SIC
close

Иолатор - - ВОРОТНЕВО ВОДЕР (305)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Агентево Колист. Каналов ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Ток - ТОК - ПИКОВОВ Верна На Current - DC Forward (if) (max) Naprayжeniee - yзolyahip Обжильжим Я ИСКОНЕЕ На
TLP5752H(TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5752H (TP4, e 1.9500
RFQ
 ECAD 15 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C. Пефер 6 SOIC (0,295 ", Ирина 7,50 мм) TLP5752 Оптишая CQC, CSA, CUL, UL, VDE 1 6 ТАКОГО СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1500 2,5А, 2,5а 2.5A 15ns, 8ns 1,55 20 май 5000 дней 35 К/мкс 150NS, 150NS 50NS 15 В ~ 30
TLP5751H(TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5751H (TP4, e 18500
RFQ
 ECAD 8709 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C. Пефер 6 SOIC (0,295 ", Ирина 7,50 мм) TLP5751 Оптишая CQC, CSA, CUL, UL, VDE 1 6 ТАКОГО СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1500 1a, 1a 1A 15ns, 8ns 1,55 20 май 5000 дней 35 К/мкс 150NS, 150NS 50NS 15 В ~ 30
TLP5751H(D4TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5751H (D4TP4, e 18500
RFQ
 ECAD 9990 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C. Пефер 6 SOIC (0,295 ", Ирина 7,50 мм) TLP5751 Оптишая CQC, CSA, CUL, UL, VDE 1 6 ТАКОГО СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1500 1a, 1a 1A 15ns, 8ns 1,55 20 май 5000 дней 35 К/мкс 150NS, 150NS 50NS 15 В ~ 30
TLP351(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP351 (TP1, F) 1.7300
RFQ
 ECAD 6243 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8-SMD, крхло TLP351 Оптишая - 1 8-SMD СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1500 400 май, 400 мая 600 май 50ns, 50ns 1,55 20 май 3750vrms 10 кв/мкс 700NS, 700NS - 10 В ~ 30 В.
TLP5701(TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5701 (TP4, e 1.3600
RFQ
 ECAD 2161 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 110 ° C. Пефер 6 SOIC (0,295 ", Ирина 7,50 мм) TLP5701 Оптишая CQC, CSA, CUL, UL, VDE 1 6 ТАКОГО СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1500 400 май, 400 мая 600 май 50ns, 50ns 1,57 25 май 5000 дней 20 кв/мкс 500NS, 500NS 350ns 10 В ~ 30 В.
TLP701A(D4-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP701A (D4-TP, F) -
RFQ
 ECAD 8536 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6 SOIC (0,268 дюйма, Ирина 6,80 мм) TLP701 Оптишая CSA, CUL, UL, VDE 1 6-Sdip Gull Wing СКАХАТА 264-TLP701A (D4-TPF) Ear99 8541.49.8000 1 400 май, 400 мая 600 май 50ns, 50ns 1,57 25 май 5000 дней 20 кв/мкс 500NS, 500NS 350ns 10 В ~ 30 В.
TLP700F(D4FNC-TP,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP700F (D4FNC-TP, ф -
RFQ
 ECAD 6090 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6 SOIC (0,268 дюйма, Ирина 6,80 мм) TLP700 Оптишая ТУВ 1 6-Sdip Gull Wing СКАХАТА 264-TLP700F (D4FNC-TPF Ear99 8541.49.8000 1 - 2A - - 5000 дней 15 кв/мкс 500NS, 500NS - 15 В ~ 30
TLP701F(ABB-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP701F (ABB-TP, F) -
RFQ
 ECAD 6890 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6 SOIC (0,268 дюйма, Ирина 6,80 мм) TLP701 Оптишая ТУВ 1 6-Sdip Gull Wing СКАХАТА 264-TLP701F (ABB-TPF) Ear99 8541.49.8000 1 - 600 май - - 5000 дней 10 кв/мкс 700NS, 700NS - 10 В ~ 30 В.
TLP701F(D4-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP701F (D4-TP, F) -
RFQ
 ECAD 8871 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6 SOIC (0,268 дюйма, Ирина 6,80 мм) TLP701 Оптишая - 1 6-Sdip Gull Wing СКАХАТА 264-TLP701F (D4-TPF) Ear99 8541.49.8000 1 - 600 май - - 5000 дней 10 кв/мкс 700NS, 700NS - 10 В ~ 30 В.
TLP701AF(D4-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP701AF (D4-TP, F) -
RFQ
 ECAD 6402 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6 SOIC (0,268 дюйма, Ирина 6,80 мм) TLP701 Оптишая CSA, CUL, UL, VDE 1 6-Sdip Gull Wing СКАХАТА 264-TLP701AF (D4-TPF) Ear99 8541.49.8000 1 600 май, 600 мат 600 май 50ns, 50ns 1,57 25 май 5000 дней 20 кв/мкс 500NS, 500NS 350ns 10 В ~ 30 В.
TLP701F(D4SONYTP,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP701F (D4SONYTP, F. -
RFQ
 ECAD 3894 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6 SOIC (0,268 дюйма, Ирина 6,80 мм) TLP701 Оптишая - 1 6-Sdip Gull Wing СКАХАТА 264-TLP701F (D4SONYTPF Ear99 8541.49.8000 1 - 600 май - - 5000 дней 10 кв/мкс 700NS, 700NS - 10 В ~ 30 В.
TLP705AF(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP705AF (TP, F) -
RFQ
 ECAD 3995 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6 SOIC (0,268 дюйма, Ирина 6,80 мм) TLP705 Оптишая CSA, CUL, UL, VDE 1 6-Sdip Gull Wing СКАХАТА 264-TLP705AF (TPF) Ear99 8541.49.8000 1 600 май, 600 мат 600 май 35NS, 15NS 1,57 25 май 5000 дней 20 кв/мкс 200ns, 200ns 50NS 10 В ~ 30 В.
TLP700AF(D4-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP700AF (D4-TP, F) -
RFQ
 ECAD 6467 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо -40 ° C ~ 110 ° C. Пефер 6 SOIC (0,268 дюйма, Ирина 6,80 мм) TLP700 Оптишая CQC, CSA, CUL, UL, VDE 1 6-Sdip Gull Wing СКАХАТА 264-TLP700AF (D4-TPF) Ear99 8541.49.8000 1 2,5А, 2,5а 2.5A 15ns, 8ns 1,55 20 май 5000 дней 20 кв/мкс 200ns, 200ns 50NS 15 В ~ 30
TLP358(D4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP358 (D4, F) -
RFQ
 ECAD 1584 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 8-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) TLP358 Оптишая CSA, CUL, UL, VDE 1 8-Dip СКАХАТА 264-TLP358 (D4F) Ear99 8541.49.8000 1 5А, 5А 6A 17ns, 17ns 1,57 20 май 3750vrms 20 кв/мкс 500NS, 500NS 250ns 15 В ~ 30
TLP701H(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP701H (F) 0,7241
RFQ
 ECAD 8442 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Трубка Прохл -40 ° C ~ 125 ° C. Пефер 6 SOIC (0,268 дюйма, Ирина 6,80 мм) TLP701 Оптишая Кул, ул 1 6-Sdip Gull Wing СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) TLP701HF Ear99 8541.49.8000 100 400 май, 400 мая 600 май 50ns, 50ns 1,57 25 май 5000 дней 20 кв/мкс 700NS, 700NS 500NS 10 В ~ 30 В.
TLP5771(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5771 (TP, e 2.3300
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 110 ° C. Пефер 6 SOIC (0,295 ", Ирина 7,50 мм) TLP5771 Оптишая Cqc, cur, ur, vde 1 6 ТАКОГО СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1500 1a, 1a 1A 15ns, 8ns 1,65 В. 8 май 5000 дней 35 К/мкс 150NS, 150NS 50NS 10 В ~ 30 В.
TLP700(GEHC,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP700 (GEHC, F) -
RFQ
 ECAD 5009 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6 SOIC (0,268 дюйма, Ирина 6,80 мм) TLP700 Оптишая CSA, CUL, UL, VDE 1 6-Sdip Gull Wing СКАХАТА 264-TLP700 (GEHCF) Ear99 8541.49.8000 1 1,5а, 1,5а 2A 50ns, 50ns 1,57 20 май 5000 дней 15 кв/мкс 500NS, 500NS - 15 В ~ 30
TLP152(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP152 (e 1,3000
RFQ
 ECAD 125 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Трубка Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6 SOIC (0,179 ", Ирина 4,55 мм), 5 проводников TLP152 Оптишая CQC, CUL, UL 1 6 tyakowых, 5 -йлидирштва СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 125 2а, 2а 2.5A 18ns, 22ns 1,57 15 май 3750vrms 20 кв/мкс 170ns, 190ns 50NS 10 В ~ 30 В.
TLP523-4(MBS,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP523-4 (MBS, F) -
RFQ
 ECAD 6882 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee * Трубка Управо TLP523 - 1 (neograniчennnый) 264-TLP523-4 (MBSF) Ear99 8541.49.8000 50
TLP5771(D4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5771 (D4, e 2.3800
RFQ
 ECAD 5395 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Трубка Актифен -40 ° C ~ 110 ° C. Пефер 6 SOIC (0,295 ", Ирина 7,50 мм) TLP5771 Оптишая Cqc, cur, ur, vde 1 6 ТАКОГО СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) TLP5771 (D4E Ear99 8541.49.8000 125 1a, 1a 1A 15ns, 8ns 1,65 В. 8 май 5000 дней 35 К/мкс 150NS, 150NS 50NS 10 В ~ 30 В.
TLP352(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP352 (LF1, F) 1.9500
RFQ
 ECAD 7861 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Трубка Актифен -40 ° C ~ 125 ° C. Пефер 8-SMD, крхло TLP352 Оптишая CSA, CUL, UL 1 8-SMD СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 50 2а, 2а 2.5A 15ns, 8ns 1,55 20 май 3750vrms 20 кв/мкс 200ns, 200ns 50NS 15 В ~ 30
TLP705F(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP705F (TP, F) -
RFQ
 ECAD 8433 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6 SOIC (0,268 дюйма, Ирина 6,80 мм) TLP705F Оптишая В 1 6-Sdip Gull Wing - ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) TLP705F (TPF) Ear99 8541.49.8000 2500 - 450 май - - 5000 дней 10 кв/мкс 200ns, 200ns - 10 В ~ 20 В.
TLP5231(D4-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5231 (D4-TP, e 5.5100
RFQ
 ECAD 9931 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 110 ° C. Пефер 16 SOIC (0,295 ", Ирина 7,50 мм) TLP5231 Оптишая CQC, CUL, UL, VDE 2 16-й СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1500 1a, 1a 2.5A 50ns, 50ns 1,7 В (MMAKS) 25 май 5000 дней 25 кв/мкс 300NS, 300NS 150ns 21 В ~ 30
TLP5751(D4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5751 (D4, e 2.4300
RFQ
 ECAD 9678 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Трубка Актифен -40 ° C ~ 110 ° C. Пефер 6 SOIC (0,295 ", Ирина 7,50 мм) TLP5751 Оптишая CQC, CSA, CUL, UL, VDE 1 6 ТАКОГО СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 125 1a, 1a 1A 15ns, 8ns 1,55 20 май 5000 дней 35 К/мкс 150NS, 150NS 50NS 15 В ~ 30
TLP351F(TP4,Z,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP351F (TP4, Z, F) -
RFQ
 ECAD 7155 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee * Lenta и катахка (tr) Управо TLP351 - 1 (neograniчennnый) 264-TLP351F (TP4ZF) Tr Ear99 8541.49.8000 1500
TLP5222(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5222 (TP, e 7.0100
RFQ
 ECAD 1301 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 110 ° C. Пефер 16 SOIC (0,295 ", Ирина 7,50 мм) TLP5222 Оптишая CQC, CSA, CUL, UL, VDE 1 16-й СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1500 2а, 2а 2.5A 58ns, 57ns 1,67 В. 25 май 5000 дней 25 кв/мкс 250NS, 250NS 50NS 15 В ~ 30
TLP250(INV,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP250 (Inv, F) -
RFQ
 ECAD 8862 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee * Трубка Управо TLP250 - 1 (neograniчennnый) 264-TLP250 (Invf) Ear99 8541.49.8000 50
TLP700(D4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP700 (D4, F) -
RFQ
 ECAD 2220 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6 SOIC (0,268 дюйма, Ирина 6,80 мм) TLP700 Оптишая CSA, CUL, UL, VDE 1 6-Sdip Gull Wing СКАХАТА 264-TLP700 (D4F) Ear99 8541.49.8000 1 2а, 2а 2A 50ns, 50ns 1,57 20 май 5000 дней 15 кв/мкс 500NS, 500NS - 15 В ~ 30
TLP351(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP351 (F) 1.9200
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Трубка Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 8-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) TLP351 Оптишая - 1 8-Dip СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 50 400 май, 400 мая 600 май 50ns, 50ns 1,55 20 май 3750vrms 10 кв/мкс 700NS, 700NS - 10 В ~ 30 В.
TLP250LF1F Toshiba Semiconductor and Storage TLP250LF1F -
RFQ
 ECAD 8722 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Трубка Управо -20 ° C ~ 85 ° C. Пефер 8-SMD, крхло TLP250 Оптишая В 1 8-SMD - ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 50 500 май, 500 мат 1,5а - 1,6 В. 20 май 2500vrms 5 кв/мкс 500NS, 500NS - 15 В ~ 30
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список RFQ (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть