Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-components.com
Ибрагейн | Nomerprodookta | ЦEnы (DOLLARR) | Колист | Ecad | Колист | Вер (К.) | Млн | В припании | Упако | Степень Продукта | Rraboч -yemperatura | МОНТАНАНГИП | PakeT / KORPUES | Baзowый nomer prodikta | ТИПВ | Агентево | Колист. Каналов | Втипа | Napraheneee - posta | ПАКЕТИВАЕТСЯ | Техниль | Статус Ройс | Вернояж | Дрогин ИНЕНА | Eccn | Htsus | Станодадж | Ток - | Скороп | Верна | На | На | Current - DC Forward (if) (max) | Naprayжeniee - yзolyahip | На | Current - On State (it (rms)) (MMaks) | Current - Hold (ih) | Vхodы - Стерона 1/СОЗОРОНА 2 | Обжильжим | Я | Коэффигиэнт Переносатока (мин) | Коэффигиэнт Передахитока (МАКС) | Klючite / vыklючite -veremymape (typ) | Vce nassheeneee (mmaks) | САМАМА | Статистский DV/DT (мин) | Ток - С. | Klючite -wreman | Оинка | Кваликака |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | TLP571 (TP1, F) | - | ![]() | 9818 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | * | Lenta и катахка (tr) | Управо | TLP571 | - | 1 (neograniчennnый) | 264-TLP571 (TP1F) Tr | Ear99 | 8541.49.8000 | 1500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TLP120 (GB-TPR, F) | - | ![]() | 6747 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | -55 ° C ~ 100 ° C. | Пефер | 6-SMD (4 свина), кргло | TLP120 | AC, DC | 1 | Траншистор | 6-mfsop, 4-й лир | - | ROHS COMPRINT | 1 (neograniчennnый) | TLP120 (GB-TPRF) | Ear99 | 8541.49.8000 | 3000 | 50 май | 2 мкс, 3 мкс | 80 | 1,15 В. | 50 май | 3750vrms | 100% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 мкс, 3 мкс | 400 м | ||||||||||||||||
![]() | TLP718F (D4-TP, F) | - | ![]() | 8340 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | МАССА | Управо | -40 ° C ~ 100 ° C. | Пефер | 6 SOIC (0,268 дюйма, Ирина 6,80 мм) | TLP718 | ТОК | 1 | ТОЛГОК, ТОТЕМНЕП | 4,5 В ~ 20. | 6-Sdip Gull Wing | СКАХАТА | 264-TLP718F (D4-TPF) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 5 марта / с | - | - | 3MA | 5000 дней | 1/0 | 10 кв/мкс | 250NS, 250NS | |||||||||||||||||||
![]() | TLP785 (GR-TP6, ф | 0,1515 | ![]() | 7283 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -55 ° C ~ 110 ° C. | TLP785 | ТОК | 1 | Траншистор | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | 264-TLP785 (GR-TP6FTR | Ear99 | 8541.49.8000 | 4000 | 50 май | 2 мкс, 3 мкс | 80 | 1,15 В. | 60 май | 5000 дней | 100% @ 5MA | 300% @ 5MA | 3 мкс, 3 мкс | 400 м | ||||||||||||||||||||
![]() | TLP290 (BLL-TP, E) | - | ![]() | 2482 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -55 ° C ~ 110 ° C. | Пефер | 4 SOIC (0,179 ", Ирина 4,55 мм) | TLP290 | AC, DC | 1 | Траншистор | 4 thacogogo | СКАХАТА | ROHS COMPRINT | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.49.8000 | 2500 | 50 май | 4 мкс, 7 мкс | 80 | 1,25 | 50 май | 3750vrms | 200% @ 5MA | 400% @ 5MA | 7 мкс, 7 мкс | 300 м | |||||||||||||||||
![]() | TLP759 (D4-IGM, J, F) | - | ![]() | 1741 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | МАССА | Управо | -55 ° C ~ 100 ° C. | Чereз dыru | 8-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) | TLP759 | ТОК | 1 | Траншистор С.Б.А. | 8-Dip | СКАХАТА | 264-TLP759 (D4-IGMJF) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 8 май | - | - | 1,65 В. | 25 май | 5000 дней | 25% @ 10ma | 75% @ 10ma | - | - | ||||||||||||||||||
![]() | 4n35 (Короктки tp1, f) | - | ![]() | 9664 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | * | Lenta и катахка (tr) | Управо | 4n35 | - | 1 (neograniчennnый) | 264-4n35 (Короктки Tp1f) tr | Ear99 | 8541.49.8000 | 1500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
TLP2745 (e | - | ![]() | 9400 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Трубка | Актифен | -40 ° C ~ 110 ° C. | Пефер | 6 SOIC (0,295 ", Ирина 7,50 мм) | TLP2745 | ТОК | 1 | ТОЛГОК, ТОТЕМНЕП | 4,5 В ~ 30 В. | 6 ТАКОГО | - | 1 (neograniчennnый) | 264-TLP2745 (e | Ear99 | 8541.49.8000 | 125 | 50 май | - | 3ns, 3ns | 1,55 | 15 май | 5000 дней | 1/0 | 30 кв/мкс | 120ns, 120ns | ||||||||||||||||||
![]() | TLP785F (D4Y-F7, F. | - | ![]() | 8840 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Трубка | Актифен | -55 ° C ~ 110 ° C. | Чereз dыru | 4-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) | TLP785 | ТОК | 1 | Траншистор | 4-Dip | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | 264-TLP785F (D4Y-F7F | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 май | 2 мкс, 3 мкс | 80 | 1,15 В. | 60 май | 5000 дней | 50% @ 5MA | 150% @ 5MA | 3 мкс, 3 мкс | 400 м | |||||||||||||||||
![]() | TLP385 (D4GR-TR, e | 0,5600 | ![]() | 3080 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -55 ° C ~ 110 ° C. | Пефер | 6 SOIC (0,173 ", Ирина 4,40 мм), 4 Свина | TLP385 | ТОК | 1 | Траншистор | 6 tyakowых, 4 -й лирштва | СКАХАТА | ROHS COMPRINT | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.49.8000 | 3000 | 50 май | 2 мкс, 3 мкс | 80 | 1,25 | 50 май | 5000 дней | 100% @ 5MA | 300% @ 5MA | 3 мкс, 3 мкс | 300 м | |||||||||||||||||
![]() | TLP732 (F) | - | ![]() | 4532 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | * | Трубка | Управо | TLP732 | - | 1 (neograniчennnый) | 264-TLP732 (F) | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TLP185 (GB, SE | 0,6100 | ![]() | 8225 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Трубка | Актифен | -55 ° C ~ 110 ° C. | Пефер | 6 SOIC (0,173 ", Ирина 4,40 мм), 4 Свина | TLP185 | ТОК | 1 | Траншистор | 6-Sop | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | TLP185 (GBSE | Ear99 | 8541.49.8000 | 125 | 50 май | 2 мкс, 3 мкс | 80 | 1,25 | 50 май | 3750vrms | 100% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 мкс, 3 мкс | 300 м | ||||||||||||||||
![]() | TLP781 (D4-Tels, F) | - | ![]() | 1749 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Трубка | Управо | -55 ° C ~ 110 ° C. | Чereз dыru | 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) | TLP781 | ТОК | 1 | Траншистор | 4-Dip | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | 264-TLP781 (D4-Telsf) | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 май | 2 мкс, 3 мкс | 80 | 1,15 В. | 60 май | 5000 дней | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 мкс, 3 мкс | 400 м | |||||||||||||||||
TLP626 (Fanuc, F) | - | ![]() | 7970 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | МАССА | Управо | -55 ° C ~ 100 ° C. | Чereз dыru | 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) | TLP626 | AC, DC | 1 | Траншистор | 4-Dip | СКАХАТА | 264-tlp626 (fanucf) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 50 май | 8 мкс, 8 мкс | 55 | 1,15 В. | 60 май | 5000 дней | 100% @ 1MA | 1200% @ 1MA | 10 мкс, 8 мкс | 400 м | |||||||||||||||||||
![]() | TLP626 (BV-LF2, F) | - | ![]() | 9710 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | МАССА | Управо | -55 ° C ~ 100 ° C. | Чereз dыru | 4-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) | TLP626 | AC, DC | 1 | Траншистор | 4-Dip | СКАХАТА | 264-TLP626 (BV-LF2F) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 50 май | 8 мкс, 8 мкс | 55 | 1,15 В. | 60 май | 5000 дней | 200% @ 1MA | 1200% @ 1MA | 10 мкс, 8 мкс | 400 м | ||||||||||||||||||
![]() | TLP2531 (TP1, F) | - | ![]() | 8249 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | МАССА | Управо | -55 ° C ~ 100 ° C. | Пефер | 8-SMD, крхло | TLP2531 | ТОК | 2 | Траншистор С.Б.А. | 8-SMD | СКАХАТА | 264-TLP2531 (TP1F) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 8 май | - | 15 | 1,65 В. | 25 май | 2500vrms | 19% @ 16ma | 30% @ 16ma | 200NS, 300NS | - | ||||||||||||||||||
![]() | TLP2348 (e | 1.1200 | ![]() | 75 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Трубка | Актифен | -40 ° C ~ 110 ° C. | Пефер | 6 SOIC (0,179 ", Ирина 4,55 мм), 5 проводников | TLP2348 | ТОК | 1 | ТОЛГОК, ТОТЕМНЕП | 4,5 В ~ 30 В. | 6 tyakowых, 5 -йлидирштва | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | 264-TLP2348 (e | Ear99 | 8541.49.8000 | 125 | 50 май | 10 марта / с | 3ns, 3ns | 1,55 | 15 май | 3750vrms | 1/0 | 30 кв/мкс | 120ns, 120ns | ||||||||||||||||
![]() | TLP631 (LF1, F) | - | ![]() | 1402 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | * | Трубка | Управо | TLP631 | - | 1 (neograniчennnый) | 264-TLP631 (LF1F) | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TLP250H (LF5, F) | - | ![]() | 2930 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Трубка | Актифен | -40 ° C ~ 125 ° C. | Пефер | 8-SMD, крхло | TLP250 | ТОК | 1 | ТОЛГОК, ТОТЕМНЕП | 10 В ~ 30 В. | 8-SMD | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | 264-TLP250H (LF5F) | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 2 а | - | 50ns, 50ns | 1,57 | 20 май | 3750vrms | 1/0 | 40 кв/мкс | 500NS, 500NS | |||||||||||||||||
![]() | TLP781F (D4GR-TP7, ф | - | ![]() | 9870 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | -55 ° C ~ 110 ° C. | Пефер | 4-SMD, крхло | TLP781F | ТОК | 1 | Траншистор | 4-SMD | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | 264-TLP781F (D4GR-TP7FTR | Ear99 | 8541.49.8000 | 2000 | 50 май | 2 мкс, 3 мкс | 80 | 1,15 В. | 60 май | 5000 дней | 100% @ 5MA | 300% @ 5MA | 3 мкс, 3 мкс | 400 м | |||||||||||||||||
![]() | TLX9906 (TPL, ф | 4.0500 | ![]() | 9 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 125 ° C. | Пефер | 6 SOIC (0,173 ", Ирина 4,40 мм), 4 Свина | TLX9906 | ТОК | 1 | Фото -доктерский | 6-Sop | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.49.8000 | 3000 | - | - | 7в | 1,65 В. | 30 май | 3750vrms | - | - | 200 мкс, 200 мкс | - | Автомобиль | AEC-Q101 | ||||||||||||||||
![]() | TLP781F (GRL-TP7, F) | - | ![]() | 2158 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | -55 ° C ~ 110 ° C. | Пефер | 4-SMD, крхло | TLP781F | ТОК | 1 | Траншистор | 4-SMD | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | 264-tlp781f (grl-tp7f) tr | Ear99 | 8541.49.8000 | 2000 | 50 май | 2 мкс, 3 мкс | 80 | 1,15 В. | 60 май | 5000 дней | 100% @ 5MA | 200% @ 5MA | 3 мкс, 3 мкс | 400 м | |||||||||||||||||
![]() | TLP785F (LF7, ф | - | ![]() | 9999 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Трубка | Актифен | -55 ° C ~ 110 ° C. | Пефер | 4-SMD, крхло | TLP785 | ТОК | 1 | Траншистор | 4-SMD | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | 264-TLP785F (LF7F | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 май | 2 мкс, 3 мкс | 80 | 1,15 В. | 60 май | 5000 дней | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 мкс, 3 мкс | 400 м | |||||||||||||||||
![]() | TLP265J (V4-TPL, e | 0,8400 | ![]() | 2042 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 100 ° C. | Пефер | 6 SOIC (0,173 ", Ирина 4,40 мм), 4 Свина | TLP265 | Cqc, cur, ur, vde | 1 | Триак | 6-Sop | СКАХАТА | ROHS COMPRINT | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.49.8000 | 3000 | 1,27 | 50 май | 3750vrms | 600 | 70 май | 1ma (typ) | Не | 500 v/mks (typ) | 10 май | 20 мкс | |||||||||||||||||
![]() | TLP183 (gr, e | 0,5100 | ![]() | 2219 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Трубка | Актифен | -55 ° C ~ 125 ° C. | Пефер | 6 SOIC (0,173 ", Ирина 4,40 мм), 4 Свина | TLP183 | ТОК | 1 | Траншистор | 6-Sop | СКАХАТА | ROHS COMPRINT | 1 (neograniчennnый) | TLP183 (GRE | Ear99 | 8541.49.8000 | 125 | 50 май | 2 мкс, 3 мкс | 80 | 1,25 | 50 май | 3750vrms | 100% @ 5MA | 300% @ 5MA | 3 мкс, 3 мкс | 300 м | ||||||||||||||||
![]() | TLP781 (DLT-HR, F) | - | ![]() | 9568 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Трубка | Управо | -55 ° C ~ 110 ° C. | Чereз dыru | 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) | TLP781 | ТОК | 1 | Траншистор | 4-Dip | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | 264-TLP781 (DLT-HRF) | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 май | 2 мкс, 3 мкс | 80 | 1,15 В. | 60 май | 5000 дней | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 мкс, 3 мкс | 400 м | |||||||||||||||||
TLP292-4 (V4GBTRE | 1.7900 | ![]() | 2512 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -55 ° C ~ 125 ° C. | Пефер | 16 SOIC (0,179 », Ирина 4,55 мм) | TLP292 | AC, DC | 4 | Траншистор | 16-й | СКАХАТА | ROHS COMPRINT | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.49.8000 | 2000 | 50 май | 2 мкс, 3 мкс | 80 | 1,25 | 50 май | 3750vrms | 100% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 мкс, 3 мкс | 300 м | ||||||||||||||||||
![]() | TLP9114B (SAN-TL, F. | - | ![]() | 5590 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | * | МАССА | Управо | - | 264-TLP9114B (SAN-TLF | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TLP2761F (TP, F) | - | ![]() | 5383 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | -40 ° C ~ 125 ° C. | Пефер | 6 SOIC (0,295 ", Ирина 7,50 мм) | TLP2761 | AC, DC | 1 | ТОЛГОК, ТОТЕМНЕП | 2,7 В ~ 5,5 В. | 6 ТАКОГО | - | ROHS COMPRINT | 1 (neograniчennnый) | TLP2761F (TPF) | Ear99 | 8541.49.8000 | 2500 | 10 май | 15 марта | 3ns, 3ns | 1,5 В. | 10 май | 5000 дней | 1/0 | 20 кв/мкс | 80NS, 80NS | |||||||||||||||||
TLP293-4 (LA-TR, e | 1.6300 | ![]() | 7543 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -55 ° C ~ 125 ° C. | Пефер | 16 SOIC (0,179 », Ирина 4,55 мм) | TLP293 | ТОК | 4 | Траншистор | 16-й | СКАХАТА | ROHS COMPRINT | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.49.8000 | 2000 | 50 май | 2 мкс, 3 мкс | 80 | 1,25 | 50 май | 3750vrms | 50% @ 500 мк | 600% @ 500 мк | 3 мкс, 3 мкс | 300 м |
Средний объем RFQ
Стандартный продукт
Мировые производители
На складе