- RFQ
- Категория
- Связаться с нами
Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-components.com
- китайский
- Английский
- Французский
- немецкий
- португальский
- испанский
- Русский
- Японский
- корейский
- арабский
- Ирландский
- Греческий
- турецкий
- Итальянский
- Датский
- румынский
- индонезийский
- чешский
- африкаанс
- Шведский
- Лак
- Баск
- Каталонский
- эсперанто
- хинди
- Лаос
- албанский
- Амхарский
- Армянский
- Азербайджани
- Белорус
- Бенгальский
- Боснийский
- болгарский
- Себуано
- Чичева
- Корсикан
- хорватский
- Голландский
- эстонский
- Филиппинец
- Финский
- фризский
- Галиц
- Грузинец
- Гуджарати
- Гаитянский
- Хауса
- Гавайский
- иврит
- Хмонг
- венгерский
- исландский
- Игбо
- Яванский
- Каннада
- Казах
- Кхмер
- Курдский
- Кыргиз
- латинский
- Латвиан
- литовский
- Люксембу ..
- македонский
- Малагасийский
- малайский
- Малаялам
- Мальтийский
- маори
- Маратхи
- Монгольский
- Бирманский
- Непальский
- норвежский
- Пушту
- Персидский
- Пенджаби
- сербский
- Сезото
- Сингальский
- словацкий
- словенский
- Сомалийский
- Самоан
- Шотландцы гэльские
- Шона
- Синди
- Сунданец
- суахили
- Таджик
- Тамильский
- телугу
- Тайский
- Украинский
- Урду
- Узбек
- вьетнамский
- валлийский
- Xhosa
- идиш
- Йоруба
- Зулу
- Kinyarwanda
- Татар
- Ария
- туркменский
- Уйгур
Ингрированансэпи (ICS) (10403)
| Ибрагейн | Nomerprodookta | ЦEnы (Dollar) | Колист | Ecad | Колист | Вер (К.) | Млн | В припании | Упако | Степень Продукта | Rraboч -yemperatura | МОНТАНАНГИП | PakeT / KORPUES | Baзowый nomer prodikta | Тела | Napraheneee - posta | ПАКЕТИВАЕТСЯ | Техниль | Статус Ройс | Вернояж | Доусейн Статуса | Дрогин ИНЕНА | Eccn | Htsus | Станодар | ТАКТОВА | ТИП ПАМАТИ | Raзmerpmayti | Вернее | Формат пэмаи | Органихая | ИНЕРФЕРСП | Верный |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT49H32M18CFM-25: b | - |  | 9062 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Поднос | Пркрэно | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Пефер | 144-TFBGA | MT49H32M18 | Ддрам | 1,7 В ~ 1,9 В. | 144 мкгга (18,5x11) | СКАХАТА | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | 3A991B2A | 8542.32.0028 | 1000 | 400 мг | Nestabilnый | 576 мб | 20 млн | Ддрам | 32 м х 18 | Парлель | - | ||
 | MT46V32M16TG-75Z: c | - | | 2174 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Поднос | Управо | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Пефер | 66-tssop (0,400 ", ширин 10,16 мм) | MT46V32M16 | SDRAM - DDR | 2,3 В ~ 2,7 В. | 66-tsop | - | Rohs | 4 (72 чACA) | DOSTISH | Ear99 | 8542.32.0024 | 1000 | 133 мг | Nestabilnый | 512 мб | 750 с | Ддрам | 32 м х 16 | Парлель | 15NS | ||
| MT42L256M64D4LD-18 WT: a | - | | 1275 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Поднос | Управо | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Пефер | 220-VFBGA | MT42L256M64 | SDRAM - Mobile LPDDR2 | 1,14 n 1,3 В. | 220-FBGA (14x14) | СКАХАТА | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | Ear99 | 8542.32.0036 | 1000 | 533 мг | Nestabilnый | 16 -й Гит | Ддрам | 256 м х 64 | Парлель | - | ||||
 | M25PX80-VMN6TP00 | - | | 3767 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Трубка | Управо | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) | M25PX80 | Flash - нет | 2,3 В ~ 3,6 В. | 8 ТАКОГО | - | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | Управо | 0000.00.0000 | 1000 | 75 мг | NeleTUSHIй | 8 марта | В.С. | 1m x 8 | SPI | 15 мс, 5 мс | ||||
 | MT46V16M16P-5B AIT: M TR | - | | 7946 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Автомобиль, AEC-Q101 | Lenta и катахка (tr) | Управо | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 66-tssop (0,400 ", ширин 10,16 мм) | MT46V16M16 | SDRAM - DDR | 2,3 В ~ 2,7 В. | 66-tsop | СКАХАТА | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | Ear99 | 8542.32.0036 | 1000 | 200 мг | Nestabilnый | 256 мб | 700 с | Ддрам | 16m x 16 | Парлель | 15NS | ||
| MT53D1G32D4NQ-062 WT: D TR | - | | 6997 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | MT53D1G32 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1,1 В. | - | 1 (neograniчennnый) | Управо | 0000.00.0000 | 2000 | 1,6 -е | Nestabilnый | 32 Гит | Ддрам | 1G x 32 | - | - | ||||||||
 | MT46H32M16LFBF-6 AAT: c | - | | 4334 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Автомобиль, AEC-Q100 | Поднос | Управо | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Пефер | 60-VFBGA | MT46H32M16 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1,7 В ~ 1,95 В. | 60-VFBGA (8x9) | - | DOSTISH | Ear99 | 8542.32.0028 | 1782 | 166 мг | Nestabilnый | 512 мб | 5 млн | Ддрам | 32 м х 16 | Парлель | 15NS | ||||
| MT29E512G08CUCDBJ6-6: D Tr | - | | 4966 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Пефер | - | MT29E512G08 | Flash - nand | 2,7 В ~ 3,6 В. | 132-LBGA (12x18) | - | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1000 | 167 мг | NeleTUSHIй | 512 Гит | В.С. | 64G x 8 | Парлель | - | ||||
 | Mtfc8gakajcn-4m it tr | - | | 8525 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Lenta и катахка (tr) | Управо | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 153-VFBGA | MTFC8 | Flash - nand | 2,7 В ~ 3,6 В. | 153-VFBGA (11,5x13) | - | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1000 | NeleTUSHIй | 64 Гит | В.С. | 8G x 8 | MMC | - | ||||
 | MT41K512M16HA-107: A TR | - | | 2789 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Пефер | 96-TFBGA | MT41K512M16 | SDRAM - DDR3L | 1283 ЕГО 1,45 | 96-FBGA (9x14) | - | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | MT41K512M16HA-107: ATR | Управо | 0000.00.0000 | 2000 | 933 мг | Nestabilnый | 8 Гит | 20 млн | Ддрам | 512M x 16 | Парлель | - | ||
 | MT29F4G08ABADAWP: D Tr | 5,6000 | | 6 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Актифен | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Пефер | 48-tfsop (0,724 ", Ирина 18,40 мм) | MT29F4G08 | Flash - nand | 2,7 В ~ 3,6 В. | 48-tsop i | - | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1000 | NeleTUSHIй | 4 Гит | В.С. | 512M x 8 | Парлель | - | ||||
| MT41K256M16V90BWC1 | - | | 1938 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | МАССА | Управо | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | - | - | MT41K256M16 | SDRAM - DDR3L | 1283 ЕГО 1,45 | - | - | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | Ear99 | 8542.32.0036 | 1 | Nestabilnый | 4 Гит | Ддрам | 256 м x 16 | Парлель | - | ||||
 | MT47H32M8BP-3: B Tr | - | | 3751 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Пефер | 60-FBGA | MT47H32M8B | SDRAM - DDR2 | 1,7 В ~ 1,9 В. | 60-FBGA (8x12) | СКАХАТА | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | Ear99 | 8542.32.0024 | 1000 | 333 мг | Nestabilnый | 256 мб | 450 с | Ддрам | 32 м х 8 | Парлель | 15NS | ||
 | MT29F2T08EMHAFJ4-3T: A TR | - | | 6216 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Пефер | 132-VBGA | MT29F2T08 | Flash - nand | 2,5 В ~ 3,6 В. | 132-VBGA (12x18) | - | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1000 | 333 мг | NeleTUSHIй | 2tbit | В.С. | 256G x 8 | Парлель | - | |||
 | MT35XU01GBBA3G12-0SIT TR | - | | 5143 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Xccela ™ - Mt35x | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C. | Пефер | 24-TBGA | MT35XU01 | Flash - нет | 1,7 В ~ 2 В. | 24-T-PBGA (6x8) | - | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2500 | 200 мг | NeleTUSHIй | 1 Гит | В.С. | 128m x 8 | Xccela Bus | - | |||
| MT29F64G08CBAAAL74A3WC1 | - | | 3547 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Поднос | Управо | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Пефер | Умират | MT29F64G08 | Flash - nand | 2,7 В ~ 3,6 В. | Умират | - | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | NeleTUSHIй | 64 Гит | В.С. | 8G x 8 | Парлель | - | |||||
| N25Q256A11E1241E | - | | 2922 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Поднос | Управо | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 24-TBGA | N25Q256A11 | Flash - нет | 1,7 В ~ 2 В. | 24-T-PBGA (6x8) | - | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 187 | 108 мг | NeleTUSHIй | 256 мб | В.С. | 64M x 4 | SPI | 8 мс, 5 мс | |||
| MT46V64M8P-5B: d | - | | 4066 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Поднос | Управо | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Пефер | 66-tssop (0,400 ", ширин 10,16 мм) | MT46V64M8 | SDRAM - DDR | 2,5 В ~ 2,7 В. | 66-tsop | - | Rohs3 | 4 (72 чACA) | DOSTISH | Ear99 | 8542.32.0024 | 1000 | 200 мг | Nestabilnый | 512 мб | 700 с | Ддрам | 64 м х 8 | Парлель | 15NS | ||
| MT29F1HT08ELHBBG1-3R: b | - | | 3576 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Поднос | Управо | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Пефер | 272-VFBGA | MT29F1HT08 | Flash - nand | 2,5 В ~ 3,6 В. | 272-VBGA (14x18) | - | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | Управо | 0000.00.0000 | 980 | 333 мг | NeleTUSHIй | 1,5tbit | В.С. | 192G x 8 | Парлель | - | ||||
| MT47H256M8EB-3: C Tr | - | | 2486 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Пефер | 60-TFBGA | MT47H256M8 | SDRAM - DDR2 | 1,7 В ~ 1,9 В. | 60-FBGA (9x11,5) | - | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | Управо | 0000.00.0000 | 1000 | 333 мг | Nestabilnый | 2 Гит | 450 с | Ддрам | 256 м х 8 | Парлель | 15NS | |||
 | MT48LC16M16A2BG-75: d | - | | 9512 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Поднос | Управо | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Пефер | 54-VFBGA | MT48LC16M16A2 | SDRAM | 3 В ~ 3,6 В. | 54-VFBGA (8x14) | СКАХАТА | Rohs3 | 2 (1 годы) | DOSTISH | Ear99 | 8542.32.0024 | 1000 | 133 мг | Nestabilnый | 256 мб | 5,4 млн | Ддрам | 16m x 16 | Парлель | 15NS | ||
 | MT53D512M32D2DS-046 AUT: D TR | - | | 7274 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Автомобиль, AEC-Q100 | Lenta и катахка (tr) | Прохл | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | Пефер | 200-WFBGA | MT53D512 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1,1 В. | 200-WFBGA (10x14,5) | - | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | Ear99 | 8542.32.0036 | 2000 | 2,133 Гер | Nestabilnый | 16 -й Гит | Ддрам | 512M x 32 | - | - | |||
 | MT29F128G08AMCABJ2-10Z: a | - | | 5916 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Поднос | Управо | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Пефер | 132-TBGA | MT29F128G08 | Flash - nand | 2,7 В ~ 3,6 В. | 132-TBGA (12x18) | - | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1000 | 100 мг | NeleTUSHIй | 128 Гит | В.С. | 16G x 8 | Парлель | - | ||||
| EDFA232A2PB-GD-FD | - | | 5773 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Поднос | Управо | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Пефер | - | EDFA232 | SDRAM - Mobile LPDDR3 | 1,14 В ~ 1,95. | 216-FBGA (12x12) | - | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | Управо | 0000.00.0000 | 1680 | 800 мг | Nestabilnый | 16 -й Гит | Ддрам | 512M x 32 | Парлель | - | ||||
 | M28W160CB70N6F Tr | - | | 4938 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 48-tfsop (0,724 ", Ирина 18,40 мм) | M28W160 | Flash - нет | 2,7 В ~ 3,6 В. | 48 т | СКАХАТА | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | Ear99 | 8542.32.0071 | 1500 | NeleTUSHIй | 16 марта | 70 млн | В.С. | 1m x 16 | Парлель | 70NS | |||
 | M28W320HSB70ZA6F Tr | - | | 3046 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 64-TFBGA | M28W320 | Flash - нет | 2,7 В ~ 3,6 В. | 64-TFBGA (10,5x6,39) | - | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2500 | NeleTUSHIй | 32 мб | 70 млн | В.С. | 2m x 16 | Парлель | 70NS | |||
| MT29F16G08ABACAWP-IT: C TR | - | | 8712 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 48-tfsop (0,724 ", Ирина 18,40 мм) | MT29F16G08 | Flash - nand | 2,7 В ~ 3,6 В. | 48-tsop i | - | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1000 | NeleTUSHIй | 16 -й Гит | В.С. | 2G x 8 | Парлель | - | |||||
| MTFC512GBCAVHE-WT | 63 8550 | | 3070 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Коробка | Актифен | - | 557-MTFC512GBCAVHE-WT | 1 | |||||||||||||||||||||
| MT52L1G32D4PG-093 WT ES: B | - | | 2029 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Поднос | Управо | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Пефер | 178-VFBGA | MT52L1G32 | SDRAM - Mobile LPDDR3 | 1,2 В. | 178-FBGA (12x11,5) | - | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | Управо | 0000.00.0000 | 1680 | 1067 мг | Nestabilnый | 32 Гит | Ддрам | 1G x 32 | - | - | ||||
| MT53D384M64D4FL-046 XT: e | - | | 7206 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Коробка | Актифен | -30 ° C ~ 105 ° C (TC) | MT53D384 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1,1 В. | - | DOSTISH | 0000.00.0000 | 1120 | 2,133 Гер | Nestabilnый | 24 -gbiot | Ддрам | 384M x 64 | - | - |
2000+
Средний объем RFQ
30 000 000
Стандартный продукт
2800+
Мировые производители
15 000 м2
На складе
Список желаний (0 пунктов)