SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta ТИПВ Колист. Каналов Втипа Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Ток - Скороп Верна На На Current - DC Forward (if) (max) Naprayжeniee - yзolyahip На Current - On State (it (rms)) (MMaks) Current - Hold (ih) Vхodы - Стерона 1/СОЗОРОНА 2 Обжильжим Я Коэффигиэнт Переносатока (мин) Коэффигиэнт Передахитока (МАКС) Klючite / vыklючite -veremymape (typ) Vce nassheeneee (mmaks) САМАМА Статистский DV/DT (мин) Ток - С. Klючite -wreman
TLP531(YG,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP531 (YG, F) -
RFQ
ECAD 6694 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee * Трубка Управо TLP531 - 1 (neograniчennnый) 264-TLP531 (YGF) Ear99 8541.49.8000 50
TLP108(V4-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP108 (V4-TPL, F) -
RFQ
ECAD 5440 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6 SOIC (0,173 ", Ирина 4,40 мм), 5 проводников TLP108 ТОК 1 ТОЛГОК, ТОТЕМНЕП 4,5 В ~ 20. 6-mfsop, 5 LIDERSTHASTA СКАХАТА 264-TLP108 (V4-TPLF) Ear99 8541.49.8000 1 25 май 5 марта / с 30ns, 30ns 1,57 20 май 3750vrms 1/0 10 кв/мкс 250NS, 250NS
TLP781F(D4BLL-F7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F (D4BLL-F7, ф -
RFQ
ECAD 3316 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Трубка Управо -55 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 4-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) TLP781F ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА 1 (neograniчennnый) 264-TLP781F (D4BLL-F7F Ear99 8541.49.8000 100 50 май 2 мкс, 3 мкс 80 1,15 В. 60 май 5000 дней 200% @ 5MA 400% @ 5MA 3 мкс, 3 мкс 400 м
TLP185(BLL-TR,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185 (BLL-TR, SE 0,6000
RFQ
ECAD 7102 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 6 SOIC (0,173 ", Ирина 4,40 мм), 4 Свина TLP185 ТОК 1 Траншистор 6-Sop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 3000 50 май 2 мкс, 3 мкс 80 1,25 50 май 3750vrms 200% @ 5MA 400% @ 5MA 3 мкс, 3 мкс 300 м
TLP732(D4GRH-LF2,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP732 (D4GRH-LF2, ф -
RFQ
ECAD 1476 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee * Трубка Управо TLP732 - 1 (neograniчennnый) 264-TLP732 (D4GRH-LF2F Ear99 8541.49.8000 50
TLP185(GR-TPR,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185 (GR-TPR, SE 0,5900
RFQ
ECAD 3461 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 6 SOIC (0,173 ", Ирина 4,40 мм), 4 Свина TLP185 ТОК 1 Траншистор 6-Sop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 3000 50 май 2 мкс, 3 мкс 80 1,25 50 май 3750vrms 100% @ 5MA 300% @ 5MA 3 мкс, 3 мкс 300 м
TLP121(GRH-TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP121 (GRH-TPR, F) -
RFQ
ECAD 4690 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD (4 свина), кргло TLP121 ТОК 1 Траншистор 6-mfsop, 4-й лир - ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) TLP121 (GRH-TPRF) Ear99 8541.49.8000 3000 50 май 2 мкс, 3 мкс 80 1,15 В. 50 май 3750vrms 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3 мкс, 3 мкс 400 м
TLP2468(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2468 (F) -
RFQ
ECAD 5641 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Трубка Актифен -40 ° C ~ 125 ° C. Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) TLP2468 ТОК 1 Otkrыtый kollekцyoner 2,7 В ~ 5,5 В. 8 ТАКОГО СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) TLP2468F Ear99 8541.49.8000 100 25 май 20 марта 30ns, 30ns 1,57 25 май 3750vrms 1/0 15 кв/мкс 60NS, 60NS
TLP716F(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP716F (F) -
RFQ
ECAD 7837 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6 SOIC (0,268 дюйма, Ирина 6,80 мм) ТОК 1 ТОЛГОК, ТОТЕМНЕП 4,5 n 5,5. 6-Sdip Gull Wing СКАХАТА 264-tlp716f (f) Ear99 8541.49.8000 1 10 май 15 марта 15NS, 15NS 1,65 В. 20 май 5000 дней 1/0 10 кв/мкс 75ns, 75ns
TLP759F(D4FA1T4SJF Toshiba Semiconductor and Storage TLP759F (D4FA1T4SJF -
RFQ
ECAD 3610 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 8-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) TLP759 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 8-Dip СКАХАТА 264-TLP759F (D4FA1T4SJF Ear99 8541.49.8000 1 - - - 1,65 В. 25 май 5000 дней 20% @ 16ma - - -
TLP182(Y,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP182 (y, e 0,5500
RFQ
ECAD 1756 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Трубка Актифен -55 ° C ~ 125 ° C. Пефер 6 SOIC (0,173 ", Ирина 4,40 мм), 4 Свина TLP182 AC, DC 1 Траншистор 6-Sop СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) TLP182 (Ye Ear99 8541.49.8000 125 50 май 2 мкс, 3 мкс 80 1,25 50 май 3750vrms 50% @ 5MA 150% @ 5MA 3 мкс, 3 мкс 300 м
TLP785F(GR,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F (gr, f 0,7200
RFQ
ECAD 100 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 4-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) TLP785 ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА ROHS COMPRINT Neprigodnnый TLP785F (GRF Ear99 8541.49.8000 100 50 май 2 мкс, 3 мкс 80 1,15 В. 60 май 5000 дней 100% @ 5MA 300% @ 5MA 3 мкс, 3 мкс 400 м
TLP120(GR-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP120 (GR-TP, F) -
RFQ
ECAD 9211 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD (4 свина), кргло TLP120 AC, DC 1 Траншистор 6-mfsop, 4-й лир - ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) TLP120 (GR-TPF) Ear99 8541.49.8000 3000 50 май 2 мкс, 3 мкс 80 1,15 В. 50 май 3750vrms 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3 мкс, 3 мкс 400 м
TLP785(TP6,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 (TP6, F) 0,6400
RFQ
ECAD 4 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло TLP785 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 4000 50 май 2 мкс, 3 мкс 80 1,15 В. 60 май 5000 дней 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3 мкс, 3 мкс 400 м
TLP160J(V4T7TRUC,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP160J (V4T7TRUC, ф -
RFQ
ECAD 5602 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee * Lenta и катахка (tr) Управо TLP160J - 1 (neograniчennnый) 264-TLP160J (V4T7TRUCFTR Ear99 8541.49.8000 3000
TLP388(D4-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP388 (D4-TPL, e 0,7900
RFQ
ECAD 3 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 125 ° C. Пефер 6 SOIC (0,173 ", Ирина 4,40 мм), 4 Свина TLP388 ТОК 1 Траншистор 6 tyakowых, 4 -й лирштва СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 3000 50 май 2 мкс, 3 мкс 350 1,25 50 май 5000 дней 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3 мкс, 3 мкс 400 м
TLP160G(T7-TPR,U,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP160G (T7-TPR, U, F. -
RFQ
ECAD 6615 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee * Lenta и катахка (tr) Управо TLP160G - 1 (neograniчennnый) 264-TLP160G (T7-TPRUFTR Ear99 8541.49.8000 3000
TLP127(NS-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP127 (NS-TPL, F) -
RFQ
ECAD 2554 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD (4 свина), кргло TLP127 ТОК 1 Дэйрлингтон 6-mfsop, 4-й лир - 1 (neograniчennnый) 264-TLP127 (NS-TPLF) Tr Ear99 8541.49.8000 3000 150 май 40 мкс, 15 мкс 300 1,15 В. 50 май 2500vrms 1000% @ 1MA - 50 мкс, 15 мкс 1,2 В.
TLP266J(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP266J (e 0,8800
RFQ
ECAD 125 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee TLP Трубка Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6 SOIC (0,173 ", Ирина 4,40 мм), 4 Свина TLP266 1 Триак 6-Sop СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 125 1,27 30 май 3750vrms 600 70 май 600 мк (теп) В дар 200 -мкс 10 май 30 мкс
TLP732(D4GRH-TP5,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP732 (D4GRH-TP5, ф -
RFQ
ECAD 9844 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee * Трубка Управо TLP732 - 1 (neograniчennnый) 264-TLP732 (D4GRH-TP5F Ear99 8541.49.8000 1500
TLP591B(C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP591B (C, F) 3.2100
RFQ
ECAD 8 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Трубка Актифен -55 ° C ~ 125 ° C. Чereз dыru 6-dip (0,300 ", 7,62 мм), 5 Свиньдов TLP591 ТОК 1 Фото -доктерский 6-dip, 5-й лидрштва СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 50 24 мка - 1,4 В. 50 май 2500vrms - - 200 мкс, 3 мс -
TLP9148J(ND-TL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP9148J (ND-TL, F) -
RFQ
ECAD 2452 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee * МАССА Управо - 264-TLP9148J (ND-TLF) Ear99 8541.49.8000 1
TLP292-4(LA-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4 (LA-TP, e 1.7900
RFQ
ECAD 1266 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 125 ° C. Пефер 16 SOIC (0,179 », Ирина 4,55 мм) TLP292 AC, DC 4 Траншистор 16-й СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 2 мкс, 3 мкс 80 1,25 50 май 3750vrms 50% @ 500 мк 600% @ 500 мк 3 мкс, 3 мкс 300 м
TLP5772H(D4TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5772H (D4TP4, e 2.6700
RFQ
ECAD 6851 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C. Пефер 6 SOIC (0,295 ", Ирина 7,50 мм) TLP5772 ТОК 1 ТОЛГОК, ТОТЕМНЕП 15 В ~ 30 6 ТАКОГО СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1500 - 56NS, 25NS 1,55 8 май 5000 дней 1/0 35 К/мкс 150NS, 150NS
6N137F Toshiba Semiconductor and Storage 6n137f -
RFQ
ECAD 3245 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Трубка Актифен 0 ° C ~ 70 ° C. Чereз dыru 8-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) 6n137 ТОК 1 Otkrыtый kollekцyoner 4,5 n 5,5. 8-Dip СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 50 50 май 10 марта 30ns, 30ns 1,65 В. 20 май 2500vrms 1/0 200 В/мкс, 500 В/мкс (теп) 75ns, 75ns
TLP2362(E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2362 (E) 1.0500
RFQ
ECAD 1673 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Трубка Актифен -40 ° C ~ 125 ° C. Пефер 6 SOIC (0,179 ", Ирина 4,55 мм), 5 проводников TLP2362 ТОК 1 Otkrыtый kollekцyoner 2,7 В ~ 5,5 В. 6 tyakowых, 5 -йлидирштва СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 125 25 май 10 марта 30ns, 30ns 1,55 25 май 3750vrms 1/0 20 кв/мкс 100ns, 100ns
TLP9104A(ND-TL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP9104A (ND-TL, F) -
RFQ
ECAD 9141 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee * МАССА Управо - 264-TLP9104A (ND-TLF) Ear99 8541.49.8000 1
TLP291-4(V4GBTPE Toshiba Semiconductor and Storage TLP291-4 (V4GBTPE 1.0600
RFQ
ECAD 4931 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 16 SOIC (0,179 », Ирина 4,55 мм) TLP291 ТОК 4 Траншистор 16-й СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 2 мкс, 3 мкс 80 1,2 В. 50 май 2500vrms 100% @ 5MA 400% @ 5MA 3 мкс, 3 мкс 400 м
TLP121(TA-TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP121 (TA-TPR, F) -
RFQ
ECAD 4831 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD (4 свина), кргло TLP121 ТОК 1 Траншистор 6-mfsop, 4-й лир - ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) TLP121 (TA-TPRF) Ear99 8541.49.8000 3000 50 май 2 мкс, 3 мкс 80 1,15 В. 50 май 3750vrms 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3 мкс, 3 мкс 400 м
TLP266J(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP266J (TPL, e 0,9000
RFQ
ECAD 3 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee TLP Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6 SOIC (0,173 ", Ирина 4,40 мм), 4 Свина TLP266 1 Триак 6-Sop СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 3000 1,27 30 май 3750vrms 600 70 май 600 мк (теп) В дар 200 -мкс 10 май 30 мкс
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе