SIC
close

Траншистор, Фото -доктерский

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta ТИПВ Колист. Каналов Втипа ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Ток - Верна На На Current - DC Forward (if) (max) Naprayжeniee - yзolyahip Коэффигиэнт Переносатока (мин) Коэффигиэнт Передахитока (МАКС) Klючite / vыklючite -veremymape (typ) Vce nassheeneee (mmaks)
MOC216R2M onsemi MOC216R2M 1.0000
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) MOC216 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 8 лейт СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2500 150 май 3,2 мкс, 4,7 мкс 30 1,07 60 май 2500vrms 50% @ 1MA - 7,5 мкс, 5,7 мкс 400 м
H11A4 onsemi H11A4 -
RFQ
 ECAD 9873 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) H11a ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-Dip СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 - - 30 1,18 100 май 5300vrms 10% @ 10ma - 2 мкс, 2 мкс 400 м
FOD2743AS onsemi Fod2743as -
RFQ
 ECAD 7156 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 8-SMD, крхло FOD274 ТОК 1 Траншистор 8-SMD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 50 май - 70В 1,07 5000 дней 50% @ 1MA 100% @ 1MA - 400 м
CNY17F-3S-TA1 Lite-On Inc. CNY17F-3S-TA1 0,1260
RFQ
 ECAD 7485 0,00000000 Lite-On Inc. CNY17F Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло CNY17 ТОК 1 Траншистор 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) CNY17F3STA1 Ear99 8541.49.8000 1000 150 май 5 мкс, 5 мкс 70В 1,45 60 май 5000 дней 100% @ 10ma 200% @ 10ma - 300 м
VO615A-9X016 Vishay Semiconductor Opto Division VO615A-9x016 0,4400
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 4-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) VO615 ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 4000 50 май 3 мкс, 4,7 мкс 70В 1,43 В. 60 май 5000 дней 200% @ 5MA 400% @ 5MA 6 мкс, 5 мкс 300 м
MCT5211-X017T Vishay Semiconductor Opto Division MCT5211-X017T -
RFQ
 ECAD 6771 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло MCT52 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 - - 30 1,2 В. 40 май 5300vrms 150% @ 1,6 мая - 20 мкс, 20 мкс 400 м
H11A4TVM onsemi H11A4TVM -
RFQ
 ECAD 3532 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) H11a ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-Dip СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH H11A4TVM-NDR Ear99 8541.49.8000 1000 - - 30 1,18 60 май 7500VPK 10% @ 10ma - 2 мкс, 2 мкс 400 м
MOC8050 onsemi MOC8050 -
RFQ
 ECAD 9639 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) MOC805 ТОК 1 Дэйрлингтон 6-Dip СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 150 май - 80 1,15 В. 60 май 5300vrms 500% @ 10ma - 3,5 мкс, 95 мкс -
HCPL-070A#060 Broadcom Limited HCPL-070A#060 -
RFQ
 ECAD 8236 0,00000000 Broadcom Limited - Трубка Пркрэно 0 ° C ~ 70 ° C. Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) ТОК 1 Дэйрлингтон С.Бах 8 ТАКОГО СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 100 60 май - 18В 1,25 5 май 3750vrms 600% @ 500 мк 8000% @ 500 мк 3 мкс, 34 мкс -
CNY17-1-300E Broadcom Limited CNY17-1-300E 0,7000
RFQ
 ECAD 1221 0,00000000 Broadcom Limited - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло CNY17 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 65 150 май 5 мкс, 5 мкс 70В 1,4 В. 60 май 5000 дней 40% @ 10ma 80% @ 10ma - 300 м
4N35-060E Broadcom Limited 4n35-060e 0,2042
RFQ
 ECAD 9538 0,00000000 Broadcom Limited - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) 4n35 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 65 100 май 3 мкс, 3 мкс 30 1,2 В. 60 май 3550vrms 100% @ 10ma - - 300 м
PC852XIJ000F Sharp Microelectronics PC852XIJ000F -
RFQ
 ECAD 3061 0,00000000 Оправовов - Трубка Управо -30 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло ТОК 1 Дэйрлингтон 4-SMD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH 425-2200-5 Ear99 8541.49.8000 100 150 май 100 мкс, 20 мкс 350 1,2 В. 50 май 5000 дней 1000% @ 1MA - - 1,2 В.
EL817(M)(D))-VG Everlight Electronics Co Ltd EL817 (M) (D))-VG 0,2295
RFQ
 ECAD 2287 0,00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 4-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) EL817 ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 100 50 май 6 мкс, 8 мкс 80 1,2 В. 60 май 5000 дней 300% @ 5MA 600% @ 5MA - 200 м
PC4N300YSZX Sharp Microelectronics PC4N300SZX -
RFQ
 ECAD 9133 0,00000000 Оправовов - Трубка Управо - Чereз dыru 6-dip (0,300 ", 7,62 мм), 5 Свиньдов ТОК 1 Дэйрлингтон С.Бах 6-Dip - Rohs 1 (neograniчennnый) 425-1787-5 Ear99 8541.49.8000 50 100 май - 30 - 1500vrms 100% @ 10ma - - 1V
PC357N1TJ00F Sharp Microelectronics PC357N1TJ00F -
RFQ
 ECAD 2121 0,00000000 Оправовов - Lenta и катахка (tr) Управо -30 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло ТОК 1 Траншистор 4-минутнг Флат СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 750 50 май 4 мкс, 3 мкс 80 1,2 В. 50 май 3750vrms 80% @ 5MA 160% @ 5MA - 200 м
PS2705A-1-F3-A CEL PS2705A-1-F3-A -
RFQ
 ECAD 4722 0,00000000 СМЕРЕЛЕР Nepok Lenta и катахка (tr) Пркрэно -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло AC, DC 1 Траншистор 4-Sop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 3500 30 май 5 мкс, 7 мкс 70В 1,2 В. 30 май 3750vrms 50% @ 5MA 300% @ 5MA - 300 м
H11A4W onsemi H11A4W -
RFQ
 ECAD 8366 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) H11a ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-Dip СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH H11A4W-NDR Ear99 8541.49.8000 1000 - - 30 1,18 100 май 5300vrms 10% @ 10ma - 2 мкс, 2 мкс 400 м
CNY171FR2M onsemi CNY171FR2M -
RFQ
 ECAD 9714 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло CNY171 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-SMD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH CNY171FR2M-NDR Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 4 мкс, 3,5 мкс (Mmaks) 70В 1,35 В. 60 май 4170vrms 40% @ 10ma 80% @ 10ma 2 мкс, 3 мкс 400 м
PS2811-1-F3-K-A Renesas Electronics America Inc PS2811-1-F3-KA 0,3059
RFQ
 ECAD 8960 0,00000000 Renesas Electronics America Inc Nepok Lenta и катахка (tr) В аспекте -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4 SOIC (0,173 », Ирина 4,40 мм) PS2811 ТОК 1 Траншистор 4-Ssop - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 559-1515-2 Ear99 8541.49.8000 3500 40 май 4 мкс, 5 мкс 40 1,15 В. 50 май 2500vrms 200% @ 1MA 400% @ 1MA - 300 м
EL3H7(K)(EB)-G Everlight Electronics Co Ltd El3h7 (k) (eb) -g -
RFQ
 ECAD 3235 0,00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4 SOIC (0,173 », Ирина 4,40 мм) EL3H7 ТОК 1 Траншистор 4-Ssop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 5 мкс, 3 мкс 80 1,2 В. 50 май 3750vrms 160% @ 10ma 320% @ 10ma - 200 м
TLP781F(BL-LF7,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F (BL-LF7, F) -
RFQ
 ECAD 6707 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Трубка Управо -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло TLP781F ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) 264-TLP781F (BL-LF7F) Ear99 8541.49.8000 100 50 май 2 мкс, 3 мкс 80 1,15 В. 60 май 5000 дней 200% @ 5MA 600% @ 5MA 3 мкс, 3 мкс 400 м
FOD2743CTV Fairchild Semiconductor FOD2743CTV 0,3300
RFQ
 ECAD 995 0,00000000 Fairchild Semiconductor - Трубка Управо -40 ° C ~ 85 ° C. Чereз dыru 8-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) ТОК 1 Траншистор 8-Dip СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.49.8000 995 50 май - 70В 1,07 5000 дней 50% @ 1MA 100% @ 1MA - 400 м
MOC8021SM onsemi MOC8021SM 1.1800
RFQ
 ECAD 6632 0,00000000 OnSemi - МАССА Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло MOC8021 ТОК 1 Дэйрлингтон 6-SMD - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH MOC8021SMOS Ear99 8541.49.8000 1000 150 май - 50 1,18 60 май 4170vrms 1000% @ 10ma - 8,5 мкс, 95 мкс -
ACPL-W50L-060E Broadcom Limited ACPL-W50L-060E 3.2400
RFQ
 ECAD 8942 0,00000000 Broadcom Limited - Трубка Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. Пефер 6 SOIC (0,268 дюйма, Ирина 6,80 мм) ACPL-W50 ТОК 1 Траншистор 6 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 100 8 май - 24 1,5 В. 20 май 5000 дней 93% @ 3MA 200% @ 3MA 200NS, 380NS -
H24B2 onsemi H24B2 -
RFQ
 ECAD 8278 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо -55 ° C ~ 85 ° C. Чereз dыru 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) H24b ТОК 1 Дэйрлингтон 4-Dip СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 100 100 май - 30 1,7 В (MMAKS) 60 май 5300vrms 400% @ 5MA - 105 мкс, 60 мкс 1V
HCPL-2530 Broadcom Limited HCPL-2530 4.3300
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Broadcom Limited - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 8-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) HCPL-2530 ТОК 2 Траншистор 8-Dip СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH 516-1042-5 Ear99 8541.49.8000 50 8 май - 20 1,5 В. 25 май 3750vrms 7% @ 16ma 50% @ 16ma 200NS, 1,3 мкм -
EL1113(TB) Everlight Electronics Co Ltd EL1113 (TB) -
RFQ
 ECAD 8813 0,00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 6 SoiC (0,295 ", шIrInA 7,50 мм), 5 проводников EL1113 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 5-Sop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 2 мкс, 3 мкс 80 1,5 - 60 май 5000 дней 100% @ 10ma 200% @ 10ma 4 мкс, 3 мкс 400 м
H11A3 Lite-On Inc. H11A3 -
RFQ
 ECAD 1334 0,00000000 Lite-On Inc. H11AX Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) H11a ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-Dip СКАХАТА 1 (neograniчennnый) H11A3LT Ear99 8541.49.8000 65 150 май 2,8 мкс, 4,5 мкс 30 1,2 В. 60 май 5000 дней 20% @ 10ma - - 400 м
MOC8050S onsemi MOC8050S -
RFQ
 ECAD 7129 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло MOC805 ТОК 1 Дэйрлингтон 6-SMD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH MOC8050S-NDR Ear99 8541.49.8000 1000 150 май - 80 1,15 В. 60 май 5300vrms 500% @ 10ma - 3,5 мкс, 95 мкс -
VOS627A-2T Vishay Semiconductor Opto Division VOS627A-2T 0,2163
RFQ
 ECAD 8084 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4 SOIC (0,173 », Ирина 4,40 мм) VOS627 AC, DC 1 Траншистор 4-Ssop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 3000 50 май 3 мкс, 3 мкс 80 1,1 В. 50 май 3750vrms 63% @ 5MA 125% @ 5MA 6 мкс, 4 мкс 400 м
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть