SIC
close

Траншистор, Фото -доктерский

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В приземлении Епако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta ТИПВ Колист. Каналов Втипа ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Ток - Верна На На Current - DC Forward (if) (max) Naprayжeniee - yзolyahip Коэффигиэнт Переносатока (мин) Коэффигиэнт Передахитока (МАКС) Klючite / vыklючite -veremymape (typ) Vce nassheeneee (mmaks)
FOD2741BT onsemi FOD2741BT -
RFQ
 ECAD 6255 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо -40 ° C ~ 85 ° C. Чereз dыru 8-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) FOD274 ТОК 1 Траншистор 8-MDIP СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 50 май - 30 1,5 - 5000 дней 100% @ 10ma 200% @ 10ma - 400 м
SL5500 Fairchild Semiconductor SL5500 0,1200
RFQ
 ECAD 2052 0,00000000 Fairchild Semiconductor - Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-Dip СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.49.8000 21 100 май - 30 1,23 В. 100 май 5300vrms 40% @ 10ma 300% @ 10MA 20 мкс, 50 мкс (MMAKS) 400 м
SFH6156-1T-LB Vishay Semiconductor Opto Division SFH6156-1T-LB -
RFQ
 ECAD 8180 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я SFH6156 МАССА Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло ТОК 1 Траншистор 4-SMD - DOSTISH 751-SFH6156-1T-LB Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 2 мкс, 11 мкс 70В 1,25 60 май 5300vrms 40% @ 10ma 80% @ 10ma 3 мкс, 18 мкс 400 м
FODM452R1V Fairchild Semiconductor FODM452R1V -
RFQ
 ECAD 7950 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 6 SOIC (0,173 ", Ирина 4,40 мм), 5 проводников ТОК 1 Траншистор 5-минутнгн СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.49.8000 500 8 май - 20 1,6 В. 25 май 3750vrms 20% @ 16ma 50% @ 16ma 400NS, 350NS -
6N135#020 Broadcom Limited 6n135#020 -
RFQ
 ECAD 9891 0,00000000 Broadcom Limited - Трубка ПРЕКРЕВО -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 8-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) 6n135 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 8-Dip СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 50 8 май - 20 1,5 В. 25 май 5000 дней 7% @ 16ma 50% @ 16ma 200NS, 1,3 мкм -
MOC119M Fairchild Semiconductor MOC119M -
RFQ
 ECAD 7923 0,00000000 Fairchild Semiconductor - Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) ТОК 1 Дэйрлингтон 6-Dip СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.49.8000 1000 150 май - 30 1,15 В. 60 май 5300vrms 300% @ 10MA - 3,5 мкс, 95 мкс 1V
HCPL3700M onsemi HCPL3700M 5.9800
RFQ
 ECAD 519 0,00000000 OnSemi - Трубка Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Чereз dыru 8-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) HCPL3700 AC, DC 1 Дэйрлингтон 8-Dip СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH 2832-HCPL3700M Ear99 8541.49.8000 50 30 май 45 мкс, 0,5 мкс 20 - 5000 дней - - 6 мкс, 25 мкс -
140816142200 Würth Elektronik 140816142200 0,3800
RFQ
 ECAD 595 0,00000000 Wyrt эlektronyk Wl-ocpt Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло ТОК 1 Траншистор 4-Dip-S СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1500 50 май 3 мкс, 4 мкс 80 1,24 60 май 5000 дней 130% @ 5MA 260% @ 5MA -
ACPL-827-W0BE Broadcom Limited ACPL-827-W0BE 0,3395
RFQ
 ECAD 5179 0,00000000 Broadcom Limited - Трубка Актифен -30 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 8-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) ACPL-827 ТОК 2 Траншистор 8-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 50 50 май 4 мкс, 3 мкс 70В 1,2 В. 50 май 5000 дней 130% @ 5MA 260% @ 5MA - 200 м
EL817(S1)(B)(TU)-VG Everlight Electronics Co Ltd El817 (s1) (b) (tu) -vg 0,1732
RFQ
 ECAD 6730 0,00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло EL817 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1500 50 май 6 мкс, 8 мкс 80 1,2 В. 60 май 5000 дней 130% @ 5MA 260% @ 5MA - 200 м
PC123X2YFZ1B SHARP/Socle Technology PC123X2YFZ1B -
RFQ
 ECAD 8277 0,00000000 Sharp/Socle Technology - Трубка ПРЕКРЕВО -30 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 4-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) ТОК 1 Траншистор 4-Dip - ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 5000 50 май 4 мкс, 3 мкс 70В 1,2 В. 50 май 5000 дней - - - 200 м
TLP120(GB-TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP120 (GB-TPR, F) -
RFQ
 ECAD 6747 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD (4 свина), кргло TLP120 AC, DC 1 Траншистор 6-mfsop, 4-й лир - ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) TLP120 (GB-TPRF) Ear99 8541.49.8000 3000 50 май 2 мкс, 3 мкс 80 1,15 В. 50 май 3750vrms 100% @ 5MA 600% @ 5MA 3 мкс, 3 мкс 400 м
TLX9185(PEDGBTLF(O Toshiba Semiconductor and Storage TLX9185 (PEDGBTLF (o -
RFQ
 ECAD 2766 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee * МАССА Управо - 264-TLX9185 (PEDGBTLF (o Ear99 8541.49.8000 1
TLP127(ITO-TPR,U,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP127 (ITO-TPR, U, F. -
RFQ
 ECAD 3744 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD (4 свина), кргло TLP127 ТОК 1 Дэйрлингтон 6-mfsop, 4-й лир - 1 (neograniчennnый) 264-TLP127 (ITO-TPRUFTR Ear99 8541.49.8000 3000 150 май 40 мкс, 15 мкс 300 1,15 В. 50 май 2500vrms 1000% @ 1MA - 50 мкс, 15 мкс 1,2 В.
MCT623SD onsemi MCT623SD 1.6700
RFQ
 ECAD 950 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8-SMD, крхло MCT623 ТОК 2 Траншистор 8-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 30 май - 30 1,2 В. 60 май 5000 дней 100% @ 5MA - 2,4 мкс, 2,4 мкс 400 м
CNY17F-1X019 Vishay Semiconductor Opto Division CNY17F-1X019 0,2509
RFQ
 ECAD 2146 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 6-SMD, кргло CNY17 ТОК 1 Траншистор 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,39 В. 60 май 5000 дней 40% @ 10ma 80% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
CNY117F-1X006 Vishay Semiconductor Opto Division CNY117F-1X006 0,3086
RFQ
 ECAD 1871 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 6-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) CNY117 ТОК 1 Траншистор 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,39 В. 60 май 5000 дней 40% @ 10ma 80% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
HCPL-181-00CE Broadcom Limited HCPL-181-00CE 0,6400
RFQ
 ECAD 18 0,00000000 Broadcom Limited - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло HCPL-181 ТОК 1 Траншистор 4-минутнг Флат СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 3000 50 май 4 мкс, 3 мкс 80 1,2 В. 50 май 3750vrms 200% @ 5MA 400% @ 5MA - 200 м
TLP188(GB-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP188 (GB-TPL, e 0,8300
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 6 SOIC (0,173 ", Ирина 4,40 мм), 4 Свина TLP188 ТОК 1 Траншистор 6-Sop СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 3000 50 май 2 мкс, 3 мкс 350 1,25 50 май 3750vrms 100% @ 5MA 600% @ 5MA 3 мкс, 3 мкс 400 м
4N37 Vishay Semiconductor Opto Division 4n37 0,6100
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) 4n37 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 50 50 май - 30 1,3 В. 50 май 5000 дней 100% @ 10ma - 10 мкс, 10 мкс -
EL3H7(E)(EA)-G Everlight Electronics Co Ltd El3h7 (e) (ea) -g 0,1687
RFQ
 ECAD 4709 0,00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4 SOIC (0,173 », Ирина 4,40 мм) EL3H7 ТОК 1 Траншистор 4-Ssop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) C110001635 Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 5 мкс, 3 мкс 80 1,2 В. 50 май 3750vrms 100% @ 5MA 200% @ 5MA - 200 м
HCPL-4504#300 Broadcom Limited HCPL-4504#300 1.8949
RFQ
 ECAD 2051 0,00000000 Broadcom Limited - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8-SMD, крхло HCPL-4504 ТОК 1 Траншистор 8-SMD СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 50 8 май - 20 1,5 В. 25 май 3750vrms 25% @ 16ma 60% @ 16ma 200NS, 300NS -
MCT2EFR2M onsemi MCT2EFR2M -
RFQ
 ECAD 3549 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло MCT2 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-SMD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH MCT2EFR2M-NDR Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 2 мкс, 1,5 мкс 30 1,25 60 май 7500VPK 20% @ 10ma - 2 мкс, 2 мкс 400 м
VO615A-8X018T Vishay Semiconductor Opto Division VO615A-8X018T 0,1275
RFQ
 ECAD 4022 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло VO615 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 3 мкс, 4,7 мкс 70В 1,43 В. 60 май 5000 дней 130% @ 5MA 260% @ 5MA 6 мкс, 5 мкс 300 м
4N273SD onsemi 4n273sd -
RFQ
 ECAD 3129 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло 4n27 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-SMD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH 4n273sd-ndr Ear99 8541.49.8000 1000 - - 30 1,18 100 май 5300vrms 10% @ 10ma - 2 мкс, 2 мкс 500 м
MCT2FVM onsemi MCT2FVM -
RFQ
 ECAD 5379 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло MCT2 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-SMD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH MCT2FVM-NDR Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 2 мкс, 1,5 мкс 30 1,25 60 май 7500VPK 20% @ 10ma - 2 мкс, 2 мкс 400 м
TLP124F Toshiba Semiconductor and Storage TLP124F -
RFQ
 ECAD 4843 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD (4 свина), кргло TLP124F ТОК 1 Траншистор 6-mfsop, 4-й лир СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) TLP124 (F) Ear99 8541.49.8000 150 50 май 8 мкс, 8 мкс 80 1,15 В. 50 май 3750vrms 100% @ 1MA 1200% @ 1MA 10 мкс, 8 мкс 400 м
PS2933-1-A CEL PS2933-1-A -
RFQ
 ECAD 8797 0,00000000 СМЕРЕЛЕР Nepok МАССА Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, Плоскилили ТОК 1 Дэйрлингтон 4-минутнг Флат СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH PS2933-1 Ear99 8541.49.8000 100 60 май 20 мкс, 5 мкс 350 1,1 В. 50 май 2500vrms 400% @ 1MA 4500% @ 1MA - 1V
SFH6156-2T Vishay Semiconductor Opto Division SFH6156-2T 0,6400
RFQ
 ECAD 347 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло SFH6156 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,25 60 май 5300vrms 63% @ 10ma 125% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
CNY17F2SR2M onsemi CNY17F2SR2M 0,7200
RFQ
 ECAD 980 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло CNY17F2 ТОК 1 Траншистор 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 4 мкс, 3,5 мкс (Mmaks) 70В 1,35 В. 60 май 4170vrms 63% @ 10ma 125% @ 10ma 2 мкс, 3 мкс 400 м
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть