SIC
close

Траншистор, Фото -доктерский

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta ТИПВ Колист. Каналов Втипа ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Ток - Верна На На Current - DC Forward (if) (max) Naprayжeniee - yзolyahip Коэффигиэнт Переносатока (мин) Коэффигиэнт Передахитока (МАКС) Klючite / vыklючite -veremymape (typ) Vce nassheeneee (mmaks)
6N1136-X006 Vishay Semiconductor Opto Division 6n1136-x006 -
RFQ
 ECAD 7626 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 8-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) 6n1136 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 8-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2000 8 май - 15 1,6 В. 25 май 5300vrms 19% @ 16ma - 200ns, 200ns -
VOM617A-1X001T Vishay Semiconductor Opto Division Vom617a-1x001t 0,2086
RFQ
 ECAD 9710 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен - Пефер 4-SMD, крхло Vom617 ТОК 1 Траншистор 4-Sop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 3000 100 май - 80 - 60 май 3750vrms 40% @ 5MA 80% @ 5MA - 400 м
TCDT1124G Vishay Semiconductor Opto Division TCD1124G 0,7200
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) TCDT1124 ТОК 1 Траншистор 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 50 50 май 4 мкс, 4,7 мкс 70В 1,25 60 май 5000 дней 160% @ 10ma 320% @ 10ma 4 мкс, 4,7 мкс 300 м
IL300-F-X019 Vishay Semiconductor Opto Division IL300-F-X019 -
RFQ
 ECAD 9537 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8-SMD, крхло IL300 ТОК 1 Фотолктристески, имени 8-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 70 мк (теп) 1 мкс, 1 мкс 500 м 1,25 60 май 5300vrms - - - -
IL300-EFG-X007T Vishay Semiconductor Opto Division IL300-EFG-X007T -
RFQ
 ECAD 4396 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я IL300 МАССА Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8-SMD, крхло ТОК 1 Фотолктристески, имени 8-SMD - 751-IL300-EFG-X007T Ear99 8541.49.8000 1000 - 1 мкс, 1 мкс - 1,25 60 май 4420vrms - - - -
APC-817C1-SL American Bright Optoelectronics Corporation APC-817C1-SL 0,4500
RFQ
 ECAD 231 0,00000000 American Bright Optoelectronics Corporation APC-817 Веса Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло APC-817 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1500 50 май 3 мкс, 4 мкс 35 1,24 60 май 5000 дней 200% @ 5MA 400% @ 5MA - 200 м
EL816(S)(D)(TA)-V Everlight Electronics Co Ltd El816 (s) (d) (ta) -v -
RFQ
 ECAD 8145 0,00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Lenta и катахка (tr) Пркрэно -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 4 мкс, 3 мкс 80 1,2 В. 60 май 5000 дней 300% @ 5MA 600% @ 5MA - 200 м
H11AA3S(TA) Everlight Electronics Co Ltd H11AA3S (TA) -
RFQ
 ECAD 8345 0,00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло H11AA AC, DC 1 Траншистор С.Б.А. 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 3907171236 Ear99 8541.49.8000 65 - 10 мкс, 10 мкс (MMAKS) 80 1,2 В. 60 май 5000 дней 50% @ 10ma - 10 мкс, 10 мкс (MMAKS) 400 м
HCPL0534 Fairchild Semiconductor HCPL0534 1.0100
RFQ
 ECAD 318 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) ТОК 2 Траншистор 8 лейт СКАХАТА Ear99 8541.49.8000 318 8 май - 20 1,45 25 май 2500vrms 15% @ 16ma - 450NS, 300NS -
TLP292-4(V4-TR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4 (V4-TR, e 1.7900
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 125 ° C. Пефер 16 SOIC (0,179 », Ирина 4,55 мм) TLP292 AC, DC 4 Траншистор 16-й СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 2 мкс, 3 мкс 80 1,25 50 май 3750vrms 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3 мкс, 3 мкс 300 м
CPC1001NTR IXYS Integrated Circuits Division CPC1001NTR 1.5900
RFQ
 ECAD 126 0,00000000 Ixys Integrated Circuits Division - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 4-SMD, крхло CPC1001 ТОК 1 Траншистор 4-Sop (2,54 мм) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2000 - - 30 1,2 В. 5 май 1500vrms 100% @ 200 мк 800% @ 200 мк 1 мкс, 30 мкс 300 м
PS2561BL-1-W-A CEL PS2561BL-1-wa -
RFQ
 ECAD 9017 0,00000000 СМЕРЕЛЕР Nepok Трубка Пркрэно -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 400 50 май 3 мкс, 5 мкс 80 1,17 40 май 5000 дней 130% @ 5MA 260% @ 5MA - 300 м
HCPL4503SDM onsemi HCPL4503SDM 2.4400
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8-SMD, крхло HCPL4503 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 8-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 8 май - 20 1,45 25 май 5000 дней 19% @ 16ma 50% @ 16ma 250ns, 260ns -
IL300-X001 Vishay Semiconductor Opto Division IL300-X001 -
RFQ
 ECAD 3264 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 8-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) IL300 ТОК 1 Фотолктристески, имени 8-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 70 мк (теп) 1 мкс, 1 мкс 500 м 1,25 60 май 5300vrms - - - -
TLP290(GR-TP,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP290 (GR-TP, SE 0,5100
RFQ
 ECAD 6444 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4 SOIC (0,179 ", Ирина 4,55 мм) TLP290 AC, DC 1 Траншистор 4 thacogogo СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2500 50 май 2 мкс, 3 мкс 80 1,25 50 май 3750vrms 100% @ 5MA 300% @ 5MA 3 мкс, 3 мкс 300 м
4N35-X007 Vishay Semiconductor Opto Division 4n35-x007 0,7100
RFQ
 ECAD 931 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло 4n35 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 50 май - 30 1,2 В. 60 май 5000 дней 100% @ 10ma - 10 мкс, 10 мкс -
4N37M onsemi 4n37m 0,7400
RFQ
 ECAD 46 0,00000000 OnSemi - Трубка Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) 4n37 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-Dip СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.49.8000 50 - - 30 1,18 60 май 4170vrms 100% @ 10ma - 2 мкс, 2 мкс 300 м
SFH6345-X009T Vishay Semiconductor Opto Division SFH6345-X009T 2.1400
RFQ
 ECAD 834 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8-SMD, крхло SFH6345 ТОК 1 Траншистор 8-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 8 май - 25 В 1,33 В. 25 май 5300vrms 19% @ 16ma - 300NS, 300NS 400 м
SFH620A-1X001 Vishay Semiconductor Opto Division SFH620A-1X001 0,3245
RFQ
 ECAD 4019 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) SFH620 AC, DC 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 4000 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,25 60 май 5300vrms 40% @ 10ma 125% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
IL766B-1 Vishay Semiconductor Opto Division IL766B-1 -
RFQ
 ECAD 7337 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) IL766 AC, DC 1 Дэйрлингтон 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2000 - - 60 1,25 60 май 5300vrms 400% @ 1MA - 200 мкс, - 1V
MOC8030S onsemi MOC8030S -
RFQ
 ECAD 7414 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло MOC803 ТОК 1 Дэйрлингтон 6-SMD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH MOC8030S-NDR Ear99 8541.49.8000 1000 150 май - 80 1,15 В. 60 май 5300vrms 300% @ 10MA - 3,5 мкс, 95 мкс -
EL1013-G Everlight Electronics Co Ltd EL1013-G -
RFQ
 ECAD 6958 0,00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Трубка Пркрэно -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло EL1013 ТОК 1 Траншистор 4-Sop (2,54 мм) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 100 50 май 2 мкс, 3 мкс 80 1,45 60 май 5000 дней 100% @ 10ma 200% @ 10ma 4 мкс, 3 мкс 300 м
MOC8101X Isocom Components 2004 LTD MOC8101X 0,6200
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Isocom Components 2004 Ltd - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) MOC8101 ТОК 1 Траншистор 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 65 50 май 2 мкс, 2 мкс 30 1,15 В. 60 май 5300vrms 50% @ 10ma 80% @ 10ma - 400 м
PS2502L-1-F3-K-A CEL PS2502L-1-F3-KA -
RFQ
 ECAD 7595 0,00000000 СМЕРЕЛЕР Nepok Lenta и катахка (tr) Пркрэно -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло ТОК 1 Дэйрлингтон 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2000 200 май 100 мкс, 100 мкс 40 1,17 80 май 5000 дней 2000% @ 1MA - - 1V
ELD211(TA)-V Everlight Electronics Co Ltd ELD211 (TA) -V -
RFQ
 ECAD 4956 0,00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) ELD211 ТОК 2 Траншистор 8-Sop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 - 1,6 мкс, 2,2 мкс 80 1,2 В. 60 май 3750vrms 20% @ 10ma - 5 мкс, 4 мкс 400 м
MOC205R1VM onsemi MOC205R1VM -
RFQ
 ECAD 4448 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) MOC205 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 8 лейт СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 150 май 3,2 мкс, 4,7 мкс 30 1,15 В. 60 май 2500vrms 40% @ 10ma 80% @ 10ma 7,5 мкс, 5,7 мкс 400 м
CNY65AGRST Vishay Semiconductor Opto Division CNY65AGRST 3.3800
RFQ
 ECAD 21 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 85 ° C. Пефер 4-SMD, крхло CNY65 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 4 (72 чACA) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 400 50 май 2,4 мкс, 2,7 мкс 32V 1,32 В. 75 май 8200vrms 100% @ 5MA 300% @ 5MA 5 мкс, 3 мкс 300 м
6N139S(TA)-V Everlight Electronics Co Ltd 6n139s (ta) -v 0,5873
RFQ
 ECAD 8131 0,00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 8-SMD, крхло ТОК 1 Дэйрлингтон С.Бах 8-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) C170000021 Ear99 8541.49.8000 1000 60 май - 18В 1,3 В. 20 май 5000 дней 500% @ 1,6 мая - 200NS, 1,7 мкс -
FODM121DR2V onsemi FODM121DR2V -
RFQ
 ECAD 7043 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло FODM12 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2500 80 май 3 мкс, 3 мкс 80 1,3 В (МАКС) 50 май 3750vrms 50% @ 5MA 600% @ 5MA - 400 м
CNW11AV3S onsemi CNW11AV3S -
RFQ
 ECAD 1460 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо - Пефер 6-SMD, кргло CNW11 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-SMD СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 50 100 май - 70В - 100 май 4000 дней 20% @ 10ma - - 400 м
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть