SIC
close

Траншистор, Фото -доктерский

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta ТИПВ Колист. Каналов Втипа ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Ток - Верна На На Current - DC Forward (if) (max) Naprayжeniee - yзolyahip Коэффигиэнт Переносатока (мин) Коэффигиэнт Передахитока (МАКС) Klючite / vыklючite -veremymape (typ) Vce nassheeneee (mmaks) Оинка Кваликака
TLP291-4(GB,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP291-4 (GB, E) 1.4600
RFQ
 ECAD 2026 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 16 SOIC (0,179 », Ирина 4,55 мм) TLP291 ТОК 4 Траншистор 16-й СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 50 50 май 2 мкс, 3 мкс 80 1,2 В. 50 май 2500vrms 100% @ 5MA 400% @ 5MA 3 мкс, 3 мкс 400 м
H11D2VM onsemi H11D2VM -
RFQ
 ECAD 2554 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) H11d ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-Dip СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 100 май - 300 1,15 В. 80 май 7500VPK 20% @ 10ma - 5 мкс, 5 мкс 400 м
ILD2-906TWP Vishay Semiconductor Opto Division ILD2-906TWP -
RFQ
 ECAD 9655 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - МАССА Управо - - - ILD2 - - - - Rohs3 1 (neograniчennnый) Управо 0000.00.0000 1000 - - - - - - - - -
FOD852300 onsemi FOD852300 1.1600
RFQ
 ECAD 15 0,00000000 OnSemi - Трубка Актифен -30 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) FOD852 ТОК 1 Дэйрлингтон 4-Dip СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.49.8000 100 150 май 100 мкс, 20 мкс 300 1,2 В. 50 май 5000 дней 1000% @ 1MA 15000% @ 1MA - 1,2 В.
PC3H7 Sharp Microelectronics PC3H7 -
RFQ
 ECAD 7292 0,00000000 Оправовов - Lenta и катахка (tr) Управо -30 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4 SOIC (0,173 », Ирина 4,40 мм) ТОК 1 Траншистор 4-минутнг Флат СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 3000 50 май 4 мкс, 3 мкс 80 1,2 В. 50 май 2500vrms 20% @ 1MA 400% @ 1MA - 200 м
PS2501L-1-F3-L-A Renesas Electronics America Inc PS2501L-1-F3-LA -
RFQ
 ECAD 6053 0,00000000 Renesas Electronics America Inc Nepok Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло PS2501 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 3 мкс, 5 мкс 80 1,17 80 май 5000 дней 200% @ 5MA 400% @ 5MA - 300 м
HCPL-4504-560E Broadcom Limited HCPL-4504-560E 2.8500
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Broadcom Limited - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8-SMD, крхло HCPL-4504 ТОК 1 Траншистор 8-Dip Gull Wing СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 8 май - 20 1,5 В. 25 май 3750vrms 25% @ 16ma 60% @ 16ma 200NS, 300NS -
H11AG2W onsemi H11AG2W -
RFQ
 ECAD 7777 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) H11a ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-Dip СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH H11AG2W-NDR Ear99 8541.49.8000 1000 50 май - 30 1,5 - 50 май 5300vrms 50% @ 1MA - 5 мкс, 5 мкс 400 м
PC81712NSZ0F Sharp Microelectronics PC81712NSZ0F -
RFQ
 ECAD 7838 0,00000000 Оправовов - Трубка Управо -30 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) ТОК 1 Траншистор СКАХАТА 1 (neograniчennnый) 425-2181-5 Ear99 8541.49.8000 100 50 май 4 мкс, 3 мкс 80 1,2 В. 10 май 5000 дней 160% @ 500 мк 400% @ 500 мк - 200 м
PS2502-1-L-A CEL PS2502-1-LA -
RFQ
 ECAD 2228 0,00000000 СМЕРЕЛЕР Nepok Трубка Пркрэно -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) ТОК 1 Дэйрлингтон 4-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 100 200 май 100 мкс, 100 мкс 40 1,17 80 май 5000 дней 700% @ 1MA 3400% @ 5MA - 1V
SFH608-4X016 Vishay Semiconductor Opto Division SFH608-4X016 0,5041
RFQ
 ECAD 2588 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) SFH608 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 5 мкс, 7 мкс 55 1,1 В. 50 май 5300vrms 160% @ 1MA 320% @ 1MA 8 мкс, 7,5 мкс 400 м
CNY17-2M Lite-On Inc. CNY17-2M 0,1200
RFQ
 ECAD 5452 0,00000000 Lite-On Inc. CNY17 Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) CNY17 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) CNY17-2M-LO Ear99 8541.49.8000 65 150 май 5 мкс, 5 мкс 70В 1,45 60 май 5000 дней 63% @ 10ma 125% @ 10ma - 300 м
PC814XP1J00F Sharp Microelectronics PC814XP1J00F -
RFQ
 ECAD 7659 0,00000000 Оправовов - Lenta и катахка (tr) Управо -30 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло AC, DC 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 4 мкс, 3 мкс 80 1,2 В. 50 май 5000 дней 100% @ 1MA 150% @ 1MA - 200 м
4N33-X009T Vishay Semiconductor Opto Division 4n33-x009t -
RFQ
 ECAD 8907 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло 4n33 ТОК 1 Дэйрлингтон С.Бах 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 100 май - 30 1,25 60 май 5300vrms 500% @ 10ma - 5 мкс, 100 мкс (MMAKS) 1в (тип)
LTV-725VS Lite-On Inc. LTV-725VS -
RFQ
 ECAD 1368 0,00000000 Lite-On Inc. LTV-725V Трубка Актифен -25 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло LTV-725 ТОК 1 Дэйрлингтон С.Бах 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 65 150 май 100 мкс, 20 мкс 300 1,2 В. 50 май 5000 дней 1000% @ 1MA 15000% @ 1MA - 1,2 В.
HMHA281R2 onsemi HMHA281R2 0,7300
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4 SOIC (0,173 », Ирина 4,40 мм) HMHA281 ТОК 1 Траншистор 4-минутнг Флат СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2500 50 май 3 мкс, 3 мкс 80 1,3 В (МАКС) 50 май 3750vrms 50% @ 5MA 600% @ 5MA - 400 м
ACFL-5212T-560E Broadcom Limited ACFL-5212T-560E 17552
RFQ
 ECAD 5526 0,00000000 Broadcom Limited R²Coupler ™ Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C. Пефер 12-BSOP (0,295 ", Ирина 7,50 мм) ACFL-5212 ТОК 2 Траншистор 12 Такого СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 8 май - 20 1,5 В. 20 май 5000 дней 32% @ 10ma 100% @ 10ma 20 мкс, 20 мкс (MMAKS) - Автомобиль AEC-Q100
FODM2705R1V onsemi FODM2705R1V -
RFQ
 ECAD 2496 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло FODM27 AC, DC 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 80 май 3 мкс, 3 мкс 40 1,4 В (МАКС) 50 май 3750vrms 50% @ 5MA 300% @ 5MA - 300 м
5962-9800201KYA Broadcom Limited 5962-9800201Kya 662 5550
RFQ
 ECAD 2376 0,00000000 Broadcom Limited - Трубка Актифен -55 ° C ~ 125 ° C. Пефер 16-SMD, Прикладно 5962-9800201 ТОК 4 Дэйрлингтон 16-SMD-SOEDINITELNый-COEDINENENEEE СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1 40 май - 20 1,4 В. 10 май 1500 200% @ 5MA - 2 мкс, 8 мкс 110 м
5962-0822701HYA Broadcom Limited 5962-0822701HYA 106.6332
RFQ
 ECAD 5270 0,00000000 Broadcom Limited - Трубка Актифен -55 ° C ~ 125 ° C. Пефер 8-SMD-SOEDINITELNыйSODINENENENEEE 5962-0822701 ТОК 1 Дэйрлингтон 8-Dip Butt Saint СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1 40 май - 20 1,4 В. 10 май 1500 200% @ 5MA - 2 мкс, 6 мкс -
PC814X1 Sharp Microelectronics PC814X1 -
RFQ
 ECAD 6567 0,00000000 Оправовов - Трубка Управо -30 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) AC, DC 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) 425-1447-5 Ear99 8541.49.8000 50 50 май 4 мкс, 3 мкс 80 1,2 В. 50 май 5000 дней 50% @ 1MA 150% @ 1MA - 200 м
PS2565L-1-K-A CEL PS2565L-1-KA -
RFQ
 ECAD 9887 0,00000000 СМЕРЕЛЕР Nepok Трубка Пркрэно -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло AC, DC 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 100 50 май 3 мкс, 5 мкс 80 1,17 80 май 5000 дней 80% @ 5MA 400% @ 5MA - 300 м
4N27-V Everlight Electronics Co Ltd 4n27-v -
RFQ
 ECAD 1188 0,00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 3907172706 Ear99 8541.49.8000 65 - - 80 1,2 В. 60 май 5000 дней 10% @ 10ma - 3 мкс, 3 мкс 500 м
H11B13SD onsemi H11B13SD -
RFQ
 ECAD 2940 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло H11b ТОК 1 Дэйрлингтон С.Бах 6-SMD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH H11B13SD-NDR Ear99 8541.49.8000 1000 - - 25 В 1,2 В. 100 май 5300vrms 500% @ 1MA - 25 мкс, 18 мкс 1V
EL1118(TA)-VG Everlight Electronics Co Ltd EL1118 (TA) -VG -
RFQ
 ECAD 6900 0,00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 6 SoiC (0,295 ", шIrInA 7,50 мм), 5 проводников EL1118 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 5-Sop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 2 мкс, 3 мкс 80 1,5 - 60 май 5000 дней 130% @ 5MA 260% @ 5MA 4 мкс, 3 мкс 400 м
PS2815-1-A Renesas Electronics America Inc PS2815-1-A 3.4000
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Renesas Electronics America Inc Nepok Полески В аспекте -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4 SOIC (0,173 », Ирина 4,40 мм) PS2815 AC, DC 1 Траншистор 4-Ssop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 50 40 май 4 мкс, 5 мкс 40 1,15 В. 50 май 2500vrms 100% @ 1MA 400% @ 1MA - 300 м
TLP532(FANUC1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP532 (fanuc1, f) -
RFQ
 ECAD 9186 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee * Трубка Управо TLP532 - 1 (neograniчennnый) 264-tlp532 (fanuc1f) Ear99 8541.49.8000 50
TLP292(BL-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292 (BL-TPL, e 0,5600
RFQ
 ECAD 307 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 125 ° C. Пефер 4 SOIC (0,179 ", Ирина 4,55 мм) TLP292 AC, DC 1 Траншистор 4 thacogogo СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2500 50 май 2 мкс, 3 мкс 80 1,25 50 май 3750vrms 200% @ 5MA 600% @ 5MA 3 мкс, 3 мкс 300 м
TLP620(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP620 (F) -
RFQ
 ECAD 7538 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) TLP620 AC, DC 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 100 50 май 2 мкс, 3 мкс 55 1,15 В. 60 май 5000 дней 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3 мкс, 3 мкс 400 м
FOD2741AT onsemi FOD2741AT -
RFQ
 ECAD 7326 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо -40 ° C ~ 85 ° C. Чereз dыru 8-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) FOD274 ТОК 1 Траншистор 8-MDIP СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 50 май - 30 1,5 - 5000 дней 100% @ 10ma 200% @ 10ma - 400 м
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть