SIC
close

Ингрированансэпи (ICS) (10403)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (Dollar) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Eccn Htsus Станодадж ТАКТОВА ТИП ПАМАТИ Raзmerpmayti Вернее Формат пэмаи Органихая ИНЕРФЕРСП Верный
MT46V16M16TG-75 L:F TR Micron Technology Inc. MT46V16M16TG-75 L: F TR -
RFQ
 ECAD 6116 0,00000000 Micron Technology Inc. - Lenta и катахка (tr) Пркрэно 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 66-tssop (0,400 ", ширин 10,16 мм) MT46V16M16 SDRAM - DDR 2,3 В ~ 2,7 В. 66-tsop СКАХАТА Rohs 2 (1 годы) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 1000 133 мг Nestabilnый 256 мб 750 с Ддрам 16m x 16 Парлель 15NS
MT48LC4M32B2B5-6A IT:L TR Micron Technology Inc. MT48LC4M32B2B5-6A IT: L TR -
RFQ
 ECAD 1444 0,00000000 Micron Technology Inc. - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 90-VFBGA MT48LC4M32B2 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 90-VFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 2000 167 мг Nestabilnый 128 мб 5,4 млн Ддрам 4m x 32 Парлель 12NS
M29F400BT90N1 Micron Technology Inc. M29F400BT90N1 -
RFQ
 ECAD 4956 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 48-tfsop (0,724 ", Ирина 18,40 мм) M29F400 Flash - нет 4,5 n 5,5. 48 т - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0071 96 NeleTUSHIй 4 марта 90 млн В.С. 512K x 8, 256K x 16 Парлель 90ns
MT29F4G08ABADAH4-AITX:D TR Micron Technology Inc. MT29F4G08ABADAH4-AITX: D TR 7.1900
RFQ
 ECAD 978 0,00000000 Micron Technology Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 63-VFBGA MT29F4G08 Flash - nand 2,7 В ~ 3,6 В. 63-VFBGA (9x11) - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 1000 NeleTUSHIй 4 Гит В.С. 512M x 8 Парлель -
MT29F4G01ADAGDSF-IT:G TR Micron Technology Inc. MT29F4G01ADAGDSF-IT: G TR -
RFQ
 ECAD 2132 0,00000000 Micron Technology Inc. - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 16 SOIC (0,295 ", Ирина 7,50 мм) MT29F4G01 Flash - nand 2,7 В ~ 3,6 В. 16-й - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 1000 NeleTUSHIй 4 Гит В.С. 4G x 1 SPI -
MT25QU256ABA8E14-1SIT Micron Technology Inc. MT25QU256ABA8E14-1SIT -
RFQ
 ECAD 6463 0,00000000 Micron Technology Inc. - МАССА Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 24-TBGA MT25QU256 Flash - нет 1,7 В ~ 2 В. 24-T-PBGA (6x8) СКАХАТА DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 1122 133 мг NeleTUSHIй 256 мб В.С. 32 м х 8 SPI 8 мс, 2,8 мс
MT46V64M8BN-75 IT:D Micron Technology Inc. MT46V64M8BN-75 IT: d -
RFQ
 ECAD 8561 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 60-TFBGA MT46V64M8 SDRAM - DDR 2,3 В ~ 2,7 В. 60-FBGA (10x12,5) - Rohs3 5 (48 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 1000 133 мг Nestabilnый 512 мб 750 с Ддрам 64 м х 8 Парлель 15NS
MT46V256M4TG-6T:A TR Micron Technology Inc. MT46V256M4TG-6T: A TR -
RFQ
 ECAD 9169 0,00000000 Micron Technology Inc. - Lenta и катахка (tr) Пркрэно 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 66-tssop (0,400 ", ширин 10,16 мм) MT46V256M4 SDRAM - DDR 2,3 В ~ 2,7 В. 66-tsop СКАХАТА Rohs 5 (48 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0032 1000 167 мг Nestabilnый 1 Гит 700 с Ддрам 256 м х 4 Парлель 15NS
MT29F128G08CBECBH6-12M:C TR Micron Technology Inc. MT29F128G08CBECBH6-12M: C TR -
RFQ
 ECAD 5450 0,00000000 Micron Technology Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 152-VBGA MT29F128G08 Flash - nand 2,7 В ~ 3,6 В. 152-VBGA (14x18) - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 1000 83 мг NeleTUSHIй 128 Гит В.С. 16G x 8 Парлель -
MT41K128M16JT-107G:K Micron Technology Inc. MT41K128M16JT-107G: K. -
RFQ
 ECAD 8688 0,00000000 Micron Technology Inc. - МАССА Управо 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA MT41K128M16 SDRAM - DDR3L 1283 ЕГО 1,45 96-FBGA (8x14) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 1368 933 мг Nestabilnый 2 Гит 20 млн Ддрам 128m x 16 Парлель -
MT28F128J3FS-12 MET Micron Technology Inc. MT28F128J3FS-12 MET -
RFQ
 ECAD 9381 0,00000000 Micron Technology Inc. - МАССА Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 64-FBGA MT28F128J3 В.С. 2,7 В ~ 3,6 В. 64-FBGA (10x13) СКАХАТА Rohs 2 (1 годы) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 1000 NeleTUSHIй 128 мб 120 млн В.С. 16m x 8, 8m x 16 Парлель -
MT48H16M32LFCM-6:B TR Micron Technology Inc. MT48H16M32LFCM-6: B Tr -
RFQ
 ECAD 8269 0,00000000 Micron Technology Inc. - Lenta и катахка (tr) Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 90-VFBGA MT48H16M32 SDRAM - Mobile LPSDR 1,7 В ~ 1,95 В. 90-VFBGA (10x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0024 1000 166 мг Nestabilnый 512 мб 5 млн Ддрам 16m x 32 Парлель 15NS
MT29F4G16ABBDAH4-IT:D Micron Technology Inc. MT29F4G16ABBDAH4-IT: D. -
RFQ
 ECAD 1736 0,00000000 Micron Technology Inc. - МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 63-VFBGA MT29F4G16 Flash - nand 1,7 В ~ 1,95 В. 63-VFBGA (9x11) - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 1260 NeleTUSHIй 4 Гит В.С. 256 м x 16 Парлель -
N25Q064A11EF640F TR Micron Technology Inc. N25Q064A11EF640F Tr -
RFQ
 ECAD 6243 0,00000000 Micron Technology Inc. - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 8-vdfn oTkrыTAIN N25Q064A11 Flash - нет 1,7 В ~ 2 В. 8-VDFPN (6x5) (MLP8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 4000 108 мг NeleTUSHIй 64 марта В.С. 16m x 4 SPI 8 мс, 5 мс
MT44K32M18RB-093E:B Micron Technology Inc. MT44K32M18RB-093E: b -
RFQ
 ECAD 6253 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 168-TBGA MT44K32M18 Ддрам 1,28 В ~ 1,42 В. 168-BGA (13,5x13,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0032 1190 1 066 ГОГ Nestabilnый 576 мб 8 млн Ддрам 32 м х 18 Парлель -
M29F002BB70K6E Micron Technology Inc. M29F002BB70K6E -
RFQ
 ECAD 6913 0,00000000 Micron Technology Inc. - Трубка Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 32-LCC (J-Lead) M29F002 Flash - нет 4,5 n 5,5. 32-PLCC (11,35x13,89) - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0071 32 NeleTUSHIй 2 марта 70 млн В.С. 256K x 8 Парлель 70NS
MT48LC2M32B2TG-6:G TR Micron Technology Inc. MT48LC2M32B2TG-6: G TR -
RFQ
 ECAD 1677 0,00000000 Micron Technology Inc. - Lenta и катахка (tr) Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 86-tfsop (0,400 ", ширин 10,16 мм) MT48LC2M32B2 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 86-tsop II СКАХАТА Rohs 2 (1 годы) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 1000 167 мг Nestabilnый 64 марта 5,5 млн Ддрам 2m x 32 Парлель 12NS
MT46V64M16TG-6T:A TR Micron Technology Inc. MT46V64M16TG-6T: A Tr -
RFQ
 ECAD 6784 0,00000000 Micron Technology Inc. - Lenta и катахка (tr) Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 66-tssop (0,400 ", ширин 10,16 мм) MT46V64M16 SDRAM - DDR 2,3 В ~ 2,7 В. 66-tsop СКАХАТА Rohs 5 (48 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0032 1000 167 мг Nestabilnый 1 Гит 700 с Ддрам 64 м х 16 Парлель 15NS
MT25QU256ABA1EW7-0SIT Micron Technology Inc. MT25QU256ABA1EW7-0SIT 64700
RFQ
 ECAD 11 0,00000000 Micron Technology Inc. - МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 8-wdfn otkrыtaina-o MT25QU256 Flash - нет 1,7 В ~ 2 В. 8-WPDFN (6x5) (MLP8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 2940 133 мг NeleTUSHIй 256 мб В.С. 32 м х 8 SPI 8 мс, 2,8 мс
M25PX32-VMP6FBA TR Micron Technology Inc. M25PX32-VMP6FBA TR -
RFQ
 ECAD 9179 0,00000000 Micron Technology Inc. - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 8-vdfn oTkrыTAIN M25PX32 Flash - нет 2,7 В ~ 3,6 В. 8-VDFPN (6x5) (MLP8) - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 4000 75 мг NeleTUSHIй 32 мб В.С. 4m x 8 SPI 15 мс, 5 мс
MT53D512M64D4NW-046 WT ES:E Micron Technology Inc. MT53D512M64D4NW-046 WT ES: E. -
RFQ
 ECAD 8283 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Актифен -30 ° C ~ 85 ° C (TC) Пефер 432-VFBGA MT53D512 SDRAM - Mobile LPDDR4 1,1 В. 432-VFBGA (15x15) - 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 1190 2,133 Гер Nestabilnый 32 Гит Ддрам 512M x 64 - -
JS28F128P33B85A Micron Technology Inc. JS28F128P33B85A -
RFQ
 ECAD 2913 0,00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TC) Пефер 56-tfsop (0,724 ", Ирина 18,40 мм) JS28F128P33 Flash - нет 2,3 В ~ 3,6 В. 56-geantrow СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 576 40 мг NeleTUSHIй 128 мб 85 м В.С. 8m x 16 Парлель 85ns
MT28F640J3RG-115 GMET TR Micron Technology Inc. MT28F640J3RG-115 GMET TR -
RFQ
 ECAD 2199 0,00000000 Micron Technology Inc. - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 56-tfsop (0,724 ", Ирина 18,40 мм) MT28F640J3 В.С. 2,7 В ~ 3,6 В. 56-geantrow СКАХАТА Rohs 2 (1 годы) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 1000 NeleTUSHIй 64 марта 115 м В.С. 8m x 8, 4m x 16 Парлель -
JS28F256P30BFA Micron Technology Inc. JS28F256P30BFA -
RFQ
 ECAD 7344 0,00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 56-tfsop (0,724 ", Ирина 18,40 мм) JS28F256P30 Flash - нет 1,7 В ~ 2 В. 56-geantrow СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0051 576 40 мг NeleTUSHIй 256 мб 110 млн В.С. 16m x 16 Парлель 110ns
MT46V256M4TG-6T:A Micron Technology Inc. MT46V256M4TG-6T: a -
RFQ
 ECAD 5031 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Пркрэно 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 66-tssop (0,400 ", ширин 10,16 мм) MT46V256M4 SDRAM - DDR 2,3 В ~ 2,7 В. 66-tsop СКАХАТА Rohs 5 (48 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0032 1000 167 мг Nestabilnый 1 Гит 700 с Ддрам 256 м х 4 Парлель 15NS
MT29F256G08CBCBBJ4-37ES:B TR Micron Technology Inc. MT29F256G08CBCBBJ4-37ES: B TR -
RFQ
 ECAD 7324 0,00000000 Micron Technology Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 132-VBGA MT29F256G08 Flash - nand (MLC) 2,7 В ~ 3,6 В. 132-VBGA (12x18) - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 1000 267 мг NeleTUSHIй 256 Гит В.С. 32G x 8 Парлель -
MT45W1MW16PAFA-85 WT TR Micron Technology Inc. MT45W1MW16PAFA-85 WT Tr -
RFQ
 ECAD 1323 0,00000000 Micron Technology Inc. - Lenta и катахка (tr) Пркрэно -30 ° C ~ 85 ° C (TC) Пефер 48-VFBGA MT45W1MW16 PSRAM (Psewdo sram) 1,7 В ~ 1,95 В. 48-VFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs 2 (1 годы) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 2000 Nestabilnый 16 марта 85 м Псром 1m x 16 Парлель 85ns
M29W128GL70ZA6F TR Micron Technology Inc. M29W128GL70ZA6F Tr -
RFQ
 ECAD 3661 0,00000000 Micron Technology Inc. - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 64-TBGA M29W128 Flash - нет 2,7 В ~ 3,6 В. 64-TBGA (10x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 2500 NeleTUSHIй 128 мб 70 млн В.С. 16m x 8, 8m x 16 Парлель 70NS
MT46V128M4TG-75E:D TR Micron Technology Inc. MT46V128M4TG-75E: D Tr -
RFQ
 ECAD 7090 0,00000000 Micron Technology Inc. - Lenta и катахка (tr) Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 66-tssop (0,400 ", ширин 10,16 мм) MT46V128M4 SDRAM - DDR 2,3 В ~ 2,7 В. 66-tsop - Rohs 4 (72 чACA) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 1000 133 мг Nestabilnый 512 мб 750 с Ддрам 128m x 4 Парлель 15NS
MT48LC2M32B2P-6A:J Micron Technology Inc. MT48LC2M32B2P-6A: J. -
RFQ
 ECAD 7518 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 86-tfsop (0,400 ", ширин 10,16 мм) MT48LC2M32B2 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 86-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 1080 167 мг Nestabilnый 64 марта 5,4 млн Ддрам 2m x 32 Парлель 12NS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть