD | - | ![]() | 4257 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Поднос | Управо | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | Пефер | 134-WFBGA | EDB4432 | SDRAM - Mobile LPDDR2 | 1,14 В ~ 1,95. | 134-FBGA (10x11,5) | - | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | Ear99 | 8542.32.0036 | 2100 | 533 мг | Nestabilnый | 4 Гит | Ддрам | 128m x 32 | Парлель | - | |||
![]() | PC28F128P33B85D | - | ![]() | 3275 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash ™ | Поднос | Управо | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Пефер | 64-TBGA | PC28F128 | Flash - нет | 2,3 В ~ 3,6 В. | 64-айсибга (8x10) | СКАХАТА | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1800 | 52 мг | NeleTUSHIй | 128 мб | 85 м | В.С. | 8m x 16 | Парлель | 85ns | ||
![]() | MT46H32M32LFCG-6: a | - | ![]() | 5860 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Поднос | Управо | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Пефер | 152-VFBGA | MT46H32M32 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1,7 В ~ 1,95 В. | 152-VFBGA (14x14) | СКАХАТА | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | Ear99 | 8542.32.0032 | 1000 | 166 мг | Nestabilnый | 1 Гит | 5 млн | Ддрам | 32 м x 32 | Парлель | 15NS | ||
![]() | MT41DC11TW-V88A Tr | - | ![]() | 7892 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | MT41DC | - | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | Управо | 0000.00.0000 | 2000 | ||||||||||||||||
![]() | M29W640GB70ZA6EP | - | ![]() | 6312 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Поднос | Управо | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 48-TFBGA | M29W640 | Flash - нет | 2,7 В ~ 3,6 В. | 48-TFBGA (6x8) | СКАХАТА | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | -M29W640GB70ZA6EP | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 187 | NeleTUSHIй | 64 марта | 70 млн | В.С. | 8m x 8, 4m x 16 | Парлель | 70NS | ||
MT46H16M16LFBF-6: A TR | - | ![]() | 6278 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Пркрэно | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Пефер | 60-VFBGA | MT46H16M16 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1,7 В ~ 1,95 В. | 60-VFBGA (8x9) | СКАХАТА | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | Ear99 | 8542.32.0024 | 1000 | 166 мг | Nestabilnый | 256 мб | 5 млн | Ддрам | 16m x 16 | Парлель | 12NS | |||
MT46H64M16LFBF-5 IT: b | 7.8100 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Поднос | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 60-VFBGA | MT46H64M16 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1,7 В ~ 1,95 В. | 60-VFBGA (8x9) | СКАХАТА | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | Ear99 | 8542.32.0032 | 1782 | 200 мг | Nestabilnый | 1 Гит | 5 млн | Ддрам | 64 м х 16 | Парлель | 15NS | |||
![]() | M25P16-VMN6TPBA TR | - | ![]() | 2070 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) | M25P16 | Flash - нет | 2,7 В ~ 3,6 В. | 8 ТАКОГО | СКАХАТА | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | Ear99 | 8542.32.0071 | 2500 | 75 мг | NeleTUSHIй | 16 марта | В.С. | 2m x 8 | SPI | 15 мс, 5 мс | |||
![]() | MT48H16M32LFCM-75 IT: B TR | - | ![]() | 9457 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 90-VFBGA | MT48H16M32 | SDRAM - Mobile LPSDR | 1,7 В ~ 1,95 В. | 90-VFBGA (10x13) | СКАХАТА | Rohs3 | 2 (1 годы) | DOSTISH | Ear99 | 8542.32.0024 | 1000 | 133 мг | Nestabilnый | 512 мб | 5,4 млн | Ддрам | 16m x 32 | Парлель | 15NS | ||
MT48V8M32LFF5-8 It Tr | - | ![]() | 8310 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 90-VFBGA | MT48V8M32 | SDRAM - Mobile LPSDR | 2,3 В ~ 2,7 В. | 90-VFBGA (8x13) | - | Rohs | 2 (1 годы) | DOSTISH | Ear99 | 8542.32.0024 | 1000 | 125 мг | Nestabilnый | 256 мб | 7 млн | Ддрам | 8m x 32 | Парлель | 15NS | |||
![]() | MT28F640J3BS-115 GMET TR | - | ![]() | 1546 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 64-FBGA | MT28F640J3 | В.С. | 2,7 В ~ 3,6 В. | 64-FBGA (10x13) | СКАХАТА | Rohs3 | 2 (1 годы) | DOSTISH | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1000 | NeleTUSHIй | 64 марта | 115 м | В.С. | 8m x 8, 4m x 16 | Парлель | - | |||
MT48LC4M32B2F5-7 IT: G TR | - | ![]() | 3103 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 90-VFBGA | MT48LC4M32B2 | SDRAM | 3 В ~ 3,6 В. | 90-VFBGA (8x13) | СКАХАТА | Rohs | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | Ear99 | 8542.32.0002 | 1000 | 143 мг | Nestabilnый | 128 мб | 5,5 млн | Ддрам | 4m x 32 | Парлель | 14ns | |||
![]() | MT48LC4M16A2P-7E: G. | - | ![]() | 8890 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Поднос | Управо | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Пефер | 54-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) | MT48LC4M16A2 | SDRAM | 3 В ~ 3,6 В. | 54-TSOP II | СКАХАТА | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | MT48LC4M16A2P7EG | Ear99 | 8542.32.0002 | 1000 | 133 мг | Nestabilnый | 64 марта | 5,4 млн | Ддрам | 4m x 16 | Парлель | 14ns | |
![]() | MT29VZZZAD8HQKPR-053 W.G8C | - | ![]() | 2014 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | МАССА | Управо | MT29VZZZAD8 | - | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | Управо | 0000.00.0000 | 1520 | ||||||||||||||||
![]() | MT41K256M8DA-125 AAT: K. | 7.5500 | ![]() | 4354 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Автомобиль, AEC-Q100 | Поднос | Прохл | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Пефер | 78-TFBGA | MT41K256M8 | SDRAM - DDR3L | 1283 ЕГО 1,45 | 78-FBGA (8x10,5) | СКАХАТА | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | Ear99 | 8542.32.0036 | 1 | 800 мг | Nestabilnый | 2 Гит | 13,75 млн | Ддрам | 256 м х 8 | Парлель | - | ||
![]() | MT45W4MW16BFB-708 WT | - | ![]() | 7532 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Коробка | Пркрэно | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Пефер | 54-VFBGA | MT45W4MW16 | PSRAM (Psewdo sram) | 1,7 В ~ 1,95 В. | 54-VFBGA (6x9) | СКАХАТА | Rohs | 2 (1 годы) | DOSTISH | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2000 | Nestabilnый | 64 марта | 70 млн | Псром | 4m x 16 | Парлель | 70NS |
Средний объем RFQ
Стандартный продукт
Мировые производители
На складе