SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta ТИПВ Агентево Колист. Каналов Втипа Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Ток - Скороп Верна На На Current - DC Forward (if) (max) Naprayжeniee - yзolyahip На Current - On State (it (rms)) (MMaks) Current - Hold (ih) Vхodы - Стерона 1/СОЗОРОНА 2 Обжильжим Я Коэффигиэнт Переносатока (мин) Коэффигиэнт Передахитока (МАКС) Klючite / vыklючite -veremymape (typ) Vce nassheeneee (mmaks) САМАМА Статистский DV/DT (мин) Ток - С. Klючite -wreman
TLP627(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP627 (TP1, F) -
RFQ
ECAD 2664 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло TLP627 ТОК 1 Дэйрлингтон 4-SMD СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1500 150 май 40 мкс, 15 мкс 300 1,15 В. 60 май 5000 дней 1000% @ 1MA - 50 мкс, 15 мкс 1,2 В.
TLP785(D4GL-T6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 (D4GL-T6, ф 0,7400
RFQ
ECAD 4 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло TLP785 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА ROHS COMPRINT Neprigodnnый Ear99 8541.49.8000 4000 50 май 2 мкс, 3 мкс 80 1,15 В. 60 май 5000 дней 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3 мкс, 3 мкс 400 м
TLP121(TA-TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP121 (TA-TPR, F) -
RFQ
ECAD 4831 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD (4 свина), кргло TLP121 ТОК 1 Траншистор 6-mfsop, 4-й лир - ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) TLP121 (TA-TPRF) Ear99 8541.49.8000 3000 50 май 2 мкс, 3 мкс 80 1,15 В. 50 май 3750vrms 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3 мкс, 3 мкс 400 м
TLP525G(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP525G (LF1, F) -
RFQ
ECAD 3080 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD (0,300 ", 7,62 ММ) TLP525 CSA, CUL, UL 1 Триак 4-SMD СКАХАТА 264-TLP525G (LF1F) Ear99 8541.49.8000 1 1,15 В. 50 май 2500vrms 400 100 май 600 мк Не 200 -мкс 10 май -
TLP626(LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP626 (LF2, F) -
RFQ
ECAD 7360 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 4-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) TLP626 AC, DC 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА 264-TLP626 (LF2F) Ear99 8541.49.8000 1 50 май 8 мкс, 8 мкс 55 1,15 В. 60 май 5000 дней 100% @ 1MA 1200% @ 1MA 10 мкс, 8 мкс 400 м
TLP785(GB-LF6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 (GB-LF6, f 0,6400
RFQ
ECAD 79 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло TLP785 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА ROHS COMPRINT Neprigodnnый TLP785 (GB-LF6F Ear99 8541.49.8000 100 50 май 2 мкс, 3 мкс 80 1,15 В. 60 май 5000 дней 100% @ 5MA 600% @ 5MA 3 мкс, 3 мкс 400 м
TLP620-2(D4-TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP620-2 (D4-TP1, F) -
RFQ
ECAD 7918 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8-SMD, крхло AC, DC 2 Траншистор 8-SMD СКАХАТА 264-TLP620-2 (D4-TP1F) Ear99 8541.49.8000 1 50 май 2 мкс, 3 мкс 55 1,15 В. 50 май 5000 дней 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3 мкс, 3 мкс 400 м
TLP388(D4GB-TL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP388 (D4GB-TL, e 0,7900
RFQ
ECAD 7358 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 125 ° C. Пефер 6 SOIC (0,173 ", Ирина 4,40 мм), 4 Свина TLP388 ТОК 1 Траншистор 6 tyakowых, 4 -й лирштва СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 3000 50 май 2 мкс, 3 мкс 350 1,25 50 май 5000 дней 100% @ 5MA 600% @ 5MA 3 мкс, 3 мкс 400 м
TLP626(MAT-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP626 (MAT-LF2, F) -
RFQ
ECAD 9349 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 4-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) TLP626 AC, DC 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА 264-TLP626 (MAT-LF2F) Ear99 8541.49.8000 1 50 май 8 мкс, 8 мкс 55 1,15 В. 60 май 5000 дней 100% @ 1MA 1200% @ 1MA 10 мкс, 8 мкс 400 м
TLP2362(V4-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2362 (V4-TPL, e 1.0500
RFQ
ECAD 9559 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C. - - TLP2362 ТОК 1 Otkrыtый kollekцyoner 2,7 В ~ 5,5 В. - СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 3000 25 май 10 марта 30ns, 30ns 1,55 25 май 3750vrms 1/0 20 кв/мкс 100ns, 100ns
TLP385(GB-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385 (GB-TPL, e 0,5500
RFQ
ECAD 6711 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 6 SOIC (0,173 ", Ирина 4,40 мм), 4 Свина TLP385 ТОК 1 Траншистор 6 tyakowых, 4 -й лирштва СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 3000 50 май 2 мкс, 3 мкс 80 1,25 50 май 5000 дней 100% @ 5MA 600% @ 5MA 3 мкс, 3 мкс 300 м
TLP2312(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2312 (TPL, e 1.7100
RFQ
ECAD 3 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C. Пефер 6 SOIC (0,179 ", Ирина 4,55 мм), 5 проводников TLP2312 ТОК 1 ТОЛГОК, ТОТЕМНЕП 2,2 В ~ 5,5 В. 6 tyakowых, 5 -йлидирштва - 1 (neograniчennnый) 264-TLP2312 (TPLETR Ear99 8541.49.8000 3000 8 май 5 марта / с 2.2NS, 1,6NS 1,53 В. 8 май 3750vrms 1/0 20 кв/мкс 250NS, 250NS
TLP385(GR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385 (gr, e 0,5500
RFQ
ECAD 2588 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 6 SOIC (0,173 ", Ирина 4,40 мм), 4 Свина TLP385 ТОК 1 Траншистор 6 tyakowых, 4 -й лирштва СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) TLP385 (GRE Ear99 8541.49.8000 125 50 май 2 мкс, 3 мкс 80 1,25 50 май 5000 дней 100% @ 5MA 300% @ 5MA 3 мкс, 3 мкс 300 м
TLP785(BLL-LF6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 (BLL-LF6, ф -
RFQ
ECAD 2699 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло TLP785 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) 264-TLP785 (BLL-LF6F Ear99 8541.49.8000 100 50 май 2 мкс, 3 мкс 80 1,15 В. 60 май 5000 дней 200% @ 5MA 400% @ 5MA 3 мкс, 3 мкс 400 м
TLP160G(U,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP160G (U, F) -
RFQ
ECAD 6312 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Трубка Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6 SOIC (0,173 ", Ирина 4,40 мм), 4 Свина TLP160G В 1 Триак 6-mfsop, 4-й лир - ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 150 1,15 В. 50 май 2500vrms 400 70 май 600 мк (теп) Не 200 -мкс 10 май 30 мкс
TLP293-4(V4GBTRE Toshiba Semiconductor and Storage TLP293-4 (V4GBTRE 1.6300
RFQ
ECAD 8493 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 125 ° C. Пефер 16 SOIC (0,179 », Ирина 4,55 мм) TLP293 ТОК 4 Траншистор 16-й СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 2 мкс, 3 мкс 80 1,25 50 май 3750vrms 100% @ 5MA 600% @ 5MA 3 мкс, 3 мкс 300 м
TLP3083F(F Toshiba Semiconductor and Storage TLP3083F (ф 1.7400
RFQ
ECAD 44 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Трубка Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-dip (0,400 ", 10,16 мм), 5 Свиньдов CQC, CSA, CUL, UL, VDE 1 Триак 6-Dip СКАХАТА 1 (neograniчennnый) 264-TLP3083F (ф Ear99 8541.49.8000 50 1,15 В. 50 май 5000 дней 800 В 100 май 600 мк В дар 2 кв/мкс (тип) 5 май -
TLP626-2(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP626-2 (f) -
RFQ
ECAD 5043 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 8-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) TLP626 AC, DC 2 Траншистор 8-Dip СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 50 50 май 8 мкс, 8 мкс 55 1,15 В. 50 май 5000 дней 100% @ 1MA 1200% @ 1MA 10 мкс, 8 мкс 400 м
TLP2161(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2161 (f) -
RFQ
ECAD 8290 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Трубка Актифен -40 ° C ~ 125 ° C. Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) TLP2161 ТОК 2 ТОЛГОК, ТОТЕМНЕП 2,7 В ~ 5,5 В. 8 ТАКОГО СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) TLP2161F Ear99 8541.49.8000 100 10 май 15 марта 3ns, 3ns 1,5 В. 10 май 2500vrms 2/0 20 кв/мкс 80NS, 80NS
TLP632(Y,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP632 (Y, F) -
RFQ
ECAD 2810 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee * Трубка Управо TLP632 - 1 (neograniчennnый) 264-TLP632 (YF) Ear99 8541.49.8000 50
4N36(SHORT,F) Toshiba Semiconductor and Storage 4n36 (Короккил, f) -
RFQ
ECAD 2266 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) 4n36 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-Dip СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 50 100 май - 30 1,15 В. 60 май 2500vrms 40% @ 10ma - 3 мкс, 3 мкс 300 м
TLP3042SCF Toshiba Semiconductor and Storage TLP3042SCF -
RFQ
ECAD 8672 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Трубка Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-dip (0,300 ", 7,62 мм), 5 Свиньдов TLP3042 BSI, SEMKO, UR 1 Триак 6-Dip (Cut), 5 SVINцA СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 50 1,15 В. 50 май 5000 дней 400 100 май 600 мк (теп) В дар 200 -мкс 10 май -
TLP185(TPL,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185 (TPL, SE 0,6000
RFQ
ECAD 9189 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 6 SOIC (0,173 ", Ирина 4,40 мм), 4 Свина TLP185 ТОК 1 Траншистор 6-Sop СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 3000 50 май 2 мкс, 3 мкс 80 1,25 50 май 3750vrms 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3 мкс, 3 мкс 300 м
TLP2368(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2368 (TPL, e 1.8100
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C. Пефер 6 SOIC (0,179 ", Ирина 4,55 мм), 5 проводников TLP2368 ТОК 1 Otkrыtый kollekцyoner 2,7 В ~ 5,5 В. 6 tyakowых, 5 -йлидирштва СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 3000 25 май 20 марта 30ns, 30ns 1,55 25 май 3750vrms 1/0 20 кв/мкс 60NS, 60NS
TLP121(GB,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP121 (GB, F) -
RFQ
ECAD 3007 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD (4 свина), кргло TLP121 ТОК 1 Траншистор 6-mfsop, 4-й лир - ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) TLP121 (GBF) Ear99 8541.49.8000 50 50 май 2 мкс, 3 мкс 80 1,15 В. 50 май 3750vrms 100% @ 5MA 600% @ 5MA 3 мкс, 3 мкс 400 м
TLP2361(V4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2361 (V4, e 1.0400
RFQ
ECAD 7 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Трубка Актифен -40 ° C ~ 125 ° C. Пефер 6 SOIC (0,179 ", Ирина 4,55 мм), 5 проводников TLP2361 ТОК 1 ТОЛГОК, ТОТЕМНЕП 2,7 В ~ 5,5 В. 6 tyakowых, 5 -йлидирштва СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 125 10 май 15 марта 3ns, 3ns 1,5 В. 10 май 3750vrms 1/0 20 кв/мкс 80NS, 80NS
TLP5705H(D4LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5705H (D4LF4, e 2.0100
RFQ
ECAD 3764 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Трубка Актифен -40 ° C ~ 125 ° C. Пефер 6 SOIC (0,295 ", Ирина 7,50 мм) ТОК 1 ТОЛГОК, ТОТЕМНЕП 15 В ~ 30 6 ТАКОГО СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 125 - 37NS, 50NS 1,55 20 май 5000 дней 1/0 50 кв/мкс 200ns, 200ns
TLP2303(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2303 (TPL, e 0,8300
RFQ
ECAD 3 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C. Пефер 6 SOIC (0,179 ", Ирина 4,55 мм), 5 проводников TLP2303 ТОК 1 Траншистор 6 tyakowых, 5 -йлидирштва СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 3000 80 май - 18В - 20 май 3750vrms 500% @ 5MA - - -
TLP2761(TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2761 (TP4, e -
RFQ
ECAD 7022 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C. Пефер 6 SOIC (0,295 ", Ирина 7,50 мм) TLP2761 AC, DC 1 2,7 В ~ 5,5 В. 6 ТАКОГО СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) TLP2761 (TP4E Ear99 8541.49.8000 1000 10 май 15 марта 3ns, 3ns 1,5 В. 10 май 5000 дней 1/0 20 кв/мкс 80NS, 80NS
TLP121(GB-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP121 (GB-TPL, F) -
RFQ
ECAD 2862 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD (4 свина), кргло TLP121 ТОК 1 Траншистор 6-mfsop, 4-й лир - ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) TLP121 (GB-TPLF) Ear99 8541.49.8000 3000 50 май 2 мкс, 3 мкс 80 1,15 В. 50 май 3750vrms 100% @ 5MA 600% @ 5MA 3 мкс, 3 мкс 400 м
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе