- RFQ
- Категория
- Связаться с нами
Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-components.com
- китайский
- Английский
- Французский
- немецкий
- португальский
- испанский
- Русский
- Японский
- корейский
- арабский
- Ирландский
- Греческий
- турецкий
- Итальянский
- Датский
- румынский
- индонезийский
- чешский
- африкаанс
- Шведский
- Лак
- Баск
- Каталонский
- эсперанто
- хинди
- Лаос
- албанский
- Амхарский
- Армянский
- Азербайджани
- Белорус
- Бенгальский
- Боснийский
- болгарский
- Себуано
- Чичева
- Корсикан
- хорватский
- Голландский
- эстонский
- Филиппинец
- Финский
- фризский
- Галиц
- Грузинец
- Гуджарати
- Гаитянский
- Хауса
- Гавайский
- иврит
- Хмонг
- венгерский
- исландский
- Игбо
- Яванский
- Каннада
- Казах
- Кхмер
- Курдский
- Кыргиз
- латинский
- Латвиан
- литовский
- Люксембу ..
- македонский
- Малагасийский
- малайский
- Малаялам
- Мальтийский
- маори
- Маратхи
- Монгольский
- Бирманский
- Непальский
- норвежский
- Пушту
- Персидский
- Пенджаби
- сербский
- Сезото
- Сингальский
- словацкий
- словенский
- Сомалийский
- Самоан
- Шотландцы гэльские
- Шона
- Синди
- Сунданец
- суахили
- Таджик
- Тамильский
- телугу
- Тайский
- Украинский
- Урду
- Узбек
- вьетнамский
- валлийский
- Xhosa
- идиш
- Йоруба
- Зулу
- Kinyarwanda
- Татар
- Ария
- туркменский
- Уйгур
Ингрированансэпи (ICS) (10403)
| Ибрагейн | Nomerprodookta | ЦEnы (DOLLARR) | Колист | Ecad | Колист | Вер (К.) | Млн | В припании | Упако | Степень Продукта | Rraboч -yemperatura | МОНТАНАНГИП | PakeT / KORPUES | Nabahuvый nomer prodikta | Тела | Napraheneee - posta | ПАКЕТИВАЕТСЯ | Техниль | Статус Ройс | Вернояж | Доусейн Статуса | Дрогин ИНЕНА | Eccn | Htsus | Станодар | ТАКТОВА | ТИП ПАМАТИ | Raзmerpmayti | Вернее | Формат пэмаи | Органихая | ИНЕРФЕРСП | Верный |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT49H16M18SJ-25: b | - |  | 5356 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Поднос | Управо | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Пефер | 144-TFBGA | MT49H16M18 | Ддрам | 1,7 В ~ 1,9 В. | 144-FBGA (18,5x11) | СКАХАТА | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | 3A991B2A | 8542.32.0028 | 1000 | 400 мг | Nestabilnый | 288 мб | 20 млн | Ддрам | 16m x 18 | Парлель | - | ||
 | MTFC32GLTDM-WT | - | | 4998 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Поднос | Управо | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | - | MTFC32G | Flash - nand | 2,7 В ~ 3,6 В. | - | - | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1000 | NeleTUSHIй | 256 Гит | В.С. | 32G x 8 | MMC | - | |||||
| M28W320HST70ZA6E | - | | 1753 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Поднос | Управо | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 64-TBGA | M28W320 | Flash - нет | 2,7 В ~ 3,6 В. | 64-TBGA (10x13) | - | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 136 | NeleTUSHIй | 32 мб | 70 млн | В.С. | 2m x 16 | Парлель | 70NS | |||
 | MT48H16M32L2B5-8 | - | | 7469 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Коробка | Пркрэно | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Пефер | 90-VFBGA | MT48H16M32 | SDRAM - Mobile LPSDR | 1,7 В ~ 1,9 В. | 90-VFBGA (8x13) | СКАХАТА | Rohs3 | 2 (1 годы) | DOSTISH | Ear99 | 8542.32.0024 | 1000 | 125 мг | Nestabilnый | 512 мб | 7,5 млн | Ддрам | 16m x 32 | Парлель | - | ||
 | MT29F1G08ABAFAWP-ITE: F TR | - | | 6167 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 48-tfsop (0,724 ", Ирина 18,40 мм) | MT29F1G08 | Flash - nand | 2,7 В ~ 3,6 В. | 48-tsop i | - | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1000 | NeleTUSHIй | 1 Гит | В.С. | 128m x 8 | Парлель | - | ||||
 | MT53D384M32D2DS-046 AUT: C TR | - | | 4577 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Автомобиль, AEC-Q100 | Lenta и катахка (tr) | Управо | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | Пефер | 200-WFBGA | MT53D384 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1,1 В. | 200-WFBGA (10x14,5) | - | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | Управо | 0000.00.0000 | 2000 | 2,133 Гер | Nestabilnый | 12 gbiot | Ддрам | 384M x 32 | - | - | ||||
| M29W160EB7AN6F Tr | - | | 1526 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 48-tfsop (0,724 ", Ирина 18,40 мм) | M29W160 | Flash - нет | 2,7 В ~ 3,6 В. | 48-tsop i | СКАХАТА | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | Ear99 | 8542.32.0071 | 1500 | NeleTUSHIй | 16 марта | 70 млн | В.С. | 2m x 8, 1m x 16 | Парлель | 70NS | |||
 | MT53D512M32D2NP-046 AUT: D. | - | | 9156 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Автомобиль, AEC-Q100 | Поднос | Управо | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | Пефер | 200-WFBGA | MT53D512 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1,1 В. | 200-WFBGA (10x14,5) | - | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | Управо | 0000.00.0000 | 1360 | 2,133 Гер | Nestabilnый | 16 -й Гит | Ддрам | 512M x 32 | - | - | ||||
| MT53D384M32D2DS-053 WT: c | - | | 3524 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Поднос | Управо | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Пефер | 200-WFBGA | MT53D384 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1,1 В. | 200-WFBGA (10x14,5) | - | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | Управо | 0000.00.0000 | 1360 | 1866 г | Nestabilnый | 12 gbiot | Ддрам | 384M x 32 | - | - | ||||
 | MT58L256L36PS-7.5 | 10.4200 | | 69 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst ™ | МАССА | Актифен | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Пефер | 100-LQFP | SRAM - Станодар | 3,135 ЕГО 3,6 В. | 100-TQFP (14x20,1) | СКАХАТА | Rohs | 3 (168 чASOW) | Продан | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 500 | 133 мг | Nestabilnый | 8 марта | 4 млн | Шram | 256K x 36 | Парлель | - | |||
| MT53B256M32D1DS-062 AUT: C TR | - | | 2723 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Автомобиль, AEC-Q100 | Lenta и катахка (tr) | Управо | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | Пефер | 200-WFBGA | MT53B256 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1,1 В. | 200-WFBGA (10x14,5) | - | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | Ear99 | 8542.32.0036 | 2000 | 1,6 -е | Nestabilnый | 8 Гит | Ддрам | 256 м x 32 | - | - | |||
 | MT48LC8M16LFF4-75 IT: G. | - | | 9711 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Коробка | Пркрэно | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 54-VFBGA | MT48LC8M16 | SDRAM - Mobile LPSDR | 3 В ~ 3,6 В. | 54-VFBGA (8x8) | СКАХАТА | Rohs | 2 (1 годы) | DOSTISH | Ear99 | 8542.32.0002 | 1000 | 133 мг | Nestabilnый | 128 мб | 5,4 млн | Ддрам | 8m x 16 | Парлель | 15NS | ||
 | MT25QL01GBBB1EW9-0SIT | 17.9500 | | 2 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Поднос | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 8-wdfn otkrыtaina-o | MT25QL01 | Flash - нет | 2,7 В ~ 3,6 В. | 8-WPDFN (8x6) (MLP8) | СКАХАТА | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | -791-MT25QL01GBBB1EW9-0SIT | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1920 | 133 мг | NeleTUSHIй | 1 Гит | В.С. | 128m x 8 | SPI | 8 мс, 2,8 мс | ||
| MT29F256G08CBCBBWP-10ES: B TR | - | | 5515 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Актифен | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Пефер | 48-tfsop (0,724 ", Ирина 18,40 мм) | MT29F256G08 | Flash - nand (MLC) | 2,7 В ~ 3,6 В. | 48-tsop i | - | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1000 | 100 мг | NeleTUSHIй | 256 Гит | В.С. | 32G x 8 | Парлель | - | |||
| MT53E768M64D4SQ-046 WT: A TR | 73.1400 | | 9192 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | MT53E768 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1,1 В. | - | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | MT53E768M64D4SQ-046WT: Atr | 0000.00.0000 | 2000 | 2,133 Гер | Nestabilnый | 48 Гит | Ддрам | 768M x 64 | - | - | ||||||
| MT46H256M32R4JV-5 IT: B TR | - | | 7782 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 168-VFBGA | MT46H256M32 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1,7 В ~ 1,95 В. | 168-VFBGA (12x12) | СКАХАТА | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | Ear99 | 8542.32.0036 | 1000 | 200 мг | Nestabilnый | 8 Гит | 5 млн | Ддрам | 256 м x 32 | Парлель | 15NS | |||
 | MT29F256G08CBHBBJ4-3RES: B TR | - | | 9325 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Актифен | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Пефер | 132-VBGA | MT29F256G08 | Flash - nand (MLC) | 2,5 В ~ 3,6 В. | 132-VBGA (12x18) | - | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1000 | 333 мг | NeleTUSHIй | 256 Гит | В.С. | 32G x 8 | Парлель | - | |||
 | PC28F256P30BFR | - | | 6794 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash ™ | Поднос | Управо | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 64-TBGA | PC28F256 | Flash - нет | 1,7 В ~ 2 В. | 64-айсибга (10x13) | СКАХАТА | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 864 | 52 мг | NeleTUSHIй | 256 мб | 100 млн | В.С. | 16m x 16 | Парлель | 100ns | ||
| MT29F3T08EQHBBG2-3R: B Tr | - | | 7547 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Актифен | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Пефер | - | MT29F3T08 | Flash - nand | 2,5 В ~ 3,6 В. | 272-TBGA (14x18) | - | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1000 | 333 мг | NeleTUSHIй | 3tbit | В.С. | 384G x 8 | Парлель | - | |||
 | MT29F2T08CTCBBJ7-6C: b | - | | 9511 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Поднос | Управо | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Пефер | 152-LBGA | MT29F2T08 | Flash - nand | 2,7 В ~ 3,6 В. | 152-LBGA (14x18) | - | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 167 мг | NeleTUSHIй | 2tbit | В.С. | 256G x 8 | Парлель | - | ||||
 | MT28F800B5WG-8 T. | - | | 9359 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Поднос | Управо | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Пефер | 48-tfsop (0,724 ", Ирина 18,40 мм) | MT28F800B5 | Flash - нет | 4,5 n 5,5. | 48-tsop i | СКАХАТА | Rohs | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8542.32.0071 | 1000 | NeleTUSHIй | 8 марта | 80 млн | В.С. | 1m x 8, 512k x 16 | Парлель | 80ns | |||
 | MT53E256M32D2FW-046 AAT: b | 15.4950 | | 5679 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Автомобиль, AEC-Q100 | Коробка | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Пефер | 200-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1,06 В ~ 1,17 | 200 TFBGA (10x14.5) | СКАХАТА | 557-MT53E256M32D2FW-046AAT: b | 1 | 2,133 Гер | Nestabilnый | 8 Гит | 3,5 млн | Ддрам | 256 м x 32 | Парлель | 18ns | |||||||
| MT29F1T08EMCAGJ4-5M: a | - | | 7807 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Коробка | Управо | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Пефер | 132-VBGA | MT29F1T08 | Flash - nand | 2,5 В ~ 3,6 В. | 132-VBGA (12x18) | - | Управо | 1120 | NeleTUSHIй | 1tbit | В.С. | 128G x 8 | Парлель | |||||||||
| MT44K64M18RB-093F: a | - | | 3738 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Поднос | Управо | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Пефер | 168-TBGA | MT44K64M18 | Rldram 3 | 1,28 В ~ 1,42 В. | 168-BGA (13,5x13,5) | - | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8542.32.0036 | 1190 | 1 066 ГОГ | Nestabilnый | 1125 Гит | 7,5 млн | Ддрам | 64 м х 18 | Парлель | - | |||
| MT29F768G08EEHBBJ4-3RES: B Tr | - | | 1910 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Актифен | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Пефер | 132-VBGA | MT29F768G08 | Flash - nand | 2,5 В ~ 3,6 В. | 132-VBGA (12x18) | - | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1000 | 333 мг | NeleTUSHIй | 768 Гит | В.С. | 96G x 8 | Парлель | - | |||
 | MT48LC16M8A2TG-7E: G TR | - | | 6589 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Пефер | 54-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) | MT48LC16M8A2 | SDRAM | 3 В ~ 3,6 В. | 54-TSOP II | СКАХАТА | Rohs | 2 (1 годы) | DOSTISH | Ear99 | 8542.32.0002 | 1000 | 133 мг | Nestabilnый | 128 мб | 5,4 млн | Ддрам | 16m x 8 | Парлель | 14ns | ||
 | Mt29c1g12maacyamd-5 it | - | | 1462 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Поднос | Управо | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 130-VFBGA | MT29C1G12 | Flash - Nand, Mobile LPDRAM | 1,7 В ~ 1,95 В. | 130-VFBGA (8x9) | СКАХАТА | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1000 | 200 мг | NeleTUSHIй, neStabilnый | 1 -е (Нанд), 512 мсбейт (LPDRAM) | Flash, Ram | 64m x 16 (NAND), 16M x 32 (LPDRAM) | Парлель | - | ||||
| MT53B128M32D1DS-062 AIT: A TR | - | | 2794 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Автомобиль, AEC-Q100 | Lenta и катахка (tr) | Управо | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Пефер | 200-WFBGA | MT53B128 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1,1 В. | 200-WFBGA (10x14,5) | - | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | Ear99 | 8542.32.0036 | 2000 | 1,6 -е | Nestabilnый | 4 Гит | Ддрам | 128m x 32 | - | - | |||
 | N25Q512A83G1241F Tr | - | | 4734 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 24-TBGA | N25Q512A83 | Flash - нет | 2,7 В ~ 3,6 В. | 24-T-PBGA (6x8) | СКАХАТА | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2500 | 108 мг | NeleTUSHIй | 512 мб | В.С. | 128m x 4 | SPI | 8 мс, 5 мс | |||
 | MT29F256G08CECCBH6-6R: c | - | | 2601 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Поднос | Управо | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Пефер | 152-VBGA | MT29F256G08 | Flash - nand (MLC) | 2,7 В ~ 3,6 В. | 152-VBGA (14x18) | - | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 167 мг | NeleTUSHIй | 256 Гит | В.С. | 32G x 8 | Парлель | - |
2000+
Средний объем RFQ
30 000 000
Стандартный продукт
2800+
Мировые производители
15 000 м2
На складе
Список желаний (0 пунктов)