SIC
close

Ингрированансэпи (ICS) (10403)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар ТАКТОВА ТИП ПАМАТИ Raзmerpmayti Вернее Формат пэмаи Органихая ИНЕРФЕРСП Верный
MT53D1024M32D4BD-053 WT ES:D Micron Technology Inc. MT53D1024M32D4BD-053 WT ES: D. -
RFQ
 ECAD 1883 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - MT53D1024 SDRAM - Mobile LPDDR4 1,1 В. - - 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.32.0036 1360 1866 г Nestabilnый 32 Гит Ддрам 1G x 32 - -
MT29F64G08CBCABH1-12:A Micron Technology Inc. MT29F64G08CBCABH1-12: a -
RFQ
 ECAD 2852 0,00000000 Micron Technology Inc. - МАССА Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 100-VBGA MT29F64G08 Flash - nand 2,7 В ~ 3,6 В. 100-VBGA (12x18) - Rohs3 3 (168 чASOW) 3A991B1A 8542.32.0071 1000 83 мг NeleTUSHIй 64 Гит В.С. 8G x 8 Парлель -
MT49H8M36SJ-25E:B TR Micron Technology Inc. MT49H8M36SJ-25E: B Tr -
RFQ
 ECAD 3530 0,00000000 Micron Technology Inc. - Lenta и катахка (tr) Управо 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 144-TFBGA MT49H8M36 Ддрам 1,7 В ~ 1,9 В. 144-FBGA (18,5x11) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0028 1000 400 мг Nestabilnый 288 мб 15 млн Ддрам 8m x 36 Парлель -
MT47H32M16HW-25E:G Micron Technology Inc. MT47H32M16HW-25E: G. -
RFQ
 ECAD 3579 0,00000000 Micron Technology Inc. - МАССА Управо 0 ° C ~ 85 ° C (TC) Пефер 84-TFBGA MT47H32M16 SDRAM - DDR2 1,7 В ~ 1,9 В. 84-FBGA (8x12,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) Ear99 8542.32.0028 1000 400 мг Nestabilnый 512 мб 400 с Ддрам 32 м х 16 Парлель 15NS
MT35XL512ABA1G12-0AAT TR Micron Technology Inc. MT35XL512ABA1G12-0AAT TR -
RFQ
 ECAD 9876 0,00000000 Micron Technology Inc. Xccela ™ - Mt35x Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. Пефер 24-TBGA MT35XL512 Flash - нет 2,7 В ~ 3,6 В. 24-T-PBGA (6x8) - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 2500 133 мг NeleTUSHIй 512 мб В.С. 64 м х 8 Xccela Bus -
MT46V32M16FN-5B:C Micron Technology Inc. MT46V32M16FN-5B: c -
RFQ
 ECAD 6386 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 60-TFBGA MT46V32M16 SDRAM - DDR 2,5 В ~ 2,7 В. 60-FBGA (10x12,5) - Rohs 5 (48 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 1000 200 мг Nestabilnый 512 мб 700 с Ддрам 32 м х 16 Парлель 15NS
MT48LC4M16A2P-75 L:G Micron Technology Inc. MT48LC4M16A2P-75 L: G. -
RFQ
 ECAD 3407 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 54-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) MT48LC4M16A2 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TSOP II СКАХАТА Rohs3 2 (1 годы) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 1000 133 мг Nestabilnый 64 марта 5,4 млн Ддрам 4m x 16 Парлель 15NS
MTFC4GMTEA-1F WT Micron Technology Inc. MTFC4GMTEA-1F WT -
RFQ
 ECAD 7114 0,00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ Поднос Управо -25 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 153-WFBGA MTFC4 Flash - nand 2,7 В ~ 3,6 В. 153-WFBGA (11,5x13) - Rohs3 3 (168 чASOW) 3A991B1A 8542.32.0071 1000 NeleTUSHIй 32 Гит В.С. 4G x 8 MMC -
M25PE10-VMN6P Micron Technology Inc. M25PE10-VMN6P -
RFQ
 ECAD 3952 0,00000000 Micron Technology Inc. - Трубка Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) M25PE10 Flash - нет 2,7 В ~ 3,6 В. 8 ТАКОГО СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0071 2000 75 мг NeleTUSHIй 1 март В.С. 128K x 8 SPI 15 мс, 3 мс
MT61M512M32KPA-14 NIT:C Micron Technology Inc. MT61M512M32KPA-14 NIT: c 46.3200
RFQ
 ECAD 6467 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Актифен - 557-MT61M512M32KPA-14NIT: c 1
M29W400DB55ZE6E Micron Technology Inc. M29W400DB55ZE6E -
RFQ
 ECAD 7214 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-TFBGA M29W400 Flash - нет 2,7 В ~ 3,6 В. 48-TFBGA (6x9) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0071 187 NeleTUSHIй 4 марта 55 м В.С. 512K x 8, 256K x 16 Парлель 55NS
MTFC4GMVEA-WT TR Micron Technology Inc. MTFC4GMVEA-WT TR -
RFQ
 ECAD 6444 0,00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ Lenta и катахка (tr) Актифен -25 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 153-WFBGA MTFC4 Flash - nand 2,7 В ~ 3,6 В. 153-WFBGA (11,5x13) - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 1000 NeleTUSHIй 32 Гит В.С. 4G x 8 MMC -
MT49H16M36SJ-18:B Micron Technology Inc. MT49H16M36SJ-18: b -
RFQ
 ECAD 1442 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Актифен 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 144-TFBGA MT49H16M36 Ддрам 1,7 В ~ 1,9 В. 144-FBGA (18,5x11) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0028 1120 533 мг Nestabilnый 576 мб 15 млн Ддрам 16m x 36 Парлель -
MT41J512M8THU-187E:A Micron Technology Inc. MT41J512M8THU-187E: a -
RFQ
 ECAD 3473 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 82-FBGA MT41J512M8 SDRAM - DDR3 1425 ЕГО ~ 1575 a. - - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 1000 533 мг Nestabilnый 4 Гит 13.125 м Ддрам 512M x 8 Парлель -
MT62F1G64D4EK-023 FAAT:B Micron Technology Inc. MT62F1G64D4EK-023 FAAT: b 63 8550
RFQ
 ECAD 6443 0,00000000 Micron Technology Inc. Автомобиль, AEC-Q100 Коробка Актифен - Пефер 441-TFBGA SDRAM - Mobile LPDDR5 1,05 441-TFBGA (14x14) - 557-MT62F1G64D4EK-023FAAT: b 1 4266 ГОГ Nestabilnый 64 Гит Ддрам 1G x 64 Парлель -
RC28F640P33B85A Micron Technology Inc. RC28F640P33B85A -
RFQ
 ECAD 2776 0,00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TC) Пефер 64-TBGA RC28F640 Flash - нет 2,3 В ~ 3,6 В. 64-айсибга (8x10) СКАХАТА Rohs 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 1800 52 мг NeleTUSHIй 64 марта 85 м В.С. 4m x 16 Парлель 85ns
MT41K512M4DA-107:K Micron Technology Inc. MT41K512M4DA-107: K. -
RFQ
 ECAD 5167 0,00000000 Micron Technology Inc. - МАССА Управо 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 78-TFBGA MT41K512M4 SDRAM - DDR3L 1283 ЕГО 1,45 78-FBGA (8x10,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) Ear99 8542.32.0036 1000 933 мг Nestabilnый 2 Гит 20 млн Ддрам 512M x 4 Парлель -
MT29F64G08CBABBWPR:B Micron Technology Inc. MT29F64G08CBABBWPR: б -
RFQ
 ECAD 4235 0,00000000 Micron Technology Inc. - Трубка Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 48-tfsop (0,724 ", Ирина 18,40 мм) MT29F64G08 Flash - nand 2,7 В ~ 3,6 В. 48-tsop i - Rohs3 3 (168 чASOW) 3A991B1A 8542.32.0071 960 NeleTUSHIй 64 Гит В.С. 8G x 8 Парлель -
MT47H256M8EB-25E XIT:C Micron Technology Inc. MT47H256M8EB-25E XIT: c -
RFQ
 ECAD 7469 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 60-TFBGA MT47H256M8 SDRAM - DDR2 1,7 В ~ 1,9 В. 60-FBGA (9x11,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0036 1320 400 мг Nestabilnый 2 Гит 400 с Ддрам 256 м х 8 Парлель 15NS
RC28F256P30BFE Micron Technology Inc. RC28F256P30BFE -
RFQ
 ECAD 3814 0,00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 64-TBGA RC28F256 Flash - нет 1,7 В ~ 2 В. 64-айсибга (10x13) СКАХАТА Rohs 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 1 52 мг NeleTUSHIй 256 мб 100 млн В.С. 16m x 16 Парлель 100ns
MT25QL256ABA8E12-1SIT Micron Technology Inc. MT25QL256ABA8E12-1SIT 6.2400
RFQ
 ECAD 4353 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 24-TBGA MT25QL256 Flash - нет 2,7 В ~ 3,6 В. 24-T-PBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 1122 133 мг NeleTUSHIй 256 мб В.С. 32 м х 8 SPI 8 мс, 2,8 мс
MT45W1MW16BDGB-708 AT TR Micron Technology Inc. MT45W1MW16BDGB-708 В ТР -
RFQ
 ECAD 7934 0,00000000 Micron Technology Inc. - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Пефер 54-VFBGA MT45W1MW16 PSRAM (Psewdo sram) 1,7 В ~ 1,95 В. 54-VFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 1000 Nestabilnый 16 марта 70 млн Псром 1m x 16 Парлель 70NS
PZ28F032M29EWBB TR Micron Technology Inc. PZ28F032M29EWBB Tr -
RFQ
 ECAD 6861 0,00000000 Micron Technology Inc. - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-VFBGA PZ28F032M29 Flash - нет 2,7 В ~ 3,6 В. 48-BGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 3A991B1A 8542.32.0071 2500 NeleTUSHIй 32 мб 60 млн В.С. 4m x 8, 2m x 16 Парлель 60ns
MT48H8M32LFF5-8 IT Micron Technology Inc. MT48H8M32LFF5-8 IT -
RFQ
 ECAD 4642 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Пркрэно -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 90-VFBGA MT48H8M32 SDRAM - Mobile LPSDR 1,7 В ~ 1,95 В. 90-VFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs 2 (1 годы) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 1000 125 мг Nestabilnый 256 мб 7 млн Ддрам 8m x 32 Парлель 15NS
MT47H64M4BP-37E:B TR Micron Technology Inc. MT47H64M4BP-37E: B Tr 9.5600
RFQ
 ECAD 456 0,00000000 Micron Technology Inc. - Lenta и катахка (tr) Пркрэно 0 ° C ~ 85 ° C (TC) Пефер 60-FBGA MT47H64M4 SDRAM - DDR2 1,7 В ~ 1,9 В. 60-FBGA (8x12) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 1000 267 мг Nestabilnый 256 мб 500 с Ддрам 64M x 4 Парлель 15NS
MT46H32M32LFB5-48 IT:B Micron Technology Inc. MT46H32M32LFB5-48 IT: b -
RFQ
 ECAD 6815 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 90-VFBGA MT46H32M32 SDRAM - Mobile LPDDR 1,7 В ~ 1,95 В. 90-VFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) Ear99 8542.32.0036 1000 208 мг Nestabilnый 1 Гит 5 млн Ддрам 32 м x 32 Парлель 14.4ns
MT46V64M8BN-6 L:F Micron Technology Inc. MT46V64M8BN-6 L: f -
RFQ
 ECAD 7982 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 60-TFBGA MT46V64M8 SDRAM - DDR 2,3 В ~ 2,7 В. 60-FBGA (10x12,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 1000 167 мг Nestabilnый 512 мб 700 с Ддрам 64 м х 8 Парлель 15NS
MT46V32M8BG-5B:GTR Micron Technology Inc. MT46V32M8BG-5B: GTR -
RFQ
 ECAD 3130 0,00000000 Micron Technology Inc. - Lenta и катахка (tr) Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 60-FBGA MT46V32M8 SDRAM - DDR 2,5 В ~ 2,7 В. 60-FBGA (8x14) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 1000 200 мг Nestabilnый 256 мб 700 с Ддрам 32 м х 8 Парлель 15NS
M28W320FCB70N6E Micron Technology Inc. M28W320FCB70N6E -
RFQ
 ECAD 6198 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-tfsop (0,724 ", Ирина 18,40 мм) M28W320 Flash - нет 2,7 В ~ 3,6 В. 48 т СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 96 NeleTUSHIй 32 мб 70 млн В.С. 2m x 16 Парлель 70NS
MT41K256M8DA-125 IT:K TR Micron Technology Inc. MT41K256M8DA-125 IT: K TR 4.4332
RFQ
 ECAD 4174 0,00000000 Micron Technology Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 78-TFBGA MT41K256M8 SDRAM - DDR3L 1283 ЕГО 1,45 78-FBGA (8x10,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 2000 800 мг Nestabilnый 2 Гит 13,75 млн Ддрам 256 м х 8 Парлель -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть