SIC
close

Траншистор, Фото -доктерский

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta ТИПВ Колист. Каналов Втипа ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Ток - Верна На На Current - DC Forward (if) (max) Naprayжeniee - yзolyahip Коэффигиэнт Переносатока (мин) Коэффигиэнт Передахитока (МАКС) Klючite / vыklючite -veremymape (typ) Vce nassheeneee (mmaks)
TLP785F(D4,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F (D4, ф -
RFQ
 ECAD 8684 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 4-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) TLP785 ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА 1 (neograniчennnый) 264-TLP785F (D4F Ear99 8541.49.8000 100 50 май 2 мкс, 3 мкс 80 1,15 В. 60 май 5000 дней 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3 мкс, 3 мкс 400 м
4N25-X017T Vishay Semiconductor Opto Division 4n25-x017t 0,2788
RFQ
 ECAD 1482 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло 4n25 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,36 В. 60 май 5000 дней 20% @ 10ma - - 500 м
CNY17-4S1(TB)-V Everlight Electronics Co Ltd CNY17-4S1 (TB) -V -
RFQ
 ECAD 6915 0,00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 6-SMD, кргло CNY17-4 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 3907171771 Ear99 8541.49.8000 1000 - 6 мкс, 8 мкс 80 1,65 - 60 май 5000 дней 160% @ 10ma 320% @ 10ma 10 мкс, 9 мкс 300 м
MOC8050300 onsemi MOC8050300 -
RFQ
 ECAD 1449 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) MOC805 ТОК 1 Дэйрлингтон 6-Dip СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH MOC8050300-NDR Ear99 8541.49.8000 1000 150 май - 80 1,15 В. 60 май 5300vrms 500% @ 10ma - 3,5 мкс, 95 мкс -
HCPL2531 Texas Instruments HCPL2531 1.0000
RFQ
 ECAD 2438 0,00000000 Тел - Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 8-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) ТОК 2 Траншистор 8-Dip СКАХАТА Rohs Ear99 8541.49.8000 1000 8 май - 20 1,45 25 май 2500vrms 19% @ 16ma 50% @ 16ma 450NS, 300NS -
HCPL-3760-560E Broadcom Limited HCPL-3760-560E 3.0869
RFQ
 ECAD 2414 0,00000000 Broadcom Limited - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 8-SMD, крхло HCPL-3760 AC, DC 1 Дэйрлингтон 8-Dip Gull Wing СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 30 май 14 мкс, 0,4 мкс 20 - 3750vrms - - 4,5 мкс, 8 мкс -
SFH6106-2X001 Vishay Semiconductor Opto Division SFH6106-2X001 0,3115
RFQ
 ECAD 9054 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло SFH6106 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 4000 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,25 60 май 5300vrms 63% @ 10ma 125% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
H11AA2SR2M onsemi H11AA2SR2M -
RFQ
 ECAD 8152 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло H11a AC, DC 1 Траншистор С.Б.А. 6-SMD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 50 май - 30 1,17 60 май 7500VPK 10% @ 10ma - - 400 м
ILD205T-LB Vishay Semiconductor Opto Division ILD205T-LB -
RFQ
 ECAD 8621 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я ILD205T МАССА Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) ТОК 2 Траншистор 8 лейт - 751-ILD205T-LB Ear99 8541.49.8000 1000 - 3 мкс, 4,7 мкс 70В 1,2 В. 30 май 4000 дней 40% @ 10ma 80% @ 10ma 6 мкс, 5 мкс 400 м
TIL118 Texas Instruments TIL118 0,2500
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Тел * МАССА Актифен - Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1350
141355145000 Würth Elektronik 141355145000 0,7100
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Wyrt эlektronyk Wl-ocda Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло ТОК 1 Дэйрлингтон 4-Sop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 3000 80 май 95 мкс, 90 мкс 40 1,24 В. 60 май 3750vrms 600% @ 1MA 7500% @ 1MA - 1V
3C91CTX TT Electronics/Optek Technology 3C91CTX -
RFQ
 ECAD 9489 0,00000000 TT Electronics/Optek Technology - МАССА Управо -55 ° C ~ 125 ° C. Чereз dыru TO-206AF, TO-72-4 METAL CAN CAN BAN ТОК 1 Траншистор 122-4 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1 30 май - 50 1,2 В (MMAKS) 50 май 1000 В 30% @ 10ma 200% @ 10ma 9 мкс, 6 мкс (mmaks) 400 м
TIL113S1(TB)-V Everlight Electronics Co Ltd TIL113S1 (TB) -V 0,2909
RFQ
 ECAD 4132 0,00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло TIL113 ТОК 1 Дэйрлингтон С.Бах 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 3907150095 Ear99 8541.49.8000 1000 - - 55 1,2 В. 60 май 5000 дней 300% @ 10MA - 5 мкс, 100 мкс (MMAKS) 1,2 В.
SFH600-2X001 Vishay Semiconductor Opto Division SFH600-2X001 0,3172
RFQ
 ECAD 4312 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) SFH600 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 2 мкс, 2,5 мкс 70В 1,25 60 май 5300vrms 100% @ 10ma 200% @ 10ma 3,2 мкс, 3 мкс 400 м
6N136S(TB)-V Everlight Electronics Co Ltd 6N136S (TB) -v 0,4683
RFQ
 ECAD 4109 0,00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8-SMD, крхло ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 8-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) C170000027 Ear99 8541.49.8000 1000 8 май - 20 1,45 25 май 5000 дней 19% @ 16ma 50% @ 16ma 350NS, 300NS -
MCT2ES(TA)-V Everlight Electronics Co Ltd Mct2es (ta) -v -
RFQ
 ECAD 9559 0,00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 6-SMD, кргло MCT2 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 390717T228 Ear99 8541.49.8000 1000 - 3 мкс, 3 мкс 80 1,23 В. 60 май 5000 дней 20% @ 10ma - 3 мкс, 3 мкс 400 м
6N136M Everlight Electronics Co Ltd 6n136m -
RFQ
 ECAD 8199 0,00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 8-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 8-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 45 8 май - 20 1,45 25 май 5000 дней 19% @ 16ma 50% @ 16ma 350NS, 300NS -
TLP127(TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP127 (TPR, F) -
RFQ
 ECAD 2296 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee * Lenta и катахка (tr) Управо TLP127 - 1 (neograniчennnый) 264-TLP127 (TPRF) Tr Ear99 8541.49.8000 3000
HMA124R1V Fairchild Semiconductor HMA124R1V 0,0900
RFQ
 ECAD 1944 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.49.8000 500 80 май 3 мкс, 3 мкс 80 1,3 В (МАКС) 50 май 3750vrms 100% @ 1MA 1200% @ 1MA - 400 м
CNY17F-1X006 Vishay Semiconductor Opto Division CNY17F-1X006 0,7100
RFQ
 ECAD 769 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) CNY17 ТОК 1 Траншистор 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 50 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,39 В. 60 май 5000 дней 40% @ 10ma 80% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
ILD615-2X001 Vishay Semiconductor Opto Division ILD615-2x001 -
RFQ
 ECAD 8138 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 8-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) ILD615 ТОК 2 Траншистор 8-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,15 В. 60 май 5300vrms 63% @ 10ma 125% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс -
CNY17F3300 onsemi CNY17F3300 -
RFQ
 ECAD 8737 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) CNY17 ТОК 1 Траншистор 6-Dip СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH CNY17F3300-NDR Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 1 мкс, 2 мкс 70В 1,35 В. 100 май 5300vrms 100% @ 10ma 200% @ 10ma 2 мкс, 3 мкс 300 м
PS2815-1-F3-A Renesas Electronics America Inc PS2815-1-F3-A 1.3400
RFQ
 ECAD 227 0,00000000 Renesas Electronics America Inc Nepok Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4 SOIC (0,173 », Ирина 4,40 мм) PS2815 AC, DC 1 Траншистор 4-Ssop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 3500 40 май 4 мкс, 5 мкс 40 1,15 В. 50 май 2500vrms 100% @ 1MA 400% @ 1MA - 300 м
OPI7002 TT Electronics/Optek Technology OPI7002 2.5300
RFQ
 ECAD 453 0,00000000 TT Electronics/Optek Technology - МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Чereз dыru 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 500 - - 30 1,2 В. 50 май 6000 В 20% @ 10ma - 4 мкс, 3 мкс 400 м
TLP620F-2(D4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP620F-2 (D4, F) -
RFQ
 ECAD 9366 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 8-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) - 2 Траншистор 8-Dip - 264-TLP620F-2 (D4F) Ear99 8541.49.8000 1 50 май - 55 - 60 май 5000 дней 50% @ 5MA 600% @ 5MA - -
CNY64AGRST Vishay Semiconductor Opto Division CNY64AGRST 3.0900
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 85 ° C. Пефер 4-SMD, крхло CNY64 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 4 (72 чACA) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 400 50 май 2,4 мкс, 2,7 мкс 32V 1,32 В. 75 май 8200vrms 100% @ 5MA 300% @ 5MA 5 мкс, 3 мкс 300 м
TLP719F(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP719F (TP, F) -
RFQ
 ECAD 2967 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6 SOIC (0,268 дюйма, Ирина 6,80 мм) TLP719 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-sdip - 264-TLP719F (TPF) Ear99 8541.49.8000 1 8 май - - 1,65 В. 25 май 5000 дней 20% @ 16ma - - -
HCNW4562#500 Broadcom Limited HCNW4562#500 -
RFQ
 ECAD 2873 0,00000000 Broadcom Limited - Lenta и катахка (tr) Пркрэно -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 8-SMD, крхло ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 8-Dip Gull Wing СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 750 8 май - 20 1,6 В. 25 май 5000 дней - - - 1,25
MOC8104-X016 Vishay Semiconductor Opto Division MOC8104-X016 1.4200
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) MOC8104 ТОК 1 Траншистор 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 50 50 май 2 мкс, 2 мкс 30 1,25 60 май 5300vrms 160% @ 10ma 256% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
TLP781F(GB-TP7,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F (GB-TP7, F) -
RFQ
 ECAD 1387 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло TLP781F ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) 264-TLP781F (GB-TP7F) Tr Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 2 мкс, 3 мкс 80 1,15 В. 60 май 5000 дней 100% @ 5MA 600% @ 5MA 3 мкс, 3 мкс 400 м
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть