SIC
close

Ингрированансэпи (ICS) (10403)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар ТАКТОВА ТИП ПАМАТИ Raзmerpmayti Вернее Формат пэмаи Органихая ИНЕРФЕРСП Верный
PZ28F032M29EWBB TR Micron Technology Inc. PZ28F032M29EWBB Tr -
RFQ
 ECAD 6861 0,00000000 Micron Technology Inc. - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-VFBGA PZ28F032M29 Flash - нет 2,7 В ~ 3,6 В. 48-BGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 3A991B1A 8542.32.0071 2500 NeleTUSHIй 32 мб 60 млн В.С. 4m x 8, 2m x 16 Парлель 60ns
MT48H8M32LFF5-8 IT Micron Technology Inc. MT48H8M32LFF5-8 IT -
RFQ
 ECAD 4642 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Пркрэно -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 90-VFBGA MT48H8M32 SDRAM - Mobile LPSDR 1,7 В ~ 1,95 В. 90-VFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs 2 (1 годы) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 1000 125 мг Nestabilnый 256 мб 7 млн Ддрам 8m x 32 Парлель 15NS
MT47H64M4BP-37E:B TR Micron Technology Inc. MT47H64M4BP-37E: B Tr 9.5600
RFQ
 ECAD 456 0,00000000 Micron Technology Inc. - Lenta и катахка (tr) Пркрэно 0 ° C ~ 85 ° C (TC) Пефер 60-FBGA MT47H64M4 SDRAM - DDR2 1,7 В ~ 1,9 В. 60-FBGA (8x12) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 1000 267 мг Nestabilnый 256 мб 500 с Ддрам 64M x 4 Парлель 15NS
MT46H32M32LFB5-48 IT:B Micron Technology Inc. MT46H32M32LFB5-48 IT: b -
RFQ
 ECAD 6815 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 90-VFBGA MT46H32M32 SDRAM - Mobile LPDDR 1,7 В ~ 1,95 В. 90-VFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) Ear99 8542.32.0036 1000 208 мг Nestabilnый 1 Гит 5 млн Ддрам 32 м x 32 Парлель 14.4ns
MT46V64M8BN-6 L:F Micron Technology Inc. MT46V64M8BN-6 L: f -
RFQ
 ECAD 7982 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 60-TFBGA MT46V64M8 SDRAM - DDR 2,3 В ~ 2,7 В. 60-FBGA (10x12,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 1000 167 мг Nestabilnый 512 мб 700 с Ддрам 64 м х 8 Парлель 15NS
MT46V32M8BG-5B:GTR Micron Technology Inc. MT46V32M8BG-5B: GTR -
RFQ
 ECAD 3130 0,00000000 Micron Technology Inc. - Lenta и катахка (tr) Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 60-FBGA MT46V32M8 SDRAM - DDR 2,5 В ~ 2,7 В. 60-FBGA (8x14) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 1000 200 мг Nestabilnый 256 мб 700 с Ддрам 32 м х 8 Парлель 15NS
M28W320FCB70N6E Micron Technology Inc. M28W320FCB70N6E -
RFQ
 ECAD 6198 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-tfsop (0,724 ", Ирина 18,40 мм) M28W320 Flash - нет 2,7 В ~ 3,6 В. 48 т СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 96 NeleTUSHIй 32 мб 70 млн В.С. 2m x 16 Парлель 70NS
MT41K256M8DA-125 IT:K TR Micron Technology Inc. MT41K256M8DA-125 IT: K TR 4.4332
RFQ
 ECAD 4174 0,00000000 Micron Technology Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 78-TFBGA MT41K256M8 SDRAM - DDR3L 1283 ЕГО 1,45 78-FBGA (8x10,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 2000 800 мг Nestabilnый 2 Гит 13,75 млн Ддрам 256 м х 8 Парлель -
MT29E6T08ETHBBM5-3:B Micron Technology Inc. Mt29e6t08ethbbm5-3: b -
RFQ
 ECAD 6375 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) - - MT29E6T08 Flash - nand 2,5 В ~ 3,6 В. - - DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 1120 333 мг NeleTUSHIй 6tbit В.С. 768G x 8 Парлель -
M50FLW040BK5G Micron Technology Inc. M50FLW040BK5G -
RFQ
 ECAD 2742 0,00000000 Micron Technology Inc. - Трубка Управо -20 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 32-LCC (J-Lead) M50FLW040 Flash - нет 3 В ~ 3,6 В. 32-PLCC (11,35x13,89) - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0071 32 33 мг NeleTUSHIй 4 марта 250 млн В.С. 512K x 8 Парлель -
MT61M256M32JE-12 AAT:A Micron Technology Inc. MT61M256M32JE-12 AAT: A. -
RFQ
 ECAD 3865 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо -40 ° C ~ 105 ° C. Пефер 180-TFBGA MT61M256 SGRAM - GDDR6 1,21 В ~ 1,29 В. 180-FBGA (12x14) СКАХАТА Ear99 8542.32.0071 1260 1,5 -е Nestabilnый 8 Гит Барен 256 м x 32 Парлель -
MT41K128M8DA-107 AIT:J TR Micron Technology Inc. MT41K128M8DA-107 AIT: J TR -
RFQ
 ECAD 5399 0,00000000 Micron Technology Inc. Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 78-TFBGA MT41K128M8 SDRAM - DDR3L 1283 ЕГО 1,45 78-FBGA (8x10,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0032 2000 933 мг Nestabilnый 1 Гит 20 млн Ддрам 128m x 8 Парлель -
MT25QL128ABA1ESF-0SIT TR Micron Technology Inc. MT25QL128ABA1ESF-0SIT TR -
RFQ
 ECAD 6427 0,00000000 Micron Technology Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 16 SOIC (0,295 ", Ирина 7,50 мм) MT25QL128 Flash - нет 2,7 В ~ 3,6 В. 16-й СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 1000 133 мг NeleTUSHIй 128 мб В.С. 16m x 8 SPI 8 мс, 2,8 мс
MT53D1024M32D4NQ-053 WT ES:D TR Micron Technology Inc. MT53D1024M32D4NQ-053 WT ES: D TR -
RFQ
 ECAD 3887 0,00000000 Micron Technology Inc. - Lenta и катахка (tr) Управо -30 ° C ~ 85 ° C (TC) Пефер 200 VFBGA MT53D1024 SDRAM - Mobile LPDDR4 1,1 В. 200 VFBGA (10x14,5) - 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.32.0036 2000 1866 г Nestabilnый 32 Гит Ддрам 1G x 32 - -
MT28F400B5WP-8 B Micron Technology Inc. MT28F400B5WP-8B -
RFQ
 ECAD 1177 0,00000000 Micron Technology Inc. - МАССА Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 48-tfsop (0,724 ", Ирина 18,40 мм) MT28F400B5 Flash - нет 4,5 n 5,5. 48-tsop i СКАХАТА Rohs3 2 (1 годы) DOSTISH Ear99 8542.32.0071 1000 NeleTUSHIй 4 марта 80 млн В.С. 512K x 8, 256K x 16 Парлель 80ns
MT53E1G16D1FW-046 AIT:A Micron Technology Inc. MT53E1G16D1FW-046 AIT: A. 14.5050
RFQ
 ECAD 6586 0,00000000 Micron Technology Inc. Автомобиль, AEC-Q100 Коробка Актифен -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 200-TFBGA SDRAM - Mobile LPDDR4X 1,06 В ~ 1,17 200 TFBGA (10x14.5) СКАХАТА 557-MT53E1G16D1FW-046AIT: а 1 2,133 Гер Nestabilnый 16 -й Гит 3,5 млн Ддрам 1G x 16 Парлель 18ns
MT53E2D1ACY-DC Micron Technology Inc. MT53E2D1ACY-DC 22,5000
RFQ
 ECAD 5695 0,00000000 Micron Technology Inc. - МАССА Актифен MT53E2 - DOSTISH 557-MT53E2D1ACY-DC 1360
MT49H16M18SJ-25 IT:B Micron Technology Inc. MT49H16M18SJ-25 IT: б -
RFQ
 ECAD 6530 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 144-TFBGA MT49H16M18 Ддрам 1,7 В ~ 1,9 В. 144-FBGA (18,5x11) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0028 1120 400 мг Nestabilnый 288 мб 20 млн Ддрам 16m x 18 Парлель -
MT25QU01GBBB8E12-0AAT Micron Technology Inc. MT25QU01GBBB8E12-0AAT 21.4400
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Micron Technology Inc. Автомобиль, AEC-Q100 МАССА Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 24-TBGA MT25QU01 Flash - нет 1,7 В ~ 2 В. 24-T-PBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 1122 133 мг NeleTUSHIй 1 Гит В.С. 128m x 8 SPI 8 мс, 2,8 мс
N25Q128A13ESFH0E Micron Technology Inc. N25Q128A13ESFH0E -
RFQ
 ECAD 1685 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 16 SOIC (0,295 ", Ирина 7,50 мм) N25Q128A13 Flash - нет 2,7 В ~ 3,6 В. 16-Sop2 СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 240 108 мг NeleTUSHIй 128 мб В.С. 32 м x 4 SPI 8 мс, 5 мс
MT47H64M16NF-187E:M Micron Technology Inc. MT47H64M16NF-187E: m -
RFQ
 ECAD 9635 0,00000000 Micron Technology Inc. - МАССА Управо 0 ° C ~ 85 ° C (TC) Пефер 84-TFBGA MT47H64M16 SDRAM - DDR2 1,7 В ~ 1,9 В. 84-FBGA (8x12,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0032 1368 533 мг Nestabilnый 1 Гит 350 с Ддрам 64 м х 16 Парлель 15NS
M25P40-VMP6TGB TR Micron Technology Inc. M25P40-VMP6TGB Tr -
RFQ
 ECAD 2167 0,00000000 Micron Technology Inc. - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 8-vdfn oTkrыTAIN M25P40 Flash - нет 2,3 В ~ 3,6 В. 8-VDFPN (6x5) (MLP8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0071 4000 75 мг NeleTUSHIй 4 марта В.С. 512K x 8 SPI 15 мс, 5 мс
MT48LC8M16LFF4-75 IT:G TR Micron Technology Inc. MT48LC8M16LFF4-75 IT: G TR -
RFQ
 ECAD 1769 0,00000000 Micron Technology Inc. - Lenta и катахка (tr) Пркрэно -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-VFBGA MT48LC8M16 SDRAM - Mobile LPSDR 3 В ~ 3,6 В. 54-VFBGA (8x8) СКАХАТА Rohs 2 (1 годы) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 1000 133 мг Nestabilnый 128 мб 5,4 млн Ддрам 8m x 16 Парлель 15NS
MT28HL32GQBB6EBL-0GCT Micron Technology Inc. MT28HL32GQBB6EBL-0GCT -
RFQ
 ECAD 5850 0,00000000 Micron Technology Inc. - МАССА Управо MT28HL32 - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Управо 0000.00.0000 270
MT41J512M4HX-125:D Micron Technology Inc. MT41J512M4HX-125: d -
RFQ
 ECAD 4823 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 78-TFBGA MT41J512M4 SDRAM - DDR3 1425 ЕГО ~ 1575 a. 78-FBGA (9x11.5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 1000 800 мг Nestabilnый 2 Гит 13,75 млн Ддрам 512M x 4 Парлель -
MT29F4G08ABBDAH4-ITX:D Micron Technology Inc. MT29F4G08ABBDAH4-ITX: D. -
RFQ
 ECAD 2212 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 63-VFBGA MT29F4G08 Flash - nand 1,7 В ~ 1,95 В. 63-VFBGA (9x11) - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 1260 NeleTUSHIй 4 Гит В.С. 512M x 8 Парлель -
MT29F256G08CJAABWP-12:A Micron Technology Inc. MT29F256G08CJAABWP-12: a -
RFQ
 ECAD 5553 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 48-tfsop (0,724 ", Ирина 18,40 мм) MT29F256G08 Flash - nand (MLC) 2,7 В ~ 3,6 В. 48-tsop i - Rohs3 3 (168 чASOW) 3A991B1A 8542.32.0071 1000 83 мг NeleTUSHIй 256 Гит В.С. 32G x 8 Парлель -
MT48H16M16LFBF-75 IT:H TR Micron Technology Inc. MT48H16M16LFBF-75 IT: H TR -
RFQ
 ECAD 7815 0,00000000 Micron Technology Inc. - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-VFBGA MT48H16M16 SDRAM - Mobile LPSDR 1,7 В ~ 1,95 В. 54-VFBGA (8x9) - Rohs3 2 (1 годы) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 1000 133 мг Nestabilnый 256 мб 5,4 млн Ддрам 16m x 16 Парлель 15NS
M58LR256KT70ZQ5F TR Micron Technology Inc. M58LR256KT70ZQ5F Tr -
RFQ
 ECAD 4093 0,00000000 Micron Technology Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен -30 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 88-TFBGA M58LR256 Flash - нет 1,7 В ~ 2 В. 88-TFBGA (8x10) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 2500 66 мг NeleTUSHIй 256 мб 70 млн В.С. 16m x 16 Парлель 70NS
MT40A8G4VNE-062H:B Micron Technology Inc. MT40A8G4VNE-062H: б 80.8350
RFQ
 ECAD 2955 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Актифен 0 ° C ~ 95 ° C (TC) MT40A8G4 SDRAM - DDR4 1,14 n 1,26 - 3 (168 чASOW) DOSTISH 557-MT40A8G4VNE-062H: б 8542.32.0071 152 1,6 -е NeleTUSHIй 32 Гит 13,75 млн Ддрам 8G x 4 Парлель -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть