SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta ТИПВ Колист. Каналов Випа ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Ток - Верна На На Current - DC Forward (if) (max) Naprayжeniee - yзolyahip Коэффигиэнт Переносатока (мин) Коэффигиэнт Передахитока (МАКС) Klючite / vыklючite -veremymape (typ) Vce nassheeneee (mmaks)
HCPL-M454-560 Broadcom Limited HCPL-M454-560 -
RFQ
ECAD 4514 0,00000000 Broadcom Limited - Lenta и катахка (tr) Пркрэно -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6 SOIC (0,173 ", Ирина 4,40 мм), 5 проводников ТОК 1 Траншистор 5 ТАКОГО СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1500 8 май - 20 1,5 В. 25 май 3750vrms 25% @ 16ma 60% @ 16ma 200NS, 300NS -
H11AA43S onsemi H11AA43S -
RFQ
ECAD 2052 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло H11a AC, DC 1 Траншистор С.Б.А. 6-SMD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH H11AA43S-NDR Ear99 8541.49.8000 1000 - - 30 1,2 В. 100 май 5300vrms 100% @ 10ma - - 400 м
EL3H7(I)(EA)-VG Everlight Electronics Co Ltd El3h7 (i) (ea) -vg -
RFQ
ECAD 7643 0,00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4 SOIC (0,173 », Ирина 4,40 мм) EL3H7 ТОК 1 Траншистор 4-Ssop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 5 мкс, 3 мкс 80 1,2 В. 50 май 3750vrms 63% @ 10ma 125% @ 10ma - 200 м
TLP291(BLL-TP,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP291 (BLL-TP, SE 0,6100
RFQ
ECAD 6152 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4 SOIC (0,179 ", Ирина 4,55 мм) TLP291 ТОК 1 Траншистор 4 thacogogo СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2500 50 май 2 мкс, 3 мкс 80 1,25 50 май 3750vrms 200% @ 5MA 400% @ 5MA 3 мкс, 3 мкс 300 м
4N25-X016 Vishay Semiconductor Opto Division 4n25-x016 0,2319
RFQ
ECAD 1368 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) 4n25 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,36 В. 60 май 5000 дней 20% @ 10ma - - 500 м
MOC8111S onsemi MOC8111S -
RFQ
ECAD 1444 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло MOC811 ТОК 1 Траншистор 6-SMD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH MOC8111S-NDR Ear99 8541.49.8000 1000 - 2 мкс, 11 мкс 70В 1,15 В. 90 май 5300vrms 20% @ 10ma - 3 мкс, 18 мкс 400 м
HCPL3700W onsemi HCPL3700W -
RFQ
ECAD 7159 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо -40 ° C ~ 85 ° C. Чereз dыru 8-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) HCPL37 AC, DC 1 Дэйрлингтон 8-MDIP СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 30 май 45 мкс, 0,5 мкс 20 - 2500vrms - - 6 мкс, 25 мкс -
H11A3FR2M onsemi H11A3FR2M -
RFQ
ECAD 9337 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло H11a ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-SMD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 - - 30 1,18 60 май 7500VPK 20% @ 10ma - 2 мкс, 2 мкс 400 м
MCT5210SD onsemi MCT5210SD -
RFQ
ECAD 2420 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло MCT5 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-SMD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH MCT5210SD-NDR Ear99 8541.49.8000 1000 150 май - 30 1,25 50 май 5300vrms 70% @ 3MA - 10 мкс, 400NS 400 м
BPC-817 American Bright Optoelectronics Corporation BPC-817 0,1200
RFQ
ECAD 7018 0,00000000 American Bright Optoelectronics Corporation - МАССА Актифен -30 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА 2007-BPC-817 Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 4 мкс, 3 мкс 35 1,2 В. 50 май 5000 дней 50% @ 5MA 600% @ 5MA - 200 м
PS2811-1-V-F3-A Renesas Electronics America Inc PS2811-1-V-F3-A 1.0400
RFQ
ECAD 5674 0,00000000 Renesas Electronics America Inc Nepok Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4 SOIC (0,173 », Ирина 4,40 мм) PS2811 ТОК 1 Траншистор 4-Ssop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 3500 40 май 4 мкс, 5 мкс 40 1,15 В. 50 май 2500vrms 100% @ 1MA 400% @ 1MA - 300 м
MCT2FVM onsemi MCT2FVM -
RFQ
ECAD 5379 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло MCT2 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-SMD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH MCT2FVM-NDR Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 2 мкс, 1,5 мкс 30 1,25 60 май 7500VPK 20% @ 10ma - 2 мкс, 2 мкс 400 м
PS2932-1-F3-A CEL PS2932-1-F3-A -
RFQ
ECAD 8108 0,00000000 СМЕРЕЛЕР Nepok Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, Плоскилили ТОК 1 Дэйрлингтон 4-минутнг Флат СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH PS2932-1ATR Ear99 8541.49.8000 3500 60 май 20 мкс, 5 мкс 300 1,1 В. 50 май 2500vrms 400% @ 1MA 4500% @ 1MA - 1V
TLP120(GB-TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP120 (GB-TPR, F) -
RFQ
ECAD 6747 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD (4 свина), кргло TLP120 AC, DC 1 Траншистор 6-mfsop, 4-й лир - ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) TLP120 (GB-TPRF) Ear99 8541.49.8000 3000 50 май 2 мкс, 3 мкс 80 1,15 В. 50 май 3750vrms 100% @ 5MA 600% @ 5MA 3 мкс, 3 мкс 400 м
EL816(S)(D)(TA) Everlight Electronics Co Ltd El816 (s) (d) (ta) -
RFQ
ECAD 3626 0,00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Lenta и катахка (tr) Пркрэно -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 4 мкс, 3 мкс 80 1,2 В. 60 май 5000 дней 300% @ 5MA 600% @ 5MA - 200 м
TLP552(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP552 (LF1, F) -
RFQ
ECAD 3526 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee * Трубка Управо TLP552 - 1 (neograniчennnый) 264-TLP552 (LF1F) Ear99 8541.49.8000 50
MCT62 onsemi MCT62 0,9500
RFQ
ECAD 8 0,00000000 OnSemi - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 8-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) MCT62 ТОК 2 Траншистор 8-Dip СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.49.8000 50 30 май - 30 1,2 В. 60 май 5000 дней 100% @ 5MA - 2,4 мкс, 2,4 мкс 400 м
PS2845-4A-AX CEL PS2845-4A-AX -
RFQ
ECAD 8423 0,00000000 СМЕРЕЛЕР Nepok Трубка Пркрэно -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 12-Sop (0,173 », Ирина 4,40 мм) AC, DC 4 Траншистор СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 20 20 май 20 мкс, 110 мкс 70В 1,1 В. 20 май 1500vrms 100% @ 1MA 400% @ 1MA - 300 м
TLP626-2(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP626-2 (f) -
RFQ
ECAD 5043 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 8-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) TLP626 AC, DC 2 Траншистор 8-Dip СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 50 50 май 8 мкс, 8 мкс 55 1,15 В. 50 май 5000 дней 100% @ 1MA 1200% @ 1MA 10 мкс, 8 мкс 400 м
MOC8111W onsemi MOC8111W -
RFQ
ECAD 4521 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) MOC811 ТОК 1 Траншистор 6-Dip СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH MOC8111W-NDR Ear99 8541.49.8000 1000 - 2 мкс, 11 мкс 70В 1,15 В. 90 май 5300vrms 20% @ 10ma - 3 мкс, 18 мкс 400 м
FOD785BSD onsemi FOD785BSD 0,2488
RFQ
ECAD 1044 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло ТОК 1 Траншистор 4-PDIP-GW СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 488-FOD785BSDTR Ear99 8541.49.8000 1500 50 май 18 мкс, 18 мкс (макс) 80 1,2 В. 50 май 5000 дней 130% @ 5MA 260% @ 5MA - 200 м
PS2566L-1-A CEL PS2566L-1-A -
RFQ
ECAD 1443 0,00000000 СМЕРЕЛЕР Nepok Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло AC, DC 1 Дэйрлингтон 4-SMD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH PS2566L-1 Ear99 8541.49.8000 100 200 май 100 мкс, 100 мкс 40 1,17 80 май 5000 дней 200% @ 1MA - - 1V
8430030000 Weidmüller 8430030000 -
RFQ
ECAD 7470 0,00000000 Weidmüller ВОЛНГ МАССА Управо -25 ° C ~ 50 ° C. Din Rail Модул ТОК 1 Траншистор - СКАХАТА Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1 2A - 24 - 7,5 мая - - - - -
SFH628A-3 Vishay Semiconductor Opto Division SFH628A-3 1.2200
RFQ
ECAD 7 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) SFH628 AC, DC 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 100 50 май 3,5 мкс, 5 мкс 55 1,1 В. 50 май 5300vrms 100% @ 1MA 320% @ 1MA 6 мкс, 5,5 мкс 400 м
TLP292-4(LA,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4 (LA, e 1.7900
RFQ
ECAD 5078 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Трубка Актифен -55 ° C ~ 125 ° C. Пефер 16 SOIC (0,179 », Ирина 4,55 мм) TLP292 AC, DC 4 Траншистор 16-й СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 50 50 май 2 мкс, 3 мкс 80 1,25 50 май 3750vrms 50% @ 500 мк 600% @ 500 мк 3 мкс, 3 мкс 300 м
OPIA815DTUE TT Electronics/Optek Technology Opia815dtue -
RFQ
ECAD 7564 0,00000000 TT Electronics/Optek Technology - Трубка Управо -30 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) ТОК 1 Дэйрлингтон 4-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 100 80 май 80 мкс, 72 мкс 35 1,2 В. 50 май 5000 дней 70% @ 50 мк - - 1V
EL817S(D)(TA)(CIS)-G Everlight Electronics Co Ltd El817s (d) (ta) (cis) -g 0,1165
RFQ
ECAD 1353 0,00000000 Everlight Electronics Co Ltd EL817 Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло ТОК 1 Траншистор 4-SMD - 1080 -EL817S (D) (TA) (CIS) -gtr Ear99 8541.41.0000 1000 50 май 6 мкс, 8 мкс 80 1,2 В. 60 май 5000 дней 300% @ 5MA 600% @ 5MA - 200 м
TIL187-1 Texas Instruments TIL187-1 -
RFQ
ECAD 8359 0,00000000 Тел * МАССА Актифен СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 469
FOD817A300 onsemi FOD817A300 0,4500
RFQ
ECAD 4 0,00000000 OnSemi - Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) FOD817 ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH 2832-FOD817A300 Ear99 8541.49.8000 100 50 май 4 мкс, 3 мкс 70В 1,2 В. 50 май 5000 дней 80% @ 5MA 160% @ 5MA - 200 м
PS2501AL-1-A Renesas PS2501AL-1-A -
RFQ
ECAD 7099 0,00000000 RerneзAs - МАССА Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло ТОК 1 Траншистор 4-SMD - 2156-PS2501AL-1-A 1 30 май 3 мкс, 5 мкс 70В 1,2 В. 30 май 5000 дней 50% @ 5MA 400% @ 5MA - 300 м
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе