SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta ТИПВ Агентево Колист. Каналов Втипа Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Ток - Скороп Верна На На Current - DC Forward (if) (max) Naprayжeniee - yзolyahip На Current - On State (it (rms)) (MMaks) Current - Hold (ih) Vхodы - Стерона 1/СОЗОРОНА 2 Обжильжим Я Коэффигиэнт Переносатока (мин) Коэффигиэнт Передахитока (МАКС) Klючite / vыklючite -veremymape (typ) Vce nassheeneee (mmaks) САМАМА Статистский DV/DT (мин) Ток - С. Klючite -wreman Оинка Кваликака
TLP571(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP571 (TP1, F) -
RFQ
ECAD 9818 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee * Lenta и катахка (tr) Управо TLP571 - 1 (neograniчennnый) 264-TLP571 (TP1F) Tr Ear99 8541.49.8000 1500
TLP120(GB-TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP120 (GB-TPR, F) -
RFQ
ECAD 6747 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD (4 свина), кргло TLP120 AC, DC 1 Траншистор 6-mfsop, 4-й лир - ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) TLP120 (GB-TPRF) Ear99 8541.49.8000 3000 50 май 2 мкс, 3 мкс 80 1,15 В. 50 май 3750vrms 100% @ 5MA 600% @ 5MA 3 мкс, 3 мкс 400 м
TLP718F(D4-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP718F (D4-TP, F) -
RFQ
ECAD 8340 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6 SOIC (0,268 дюйма, Ирина 6,80 мм) TLP718 ТОК 1 ТОЛГОК, ТОТЕМНЕП 4,5 В ~ 20. 6-Sdip Gull Wing СКАХАТА 264-TLP718F (D4-TPF) Ear99 8541.49.8000 1 5 марта / с - - 3MA 5000 дней 1/0 10 кв/мкс 250NS, 250NS
TLP785(GR-TP6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 (GR-TP6, ф 0,1515
RFQ
ECAD 7283 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. TLP785 ТОК 1 Траншистор СКАХАТА 1 (neograniчennnый) 264-TLP785 (GR-TP6FTR Ear99 8541.49.8000 4000 50 май 2 мкс, 3 мкс 80 1,15 В. 60 май 5000 дней 100% @ 5MA 300% @ 5MA 3 мкс, 3 мкс 400 м
TLP290(BLL-TP,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP290 (BLL-TP, E) -
RFQ
ECAD 2482 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4 SOIC (0,179 ", Ирина 4,55 мм) TLP290 AC, DC 1 Траншистор 4 thacogogo СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2500 50 май 4 мкс, 7 мкс 80 1,25 50 май 3750vrms 200% @ 5MA 400% @ 5MA 7 мкс, 7 мкс 300 м
TLP759(D4-IGM,J,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP759 (D4-IGM, J, F) -
RFQ
ECAD 1741 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 8-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) TLP759 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 8-Dip СКАХАТА 264-TLP759 (D4-IGMJF) Ear99 8541.49.8000 1 8 май - - 1,65 В. 25 май 5000 дней 25% @ 10ma 75% @ 10ma - -
4N35(SHORT-TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage 4n35 (Короктки tp1, f) -
RFQ
ECAD 9664 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee * Lenta и катахка (tr) Управо 4n35 - 1 (neograniчennnый) 264-4n35 (Короктки Tp1f) tr Ear99 8541.49.8000 1500
TLP2745(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2745 (e -
RFQ
ECAD 9400 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Трубка Актифен -40 ° C ~ 110 ° C. Пефер 6 SOIC (0,295 ", Ирина 7,50 мм) TLP2745 ТОК 1 ТОЛГОК, ТОТЕМНЕП 4,5 В ~ 30 В. 6 ТАКОГО - 1 (neograniчennnый) 264-TLP2745 (e Ear99 8541.49.8000 125 50 май - 3ns, 3ns 1,55 15 май 5000 дней 1/0 30 кв/мкс 120ns, 120ns
TLP785F(D4Y-F7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F (D4Y-F7, F. -
RFQ
ECAD 8840 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 4-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) TLP785 ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА 1 (neograniчennnый) 264-TLP785F (D4Y-F7F Ear99 8541.49.8000 100 50 май 2 мкс, 3 мкс 80 1,15 В. 60 май 5000 дней 50% @ 5MA 150% @ 5MA 3 мкс, 3 мкс 400 м
TLP385(D4GR-TR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385 (D4GR-TR, e 0,5600
RFQ
ECAD 3080 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 6 SOIC (0,173 ", Ирина 4,40 мм), 4 Свина TLP385 ТОК 1 Траншистор 6 tyakowых, 4 -й лирштва СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 3000 50 май 2 мкс, 3 мкс 80 1,25 50 май 5000 дней 100% @ 5MA 300% @ 5MA 3 мкс, 3 мкс 300 м
TLP732(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP732 (F) -
RFQ
ECAD 4532 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee * Трубка Управо TLP732 - 1 (neograniчennnый) 264-TLP732 (F) Ear99 8541.49.8000 50
TLP185(GB,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185 (GB, SE 0,6100
RFQ
ECAD 8225 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 6 SOIC (0,173 ", Ирина 4,40 мм), 4 Свина TLP185 ТОК 1 Траншистор 6-Sop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) TLP185 (GBSE Ear99 8541.49.8000 125 50 май 2 мкс, 3 мкс 80 1,25 50 май 3750vrms 100% @ 5MA 600% @ 5MA 3 мкс, 3 мкс 300 м
TLP781(D4-TELS,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (D4-Tels, F) -
RFQ
ECAD 1749 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Трубка Управо -55 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) TLP781 ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА 1 (neograniчennnый) 264-TLP781 (D4-Telsf) Ear99 8541.49.8000 100 50 май 2 мкс, 3 мкс 80 1,15 В. 60 май 5000 дней 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3 мкс, 3 мкс 400 м
TLP626(FANUC,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP626 (Fanuc, F) -
RFQ
ECAD 7970 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) TLP626 AC, DC 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА 264-tlp626 (fanucf) Ear99 8541.49.8000 1 50 май 8 мкс, 8 мкс 55 1,15 В. 60 май 5000 дней 100% @ 1MA 1200% @ 1MA 10 мкс, 8 мкс 400 м
TLP626(BV-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP626 (BV-LF2, F) -
RFQ
ECAD 9710 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 4-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) TLP626 AC, DC 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА 264-TLP626 (BV-LF2F) Ear99 8541.49.8000 1 50 май 8 мкс, 8 мкс 55 1,15 В. 60 май 5000 дней 200% @ 1MA 1200% @ 1MA 10 мкс, 8 мкс 400 м
TLP2531(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2531 (TP1, F) -
RFQ
ECAD 8249 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8-SMD, крхло TLP2531 ТОК 2 Траншистор С.Б.А. 8-SMD СКАХАТА 264-TLP2531 (TP1F) Ear99 8541.49.8000 1 8 май - 15 1,65 В. 25 май 2500vrms 19% @ 16ma 30% @ 16ma 200NS, 300NS -
TLP2348(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2348 (e 1.1200
RFQ
ECAD 75 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Трубка Актифен -40 ° C ~ 110 ° C. Пефер 6 SOIC (0,179 ", Ирина 4,55 мм), 5 проводников TLP2348 ТОК 1 ТОЛГОК, ТОТЕМНЕП 4,5 В ~ 30 В. 6 tyakowых, 5 -йлидирштва СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 264-TLP2348 (e Ear99 8541.49.8000 125 50 май 10 марта / с 3ns, 3ns 1,55 15 май 3750vrms 1/0 30 кв/мкс 120ns, 120ns
TLP631(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP631 (LF1, F) -
RFQ
ECAD 1402 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee * Трубка Управо TLP631 - 1 (neograniчennnый) 264-TLP631 (LF1F) Ear99 8541.49.8000 50
TLP250H(LF5,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP250H (LF5, F) -
RFQ
ECAD 2930 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Трубка Актифен -40 ° C ~ 125 ° C. Пефер 8-SMD, крхло TLP250 ТОК 1 ТОЛГОК, ТОТЕМНЕП 10 В ~ 30 В. 8-SMD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) 264-TLP250H (LF5F) Ear99 8541.49.8000 50 2 а - 50ns, 50ns 1,57 20 май 3750vrms 1/0 40 кв/мкс 500NS, 500NS
TLP781F(D4GR-TP7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F (D4GR-TP7, ф -
RFQ
ECAD 9870 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло TLP781F ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) 264-TLP781F (D4GR-TP7FTR Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 2 мкс, 3 мкс 80 1,15 В. 60 май 5000 дней 100% @ 5MA 300% @ 5MA 3 мкс, 3 мкс 400 м
TLX9906(TPL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLX9906 (TPL, ф 4.0500
RFQ
ECAD 9 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C. Пефер 6 SOIC (0,173 ", Ирина 4,40 мм), 4 Свина TLX9906 ТОК 1 Фото -доктерский 6-Sop СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 3000 - - 1,65 В. 30 май 3750vrms - - 200 мкс, 200 мкс - Автомобиль AEC-Q101
TLP781F(GRL-TP7,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F (GRL-TP7, F) -
RFQ
ECAD 2158 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло TLP781F ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) 264-tlp781f (grl-tp7f) tr Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 2 мкс, 3 мкс 80 1,15 В. 60 май 5000 дней 100% @ 5MA 200% @ 5MA 3 мкс, 3 мкс 400 м
TLP785F(LF7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F (LF7, ф -
RFQ
ECAD 9999 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло TLP785 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) 264-TLP785F (LF7F Ear99 8541.49.8000 100 50 май 2 мкс, 3 мкс 80 1,15 В. 60 май 5000 дней 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3 мкс, 3 мкс 400 м
TLP265J(V4-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP265J (V4-TPL, e 0,8400
RFQ
ECAD 2042 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6 SOIC (0,173 ", Ирина 4,40 мм), 4 Свина TLP265 Cqc, cur, ur, vde 1 Триак 6-Sop СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 3000 1,27 50 май 3750vrms 600 70 май 1ma (typ) Не 500 v/mks (typ) 10 май 20 мкс
TLP183(GR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP183 (gr, e 0,5100
RFQ
ECAD 2219 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Трубка Актифен -55 ° C ~ 125 ° C. Пефер 6 SOIC (0,173 ", Ирина 4,40 мм), 4 Свина TLP183 ТОК 1 Траншистор 6-Sop СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) TLP183 (GRE Ear99 8541.49.8000 125 50 май 2 мкс, 3 мкс 80 1,25 50 май 3750vrms 100% @ 5MA 300% @ 5MA 3 мкс, 3 мкс 300 м
TLP781(DLT-HR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (DLT-HR, F) -
RFQ
ECAD 9568 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Трубка Управо -55 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) TLP781 ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА 1 (neograniчennnый) 264-TLP781 (DLT-HRF) Ear99 8541.49.8000 100 50 май 2 мкс, 3 мкс 80 1,15 В. 60 май 5000 дней 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3 мкс, 3 мкс 400 м
TLP292-4(V4GBTRE Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4 (V4GBTRE 1.7900
RFQ
ECAD 2512 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 125 ° C. Пефер 16 SOIC (0,179 », Ирина 4,55 мм) TLP292 AC, DC 4 Траншистор 16-й СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 2 мкс, 3 мкс 80 1,25 50 май 3750vrms 100% @ 5MA 600% @ 5MA 3 мкс, 3 мкс 300 м
TLP9114B(SAN-TL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP9114B (SAN-TL, F. -
RFQ
ECAD 5590 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee * МАССА Управо - 264-TLP9114B (SAN-TLF Ear99 8541.49.8000 1
TLP2761F(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2761F (TP, F) -
RFQ
ECAD 5383 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 125 ° C. Пефер 6 SOIC (0,295 ", Ирина 7,50 мм) TLP2761 AC, DC 1 ТОЛГОК, ТОТЕМНЕП 2,7 В ~ 5,5 В. 6 ТАКОГО - ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) TLP2761F (TPF) Ear99 8541.49.8000 2500 10 май 15 марта 3ns, 3ns 1,5 В. 10 май 5000 дней 1/0 20 кв/мкс 80NS, 80NS
TLP293-4(LA-TR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP293-4 (LA-TR, e 1.6300
RFQ
ECAD 7543 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 125 ° C. Пефер 16 SOIC (0,179 », Ирина 4,55 мм) TLP293 ТОК 4 Траншистор 16-й СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 2 мкс, 3 мкс 80 1,25 50 май 3750vrms 50% @ 500 мк 600% @ 500 мк 3 мкс, 3 мкс 300 м
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе