SIC
close

Траншистор, Фото -доктерский

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta ТИПВ Колист. Каналов Втипа ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Ток - Верна На На Current - DC Forward (if) (max) Naprayжeniee - yзolyahip Коэффигиэнт Переносатока (мин) Коэффигиэнт Передахитока (МАКС) Klючite / vыklючite -veremymape (typ) Vce nassheeneee (mmaks)
6N136 Isocom Components 2004 LTD 6n136 1.1100
RFQ
 ECAD 317 0,00000000 Isocom Components 2004 Ltd - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 8-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 8-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 6n136is Ear99 8541.49.8000 50 8 май - 20 1,45 25 май 5000 дней 19% @ 16ma 50% @ 16ma 150NS, 400NS -
CNC1S101S Panasonic Electronic Components CNC1S101S -
RFQ
 ECAD 8663 0,00000000 Panasonic glektronnene -Componentы - МАССА Управо -30 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) CNC1S101 ТОК 1 Траншистор 4-Dil СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 100 50 май 2 мкс, 3 мкс 80 1,35 В. 50 май 5000 дней 200% @ 5MA 600% @ 5MA - 200 м
SFH691A-X001T Vishay Semiconductor Opto Division SFH691A-X001T 0,3560
RFQ
 ECAD 3296 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло SFH691 AC, DC 1 Траншистор 4-Sop (2,54 мм) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 3 мкс, 4 мкс 70В 1,15 В. 50 май 3750vrms 50% @ 5MA 300% @ 5MA 5 мкс, 3 мкс 300 м
CNW82S onsemi CNW82S -
RFQ
 ECAD 5557 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо - Пефер 6-SMD, кргло CNW82 ТОК 1 Траншистор 6-SMD СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 50 100 май - 50 - 100 май 5900vrms 0,4% прри 10 - - 400 м
PS2381-1Y-V-F3-L-AX Renesas Electronics America Inc PS2381-1Y-V-F3-L-OX 0,4419
RFQ
 ECAD 3549 0,00000000 Renesas Electronics America Inc Nepok Lenta и катахка (tr) В аспекте -40 ° C ~ 115 ° C. Пефер 4-SMD, крхло PS2381 ТОК 1 Траншистор 4-Lsop (2544 мм) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 559-1213-2 Ear99 8541.49.8000 3000 50 май 4 мкс, 5 мкс 80 1,1 В. 60 май 5000 дней 100% @ 5MA 300% @ 5MA - 300 м
HCPL2531S Fairchild Semiconductor HCPL2531S 1.0000
RFQ
 ECAD 5807 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8-SMD, крхло ТОК 2 Траншистор 8-SMD СКАХАТА Ear99 8541.49.8000 1 8 май - 20 1,45 25 май 2500vrms 19% @ 16ma 50% @ 16ma 450NS, 300NS -
PC817X2CSP9F SHARP/Socle Technology PC817X2CSP9F 0,0750
RFQ
 ECAD 9793 0,00000000 Sharp/Socle Technology PC817 Lenta и катахка (tr) Актифен -30 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА ROHS COMPRINT Neprigodnnый Управо 0000.00.0000 2000 50 май 4 мкс, 3 мкс 80 1,2 В. 50 май 5000 дней 50% @ 5MA 600% @ 5MA - 200 м
PS2506L-2-A CEL PS2506L-2-A -
RFQ
 ECAD 4035 0,00000000 СМЕРЕЛЕР Nepok Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8-SMD, крхло AC, DC 2 Дэйрлингтон 8-SMD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 45 160 май 100 мкс, 100 мкс 40 1,17 80 май 5000 дней 200% @ 1MA - - 1V
PC3H410NIP1B Sharp Microelectronics PC3H410NIP1B -
RFQ
 ECAD 7470 0,00000000 Оправовов - Lenta и катахка (tr) Пркрэно -30 ° C ~ 100 ° C. - - AC, DC 1 Траншистор - СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 3000 50 май 4 мкс, 3 мкс 80 1,2 В. 10 май 2500vrms - - - 200 м
TLP121(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP121 (F) -
RFQ
 ECAD 7773 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD (4 свина), кргло TLP121 ТОК 1 Траншистор 6-mfsop, 4-й лир - ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 50 50 май 2 мкс, 3 мкс 80 1,15 В. 50 май 3750vrms 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3 мкс, 3 мкс 400 м
LTV-851S Lite-On Inc. LTV-851S -
RFQ
 ECAD 7471 0,00000000 Lite-On Inc. - Трубка Актифен -25 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло LTV-851 ТОК 1 Траншистор 4-SMD - Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 25 50 май 4 мкс, 5 мкс 300 1,2 В. 50 май 5000 дней 40% @ 5MA - - 300 м
MCT2FR2VM onsemi MCT2FR2VM -
RFQ
 ECAD 2126 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло MCT2 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-SMD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH MCT2FR2VM-NDR Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 2 мкс, 1,5 мкс 30 1,25 60 май 7500VPK 20% @ 10ma - 2 мкс, 2 мкс 400 м
CNY17F4SD Fairchild Semiconductor CNY17F4SD 0,2200
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло ТОК 1 Траншистор 6-SMD СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 1 мкс, 2 мкс 70В 1,35 В. 100 май 5300vrms 160% @ 10ma 320% @ 10ma 2 мкс, 3 мкс 300 м
H11A4S(TB)-V Everlight Electronics Co Ltd H11A4S (TB) -v -
RFQ
 ECAD 7973 0,00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 6-SMD, кргло H11A4 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 3907171145 Ear99 8541.49.8000 1000 - - 80 1,2 В. 60 май 5000 дней 10% @ 10ma - 3 мкс, 3 мкс 400 м
TLP137(BV-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP137 (BV-TPL, F) -
RFQ
 ECAD 1862 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6 SOIC (0,173 ", Ирина 4,40 мм), 5 проводников TLP137 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-mfsop, 5 LIDERSTHASTA - ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) TLP137 (BV-TPLF) Ear99 8541.49.8000 3000 50 май 8 мкс, 8 мкс 80 1,15 В. 50 май 3750vrms 200% @ 1MA 1200% @ 1MA 10 мкс, 8 мкс 400 м
H11A2FM onsemi H11A2FM -
RFQ
 ECAD 1070 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло H11a ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-SMD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 - - 30 1,18 60 май 7500VPK 20% @ 10ma - 2 мкс, 2 мкс 400 м
MOC223R1M onsemi MOC223R1M -
RFQ
 ECAD 8476 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) MOC223 ТОК 1 Дэйрлингтон С.Бах 8 лейт СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH MOC223R1M-NDR Ear99 8541.49.8000 1000 150 май 1 мкс, 2 мкс 30 1,08 60 май 2500vrms 500% @ 1MA - 3,5 мкс, 95 мкс 1V
CNY17F-4X007T Vishay Semiconductor Opto Division CNY17F-4X007T 0,8000
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 6-SMD, кргло CNY17 ТОК 1 Траншистор 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,39 В. 60 май 5000 дней 160% @ 10ma 320% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
VOL617A-4T Vishay Semiconductor Opto Division Vol617a-4t 0,5000
RFQ
 ECAD 50 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло Vol617 ТОК 1 Траншистор 4-Sop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 3000 50 май 3,5 мкс, 5 мкс 80 1,16 В. 60 май 5000 дней 160% @ 5MA 320% @ 5MA 6 мкс, 5,5 мкс 400 м
PC81108NSZ0F Sharp Microelectronics PC81108NSZ0F 0,2000
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Оправовов PC8110XNSZOF Трубка Управо -30 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) PC8110 ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА Neprigodnnый 425-2172-5 Ear99 8541.49.8000 2000 30 май 3 мкс, 2 мкс 70В 1,2 В. 50 май 5000 дней - - 2 мкс, 23 мкс 350 м
H11F1M Fairchild Semiconductor H11F1M -
RFQ
 ECAD 7574 0,00000000 Fairchild Semiconductor - Коробка Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) H11f ТОК 1 МОСС 6-Dip - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 3845-H11F1M Ear99 1 100 май - 30 1,3 В. 60 май 4170vrms - - 45 мкс, 45 мкс (максимум) -
ACPL-M51L-060E Broadcom Limited ACPL-M51L-060E 1.0775
RFQ
 ECAD 8724 0,00000000 Broadcom Limited - МАССА Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. Пефер 6 SOIC (0,173 ", Ирина 4,40 мм), 5 проводников ACPL-M51 ТОК 1 Траншистор 5 ТАКОГО СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 100 8 май - 24 1,5 В. 20 май 3750vrms 80% @ 3MA 200% @ 3MA 300NS, 330NS -
PS2801C-1-L-A CEL PS2801C-1-LA -
RFQ
 ECAD 9840 0,00000000 СМЕРЕЛЕР - Полески Пркрэно -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4 SOIC (0,173 », Ирина 4,40 мм) ТОК 1 Траншистор 4-Ssop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH PS2801C1LA Ear99 8541.49.8000 50 30 май 5 мкс, 7 мкс 80 1,2 В. 30 май 2500vrms 100% @ 5MA 300% @ 5MA 10 мкс, 7 мкс 300 м
HCPL0530R1 onsemi HCPL0530R1 -
RFQ
 ECAD 3946 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) HCPL05 ТОК 2 Траншистор 8 лейт СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 8 май - 20 1,45 25 май 2500vrms 7% @ 16ma 50% @ 16ma 450NS, 500NS -
MOC8111 onsemi MOC8111 -
RFQ
 ECAD 8740 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) MOC811 ТОК 1 Траншистор 6-Dip СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH MOC8111-NDR Ear99 8541.49.8000 1000 - 2 мкс, 11 мкс 70В 1,15 В. 90 май 5300vrms 20% @ 10ma - 3 мкс, 18 мкс 400 м
4N30 Everlight Electronics Co Ltd 4n30 0,4387
RFQ
 ECAD 8276 0,00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) ТОК 1 Дэйрлингтон С.Бах 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 65 - - 55 1,2 В. 60 май 5000 дней 100% @ 10ma - 5 мкс, 40 мкс (mmaks) 1V
PS2811-1-V-L-A Renesas Electronics America Inc PS2811-1-VLA -
RFQ
 ECAD 7723 0,00000000 Renesas Electronics America Inc Nepok Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4 SOIC (0,173 », Ирина 4,40 мм) PS2811 ТОК 1 Траншистор 4-Ssop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 559-1522 Ear99 8541.49.8000 50 40 май 4 мкс, 5 мкс 40 1,15 В. 50 май 2500vrms 150% @ 1MA 300% @ 1MA - 300 м
H11AV3X Isocom Components 2004 LTD H11AV3X 0,5700
RFQ
 ECAD 1245 0,00000000 Isocom Components 2004 Ltd - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) H11AV3 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 65 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,2 В. 60 май 5300vrms 20% @ 10ma - - 400 м
PC353T Sharp Microelectronics PC353T -
RFQ
 ECAD 3900 0,00000000 Оправовов - Lenta и катахка (tr) Управо -30 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6 SOIC (0,173 ", Ирина 4,40 мм), 5 проводников ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 5-SMD СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 750 50 май 4 мкс, 3 мкс 80 1,2 В. 50 май 3750vrms - - - 200 м
TLP182(GR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP182 (gr, e 0,5700
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Трубка Актифен -55 ° C ~ 125 ° C. Пефер 6 SOIC (0,173 ", Ирина 4,40 мм), 4 Свина TLP182 AC, DC 1 Траншистор 6-Sop СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) TLP182 (GRE Ear99 8541.49.8000 125 50 май 2 мкс, 3 мкс 80 1,25 50 май 3750vrms 100% @ 5MA 300% @ 5MA 3 мкс, 3 мкс 300 м
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть