SIC
close

Траншистор, Фото -доктерский

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta ТИПВ Колист. Каналов Втипа ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Ток - Верна На На Current - DC Forward (if) (max) Naprayжeniee - yзolyahip Коэффигиэнт Переносатока (мин) Коэффигиэнт Передахитока (МАКС) Klючite / vыklючite -veremymape (typ) Vce nassheeneee (mmaks)
HCPL-4731#020 Broadcom Limited HCPL-4731#020 -
RFQ
 ECAD 7860 0,00000000 Broadcom Limited - Трубка Пркрэно 0 ° C ~ 70 ° C. Чereз dыru 8-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) ТОК 2 Дэйрлингтон 8-Dip СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 50 60 май - 18В 1,25 10 май 5000 дней 600% @ 500 мк 8000% @ 500 мк 3 мкс, 34 мкс -
TLP184(GB-TPL,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP184 (GB-TPL, SE 0,5100
RFQ
 ECAD 1662 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 6 SOIC (0,173 ", Ирина 4,40 мм), 4 Свина TLP184 AC, DC 1 Траншистор 6-Sop СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 3000 50 май 2 мкс, 3 мкс 80 1,25 50 май 3750vrms 100% @ 5MA 600% @ 5MA 3 мкс, 3 мкс 300 м
4N37S-TA1 Lite-On Inc. 4n37s-ta1 0,5100
RFQ
 ECAD 16 0,00000000 Lite-On Inc. 4n3x Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло 4n37 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1000 100 май 3 мкс, 3 мкс 30 1,2 В. 60 май 1500vrms 100% @ 10ma - - 300 м
PS2532-1-A CEL PS2532-1-A -
RFQ
 ECAD 5733 0,00000000 СМЕРЕЛЕР Nepok Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) ТОК 1 Дэйрлингтон 4-Dip СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH PS2532-1A Ear99 8541.49.8000 100 150 май 100 мкс, 100 мкс 300 1,15 В. 80 май 5000 дней 1500% @ 1MA 6500% @ 1MA - 1V
4N26(SHORT-LF5,F) Toshiba Semiconductor and Storage 4n26 (short-lf5, f) -
RFQ
 ECAD 9927 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло 4n26 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-SMD СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) 4n26 (Short-lf5f) Ear99 8541.49.8000 50 100 май 2 мкс, 2 мкс 30 1,15 В. 80 май 2500vrms 20% @ 10ma - - 500 м
SFH6156-1T Vishay Semiconductor Opto Division SFH6156-1T 0,6400
RFQ
 ECAD 333 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло SFH6156 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,25 60 май 5300vrms 40% @ 10ma 80% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
H11A1300W onsemi H11A1300W -
RFQ
 ECAD 4613 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) H11a ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-Dip СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH H11A1300W-NDR Ear99 8541.49.8000 1000 - - 30 1,18 100 май 5300vrms 50% @ 10ma - 2 мкс, 2 мкс 400 м
PC3Q711NIP0F Sharp Microelectronics PC3Q711NIP0F -
RFQ
 ECAD 1573 0,00000000 Оправовов - Lenta и катахка (tr) Управо -30 ° C ~ 100 ° C. Пефер 16 SOIC (0,173 », Ирина 4,40 мм) ТОК 4 Траншистор 16-minuetnый флат СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 4 мкс, 3 мкс 80 1,2 В. 10 май 2500vrms 200% @ 500 мк 500% @ 500 мк - 200 м
FOD814W onsemi FOD814W -
RFQ
 ECAD 8099 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо -55 ° C ~ 105 ° C. Чereз dыru 4-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) FOD814 AC, DC 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 4 мкс, 3 мкс 70В 1,2 В. 50 май 5000 дней 20% @ 1MA 300% @ 1MA - 200 м
OPIA2210ATUE TT Electronics/Optek Technology Opia2210atue -
RFQ
 ECAD 1003 0,00000000 TT Electronics/Optek Technology - Трубка Управо -55 ° C ~ 125 ° C. Пефер 6-SMD, кргло ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 65 50 май 2 мкс, 3 мкс 350 1,2 В. 50 май 5000 дней 50% @ 5MA 600% @ 5MA - 400 м
TCDT1122 Vishay Semiconductor Opto Division TCD1122 0,2179
RFQ
 ECAD 8230 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) TCD1122 ТОК 1 Траншистор 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2000 50 май - 70В 1,25 60 май 5000 дней 63% @ 10ma 125% @ 10ma - 300 м
HCPL-0370-000E Broadcom Limited HCPL-0370-000E 4.8800
RFQ
 ECAD 7750 0,00000000 Broadcom Limited - Трубка Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) HCPL-0370 AC, DC 1 Дэйрлингтон 8 ТАКОГО СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 100 30 май 20 мкс, 0,3 мкс 20 - 3750vrms - - 4 мкс, 10 мкс -
TLP281-4(GB-TP,J,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP281-4 (GB-TP, J, F. -
RFQ
 ECAD 7222 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 16 SOIC (0,173 », Ирина 4,40 мм) TLP281 ТОК 4 Траншистор 16-Sop СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2500 50 май 2 мкс, 3 мкс 80 1,15 В. 50 май 2500vrms 100% @ 5MA 600% @ 5MA 3 мкс, 3 мкс 400 м
ELD205 Everlight Electronics Co Ltd ELD205 -
RFQ
 ECAD 9012 0,00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) ТОК 2 Траншистор 8-Sop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1000 - 1,6 мкс, 2,2 мкс 80 1,2 В. 60 май 3750vrms 40% @ 10ma 80% @ 10ma 5 мкс, 4 мкс 400 м
5962-87679032A Broadcom Limited 5962-87679032A 103,2529
RFQ
 ECAD 2966 0,00000000 Broadcom Limited - Трубка Актифен -55 ° C ~ 125 ° C. Пефер 20-CLCC 5962-87679032 ТОК 2 Траншистор С.Б.А. 20-LCCC (8,89x8,89) СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1 8 май - 20 1,55 20 май 1500 9% @ 16ma - 400NS, 1 мкс -
CNY17-2S Lite-On Inc. CNY17-2S 0,5200
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Lite-On Inc. CNY17 Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло CNY17 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 65 150 май 5 мкс, 5 мкс 70В 1,45 60 май 5000 дней 63% @ 10ma 125% @ 10ma - 300 м
FODB101V onsemi FODB101V -
RFQ
 ECAD 2062 0,00000000 OnSemi Microcoupler ™ Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 125 ° C. Пефер 4-TEBGA FODB10 ТОК 1 Траншистор 4-BGA (3,5x3,5) СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 3000 50 май 1 мкс, 5 мкс 75 1,5 - 30 май 2500vrms 100% @ 1MA - 3 мкс, 5 мкс 400 м
H11A817AS onsemi H11A817as -
RFQ
 ECAD 6168 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло H11a ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH H11A817AS-NDR Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 2,4 мкс, 2,4 мкс 70В 1,2 В. 50 май 5300vrms 80% @ 5MA 160% @ 5MA - 200 м
HCNW4504-500E Broadcom Limited HCNW4504-500E 3.6900
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Broadcom Limited - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 85 ° C. Пефер 8-SMD, крхло HCNW4504 ТОК 1 Траншистор 8-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 750 8 май - 20 1,59 В. 25 май 5000 дней 19% @ 16ma 63% @ 16ma 200NS, 300NS -
CNC1S101 Panasonic Electronic Components CNC1S101 -
RFQ
 ECAD 6788 0,00000000 Panasonic glektronnene -Componentы - МАССА Управо -30 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) ТОК 1 Траншистор 4-Dil СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 100 50 май 2 мкс, 3 мкс 80 1,35 В. 50 май 5000 дней 100% @ 5MA 600% @ 5MA - 200 м
PS2561L2-1-V CEL PS2561L2-1-V -
RFQ
 ECAD 3872 0,00000000 СМЕРЕЛЕР Nepok Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 100 50 май 3 мкс, 5 мкс 80 1,17 80 май 5000 дней 80% @ 5MA 400% @ 5MA - 300 м
SL5504300W onsemi SL5504300W -
RFQ
 ECAD 4827 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) SL5504 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-Dip СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH SL5504300W-NDR Ear99 8541.49.8000 1000 100 май - 80 1,23 В. 100 май 5300vrms 25% @ 10ma 400% @ 10ma 50 мкс, 150 мкм (Mmaks) 400 м
H11D1-X007T Vishay Semiconductor Opto Division H11D1-X007T 1.7800
RFQ
 ECAD 2549 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло H11 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1000 100 май 2,5 мкс, 5,5 мкс 300 1,1 В. 60 май 5300vrms 20% @ 10ma - 5 мкс, 6 мкс 400 м
ACPL-P454-520E Broadcom Limited ACPL-P454-520E 1.4165
RFQ
 ECAD 3475 0,00000000 Broadcom Limited - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6 SOIC (0,268 дюйма, Ирина 6,80 мм) ACPL-P454 ТОК 1 Траншистор 6 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 8 май - 20 1,5 В. 25 май 3750vrms 25% @ 16ma 60% @ 16ma 200NS, 300NS -
ASSR-V621-302E Broadcom Limited ASSR-V621-302E 4.6200
RFQ
 ECAD 7841 0,00000000 Broadcom Limited - Трубка Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 8-SMD, крхло ASSR-V621 ТОК 2 Фото -доктерский 8-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 50 20 мк - 7в 1,3 В. 30 май 3750vrms - - 280 мкс, 30 мкс -
FOD2741C onsemi FOD2741C -
RFQ
 ECAD 9657 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо -40 ° C ~ 85 ° C. Чereз dыru 8-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) FOD274 ТОК 1 Траншистор 8-Dip СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 50 май - 30 1,5 - 5000 дней 100% @ 10ma 200% @ 10ma - 400 м
PS2501AL-1-L-A Renesas Electronics America Inc PS2501AL-1-LA -
RFQ
 ECAD 9439 0,00000000 Renesas Electronics America Inc Nepok Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло PS2501 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 559-1229 Ear99 8541.49.8000 100 30 май 3 мкс, 5 мкс 70В 1,2 В. 30 май 5000 дней 200% @ 5MA 400% @ 5MA - 300 м
OPI7002 TT Electronics/Optek Technology OPI7002 2.5300
RFQ
 ECAD 453 0,00000000 TT Electronics/Optek Technology - МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Чereз dыru 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 500 - - 30 1,2 В. 50 май 6000 В 20% @ 10ma - 4 мкс, 3 мкс 400 м
FODM453V onsemi FODM453V 2.4900
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 OnSemi - Трубка Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 6 SOIC (0,173 ", Ирина 4,40 мм), 5 проводников FODM453 ТОК 1 Траншистор 5-минутнгн СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 3000 8 май - 20 1,6 В. 25 май 3750vrms 20% @ 16ma 50% @ 16ma 400NS, 350NS -
TLP631(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP631 (F) -
RFQ
 ECAD 1006 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) TLP631 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-Dip СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 50 50 май 2 мкс, 3 мкс 55 1,15 В. 60 май 5000 дней 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3 мкс, 3 мкс 400 м
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть