- RFQ
- Категория
- Связаться с нами
Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-components.com
- китайский
- Английский
- Французский
- немецкий
- португальский
- испанский
- Русский
- Японский
- корейский
- арабский
- Ирландский
- Греческий
- турецкий
- Итальянский
- Датский
- румынский
- индонезийский
- чешский
- африкаанс
- Шведский
- Лак
- Баск
- Каталонский
- эсперанто
- хинди
- Лаос
- албанский
- Амхарский
- Армянский
- Азербайджани
- Белорус
- Бенгальский
- Боснийский
- болгарский
- Себуано
- Чичева
- Корсикан
- хорватский
- Голландский
- эстонский
- Филиппинец
- Финский
- фризский
- Галиц
- Грузинец
- Гуджарати
- Гаитянский
- Хауса
- Гавайский
- иврит
- Хмонг
- венгерский
- исландский
- Игбо
- Яванский
- Каннада
- Казах
- Кхмер
- Курдский
- Кыргиз
- латинский
- Латвиан
- литовский
- Люксембу ..
- македонский
- Малагасийский
- малайский
- Малаялам
- Мальтийский
- маори
- Маратхи
- Монгольский
- Бирманский
- Непальский
- норвежский
- Пушту
- Персидский
- Пенджаби
- сербский
- Сезото
- Сингальский
- словацкий
- словенский
- Сомалийский
- Самоан
- Шотландцы гэльские
- Шона
- Синди
- Сунданец
- суахили
- Таджик
- Тамильский
- телугу
- Тайский
- Украинский
- Урду
- Узбек
- вьетнамский
- валлийский
- Xhosa
- идиш
- Йоруба
- Зулу
- Kinyarwanda
- Татар
- Ария
- туркменский
- Уйгур
Ингрированансэпи (ICS) (10403)
| Ибрагейн | Nomerprodookta | ЦEnы (DOLLARR) | Колист | Ecad | Колист | Вер (К.) | Млн | В припании | Упако | Степень Продукта | Rraboч -yemperatura | МОНТАНАНГИП | PakeT / KORPUES | Baзowый nomer prodikta | Тела | Napraheneee - posta | ПАКЕТИВАЕТСЯ | Техниль | Статус Ройс | Вернояж | Доусейн Статуса | Дрогин ИНЕНА | Eccn | Htsus | Станодар | ТАКТОВА | ТИП ПАМАТИ | Raзmerpmayti | Вернее | Формат пэмаи | Органихая | ИНЕРФЕРСП | Верный |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT53B768M64D8BV-062 WT ES: B TR | - |  | 2317 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | - | - | MT53B768 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1,1 В. | - | - | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | Ear99 | 8542.32.0036 | 2000 | 1,6 -е | Nestabilnый | 48 Гит | Ддрам | 768M x 64 | - | - | |||
| M58WR064KT70D16 | - | | 7835 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | МАССА | Управо | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | - | - | M58WR064 | Flash - нет | 1,7 В ~ 2 В. | - | - | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | Управо | 0000.00.0000 | 1 | 66 мг | NeleTUSHIй | 64 марта | 70 млн | В.С. | 4m x 16 | Парлель | 70NS | |||
 | MT29F2G08ABBEAH4-AITX: E. | 3.7059 | | 3848 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Поднос | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 63-VFBGA | MT29F2G08 | Flash - nand | 1,7 В ~ 1,95 В. | 63-VFBGA (9x11) | - | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1260 | NeleTUSHIй | 2 Гит | В.С. | 256 м х 8 | Парлель | - | ||||
| MT29E3T08EUHBBM4-3ES: B TR | - | | 7525 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Актифен | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | - | - | MT29E3T08 | Flash - nand | 2,5 В ~ 3,6 В. | - | - | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1000 | 333 мг | NeleTUSHIй | 3tbit | В.С. | 384G x 8 | Парлель | - | |||
 | M29W160et90za6t tr | - | | 3156 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 48-TFBGA | M29W160 | Flash - нет | 2,7 В ~ 3,6 В. | 48-TFBGA (6x8) | - | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8542.32.0071 | 2500 | NeleTUSHIй | 16 марта | 90 млн | В.С. | 2m x 8, 1m x 16 | Парлель | 90ns | |||
 | MT53D1024M32D4DT-053 AIT: D TR | 35 5500 | | 6876 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Автомобиль, AEC-Q100 | Lenta и катахка (tr) | Прохл | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Пефер | 200 VFBGA | MT53D1024 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1,1 В. | 200 VFBGA (10x14,5) | - | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | Ear99 | 8542.32.0036 | 2000 | 1866 г | Nestabilnый | 32 Гит | Ддрам | 1G x 32 | - | - | |||
| EDFA332A3PB-JD-FR TR | - | | 6875 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | - | - | EDFA232 | SDRAM - Mobile LPDDR3 | 1,14 В ~ 1,95. | - | - | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | Управо | 0000.00.0000 | 1000 | 933 мг | Nestabilnый | 16 -й Гит | Ддрам | 512M x 32 | Парлель | - | ||||
| MTFC128GAOANAM-WT ES | - | | 4761 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Коробка | Управо | MTFC128 | - | 1 (neograniчennnый) | Управо | 0000.00.0000 | 1520 | ||||||||||||||||||
| MTFC32Gazaotd-Ait | 24.8700 | | 9730 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Коробка | Актифен | - | 557-MTFC32Gazaotd-Ait | 1 | |||||||||||||||||||||
 | MT48LC16M8A2TG-75 IT: G TR | - | | 3267 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 54-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) | MT48LC16M8A2 | SDRAM | 3 В ~ 3,6 В. | 54-TSOP II | СКАХАТА | Rohs | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | Ear99 | 8542.32.0002 | 1000 | 133 мг | Nestabilnый | 128 мб | 5,4 млн | Ддрам | 16m x 8 | Парлель | 15NS | ||
 | MT29F64G08CBCABH1-10Z: A TR | - | | 9053 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Пефер | 100-VBGA | MT29F64G08 | Flash - nand | 2,7 В ~ 3,6 В. | 100-VBGA (12x18) | - | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1000 | 100 мг | NeleTUSHIй | 64 Гит | В.С. | 8G x 8 | Парлель | - | |||
| MT29E512G08CUCDBJ6-6: d | - | | 7314 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Поднос | Управо | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Пефер | - | MT29E512G08 | Flash - nand | 2,7 В ~ 3,6 В. | 132-LBGA (12x18) | - | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1120 | 167 мг | NeleTUSHIй | 512 Гит | В.С. | 64G x 8 | Парлель | - | ||||
 | MT35XL256ABA1GSF-0AAT | - | | 6890 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Xccela ™ - Mt35x | МАССА | Управо | -40 ° C ~ 105 ° C. | Пефер | 24-TBGA | MT35XL256 | Flash - нет | 2,7 В ~ 3,6 В. | 24-T-PBGA (6x8) | - | 1 (neograniчennnый) | Управо | 0000.00.0000 | 1440 | 133 мг | NeleTUSHIй | 256 мб | В.С. | 32 м х 8 | Xccela Bus | - | |||||
 | MT53E512M32D2NP-046 WT: F TR | - | | 5868 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Пефер | 200-WFBGA | MT53E512 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1,1 В. | 200-WFBGA (10x14,5) | - | Rohs3 | DOSTISH | 557-MT53E512M32D2NP-046WT: FTR | Управо | 2000 | 2,133 Гер | Nestabilnый | 16 -й Гит | Ддрам | 512M x 32 | - | - | ||||
| MT29VZZZBD9GQFPR-046 W.9Q9 | - | | 2488 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | МАССА | Управо | - | 1 | ||||||||||||||||||||||
 | MT49H32M18CSJ-25E IT: b | - | | 6589 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Поднос | Управо | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 144-TFBGA | MT49H32M18 | Ддрам | 1,7 В ~ 1,9 В. | 144-FBGA (18,5x11) | СКАХАТА | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | 3A991B2A | 8542.32.0028 | 1120 | 400 мг | Nestabilnый | 576 мб | 15 млн | Ддрам | 32 м х 18 | Парлель | - | ||
 | MT29F1T08CPCBBH8-6C: b | - | | 4914 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Поднос | Управо | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Пефер | 152-LBGA | MT29F1T08 | Flash - nand | 2,7 В ~ 3,6 В. | 152-LBGA (14x18) | - | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 167 мг | NeleTUSHIй | 1tbit | В.С. | 128G x 8 | Парлель | - | ||||
 | MT28FW512ABA1HJS-0AAT TR | - | | 5260 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Автомобиль, AEC-Q100 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Пефер | 56-tfsop (0,724 ", Ирина 18,40 мм) | MT28FW512 | Flash - нет | 1,7 В ~ 3,6 В. | 56-geantrow | СКАХАТА | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1600 | NeleTUSHIй | 512 мб | 105 м | В.С. | 32 м х 16 | Парлель | 60ns | |||
| MT46H64M32LFBQ-48 IT: C TR | 9.6750 | | 5878 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 90-VFBGA | MT46H64M32 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1,7 В ~ 1,95 В. | 90-VFBGA (8x13) | СКАХАТА | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | Ear99 | 8542.32.0036 | 1000 | 208 мг | Nestabilnый | 2 Гит | 5 млн | Ддрам | 64M x 32 | Парлель | 14.4ns | ||
 | M58LT128KST8ZA6F Tr | - | | 9711 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 64-TBGA | M58LT128 | Flash - нет | 1,7 В ~ 2 В. | 64-TBGA (10x13) | СКАХАТА | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2500 | 52 мг | NeleTUSHIй | 128 мб | 85 м | В.С. | 8m x 16 | Парлель | 85ns | |||
| MT29VZZZAD8HQKPR-053 W.G8C TR | - | | 2603 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Актифен | MT29VZZZAD8 | - | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | 0000.00.0000 | 1000 | |||||||||||||||||
 | MT41K256M16TW-107 В: с | - | | 5245 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Поднос | Управо | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Пефер | 96-TFBGA | MT41K256M16 | SDRAM - DDR3L | 1283 ЕГО 1,45 | 96-FBGA (8x14) | СКАХАТА | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | MT41K256M16TW-107AT: с | Ear99 | 8542.32.0036 | 1 | 933 мг | Nestabilnый | 4 Гит | 20 млн | Ддрам | 256 м x 16 | Парлель | - | ||
| MT49H16M36FM-18: B Tr | - | | 6886 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Пркрэно | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Пефер | 144-TFBGA | MT49H16M36 | Ддрам | 1,7 В ~ 1,9 В. | 144 мкгга (18,5x11) | СКАХАТА | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | 3A991B2A | 8542.32.0028 | 1000 | 533 мг | Nestabilnый | 576 мб | 15 млн | Ддрам | 16m x 36 | Парлель | - | ||
 | MT29F256G08AMEBBH7-12: B TR | - | | 2728 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Пефер | 152-TBGA | MT29F256G08 | Flash - nand (SLC) | 2,5 В ~ 3,6 В. | 152-TBGA (14x18) | - | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1000 | 83 мг | NeleTUSHIй | 256 Гит | В.С. | 32G x 8 | Парлель | - | |||
| MT29F1G08ABAFAM78A3WC1 | - | | 2643 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | МАССА | Управо | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Пефер | Умират | MT29F1G08 | Flash - nand | 2,7 В ~ 3,6 В. | Умират | - | Rohs3 | DOSTISH | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | NeleTUSHIй | 1 Гит | В.С. | 128m x 8 | Парлель | - | |||||
| M29W128GL90N6E | - | | 1419 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Поднос | Управо | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 56-tfsop (0,724 ", Ирина 18,40 мм) | M29W128 | Flash - нет | 2,7 В ~ 3,6 В. | 56-geantrow | СКАХАТА | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | NeleTUSHIй | 128 мб | 90 млн | В.С. | 16m x 8, 8m x 16 | Парлель | 90ns | ||||
 | MT46H16M32LFB5-6 IT: c | - | | 1858 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Поднос | Управо | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 90-VFBGA | MT46H16M32 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1,7 В ~ 1,95 В. | 90-VFBGA (8x13) | СКАХАТА | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | Ear99 | 8542.32.0028 | 1000 | 166 мг | Nestabilnый | 512 мб | 5 млн | Ддрам | 16m x 32 | Парлель | 15NS | ||
| MT48LC4M32B2F5-6: G TR | - | | 6763 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Пефер | 90-VFBGA | MT48LC4M32B2 | SDRAM | 3 В ~ 3,6 В. | 90-VFBGA (8x13) | СКАХАТА | Rohs | 2 (1 годы) | DOSTISH | Ear99 | 8542.32.0002 | 1000 | 167 мг | Nestabilnый | 128 мб | 5,5 млн | Ддрам | 4m x 32 | Парлель | 12NS | ||
 | MT29F4G08ABAEAH4-IT: E TR | 4.5900 | | 3 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 63-VFBGA | MT29F4G08 | Flash - nand | 2,7 В ~ 3,6 В. | 63-VFBGA (9x11) | - | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1000 | NeleTUSHIй | 4 Гит | В.С. | 512M x 8 | Парлель | - | ||||
 | MTFC32GJWEF-4M AIT Z. | - | | 3086 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Поднос | Управо | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 169-TFBGA | MTFC32G | Flash - nand | 2,7 В ~ 3,6 В. | 169-tfbga (14x18) | - | DOSTISH | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | NeleTUSHIй | 256 Гит | В.С. | 32G x 8 | MMC | - |
2000+
Средний объем RFQ
30 000 000
Стандартный продукт
2800+
Мировые производители
15 000 м2
На складе
Список желаний (0 пунктов)