SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta ТИПВ Колист. Каналов Втипа ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Ток - Верна На На Current - DC Forward (if) (max) Naprayжeniee - yзolyahip Коэффигиэнт Переносатока (мин) Коэффигиэнт Передахитока (МАКС) Klючite / vыklючite -veremymape (typ) Vce nassheeneee (mmaks)
6N135SDVM Fairchild Semiconductor 6n135sdvm -
RFQ
ECAD 9371 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8-SMD, крхло ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 8-SMD СКАХАТА Ear99 8541.49.8000 1 8 май - 20 1,45 25 май 5000 дней 7% @ 16ma 50% @ 16ma 230NS, 450NS -
PS2805-1-L-A Renesas Electronics America Inc PS2805-1-la -
RFQ
ECAD 2169 0,00000000 Renesas Electronics America Inc Nepok Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4 SOIC (0,173 », Ирина 4,40 мм) PS2805 AC, DC 1 Траншистор 4-VSSOP СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 559-1507 Ear99 8541.49.8000 50 50 май 3 мкс, 5 мкс 80 1,1 В. 50 май 2500vrms 80% @ 5MA 600% @ 5MA - 300 м
SFH6136-X001 Vishay Semiconductor Opto Division SFH6136-X001 1.6200
RFQ
ECAD 1 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 8-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) SFH6136 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 8-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 50 8 май - 25 В 1,6 В. 25 май 5300vrms 19% @ 16ma - 200ns, 200ns -
HMA2701BR4V onsemi HMA2701BR4V -
RFQ
ECAD 9716 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло HMA270 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2500 80 май 3 мкс, 3 мкс 40 1,3 В (МАКС) 50 май 3750vrms 80% @ 5MA 160% @ 5MA - 300 м
PS2565-2-V CEL PS2565-2-V -
RFQ
ECAD 8728 0,00000000 СМЕРЕЛЕР Nepok Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 8-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) AC, DC 2 Траншистор 8-Dip СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 45 50 май 3 мкс, 5 мкс 80 1,17 80 май 5000 дней 80% @ 5MA 400% @ 5MA - 300 м
PS2561BL1-1-D-A Renesas Electronics America Inc PS2561BL1-1-DA -
RFQ
ECAD 6619 0,00000000 Renesas Electronics America Inc Nepok Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 4-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) PS2561 ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 559-1312 Ear99 8541.49.8000 100 50 май 3 мкс, 5 мкс 80 1,17 40 май 5000 дней 100% @ 5MA 300% @ 5MA - 300 м
H11F3SR2M onsemi H11F3SR2M 4.3500
RFQ
ECAD 509 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло H11f ТОК 1 МОСС 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 - - 15 1,3 В. 60 май 4170vrms - - 45 мкс, 45 мкс (максимум) -
H11A3SR2VM onsemi H11A3SR2VM -
RFQ
ECAD 8647 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло H11a ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-SMD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 - - 30 1,18 60 май 7500VPK 20% @ 10ma - 2 мкс, 2 мкс 400 м
TLP209D(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP209D (TP, F) 2.9000
RFQ
ECAD 8964 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee * Lenta и катахка (tr) Актифен TLP209 - ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) 5A991G 8541.49.8000 2500
H11B2300 onsemi H11B2300 -
RFQ
ECAD 4025 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) H11b ТОК 1 Дэйрлингтон С.Бах 6-Dip СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH H11B2300-NDR Ear99 8541.49.8000 1000 - - 25 В 1,2 В. 100 май 5300vrms 200% @ 1MA - 25 мкс, 18 мкс 1V
SFH615AGB-X009T Vishay Semiconductor Opto Division SFH615AGB-X009T 0,2997
RFQ
ECAD 6370 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло SFH615 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 50 май - 70В 1,25 60 май 5300vrms 100% @ 5MA 600% @ 5MA 2 мкс, 25 мкс 400 м
HMA121R2 onsemi HMA121R2 -
RFQ
ECAD 6826 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло HMA121 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2500 80 май 3 мкс, 3 мкс 80 1,3 В (МАКС) 50 май 3750vrms 50% @ 5MA 600% @ 5MA - 400 м
TLP185(GB-TPL,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185 (GB-TPL, SE 0,6100
RFQ
ECAD 7 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 6 SOIC (0,173 ", Ирина 4,40 мм), 4 Свина TLP185 ТОК 1 Траншистор 6-Sop СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 3000 50 май 2 мкс, 3 мкс 80 1,25 50 май 3750vrms 100% @ 5MA 600% @ 5MA 3 мкс, 3 мкс 300 м
IL252 Vishay Semiconductor Opto Division IL252 1.7500
RFQ
ECAD 1 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) IL252 AC, DC 1 Траншистор С.Б.А. 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 - - 30 1,2 В. 60 май 5300vrms 100% @ 10ma - - 400 м
HCNW4503-500E Broadcom Limited HCNW4503-500E 3.3200
RFQ
ECAD 7118 0,00000000 Broadcom Limited - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 85 ° C. Пефер 8-SMD, крхло HCNW4503 ТОК 1 Траншистор 8-Dip Gull Wing СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 750 8 май - 20 1,68 25 май 5000 дней 15% @ 16ma - 1 мкс, 1 мкс (MMAKS) -
4N37SR2M onsemi 4n37sr2m 0,7200
RFQ
ECAD 16 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло 4n37 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 - - 30 1,18 60 май 4170vrms 100% @ 10ma - 2 мкс, 2 мкс 300 м
5962-8947702KPC Broadcom Limited 5962-8947702KPC 767.5340
RFQ
ECAD 8560 0,00000000 Broadcom Limited - Трубка Актифен -55 ° C ~ 125 ° C. Чereз dыru 8-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) 5962-8947702 AC, DC 1 Дэйрлингтон 8-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1 40 май 10 мкс, 0,5 мкс 20 - 1500 - - 4 мкс, 8 мкс -
PS2705-1-V-F3-A CEL PS2705-1-V-F3-A -
RFQ
ECAD 8993 0,00000000 СМЕРЕЛЕР Nepok Lenta и катахка (tr) Пркрэно -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло AC, DC 1 Траншистор 4-Sop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 3500 80 май 3 мкс, 5 мкс 40 1,1 В. 50 май 3750vrms 50% @ 5MA 300% @ 5MA - 300 м
SFH6345-X007T Vishay Semiconductor Opto Division SFH6345-X007T 2.1400
RFQ
ECAD 461 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8-SMD, крхло SFH6345 ТОК 1 Траншистор 8-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 8 май - 25 В 1,33 В. 25 май 5300vrms 19% @ 16ma - 300NS, 300NS 400 м
OR-3H7C-TP-G-(CG) Shenzhen Orient Components Co., Ltd OR-3H7C-TP-G- (CG) 0,8700
RFQ
ECAD 9801 0,00000000 Shenzhen Orient Components Co., Ltd - Lenta и катахка (tr) Актифен - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 3000
CNY117F-2X007T Vishay Semiconductor Opto Division CNY117F-2X007T 0,2997
RFQ
ECAD 7903 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 6-SMD, кргло CNY117 ТОК 1 Траншистор 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,39 В. 60 май 5000 дней 63% @ 10ma 125% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
MOC8104 Fairchild Semiconductor MOC8104 0,1000
RFQ
ECAD 17 0,00000000 Fairchild Semiconductor - Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) ТОК 1 Траншистор 6-Dip СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.49.8000 50 50 май 2 мкс, 2 мкс 30 1,25 60 май 5300vrms 160% @ 10ma 256% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
FOD817D3SD onsemi FOD817D3SD 0,6400
RFQ
ECAD 11 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло FOD817 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 4 мкс, 3 мкс 70В 1,2 В. 50 май 5000 дней 300% @ 5MA 600% @ 5MA - 200 м
TLP732(GB-LF4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP732 (GB-LF4, F) -
RFQ
ECAD 3479 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee * Трубка Управо TLP732 - 1 (neograniчennnый) 264-TLP732 (GB-LF4F) Ear99 8541.49.8000 50
HCPL0500R2 Fairchild Semiconductor HCPL0500R2 1.0600
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 8 лейт СКАХАТА Ear99 8541.49.8000 306 8 май - 20 1,45 25 май 2500vrms 7% @ 16ma 50% @ 16ma 450NS, 500NS -
4N25TVM onsemi 4n25tvm 0,2945
RFQ
ECAD 5022 0,00000000 OnSemi - МАССА Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) 4n25 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-Dip СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 - - 30 1,18 60 май 4170vrms 20% @ 10ma - 2 мкс, 2 мкс 500 м
EL816(S)(D)(TB) Everlight Electronics Co Ltd EL816 (s) (d) (TB) -
RFQ
ECAD 7043 0,00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Lenta и катахка (tr) Пркрэно -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 4 мкс, 3 мкс 80 1,2 В. 60 май 5000 дней 300% @ 5MA 600% @ 5MA - 200 м
EL3H7(K)(TB)-VG Everlight Electronics Co Ltd El3h7 (k) (tb) -vg -
RFQ
ECAD 9540 0,00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4 SOIC (0,173 », Ирина 4,40 мм) EL3H7 ТОК 1 Траншистор 4-Ssop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 5000 50 май 5 мкс, 3 мкс 80 1,2 В. 50 май 3750vrms 160% @ 10ma 320% @ 10ma - 200 м
EL817(S1)(B)(TB)-VG Everlight Electronics Co Ltd EL817 (S1) (B) (TB) -VG -
RFQ
ECAD 6702 0,00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Lenta и катахка (tr) Пркрэно -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 6 мкс, 8 мкс 80 1,2 В. 60 май 5000 дней 130% @ 5MA 260% @ 5MA - 200 м
IL300-F-X016 Vishay Semiconductor Opto Division IL300-F-X016 5.3632
RFQ
ECAD 1698 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 8-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) IL300 ТОК 1 Фотолктристески, имени 8-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 70 мк (теп) 1 мкс, 1 мкс 500 м 1,25 60 май 5300vrms - - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе