SIC
close

Траншистор, Фото -доктерский

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta ТИПВ Колист. Каналов Втипа ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Ток - Верна На На Current - DC Forward (if) (max) Naprayжeniee - yзolyahip Коэффигиэнт Переносатока (мин) Коэффигиэнт Передахитока (МАКС) Klючite / vыklючite -veremymape (typ) Vce nassheeneee (mmaks)
MOC8101W onsemi MOC8101W -
RFQ
 ECAD 2642 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) MOC810 ТОК 1 Траншистор 6-Dip СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH MOC8101W-NDR Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 1 мкс, 2 мкс 30 1,15 В. 100 май 5300vrms 50% @ 10ma 80% @ 10ma 2 мкс, 3 мкс 400 м
HCPL0531 Fairchild Semiconductor HCPL0531 2.2000
RFQ
 ECAD 268 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) ТОК 2 Траншистор 8 лейт СКАХАТА Ear99 8541.49.8000 137 8 май - 20 1,45 25 май 2500vrms 19% @ 16ma 50% @ 16ma 450NS, 300NS -
TLP620-4(D4-LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP620-4 (D4-LF1, F) -
RFQ
 ECAD 1651 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 16-SMD TLP620 AC, DC 4 Траншистор 16-SMD СКАХАТА 264-TLP620-4 (D4-LF1F) Ear99 8541.49.8000 1 50 май 2 мкс, 3 мкс 55 1,15 В. 50 май 5000 дней 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3 мкс, 3 мкс 400 м
8430150000 Weidmüller 8430150000 -
RFQ
 ECAD 6987 0,00000000 Weidmüller - МАССА Управо -25 ° C ~ 50 ° C. Din Rail Модул ТОК 1 Траншистор - СКАХАТА Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1 3.5a - 24 - - - - - -
TCMT1100 Vishay Semiconductor Opto Division TCMT1100 0,6200
RFQ
 ECAD 78 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4 SOIC (0,173 », Ирина 4,40 мм) TCMT1100 ТОК 1 Траншистор 4-Sop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 3000 50 май 5,5 мкс, 7 мкс 70В 1,35 В. 60 май 3750vrms 50% @ 5MA 600% @ 5MA 9,5 мкс, 8,5 мкс 300 м
LH1262CB Vishay Semiconductor Opto Division LH1262CB 3.9900
RFQ
 ECAD 5367 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Чereз dыru 8-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) LH1262 ТОК 2 Фото -доктерский 8-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 50 1 мка - 15 1,26 50 май 5300vrms - - 35 мкс, 90 мкс -
CNX35U300W onsemi CNX35U300W -
RFQ
 ECAD 4296 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) CNX35 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-Dip СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH CNX35U300W-NDR Ear99 8541.49.8000 1000 100 май - 30 1,15 В. 100 май 5300vrms 40% @ 10ma 160% @ 10ma 20 мкс, 20 мкс 400 м
HCPL-4504-520E Broadcom Limited HCPL-4504-520E 1.0966
RFQ
 ECAD 9806 0,00000000 Broadcom Limited - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8-SMD, крхло HCPL-4504 ТОК 1 Траншистор 8-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 8 май - 20 1,5 В. 25 май 5000 дней 25% @ 16ma 60% @ 16ma 200NS, 300NS -
HCPL-0530-000E Broadcom Limited HCPL-0530-000E 3.9400
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Broadcom Limited - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) HCPL-0530 ТОК 2 Траншистор 8 ТАКОГО СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 100 8 май - 20 1,5 В. 25 май 3750vrms 7% @ 16ma 50% @ 16ma 200NS, 1,3 мкм -
PS2701-1-V-F3-P-A CEL PS2701-1-V-F3-PA -
RFQ
 ECAD 3463 0,00000000 СМЕРЕЛЕР Nepok Lenta и катахка (tr) Пркрэно -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 3500 80 май 3 мкс, 5 мкс 40 1,1 В. 50 май 3750vrms 150% @ 5MA 300% @ 5MA - 300 м
PS2565L2-1Y-F3-A Renesas Electronics America Inc PS2565L2-1Y-F3-A 1.5600
RFQ
 ECAD 5062 0,00000000 Renesas Electronics America Inc - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло PS2565 AC, DC 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 3 мкс, 5 мкс 80 1,17 80 май 5000 дней 80% @ 5MA 400% @ 5MA - 300 м
HCPL-2730 Broadcom Limited HCPL-2730 2.4303
RFQ
 ECAD 1269 0,00000000 Broadcom Limited - Трубка Актифен 0 ° C ~ 70 ° C. Чereз dыru 8-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) HCPL-2730 ТОК 2 Дэйрлингтон 8-Dip СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH 516-1014-5 Ear99 8541.49.8000 50 60 май - 7в 1,4 В. 12 май 3750vrms 300% @ 1,6 мая 2600% @ 1,6 мая 5 мкс, 10 мкс 100 м
HCNW4502-300E Broadcom Limited HCNW4502-300E 1.2966
RFQ
 ECAD 8056 0,00000000 Broadcom Limited - Трубка Актифен -55 ° C ~ 85 ° C. Пефер 8-SMD, крхло HCNW4502 ТОК 1 Траншистор 8-Dip Gull Wing СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 42 8 май - 20 1,68 25 май 5000 дней 15% @ 16ma - 1 мкс, 1 мкс (MMAKS) -
EL3H7(E)(EB)-VG Everlight Electronics Co Ltd El3h7 (e) (eb) -vg -
RFQ
 ECAD 7593 0,00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4 SOIC (0,173 », Ирина 4,40 мм) EL3H7 ТОК 1 Траншистор 4-Ssop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 5 мкс, 3 мкс 80 1,2 В. 50 май 3750vrms 100% @ 5MA 200% @ 5MA - 200 м
CNY117F-3 Vishay Semiconductor Opto Division CNY117F-3 0,2826
RFQ
 ECAD 5567 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) CNY117 ТОК 1 Траншистор 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,39 В. 60 май 5000 дней 100% @ 10ma 200% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
TLP630(TA,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP630 (TA, F) -
RFQ
 ECAD 4822 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) TLP630 AC, DC 1 Траншистор С.Б.А. 6-Dip СКАХАТА 264-TLP630 (TAF) Ear99 8541.49.8000 1 50 май 2 мкс, 3 мкс 55 1,15 В. 60 май 5000 дней 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3 мкс, 3 мкс 400 м
TLP182(Y,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP182 (y, e 0,5500
RFQ
 ECAD 1756 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Трубка Актифен -55 ° C ~ 125 ° C. Пефер 6 SOIC (0,173 ", Ирина 4,40 мм), 4 Свина TLP182 AC, DC 1 Траншистор 6-Sop СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) TLP182 (Ye Ear99 8541.49.8000 125 50 май 2 мкс, 3 мкс 80 1,25 50 май 3750vrms 50% @ 5MA 150% @ 5MA 3 мкс, 3 мкс 300 м
PS2501-1-A Renesas Electronics America Inc PS2501-1-A 0,1747
RFQ
 ECAD 8182 0,00000000 Renesas Electronics America Inc Nepok Трубка В аспекте -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) PS2501 ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 559-1001 Ear99 8541.49.8000 100 50 май 3 мкс, 5 мкс 80 1,17 80 май 5000 дней 80% @ 5MA 600% @ 5MA - 300 м
TLP785F(D4GHT7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F (D4GHT7, ф -
RFQ
 ECAD 6227 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 4-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) TLP785 ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА 1 (neograniчennnый) 264-TLP785F (D4GHT7FTR Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 2 мкс, 3 мкс 80 1,15 В. 60 май 5000 дней 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3 мкс, 3 мкс 400 м
PS2913-1-V-F3-K-AX CEL PS2913-1-V-F3-K-AX -
RFQ
 ECAD 2189 0,00000000 СМЕРЕЛЕР - Lenta и катахка (tr) Пркрэно -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, Плоскилили ТОК 1 Траншистор 4-минутнг Флат СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH PS2913-1-V-F3-K-AXTR Ear99 8541.49.8000 3500 30 май 10 мкс, 10 мкс 120 1,1 В. 50 май 2500vrms 100% @ 1MA 200% @ 1MA 80 мкс, 50 ​​мкс 300 м
H11A817DS onsemi H11A817ds -
RFQ
 ECAD 1254 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло H11a ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH H11A817DS-NDR Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 2,4 мкс, 2,4 мкс 70В 1,2 В. 50 май 5300vrms 300% @ 5MA 600% @ 5MA - 200 м
HCPL2530S onsemi HCPL2530S 3.1600
RFQ
 ECAD 479 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8-SMD, крхло HCPL2530 ТОК 2 Траншистор 8-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 50 8 май - 20 1,45 25 май 2500vrms 7% @ 16ma 50% @ 16ma 450NS, 500NS -
VO617C-1X016 Vishay Semiconductor Opto Division VO617C-1X016 0,2307
RFQ
 ECAD 6542 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 4-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА 751-VO617C-1X016TR Ear99 8541.49.8000 4000 50 май 3 мкс, 3 мкс 80 1,1 В. 60 май 5300vrms 40% @ 5MA 80% @ 5MA 6 мкс, 4 мкс 400 м
8275390000 Weidmüller 8275390000 -
RFQ
 ECAD 9286 0,00000000 Weidmüller - МАССА Управо -25 ° C ~ 60 ° C. Din Rail Модул ТОК 1 Траншистор - СКАХАТА Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1 100 май - 48 - - - - - -
TLP292-4(4LGBTRE Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4 (4LGBTRE 1.7900
RFQ
 ECAD 8134 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 125 ° C. Пефер 16 SOIC (0,179 », Ирина 4,55 мм) TLP292 AC, DC 4 Траншистор 16-й СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 2 мкс, 3 мкс 80 1,25 50 май 3750vrms 100% @ 500 мк 600% @ 500 мк 3 мкс, 3 мкс 300 м
MOC256R2M Fairchild Semiconductor MOC256R2M 0,3600
RFQ
 ECAD 106 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) AC, DC 1 Траншистор С.Б.А. 8 лейт СКАХАТА Ear99 8541.49.8000 831 150 май - 30 1,2 В. 60 май 2500vrms 20% @ 10ma - - 400 м
FOD2742C onsemi FOD2742C -
RFQ
 ECAD 8316 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо -25 ° C ~ 85 ° C. Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) FOD274 ТОК 1 Траншистор 8 лейт СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 3000 50 май - 70В 1,2 В. 2500vrms 100% @ 10ma 200% @ 10ma - 400 м
LTV-733S-TA Lite-On Inc. LTV-733S-TA -
RFQ
 ECAD 4663 0,00000000 Lite-On Inc. LTV-733 Lenta и катахка (tr) Актифен -30 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло LTV-733 AC, DC 1 Траншистор С.Б.А. 6-SMD - Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 4 мкс, 3 мкс 35 1,2 В. 50 май 5000 дней 20% @ 1MA 300% @ 1MA - 200 м
TLP120(GR-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP120 (GR-TP, F) -
RFQ
 ECAD 9211 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD (4 свина), кргло TLP120 AC, DC 1 Траншистор 6-mfsop, 4-й лир - ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) TLP120 (GR-TPF) Ear99 8541.49.8000 3000 50 май 2 мкс, 3 мкс 80 1,15 В. 50 май 3750vrms 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3 мкс, 3 мкс 400 м
EL354 Everlight Electronics Co Ltd EL354 -
RFQ
 ECAD 7516 0,00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло AC, DC 1 Траншистор 4-Sop (2,54 мм) СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1080-1036 Ear99 8541.49.8000 100 - 6 мкс, 8 мкс 80 1,2 В. 50 май 3750vrms 20% @ 1MA 300% @ 1MA - 200 м
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть