SIC
close

Траншистор, Фото -доктерский

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta ТИПВ Колист. Каналов Втипа ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Ток - Верна На На Current - DC Forward (if) (max) Naprayжeniee - yзolyahip Коэффигиэнт Переносатока (мин) Коэффигиэнт Передахитока (МАКС) Klючite / vыklючite -veremymape (typ) Vce nassheeneee (mmaks)
EL3H7(B)-VG Everlight Electronics Co Ltd El3h7 (b) -vg -
RFQ
 ECAD 1229 0,00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4 SOIC (0,173 », Ирина 4,40 мм) EL3H7 ТОК 1 Траншистор 4-Ssop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 100 50 май 5 мкс, 3 мкс 80 1,2 В. 50 май 3750vrms 130% @ 5MA 260% @ 5MA - 200 м
HCPL-3700-500E Broadcom Limited HCPL-3700-500E 52000
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Broadcom Limited - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 8-SMD, крхло HCPL-3700 AC, DC 1 Дэйрлингтон 8-Dip Gull Wing СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 30 май 20 мкс, 0,3 мкс 20 - 3750vrms - - 4 мкс, 10 мкс -
EL817(M)(A) Everlight Electronics Co Ltd El817 (m) (а) 0,2295
RFQ
 ECAD 9378 0,00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 4-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) EL817 ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 100 50 май 4 мкс, 3 мкс 35 1,2 В. 60 май 5000 дней 80% @ 5MA 160% @ 5MA - 200 м
PS2561D-1Y-L-A Renesas Electronics America Inc PS2561D-1-LA 0,1391
RFQ
 ECAD 1106 0,00000000 Renesas Electronics America Inc Nepok Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 559-1711 Ear99 8541.49.8000 100 50 май 3 мкс, 5 мкс 80 1,2 В. 40 май 5000 дней 200% @ 5MA 400% @ 5MA - 300 м
HCPL-M453-000E Broadcom Limited HCPL-M453-000E 3.1400
RFQ
 ECAD 9581 0,00000000 Broadcom Limited - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6 SOIC (0,173 ", Ирина 4,40 мм), 5 проводников HCPL-M453 ТОК 1 Траншистор 6 ТАКОГО СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 100 8 май - 20 1,5 В. 25 май 3750vrms 20% @ 16ma 50% @ 16ma 200NS, 600NS -
PS2801C-1Y-F3-A Renesas Electronics America Inc PS2801C-1Y-F3-A 0,2920
RFQ
 ECAD 2772 0,00000000 Renesas Electronics America Inc - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4 SOIC (0,173 », Ирина 4,40 мм) PS2801 ТОК 1 Траншистор 4-Ssop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 559-1499-2 Ear99 8541.49.8000 3500 30 май 5 мкс, 7 мкс 80 1,2 В. 30 май 2500vrms 50% @ 5MA 400% @ 5MA 10 мкс, 7 мкс 300 м
CNY17F-3M-V Everlight Electronics Co Ltd CNY17F-3M-V 0,4472
RFQ
 ECAD 5816 0,00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 6-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) CNY17F ТОК 1 Траншистор 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 3907171785 Ear99 8541.49.8000 65 - 6 мкс, 8 мкс 80 1,65 - 60 май 5000 дней 100% @ 10ma 200% @ 10ma 10 мкс, 9 мкс 300 м
VO610A-3X016 Vishay Semiconductor Opto Division VO610A-3X016 0,4600
RFQ
 ECAD 7254 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 4-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) VO610 ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 4000 50 май 3 мкс, 4,7 мкс 70В 1,25 60 май 5000 дней 100% @ 10ma 200% @ 10ma 6 мкс, 5 мкс 300 м
EL817(S1)(C)(TB)-V Everlight Electronics Co Ltd El817 (s1) (c) (tb) -v -
RFQ
 ECAD 8284 0,00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Lenta и катахка (tr) Пркрэно -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 4 мкс, 3 мкс 35 1,2 В. 60 май 5000 дней 200% @ 5MA 400% @ 5MA - 200 м
H11A2SM onsemi H11A2SM -
RFQ
 ECAD 9852 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло H11a ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-SMD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 - - 30 1,18 60 май 7500VPK 20% @ 10ma - 2 мкс, 2 мкс 400 м
OPI110C TT Electronics/Optek Technology OPI110C 3.1200
RFQ
 ECAD 3491 0,00000000 TT Electronics/Optek Technology - МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Чereз dыru Оео, я OPI110 ТОК 1 Траншистор Оос СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 100 - - 30 1,6 В (MMAKS) 40 май 15000 100% @ 10ma - - 400 м
MCT2201S onsemi MCT2201S -
RFQ
 ECAD 5659 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло MCT2 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-SMD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH MCT2201S-NDR Ear99 8541.49.8000 1000 50 май - 30 1,25 100 май 5300vrms 100% @ 10ma - 2 мкс, 2 мкс 400 м
TLP3905(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP3905 (e 1,8000
RFQ
 ECAD 22 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Трубка Актифен -40 ° C ~ 125 ° C. Пефер 6 SOIC (0,173 ", Ирина 4,40 мм), 4 Свина TLP3905 ТОК 1 Фото -доктерский 6-Sop СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 125 30 мк (тип) - 7в 1,65 В. 30 май 3750vrms - - 300 мкс, 1 мс -
MCT2103SD onsemi MCT2103SD -
RFQ
 ECAD 3729 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло MCT2 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-SMD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH MCT2103SD-NDR Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 1 мкс, 11 мкс 30 1,33 В. 100 май 5300vrms 150% @ 10ma - 1 мкс, 50 ​​мкс 400 м
OR-6N136 Shenzhen Orient Components Co., Ltd OR-6N136 0,9300
RFQ
 ECAD 3194 0,00000000 Shenzhen Orient Components Co., Ltd - Трубка Актифен - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 5007-ILI-6N136 2250
H11F23S onsemi H11F23S -
RFQ
 ECAD 2542 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло H11f ТОК 1 МОСС 6-SMD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH H11F23S-NDR Ear99 8541.49.8000 1000 - - 30 1,3 В. 60 май 5300vrms - - 25 мкс, 25 мкс (MMAKS) -
PC817X2CSP9F SHARP/Socle Technology PC817X2CSP9F 0,0750
RFQ
 ECAD 9793 0,00000000 Sharp/Socle Technology PC817 Lenta и катахка (tr) Актифен -30 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА ROHS COMPRINT Neprigodnnый Управо 0000.00.0000 2000 50 май 4 мкс, 3 мкс 80 1,2 В. 50 май 5000 дней 50% @ 5MA 600% @ 5MA - 200 м
FOD814A300W onsemi FOD814A300W 0,6100
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 OnSemi - Трубка Актифен -55 ° C ~ 105 ° C. Чereз dыru 4-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) FOD814 AC, DC 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.49.8000 100 50 май 4 мкс, 3 мкс 70В 1,2 В. 50 май 5000 дней 50% @ 1MA 150% @ 1MA - 200 м
TLP759(D4-IGM,J,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP759 (D4-IGM, J, F) -
RFQ
 ECAD 1741 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 8-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) TLP759 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 8-Dip СКАХАТА 264-TLP759 (D4-IGMJF) Ear99 8541.49.8000 1 8 май - - 1,65 В. 25 май 5000 дней 25% @ 10ma 75% @ 10ma - -
H11AA3S1(TB) Everlight Electronics Co Ltd H11AA3S1 (TB) -
RFQ
 ECAD 6657 0,00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло H11AA AC, DC 1 Траншистор С.Б.А. 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 3907171239 Ear99 8541.49.8000 1000 - 10 мкс, 10 мкс (MMAKS) 80 1,2 В. 60 май 5000 дней 50% @ 10ma - 10 мкс, 10 мкс (MMAKS) 400 м
TCLT1115 Vishay Semiconductor Opto Division TCLT1115 0,2596
RFQ
 ECAD 6728 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 6 SoiC (0,295 ", шIrInA 7,50 мм), 5 проводников TCLT1115 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-Sop, 5 PIN СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 3000 50 май 3 мкс, 4,7 мкс 70В 1,25 60 май 5000 дней 50% @ 5MA 150% @ 5MA 6 мкс, 5 мкс 300 м
FODM121V onsemi FODM121V 0,9200
RFQ
 ECAD 1562 0,00000000 OnSemi - Коробка Актифен -40 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло FODM121 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 2832-FODM121V Ear99 8541.49.8000 3000 80 май 3 мкс, 3 мкс 80 1,3 В (МАКС) 50 май 3750vrms 50% @ 5MA 600% @ 5MA - 400 м
CNY117F-1X017T Vishay Semiconductor Opto Division CNY117F-1X017T 0,3257
RFQ
 ECAD 4747 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 6-SMD, кргло CNY117 ТОК 1 Траншистор 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,39 В. 60 май 5000 дней 40% @ 10ma 80% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
EL205(TA)-V Everlight Electronics Co Ltd EL205 (TA) -V -
RFQ
 ECAD 1030 0,00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) EL205 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 8-Sop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) C110000614 Ear99 8541.49.8000 2000 - 1,6 мкс, 2,2 мкс 80 1,3 В. 60 май 3750vrms 40% @ 10ma 80% @ 10ma 3 мкс, 3 мкс 400 м
EL816(S)(C)(TU)-V Everlight Electronics Co Ltd El816 (s) (c) (tu) -v -
RFQ
 ECAD 3152 0,00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло EL816 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1500 50 май 4 мкс, 3 мкс 80 1,2 В. 60 май 5000 дней 200% @ 5MA 400% @ 5MA - 200 м
PS2501AL-1-F3-W-A Renesas Electronics America Inc PS2501AL-1-F3-WA -
RFQ
 ECAD 8188 0,00000000 Renesas Electronics America Inc Nepok Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло PS2501 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 559-1227-2 Ear99 8541.49.8000 2000 30 май 3 мкс, 5 мкс 70В 1,2 В. 30 май 5000 дней 130% @ 5MA 260% @ 5MA - 300 м
H11B2 Everlight Electronics Co Ltd H11b2 -
RFQ
 ECAD 4149 0,00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) H11 ТОК 1 Дэйрлингтон С.Бах 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 65 - - 55 1,2 В. 60 май 5000 дней 200% @ 1MA - 25 мкс, 18 мкс 1V
PS2806-4-F3-A Renesas Electronics America Inc PS2806-4-F3-A 2.6265
RFQ
 ECAD 5263 0,00000000 Renesas Electronics America Inc Nepok Lenta и катахка (tr) В аспекте -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 16 SOIC (0,173 », Ирина 4,40 мм) PS2806 AC, DC 4 Дэйрлингтон 16-Ssop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2500 100 май 200 мкс, 200 мкс 40 1,1 В. 50 май 2500vrms 200% @ 1MA - - 1V
MOC8103300 Fairchild Semiconductor MOC8103300 0,1000
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 Fairchild Semiconductor - Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) ТОК 1 Траншистор 6-Dip СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 1 мкс, 2 мкс 30 1,15 В. 100 май 5300vrms 108% @ 10ma 173% @ 10ma 2 мкс, 3 мкс 400 м
HMA2701AR1V onsemi HMA2701AR1V -
RFQ
 ECAD 8053 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло HMA270 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 80 май 3 мкс, 3 мкс 40 1,3 В (МАКС) 50 май 3750vrms 150% @ 5MA 300% @ 5MA - 300 м
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть