SIC
close

Траншистор, Фото -доктерский

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В приземлении Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta ТИПВ Колист. Каналов Втипа ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Верный Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Ток - Верна На На Current - DC Forward (if) (max) Naprayжeniee - yзolyahip Коэффигиэнт Переносатока (мин) Коэффигиэнт Передахитока (МАКС) Klючite / vыklючite -veremymape (typ) Vce nassheeneee (mmaks) Оинка Кваликака
4N25 Texas Instruments 4n25 0,6600
RFQ
 ECAD 13 0,00000000 Тел - МАССА Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-Dip СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,3 В. 60 май 5000 дней 20% @ 10ma - - 500 м
CNY173 Fairchild Semiconductor CNY173 0,1900
RFQ
 ECAD 1639 0,00000000 Fairchild Semiconductor - Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-Dip СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.49.8000 300 50 май 1 мкс, 2 мкс 70В 1,35 В. 100 май 5300vrms 100% @ 10ma 200% @ 10ma 2 мкс, 3 мкс 300 м
TLX9906(TPL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLX9906 (TPL, ф 4.0500
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C. Пефер 6 SOIC (0,173 ", Ирина 4,40 мм), 4 Свина TLX9906 ТОК 1 Фото -доктерский 6-Sop СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 3000 - - 7в 1,65 В. 30 май 3750vrms - - 200 мкс, 200 мкс - Автомобиль AEC-Q101
TLP750(D4-TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP750 (D4-TP1, F) -
RFQ
 ECAD 8800 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee * Трубка Управо TLP750 - 1 (neograniчennnый) 264-TLP750 (D4-TP1F) Ear99 8541.49.8000 1500
4N26VM Fairchild Semiconductor 4n26vm 0,2700
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Fairchild Semiconductor - Трубка Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-Dip СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.49.8000 1000 - - 30 1,18 60 май 4170vrms 20% @ 10ma - 2 мкс, 2 мкс 500 м
MOCD223VM Fairchild Semiconductor MOCD223VM 0,6900
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) ТОК 2 Дэйрлингтон 8 лейт СКАХАТА Ear99 8541.49.8000 471 150 май 8 мкс, 110 мкс 30 1,25 60 май 2500vrms 500% @ 1MA - 10 мкс, 125 мкс 1V
RV1S2281ACCSP-10YV#SC0 Nexperia USA Inc. RV1S2281ACCSP-10YV#SC0 -
RFQ
 ECAD 2645 0,00000000 Nexperia USA Inc. - МАССА Актифен RV1S2281 - 2156-RV1S2281ACCSP-10YV#SC0 1
TIL920 Texas Instruments TIL920 0,3700
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Тел * МАССА Актифен СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1
4N55/883B#200 Broadcom Limited 4n55/883b#200 123 8656
RFQ
 ECAD 4231 0,00000000 Broadcom Limited - Трубка Актифен -55 ° C ~ 125 ° C. Чereз dыru 16-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) 4n55 ТОК 2 Траншистор С.Б.А. 16-Dip СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1 8 май - 18В 1,55 20 май 1500 9% @ 16ma - 400NS, 1 мкс -
MOC213R2VM Fairchild Semiconductor MOC213R2VM 0,2500
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 8 лейт СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.49.8000 2500 150 май 3,2 мкс, 4,7 мкс 30 1,15 В. 60 май 2500vrms 100% @ 10ma - 7,5 мкс, 5,7 мкс 400 м
H11A3M Fairchild Semiconductor H11A3M 0,2200
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо -55 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 6-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-Dip СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.49.8000 1000 - - 80 1,2 В. 60 май 5000 дней 20% @ 10ma - 3 мкс, 3 мкс 400 м
MOC215-M Fairchild Semiconductor MOC215-M 0,2200
RFQ
 ECAD 1995 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 8 лейт СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1257 150 май 3 мкс, 3 мкс 30 1,07 60 май 2500vrms 20% @ 1MA - 4 мкс, 4 мкс 400 м
FOD617B3SD onsemi FOD617B3SD -
RFQ
 ECAD 4218 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло FOD617 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 4 мкс, 3 мкс 70В 1,2 В. 50 май 5000 дней 63% @ 10ma 125% @ 10ma - 400 м
TLP628M(GB-TP1,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP628M (GB-TP1, e 0,9100
RFQ
 ECAD 4514 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 125 ° C. Пефер 4-SMD (0,300 ", 7,62 ММ) TLP628 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1500 50 май 5,5 мкс, 10 мкс 350 1,25 50 май 5000 дней 100% @ 5MA 600% @ 5MA 10 мкс, 10 мкс 400 м
TLP372(HO,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP372 (HO, F) -
RFQ
 ECAD 7776 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee * Трубка Управо TLP372 - 1 (neograniчennnый) 264-TLP372 (HOF) Ear99 8541.49.8000 50
FODM2705V onsemi FODM2705V -
RFQ
 ECAD 3738 0,00000000 OnSemi - Коробка Управо -40 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло FODM27 AC, DC 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 3000 80 май 3 мкс, 3 мкс 40 1,4 В (МАКС) 50 май 3750vrms 50% @ 5MA 300% @ 5MA - 300 м
CNY17-4S(TB) Everlight Electronics Co Ltd CNY17-4S (TB) -
RFQ
 ECAD 8486 0,00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 6-SMD, кргло CNY17-4 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 3907171715 Ear99 8541.49.8000 1000 - 6 мкс, 8 мкс 80 1,65 - 60 май 5000 дней 160% @ 10ma 320% @ 10ma 10 мкс, 9 мкс 300 м
6N136 Texas Instruments 6n136 -
RFQ
 ECAD 5791 0,00000000 Тел - МАССА Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 8-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 8-Dip СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1 8 май - 15 1,33 В. 25 май 5300vrms 19% @ 16ma - 200ns, 200ns -
VO207AT Vishay Semiconductor Opto Division Vo207at 0,6900
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) Vo207 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 8 лейт СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 3 мкс, 2 мкс 70В 1,3 В. 60 май 4000 дней 100% @ 10ma 200% @ 10ma 3 мкс, 3 мкс 400 м
FOD2742CR1 Fairchild Semiconductor FOD2742CR1 0,3300
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо -25 ° C ~ 85 ° C. Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) ТОК 1 Траншистор 8 лейт СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.49.8000 1000 50 май - 70В 1,2 В. 2500vrms 100% @ 10ma 200% @ 10ma - 400 м
TIL111-V Everlight Electronics Co Ltd TIL111-V -
RFQ
 ECAD 5017 0,00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) TIL111 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 390717L108 Ear99 8541.49.8000 65 - 6 мкс, 8 мкс 80 1,22 60 май 5000 дней - - - 400 м
MOC8050VM Fairchild Semiconductor MOC8050VM -
RFQ
 ECAD 3097 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) ТОК 1 Дэйрлингтон 6-Dip СКАХАТА Ear99 8541.49.8000 1 150 май - 80 1,18 60 май 4170vrms 500% @ 10ma - 8,5 мкс, 95 мкс -
VOS627A-4T Vishay Semiconductor Opto Division VOS627A-4T 0,7200
RFQ
 ECAD 7182 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4 SOIC (0,173 », Ирина 4,40 мм) AC, DC 1 Траншистор 4-Ssop СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 3000 50 май 3 мкс, 3 мкс 80 1,1 В. 50 май 3750vrms 160% @ 5MA 320% @ 5MA 6 мкс, 4 мкс 400 м
CNY17F4M Fairchild Semiconductor CNY17F4M 0,1800
RFQ
 ECAD 6012 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) CNY17F ТОК 1 Траншистор 6-Dip СКАХАТА Ear99 8541.49.8000 1 50 май 4 мкс, 3,5 мкс (Mmaks) 70В 1,35 В. 60 май 4170vrms 160% @ 10ma 320% @ 10ma 2 мкс, 3 мкс 400 м
HCPL0452R2V onsemi HCPL0452R2V -
RFQ
 ECAD 8907 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) HCPL04 ТОК 1 Траншистор 8 лейт СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2500 8 май - 20 1,45 25 май 2500vrms 19% @ 16ma 50% @ 16ma 450NS, 300NS -
PS8902-Y-V-F3-AX Renesas Electronics America Inc PS8902-YV-F3-AX 4.8900
RFQ
 ECAD 6056 0,00000000 Renesas Electronics America Inc - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 110 ° C. Пефер 8 SOIC (0,543 ", Ирина 13,80 мм) PS8902 ТОК 1 Траншистор 8-LSDIP СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 8 май - 35 1,65 В. 25 май 7500vrms 15% @ 16ma 35% @ 16ma - -
TIL117VM Fairchild Semiconductor TIL117VM 0,3500
RFQ
 ECAD 6390 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-Dip СКАХАТА Ear99 8541.49.8000 632 - 2 мкс, 2 мкс 30 1,2 В. 60 май 7500VPK 50% @ 10ma - 10 мкс, 10 мкс (MMAKS) 400 м
4N27SR2M Fairchild Semiconductor 4n27sr2m 0,2600
RFQ
 ECAD 144 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-SMD СКАХАТА Ear99 8541.49.8000 1167 - - 30 1,18 60 май 4170vrms 10% @ 10ma - 2 мкс, 2 мкс 500 м
H11AA1300W Fairchild Semiconductor H11AA1300W 0,1400
RFQ
 ECAD 1776 0,00000000 Fairchild Semiconductor - Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) AC, DC 1 Траншистор С.Б.А. 6-Dip СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.49.8000 10 - - 30 1,2 В. 100 май 5300vrms 20% @ 10ma - - 400 м
VOA300-FG-X017T Vishay Semiconductor Opto Division VOA300-FG-X017T 4,8000
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я Автомобиль, AEC-Q102 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C. Пефер 8-SMD, крхло VOA300 ТОК 3 Фотолктристески, имени 8-SMD СКАХАТА 3 (168 чASOW) Ear99 8541.49.8000 1000 - 800NS, 800NS - 1,4 В. 60 май 5300vrms - - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть