SIC
close

Траншистор, Фото -доктерский

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta ТИПВ Колист. Каналов Втипа ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Ток - Верна На На Current - DC Forward (if) (max) Naprayжeniee - yзolyahip Коэффигиэнт Переносатока (мин) Коэффигиэнт Передахитока (МАКС) Klючite / vыklючite -veremymape (typ) Vce nassheeneee (mmaks)
ILD252-X009T Vishay Semiconductor Opto Division ILD252-X009T -
RFQ
 ECAD 5012 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8-SMD, крхло ILD252 AC, DC 2 Траншистор 8-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 - - 30 1,2 В. 60 май 5300vrms 100% @ 10ma - - 400 м
4N35300 onsemi 4N35300 -
RFQ
 ECAD 6802 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) 4n35 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-Dip СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 - - 30 1,18 100 май 5300vrms 100% @ 10ma - 2 мкс, 2 мкс 300 м
H24B1 onsemi H24B1 -
RFQ
 ECAD 8124 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо - Чereз dыru 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) H24b ТОК 1 Дэйрлингтон 4-Dip СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 100 - - 30 - 60 май 5300vrms 1000% @ 5MA - - 1V
H11F3VM onsemi H11F3VM 4.3100
RFQ
 ECAD 1801 0,00000000 OnSemi - МАССА Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) H11f ТОК 1 МОСС 6-Dip СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 - - 15 1,3 В. 60 май 4170vrms - - 45 мкс, 45 мкс (максимум) -
PVI5013RSPBF-INF Infineon Technologies PVI5013RSPBF-INF 2.6500
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Infineon Technologies - МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 8-SMD, крхло ТОК 2 Фото -доктерский 8-SMD СКАХАТА Neprigodnnый 4 (72 чACA) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 114 - - - - 40 май 3750vrms - - 5 мс, 250 мкс (MMAKS) 8в
5962-8981002KXA Broadcom Limited 5962-8981002KXA 647.0357
RFQ
 ECAD 1582 0,00000000 Broadcom Limited - Трубка Актифен -55 ° C ~ 125 ° C. Пефер 8-SMD, крхло 5962-8981002 ТОК 1 Дэйрлингтон 8-Dip Gull Wing СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1 40 май - 20 1,4 В. 10 май 1500 200% @ 5MA - 2 мкс, 8 мкс 110 м
HCPL4503SVM onsemi HCPL4503SVM 2.8900
RFQ
 ECAD 9220 0,00000000 OnSemi - МАССА Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8-SMD, крхло HCPL4503 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 8-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 8 май - 20 1,45 25 май 5000 дней 19% @ 16ma 50% @ 16ma 250ns, 260ns -
FOD2743AV onsemi FOD2743AV -
RFQ
 ECAD 5725 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо -40 ° C ~ 85 ° C. Чereз dыru 8-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) FOD274 ТОК 1 Траншистор 8-Dip СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 50 май - 70В 1,07 5000 дней 50% @ 1MA 100% @ 1MA - 400 м
CNX35US onsemi CNX35US -
RFQ
 ECAD 2506 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло CNX35 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-SMD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH CNX35US-NDR Ear99 8541.49.8000 1000 100 май - 30 1,15 В. 100 май 5300vrms 40% @ 10ma 160% @ 10ma 20 мкс, 20 мкс 400 м
4N26VM onsemi 4n26vm -
RFQ
 ECAD 3970 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) 4n26 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-Dip СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH 4n26vm-ndr Ear99 8541.49.8000 1000 - - 30 1,18 60 май 4170vrms 20% @ 10ma - 2 мкс, 2 мкс 500 м
H11B1-X001 Vishay Semiconductor Opto Division H11B1-X001 -
RFQ
 ECAD 1164 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) H11 ТОК 1 Дэйрлингтон С.Бах 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2000 100 май - 25 В 1,1 В. 60 май 5300vrms 500% @ 1MA - 5 мкс, 30 мкс 1V
PS2533-1-A Renesas Electronics America Inc PS2533-1-A 2.0300
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 Renesas Electronics America Inc Nepok Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) PS2533 ТОК 1 Дэйрлингтон 4-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 100 150 май 100 мкс, 100 мкс 350 1,15 В. 80 май 5000 дней 1500% @ 1MA 6500% @ 1MA - 1V
TLP385(BLL-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385 (BLL-TPL, e 0,5600
RFQ
 ECAD 3441 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 6 SOIC (0,173 ", Ирина 4,40 мм), 4 Свина TLP385 ТОК 1 Траншистор 6 tyakowых, 4 -й лирштва СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 3000 50 май 2 мкс, 3 мкс 80 1,25 50 май 5000 дней 200% @ 5MA 400% @ 5MA 3 мкс, 3 мкс 300 м
HCPL4502SD onsemi HCPL4502SD -
RFQ
 ECAD 9406 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8-SMD, крхло HCPL45 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 8-SMD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 8 май - 20 1,45 25 май 2500vrms 19% @ 16ma 50% @ 16ma 450NS, 300NS -
EL3H4(A)(TB)-G Everlight Electronics Co Ltd El3h4 (a) (tb) -g 0,2116
RFQ
 ECAD 2332 0,00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4 SOIC (0,173 », Ирина 4,40 мм) EL3H4 AC, DC 1 Траншистор 4-Ssop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) C120000108 Ear99 8541.49.8000 5000 - 6 мкс, 8 мкс 80 1,2 В. 50 май 3750vrms 50% @ 1MA 150% @ 1MA - 200 м
4N35-X019T Vishay Semiconductor Opto Division 4n35-x019t 0,2843
RFQ
 ECAD 4328 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло 4n35 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1000 50 май - 30 1,2 В. 60 май 5000 дней 100% @ 10ma - 10 мкс, 10 мкс -
PS2801-4-F3-A CEL PS2801-4-F3-A -
RFQ
 ECAD 2076 0,00000000 СМЕРЕЛЕР - Lenta и катахка (tr) Пркрэно -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 16 SOIC (0,173 », Ирина 4,40 мм) ТОК 4 Траншистор 16-Ssop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2500 50 май 3 мкс, 5 мкс 80 1,1 В. 50 май 2500vrms 80% @ 5MA 600% @ 5MA 6 мкс, 5 мкс 300 м
CNY17F-4 Lite-On Inc. CNY17F-4 0,4900
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Lite-On Inc. CNY17F Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) CNY17 ТОК 1 Траншистор 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 160-1322-5 Ear99 8541.49.8000 65 150 май 5 мкс, 5 мкс 70В 1,45 60 май 5000 дней 160% @ 10ma 320% @ 10ma - 300 м
PS2701-1-H-A CEL PS2701-1-HA -
RFQ
 ECAD 2321 0,00000000 СМЕРЕЛЕР Nepok Трубка Пркрэно -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 100 80 май 3 мкс, 5 мкс 40 1,1 В. 50 май 3750vrms 50% @ 5MA 300% @ 5MA - 300 м
HMA124 onsemi HMA124 -
RFQ
 ECAD 6784 0,00000000 OnSemi - Коробка Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло HMA124 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 3000 80 май 3 мкс, 3 мкс 80 1,3 В (МАКС) 50 май 3750vrms 100% @ 1MA 1200% @ 1MA - 400 м
HCPL-570K#300 Broadcom Limited HCPL-570K#300 628.3714
RFQ
 ECAD 1222 0,00000000 Broadcom Limited - МАССА Актифен -55 ° C ~ 125 ° C. Пефер 8-csmd, krыlo чaйki HCPL-570 ТОК 1 Дэйрлингтон 8-Dip Gull Wing СКАХАТА Rohs 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1 40 май - 20 1,4 В. 10 май 1500 200% @ 5MA - 2 мкс, 8 мкс 110 м
HCNR201-350E Broadcom Limited HCNR201-350E 6.5400
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Broadcom Limited - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8-SMD, крхло HCNR201 ТОК 1 Фотолктристески, имени 8-Dip Gull Wing СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 42 - - - 1,6 В. 25 май 5000 дней 0,36% прри 0,72% @ 10ma - -
MCT2EFVM onsemi MCT2EFVM -
RFQ
 ECAD 6449 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло MCT2 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-SMD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH MCT2EFVM-NDR Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 2 мкс, 1,5 мкс 30 1,25 60 май 7500VPK 20% @ 10ma - 2 мкс, 2 мкс 400 м
IL2 Vishay Semiconductor Opto Division IL2 -
RFQ
 ECAD 6235 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) IL2 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 50 50 май 2,6 мкс, 2,2 мкс 70В 1,25 60 май 5300vrms 100% @ 10ma 500% @ 10ma 1,2 мкс, 2,3 мкс 250 мв (теп)
140357145200 Würth Elektronik 140357145200 0,2900
RFQ
 ECAD 883 0,00000000 Wyrt эlektronyk Wl-ocpt Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло ТОК 1 Траншистор 4-Sop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 3000 50 май 3 мкс, 4 мкс 35 1,24 В. 60 май 3750vrms 130% @ 5MA 260% @ 5MA - 200 м
QTH217T1 QT Brightek (QTB) QTH217T1 0,5100
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 QT Brightek (QTB) Optocoupler Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 125 ° C. Пефер 4 SOIC (0,173 », Ирина 4,40 мм) QTH217 ТОК 1 Траншистор 4-минутнг Флат СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 5000 50 май 6 мкс, 8 мкс 80 1,24 В. 50 май 3750vrms 50% @ 5MA 600% @ 5MA - 200 м
CNY17-4M Everlight Electronics Co Ltd CNY17-4M 0,3784
RFQ
 ECAD 2627 0,00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 6-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) CNY17-4 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 65 - 6 мкс, 8 мкс 80 1,65 - 60 май 5000 дней 160% @ 10ma 320% @ 10ma 10 мкс, 9 мкс 300 м
ILD252-X009 Vishay Semiconductor Opto Division ILD252-X009 -
RFQ
 ECAD 5697 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8-SMD, крхло ILD252 AC, DC 2 Траншистор 8-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2000 - - 30 1,2 В. 60 май 5300vrms 100% @ 10ma - - 400 м
TLX9175J(TPL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLX9175J (TPL, ф 4.9500
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 105 ° C. Пефер 6 SOIC (0,173 ", Ирина 4,40 мм), 4 Свина TLX9175 ТОК 1 МОСС 6-Sop СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 3000 - - - 1,65 В. 25 май 3750vrms - - 200 мкс, 200 мкс -
EL357NA(TA)-VG Everlight Electronics Co Ltd EL357NA (TA) -VG -
RFQ
 ECAD 9127 0,00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло EL357 ТОК 1 Траншистор 4-Sop (2,54 мм) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 3000 50 май 3 мкс, 4 мкс 80 1,2 В. 50 май 3750vrms 80% @ 5MA 160% @ 5MA - 200 м
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть