SIC
close

Ингрированансэпи (ICS) (10403)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Eccn Htsus Станодар ТАКТОВА ТИП ПАМАТИ Raзmerpmayti Вернее Формат пэмаи Органихая ИНЕРФЕРСП Верный
N25Q128A13ESEH0E Micron Technology Inc. N25Q128A13ESH0E -
RFQ
 ECAD 5148 0,00000000 Micron Technology Inc. - МАССА Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 8 SOIC (0,209 ", шIRINA 5,30 мм) N25Q128A13 Flash - нет 2,7 В ~ 3,6 В. 8 ТАКОГО - Rohs3 3 (168 чASOW) Управо 0000.00.0000 1800 108 мг NeleTUSHIй 128 мб В.С. 32 м x 4 SPI 8 мс, 5 мс
MT29F32G08ABCABH1-10:A Micron Technology Inc. MT29F32G08ABCABH1-10: a -
RFQ
 ECAD 8425 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 100-VBGA MT29F32G08 Flash - nand 2,7 В ~ 3,6 В. 100-VBGA (12x18) - Rohs3 3 (168 чASOW) 3A991B1A 8542.32.0071 1000 100 мг NeleTUSHIй 32 Гит В.С. 4G x 8 Парлель -
MT47H32M16CC-3E:B Micron Technology Inc. MT47H32M16CC-3E: b -
RFQ
 ECAD 7952 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 0 ° C ~ 85 ° C (TC) Пефер 84-TFBGA MT47H32M16 SDRAM - DDR2 1,7 В ~ 1,9 В. 84-FBGA (12x12,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 1000 333 мг Nestabilnый 512 мб 450 с Ддрам 32 м х 16 Парлель 15NS
MT46V32M16FN-75:C TR Micron Technology Inc. MT46V32M16FN-75: C Tr -
RFQ
 ECAD 8320 0,00000000 Micron Technology Inc. - Lenta и катахка (tr) Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 60-TFBGA MT46V32M16 SDRAM - DDR 2,3 В ~ 2,7 В. 60-FBGA (10x12,5) - Rohs 5 (48 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 1000 133 мг Nestabilnый 512 мб 750 с Ддрам 32 м х 16 Парлель 15NS
MT28F800B5WG-8 BET Micron Technology Inc. MT28F800B5WG-8 STARAKA -
RFQ
 ECAD 9896 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-tfsop (0,724 ", Ирина 18,40 мм) MT28F800B5 Flash - нет 4,5 n 5,5. 48-tsop i СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.32.0071 1000 NeleTUSHIй 8 марта 80 млн В.С. 1m x 8, 512k x 16 Парлель 80ns
MT29F16G16ADBCAH4-IT:C Micron Technology Inc. MT29F16G16ADBCAH4-IT: c -
RFQ
 ECAD 3223 0,00000000 Micron Technology Inc. - МАССА Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 63-VFBGA MT29F16G16 Flash - nand 2,7 В ~ 3,6 В. 63-VFBGA (9x11) - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 1260 NeleTUSHIй 16 -й Гит В.С. 1G x 16 Парлель -
MT46V64M8P-5B:J TR Micron Technology Inc. MT46V64M8P-5B: J Tr 4.4642
RFQ
 ECAD 1129 0,00000000 Micron Technology Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 66-tssop (0,400 ", ширин 10,16 мм) MT46V64M8 SDRAM - DDR 2,5 В ~ 2,7 В. 66-tsop СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 2000 200 мг Nestabilnый 512 мб 700 с Ддрам 64 м х 8 Парлель 15NS
MT29F2G08ABBFAH4-IT:F Micron Technology Inc. MT29F2G08ABBFAH4-IT: ф -
RFQ
 ECAD 9431 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 63-VFBGA MT29F2G08 Flash - nand 1,7 В ~ 1,95 В. 63-VFBGA (9x11) - Rohs3 3 (168 чASOW) Управо 0000.00.0000 1260 NeleTUSHIй 2 Гит В.С. 256 м х 8 Парлель -
M29W640GB70N3E Micron Technology Inc. M29W640GB70N3E -
RFQ
 ECAD 6044 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 48-tfsop (0,724 ", Ирина 18,40 мм) M29W640 Flash - нет 2,7 В ~ 3,6 В. 48-tsop i СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 96 NeleTUSHIй 64 марта 70 млн В.С. 8m x 8, 4m x 16 Парлель 70NS
MT53B768M32D4NQ-053 WT:B Micron Technology Inc. MT53B768M32D4NQ-053 WT: b -
RFQ
 ECAD 2625 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо -30 ° C ~ 85 ° C (TC) Пефер 200 VFBGA MT53B768 SDRAM - Mobile LPDDR4 1,1 В. 200 VFBGA (10x14,5) - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 1360 1866 г Nestabilnый 24 -gbiot Ддрам 768m x 32 - -
MT28F400B5SP-8 T Micron Technology Inc. MT28F400B5SP-8 T. -
RFQ
 ECAD 1122 0,00000000 Micron Technology Inc. - МАССА Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 44-soic (0,496 ", шIrINA 12,60 мм) MT28F400B5 Flash - нет 4,5 n 5,5. 44-то СКАХАТА Rohs3 2 (1 годы) DOSTISH Ear99 8542.32.0071 1000 NeleTUSHIй 4 марта 80 млн В.С. 512K x 8, 256K x 16 Парлель 80ns
MTFC64GAQAMEA-WT TR Micron Technology Inc. MTFC64GAQAMEA-WT TR -
RFQ
 ECAD 8668 0,00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ Lenta и катахка (tr) Актифен -25 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 153-WFBGA MTFC64 Flash - nand - 153-WFBGA (11,5x13) - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 1000 NeleTUSHIй 512 Гит В.С. 64G x 8 MMC -
MT41J128M8JP-125:G TR Micron Technology Inc. MT41J128M8JP-125: G Tr -
RFQ
 ECAD 4097 0,00000000 Micron Technology Inc. - Lenta и катахка (tr) Управо 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 78-TFBGA MT41J128M8 SDRAM - DDR3 1425 ЕГО ~ 1575 a. 78-FBGA (8x11.5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) Ear99 8542.32.0036 1000 800 мг Nestabilnый 1 Гит Ддрам 128m x 8 Парлель -
MT48LC16M16A2P-75 L:D Micron Technology Inc. MT48LC16M16A2P-75 L: D. -
RFQ
 ECAD 7768 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 54-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) MT48LC16M16A2 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TSOP II СКАХАТА Rohs3 2 (1 годы) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 1000 133 мг Nestabilnый 256 мб 5,4 млн Ддрам 16m x 16 Парлель 15NS
MT28F800B3WG-9 B Micron Technology Inc. MT28F800B3WG-9B -
RFQ
 ECAD 2295 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 48-tfsop (0,724 ", Ирина 18,40 мм) MT28F800B3 Flash - нет 3 В ~ 3,6 В. 48-tsop i СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.32.0071 1000 NeleTUSHIй 8 марта 90 млн В.С. 1m x 8, 512k x 16 Парлель 90ns
MT28F004B3VG-8 BET TR Micron Technology Inc. MT28F004B3VG-8 BET TR -
RFQ
 ECAD 6630 0,00000000 Micron Technology Inc. - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 40-tfsop (0,724 ", Ирина 18,40 мм) MT28F004B3 Flash - нет 3 В ~ 3,6 В. 40-tsop i СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.32.0071 1000 NeleTUSHIй 4 марта 80 млн В.С. 512K x 8 Парлель 80ns
MTFC4GGQDQ-IT Micron Technology Inc. MTFC4GGQDQ-IT -
RFQ
 ECAD 9042 0,00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) - - MTFC4 Flash - nand 2,7 В ~ 3,6 В. - - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 1000 NeleTUSHIй 32 Гит В.С. 4G x 8 MMC -
MT48LC8M32B2TG-7 IT TR Micron Technology Inc. MT48LC8M32B2TG-7 It Tr -
RFQ
 ECAD 9249 0,00000000 Micron Technology Inc. - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 86-tfsop (0,400 ", ширин 10,16 мм) MT48LC8M32B2 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 86-tsop II СКАХАТА Rohs 2 (1 годы) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 1000 143 мг Nestabilnый 256 мб 6 м Ддрам 8m x 32 Парлель 14ns
MT29C4G96MAZBACJG-5 IT Micron Technology Inc. Mt29c4g96mazbacjg-5 it -
RFQ
 ECAD 3379 0,00000000 Micron Technology Inc. - МАССА Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 168-VFBGA MT29C4G96 Flash - Nand, Mobile LPDRAM 1,7 В ~ 1,95 В. 168-VFBGA (12x12) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 3A991B1A 8542.32.0071 1000 200 мг NeleTUSHIй, neStabilnый 4GBIT (NAND), 4GBIT (LPDRAM) Flash, Ram 256 м х 16 (NAND), 128M x 32 (LPDRAM) Парлель -
MT29F1G08ABBDAH4-ITX:D Micron Technology Inc. MT29F1G08ABBDAH4-ITX: D. -
RFQ
 ECAD 1139 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 63-VFBGA MT29F1G08 Flash - nand 1,7 В ~ 1,95 В. 63-VFBGA (9x11) - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 1260 NeleTUSHIй 1 Гит В.С. 128m x 8 Парлель -
MT53D384M64D4KA-046 XT:E Micron Technology Inc. MT53D384M64D4KA-046 XT: e 36.7950
RFQ
 ECAD 3804 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Актифен -30 ° C ~ 105 ° C (TC) - - MT53D384 SDRAM - Mobile LPDDR4 1,1 В. - - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 1140 2,133 Гер Nestabilnый 24 -gbiot Ддрам 384M x 64 - -
MT49H16M36SJ-18:B TR Micron Technology Inc. MT49H16M36SJ-18: B Tr 53 2200
RFQ
 ECAD 2627 0,00000000 Micron Technology Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 144-TFBGA MT49H16M36 Ддрам 1,7 В ~ 1,9 В. 144-FBGA (18,5x11) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0028 1000 533 мг Nestabilnый 576 мб 15 млн Ддрам 16m x 36 Парлель -
MT28F400B5WG-8 TET Micron Technology Inc. MT28F400B5WG-8 TET -
RFQ
 ECAD 4578 0,00000000 Micron Technology Inc. - МАССА Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-tfsop (0,724 ", Ирина 18,40 мм) MT28F400B5 Flash - нет 4,5 n 5,5. 48-tsop i СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.32.0071 1000 NeleTUSHIй 4 марта 80 млн В.С. 512K x 8, 256K x 16 Парлель 80ns
MT46H16M32LFCX-5:B Micron Technology Inc. MT46H16M32LFCX-5: b -
RFQ
 ECAD 4097 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 90-VFBGA MT46H16M32 SDRAM - Mobile LPDDR 1,7 В ~ 1,95 В. 90-VFBGA (9x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 1000 200 мг Nestabilnый 512 мб 5 млн Ддрам 16m x 32 Парлель 15NS
MT48LC16M16A2P-6A AIT:G Micron Technology Inc. MT48LC16M16A2P-6A AIT: G. -
RFQ
 ECAD 7293 0,00000000 Micron Technology Inc. Автомобиль, AEC-Q100 МАССА Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) MT48LC16M16A2 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 1080 167 мг Nestabilnый 256 мб 5,4 млн Ддрам 16m x 16 Парлель 12NS
MT29F64G08AECABH1-10IT:A Micron Technology Inc. MT29F64G08AECABH1-10IT: a -
RFQ
 ECAD 6855 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 100-VBGA MT29F64G08 Flash - nand 2,7 В ~ 3,6 В. 100-VBGA (12x18) - Rohs3 3 (168 чASOW) 3A991B1A 8542.32.0071 1000 100 мг NeleTUSHIй 64 Гит В.С. 8G x 8 Парлель -
MT29F2G08ABBGAH4-IT:G Micron Technology Inc. MT29F2G08ABBGAH4-IT: G. 2.8500
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 63-VFBGA MT29F2G08 Flash - nand 1,7 В ~ 1,95 В. 63-VFBGA (9x11) - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 1260 NeleTUSHIй 2 Гит В.С. 256 м х 8 Парлель -
MT46V128M4FN-75Z:D TR Micron Technology Inc. MT46V128M4FN-75Z: D Tr -
RFQ
 ECAD 3196 0,00000000 Micron Technology Inc. - Lenta и катахка (tr) Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 60-TFBGA MT46V128M4 SDRAM - DDR 2,3 В ~ 2,7 В. 60-FBGA (10x12,5) - Rohs 5 (48 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 1000 133 мг Nestabilnый 512 мб 750 с Ддрам 128m x 4 Парлель 15NS
MT46V32M16TG-6T:C TR Micron Technology Inc. MT46V32M16TG-6T: C TR -
RFQ
 ECAD 8804 0,00000000 Micron Technology Inc. - Lenta и катахка (tr) Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 66-tssop (0,400 ", ширин 10,16 мм) MT46V32M16 SDRAM - DDR 2,3 В ~ 2,7 В. 66-tsop - Rohs 4 (72 чACA) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 1000 167 мг Nestabilnый 512 мб 700 с Ддрам 32 м х 16 Парлель 15NS
MT46V32M16TG-75 IT:C TR Micron Technology Inc. MT46V32M16TG-75 IT: C TR -
RFQ
 ECAD 6391 0,00000000 Micron Technology Inc. - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 66-tssop (0,400 ", ширин 10,16 мм) MT46V32M16 SDRAM - DDR 2,3 В ~ 2,7 В. 66-tsop - Rohs 4 (72 чACA) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 1000 133 мг Nestabilnый 512 мб 750 с Ддрам 32 м х 16 Парлель 15NS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть